JP4951482B2 - 反射板、表示装置、及びその製造方法 - Google Patents
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Description
始めに、図1を用いて、本実施の形態に係る反射板が適用される表示装置について説明する。図1は、表示装置に用いられるTFTアレイ基板の構成を示す正面図である。本実施の形態に係る表示装置は、半透過型液晶表示装置を例として説明するが、あくまでも例示的なものであり、反射型液晶表示装置等を用いることも可能である。この液晶表示装置の全体構成については、以下に述べる第1〜第10の実施形態で共通である。
次に、図8を用いて、本実施の形態2に係る反射板312について説明する。本実施の形態では、反射板の構成が実施の形態1と異なっていて、それ以外の構成については実施の形態1と同様であるため説明を省略する。図8は、本実施の形態2に係る反射板312が用いられたTFTアレイ基板62の断面構造を示す図である。
本実施の形態3に係る反射板313について、図10を用いて説明する。本実施の形態では、反射板の構成が実施の形態1、2と異なっていて、それ以外の構成については実施の形態1、2と同様であるため説明を省略する。図10は、本実施の形態3に係る反射板313が用いられたTFTアレイ基板63の断面構造を示す図である。
本実施の形態4に係る反射板314について、図11を用いて説明する。本実施の形態では、反射板の構成が実施の形態2と異なっていて、それ以外の構成については実施の形態2と同様であるため説明を省略する。図11は、本実施の形態4に係る反射板314が用いられたTFTアレイ基板64の断面構造を示す図である。
本実施の形態5に係る反射板315について、図12及び図13を用いて説明する。本実施の形態では、反射板の構成が実施の形態1〜4と異なっていて、それ以外の構成については実施の形態1〜4と同様であるため説明を省略する。実施の形態1〜4では、反射板の表面に形成される微細凹凸パターンの配置は、ランダムな迷路状であったため、反射光は全方位に散乱されるような等方性散乱特性を有している。本実施の形態では、ある任意の方向に反射光を集中させるような異方性散乱特性を持たせることのできる反射板について説明する。図12は、本実施の形態5に係る反射板315が用いられたTFTアレイ基板65の平面図である。図13は、図12のXIII−XIII断面図である。
本実施の形態6に係る反射板316について、図2及び図14を用いて説明する。本実施の形態では、反射板の構成及び画素電極部の反射部の構成が実施の形態1と異なっていて、それ以外の構成については実施の形態1と同様であるため説明を省略する。図14は、本実施の形態6に係る反射板316が用いられたTFTアレイ基板66の断面構造を示す図であり、図2のXIV−XIV断面図である。
次に、図17を用いて、本実施の形態7に係る反射板317について説明する。本実施の形態では、反射板の構成が実施の形態6と異なっていて、それ以外の構成については実施の形態6と同様であるため説明を省略する。図17は、本実施の形態7に係る反射板317が用いられたTFTアレイ基板67の断面構造を示す図である。本実施の形態では、実施の形態6と実施の形態2を組み合わせた反射板について説明する。
本実施の形態8に係る反射板318について、図18を用いて説明する。本実施の形態では、反射板の構成が実施の形態6、7と異なっていて、それ以外の構成については実施の形態6、7と同様であるため説明を省略する。図18は、本実施の形態8に係る反射板318が用いられたTFTアレイ基板68の断面構造を示す図である。本実施の形態では、実施の形態6と実施の形態3を組み合わせた反射板について説明する。
本実施の形態9に係る反射板319について、図19を用いて説明する。本実施の形態では、反射板の構成が実施の形態7と異なっていて、それ以外の構成については実施の形態7と同様であるため説明を省略する。図19は、本実施の形態9に係る反射板319が用いられたTFTアレイ基板69の断面構造を示す図である。本実施の形態では、実施の形態6と実施の形態4を組み合わせた反射板について説明する。
本実施の形態10に係る反射板310について、図12及び図20を用いて説明する。本実施の形態では、反射板の構成が実施の形態6〜9と異なっていて、それ以外の構成については実施の形態6〜9と同様であるため説明を省略する。実施の形態6〜9では、反射板の表面に形成される微細凹凸パターンの配置は、ランダムな迷路状であったため、反射光は全方位に散乱されるような等方性散乱特性を有している。本実施の形態では、実施の形態5と同様、ある任意の方向に反射光を集中させるような異方性散乱特性を持たせることのできる反射板について説明する。すなわち、本実施の形態では、実施の形態6と実施の形態5を組み合わせた反射板について説明する。図20は、本実施の形態10に係る反射板310が用いられたTFTアレイ基板70の断面構造を示す図であり、図12のXX−XX断面図である。
6 ゲート絶縁膜、7 半導体膜、8 オーミック低抵抗膜、9 チャネル部、
10 ソース電極、11 ドレイン電極、13 ソース端子、14 層間絶縁膜、
15、16、17 コンタクトホール、18 反射画素開口部、
19a、19b、19c、19d 反射画素パターン、
20、20a 反射画素電極、21 透過画素電極、22 ゲート端子パッド、
23 ソース端子パッド、24 高反射画素電極、25 凹凸パターン、
26 光源、27 光線、28 反射光、29 目線、30 散乱反射、
31 反射板、41 表示領域、42 額縁領域、43 ゲート配線、
44 ソース配線、45 走査信号駆動回路、46 表示信号駆動回路、
47 画素、48 外部配線、50 TFT、
61〜70 TFTアレイ基板、71、72 半導体膜、
81、82 オーミック低抵抗膜、87 積層パターン、310〜319 反射板
Claims (19)
- 光を散乱反射させる反射板であって、
有機系樹脂又はSiを主成分とする下地層と、
前記下地層の上に直接設けられ、酸素原子を含むAl合金膜によって形成された反射膜と、を備える反射板。 - 前記反射膜の上に設けられた、前記反射膜より高い反射率を有する高反射膜をさらに備える請求項1に記載の反射板。
- 前記高反射膜は、前記反射膜より酸素原子の濃度が低いAl合金膜によって形成されている請求項2に記載の反射板。
- 前記高反射膜は、Ag膜又はAgを主成分とする合金膜によって形成されている請求項2に記載の反射板。
- 前記反射膜は、少なくとも前記下地層との界面近傍において酸素原子を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の反射板。
- 前記反射膜は、前記下地層との界面から離れるに従って酸素原子の濃度が低くなるような酸素原子濃度分布を有する請求項1乃至5のいずれか一項に記載の反射板。
- 前記下地層の表面に、任意の方向に配列された凹凸パターンが形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の反射板。
- 前記反射膜は、前記Siを主成分とする下地層との界面近傍では、Ni原子を含まないことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の反射板。
- 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の反射板を用いた表示装置。
- 基板上に形成された薄膜トランジスタをさらに備え、
前記Siを主成分とする下地層は、前記薄膜トランジスタの半導体膜と同じ層によって形成されているか、又は前記薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極と前記半導体膜との間に設けられたオーミックコンタクト膜と同じ層によって形成されている請求項9に記載の表示装置。 - 光を散乱反射させる反射板の製造方法であって、
有機系樹脂又はSiを主成分とする下地層を形成する工程と、
前記下地層の上に直接積層される反射膜を形成する工程と、を備え、
前記反射膜として酸素原子を含むAl合金膜を形成する反射板の製造方法。 - 前記反射膜を形成する工程では、Al又はAl合金をターゲットとして、Arガス又はKrガスにO2ガスを添加した混合ガスを用いたスパッタリングにより前記酸素原子を含むAl合金膜を成膜する請求項11に記載の反射板の製造方法。
- 前記スパッタリングの時間経過とともに、前記混合ガスに添加するO2ガス量を徐々に減らして前記酸素原子を含むAl合金膜を成膜することを特徴とする請求項12に記載の反射板の製造方法。
- 前記反射膜の形成工程の後、前記下地層の形成工程において成膜された下地層と、前記反射膜の形成工程において成膜された反射膜とを一括でパターニングする工程をさらに備える請求項11乃至13のいずれか一項に記載の反射膜の製造方法。
- 前記下地層の形成工程では、任意の方向に配列された凹凸パターンを表面に有する前記下地層を形成する請求項11乃至13のいずれか一項に記載の反射板の製造方法。
- 前記反射膜の上に、前記反射膜より高い反射率を有する高反射膜をさらに形成することを特徴とする請求項11乃至15のいずれか一項に記載の反射板の製造方法。
- 前記反射膜を形成する前に、前記有機系樹脂を主成分とする下地層の上に、少なくとも酸素原子を含むガスを用いたプラズマ処理、又は酸素原子を含む雰囲気中で紫外線の照射を行うことを特徴とする請求項11乃至16のいずれか一項に記載の反射板の製造方法。
- 反射板を有する表示装置の製造方法であって、
請求項11乃至17のいずれか一項に記載の製造方法を用いて前記反射板を形成する表示装置の製造方法。 - 前記Siを主成分とする下地層は、前記表示装置に用いられる薄膜トランジスタの半導体膜を形成する工程、又は前記薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極と前記半導体膜との間に設けられたオーミックコンタクト膜を形成する工程において形成する請求項18に記載の表示装置の製造方法。
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