DE10131867B4 - Verfahren zur Wärmebehandlung vorgespannter Glasscheiben - Google Patents

Abstract

Verfahren zur Wärmebehandlung vorgespannter Glasscheiben zum Zwecke des Ausscheidens von durch Volumenzuwachs eingeschlossener Kristalle, insbesondere durch Umsetzung von Nickelsulfid-Einschlüssen aus ihrer α-Phase in ihre β-Phase, von Spontanbruch gefährdeten Exemplaren, auch Heat-Soak-Test genannt, wobei die Glasscheiben nach dem Vorspannen für eine bestimmte Zeitspanne auf mindestens einem den Volumenzuwachs der Kristalle beschleunigenden Temperaturwert gehalten werden, dadurch gekennzeichnet, dass
– die Temperatur der Glasscheiben ausgehend von einer Anfangstemperatur in den Bereich einer Keimbildung der β-Phase in den vorhandenen α-NiS-Einschlüssen eingesteuert wird, der zwischen 80 und 200 °C liegt, im folgenden Keimbildungsbereich genannt, wobei die Temperaturänderung beim Einsteuern des Keimbildungsbereichs mehr als 2 K/min beträgt,
– innerhalb des Keimbildungsbereichs für mindestens 5 Minuten eine gegenüber der vorgenannten Temperaturänderung wesentlich langsamere Temperaturänderung gesteuert oder eine bestimmte Temperatur konstant gehalten wird, und
– die Glasscheiben anschließend für mindestens 15 Minuten einer weiteren Wärmebehandlung in einem Temperaturbereich oberhalb der Temperatur des Keimbildungsbereichs im Bereich...

Description

• Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Wärmebehandlung vorgespannter Glasscheiben zum Ausscheiden von zum Spontanbruch neigenden Glasscheiben mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruchs 1.
• Derartige Verfahren sind als Heißlagerungstest (auch „Heat-Soak-Test") bekannt. Durch ihre Anwendung sollen solche vorgespannten Glasscheiben schon vor dem Verkauf und Einbau zerstört werden, die aufgrund von Kristalleinschlüssen, namentlich Nickelsulfid-(NiS-)Körnern, von plötzlichem, unvorhersehbarem Zerspringen nach ihrem Einbau gefährdet sind. Um einen unverhältnismäßig hohen Aufwand bei der Rohstoffprüfung, Glasschmelze und Plattenprüfung zu vermeiden, wird an den in Frage kommenden Glasplatten (vor allem solche, die für Fassadenverglasungen vorgesehen sind) mit Hilfe des Heißlagerungstests ein längerer Zeitraum unter Einsatzbedingungen simuliert. Der Test beschleunigt wie in einem Zeitraffer den Umsetzungs- und Wachstumsprozess der NiS-Einschlüsse, der unter normalen Umgebungsbedingungen sehr langsam (über Jahre hinweg) abläuft.
• Kurz gefasst kann Floatglas kristalline NiS-Einschlüsse enthalten, deren (hexagonale) α-Form oberhalb von 380 °C stabil ist. Unterhalb dieser Grenztemperatur beginnt eine allotrope Umwandlung in die (rhomboedrische) β-Form. Letztere lässt durch Zunahme des Kornvolumens über einen mehr oder weniger langen Zeitraum, der von den auf das Glas einwirkenden Temperaturen und der Feinzusammensetzung des Einschlusses abhängt, innere Spannungen in der Glasmasse entstehen, die schließlich auch noch nach Jahren zur spontanen Selbstzerstörung der betroffenen Glasscheibe führen können. Aus kristallografischen Daten berechnet sich ein maximaler Volumenzuwachs von 4,0%.
• Herkömmliche Heißlagerungstests sind wegen hohen Zeitbedarfs und mangelnder Kontinuität des Materialflusses ein kommerziell störendes Produktionshemmnis. Für eine spontane Zerstörung der genannten Art anfällige Platten überstehen den Test meist nicht, während nicht zerstörte Platten als unbedenklich einsetzbar gelten. Immer noch kommen Spontanbrüche am Einsatzort aber auch bei Scheiben vor, die zuvor einem Heißlagerungstest unterzogen wurden. Man sucht daher Wege, die Zuverlässigkeit der Ergebnisse zu steigern, wobei der Zeitbedarf der Wärmebehandlung möglichst gering zu halten ist.
• So beschreibt US-A-6,067,820 ein Verfahren, das im Ergebnis einen kontinuierlichen Fluss der Glasscheiben im Anschluss an den Vorspannvorgang auch während des Heißlagerungstests ermöglichen soll. Das wird dadurch erreicht, dass nach dem üblichen Vorspannprozess die Glasscheiben von ca. 300 °C wieder auf eine Temperatur von ca. 340 – 370 °C aufgeheizt bzw. ihre Abkühlung unmittelbar nach dem Vorspannen bei Erreichen dieses Temperaturbereichs vorübergehend angehalten wird. Durch Halten der Temperatur für eine relativ kurze Zeitspanne von einer bis mehreren Minuten in diesem Bereich soll eine vollständige Umwandlung der NiS-Einschlüsse von der α-Phase in die β-Phase sicher gestellt werden, bei der die NiS-Einschlüsse einen Volumenzuwachs von 2,38 erfahren und dadurch anfällige Scheiben zum Spontanbruch bringen. Die relativ kurze Einwirkzeit der erhöhten Temperatur soll negative Auswirkungen auf die Vorspannung der Glasscheiben ausschließen. Hernach werden die getesteten intakten Glasscheiben durch Anblasen mit Kühlluft (Zwangskonvektion) auf eine zur weiteren Handhabung geeignete Temperatur gebracht.
• DE-B2-20 43 942 beschreibt ein anderes Verfahren, bei dem die Glasscheiben vor oder nach dem Vorspannen für eine vorgegebene Zeitspanne in einem Temperaturbereich zwischen 100 und 380 °C gehalten werden müssen, wobei die Temperatur über der Zeit innerhalb der genannten Grenzwerte nach den bekannten exponentiellen Gesetzen der Umwandlungskinetik erster Ordnung variieren kann. Bei Einhaltung höherer Temperaturen ist daher die benötigte Zeitspanne kürzer. Damit wird zunächst die Umwandlung der NiS-Einschlüsse von der α- in die β-Phase erreicht, wobei schon in dieser Stufe eine Mehrzahl der gefährdeten (Probe-)Scheiben gebrochen ist. Bevorzugt wird ein kurzer oberflächlicher Aufheizvorgang angeschlossen, wobei die noch intakten Glasscheiben erneut für kurze Zeit (zwischen 10 und 300 Sekunden) einer hohen Temperatur (zwischen 300 und 950 °C) ausgesetzt werden. Diese Belastungsprobe soll „anfällige" Glasscheiben, in denen sich infolge des Kristallwachstums bereits Mikrorisse gebildet haben, vollends zerstören. Sie wird zeitlich eng begrenzt, damit der Hitzeschock keine negativen Auswirkungen auf die Vorspannung der Glasscheiben hat. Den in DE-B2-20 43 942 aufgeführten Vergleichsversuchen zufolge überstand keine Probe mit NiS-Einschlüssen diesen Test.
• Das Dokument EP-A1-1 000 906 befasst sich ebenfalls mit dem Heat-Soak-Test. Dort wird eine Temperatur von 282 °C als optimal für die möglichst schnelle Bildung der β-Phase von NiS-Einschlüssen in allen für Spontanbrüche verantwortlichen Zusammensetzungen angesehen. Dieser Wert wird auch als die Obergrenze der Stabilität der genannten β- Phase bezeichnet. Das dort beschriebene konventionelle Verfahren heizt die zu prüfenden vorgespannten Glasscheiben ausgehend von der Umgebungstemperatur relativ langsam auf die genannte Temperatur auf, hält diese für eine bestimmte Zeitspanne von mindestens 3 Stunden, und kühlt die Glasscheiben dann wieder ab.
• EP-A2-0 897 113 beschreibt einen einstufigen Heißlagerungstest, bei dem die vorgespannten Glasscheiben zwischen 1 bis 10 Stunden bei einer Temperatur unterhalb von 250 °C, vorzugsweise zwischen 190 und 250 °C gelagert werden. Im wesentlichen wird dort bestätigt, dass der Prozess umso schneller abläuft, je höher die Lagertemperatur der Glasscheiben ist, und je schneller die Glasscheiben auf die Lagertemperatur gebracht werden. Selbst ein rasches Abkühlen nach der Heißlagerung wird empfohlen. Die schnellen Temperaturübergänge können durch Eintauchen der Glasscheiben in entsprechend temperierte (Öl-)Flüssigkeitsbäder erreicht werden.
• Auch EP-A1-1 018 490 offenbart insoweit nichts anderes. Dort werden bestimmte Relationen zwischen Temperaturbereichen und Behandlungszeiten präzisiert. Im ersten Ausführungsbeispiel werden für Aufheizgeschwindigkeiten von mindestens 3 K/min und mehr ausgehend von Umgebungstemperatur bestimmte Lagertemperaturbereiche angegeben, wobei die Lagertemperatur bei relativ langsamer Aufheizung geringer sein kann, und die Lagerung zur Zerstörung schadanfälliger Scheiben führen soll. Andere Beispiele kühlen die soeben vorgespannten Glasscheiben relativ zügig in einen zwischen 300 und 150 °C liegenden Temperaturbereich herunter, um dort das NiS-Kristallwachstum herbeizuführen und schadanfällige Scheiben zu zerstören.
• Die maximale Volumenzunahme der NiS-Kristalle pro Zeiteinheit liegt nach allgemeiner Auffassung bei Temperaturen von 280 bis 300 °C, die bislang bei Heat-Soak-Tests relativ langsam eingesteuert und gehalten wurden, um möglichst rasches Wachstum der NiS-Kristalle zu erzielen. Aus näheren Untersuchungen wurde bekannt, dass die in thermisch vorgespannten Glasscheiben nach deren Abkühlen unter die Grenztemperatur von ca. 380 °C vorhandenen α-NiS-Kristalle in einem bestimmten Temperaturbereich bevorzugt Keime der β-Phase bilden. Diese Keime sind Voraussetzung für die mehr oder weniger vollständige Umsetzung derselben Kristalle in die β-Phase und damit für deren oft zerstörerischen Volumenzuwachs. Die vorstehend genannten Druckschriften befassen sich nicht mit der Keimbildung.
• In dem genannten bevorzugten Keimbildungsbereich, der mit umfangreichen Versuchen deutlich unter den üblichen Test-Temperaturen von ca. 300 °C lokalisiert wurde, findet man ein ausgeprägtes Maximum der Keimbildung pro Zeiteinheit. Natürlich werden die Keime der β-Phase auch bei Temperaturen außerhalb des genannten Bereichs gebildet, aber sehr viel langsamer und weniger vollständig – mit den bekannten Langzeit-Risiken.
• Vorgespannte Glasscheiben, die vor dem Durchführen des Heat-Soak-Tests auf Umgebungstemperatur abgekühlt werden und dann wieder aufgeheizt werden, durchlaufen zwar zwangsläufig einmal abwärts und einmal aufwärts auch die Temperatur der maximalen Keimbildung pro Zeiteinheit. Jedoch können beim Durchführen von Heißlagerungstests nach dem Stand der Technik unmittelbar im Anschluss an eine thermische Vorspann-Behandlung der Glasscheiben ohne Herunterkühlen in den Temperaturbereich der Keimbildung keine hinreichend zuverlässigen Ergebnisse beim Ausscheiden schadanfälliger Glasscheiben erzielt werden, weil die Wahrscheinlichkeit einer Keimbildung gering ist bzw. nur ein relativ kleiner Anteil der α-NiS-Einschlüsse überhaupt Keime bilden kann.
• Allgemein ist bekannt (Lexikon „Römpp Chemie", Band 3, 10. Auflage 1997), dass Keime Substanzpartikel sind, welche die Bildung neuer Phasen einer Substanz auszulösen vermögen. Als Beispiel werden Mikrokristallite angegeben, die die Kristallisation innerhalb einer Lösung oder Schmelze in Gang zu setzen vermögen. Ein konkreter Bezug auf die Umsetzung von α-NiS-Kristallen in ihre β-Phase ist daraus nicht entnehmbar.
• Die Erfindung hat die Aufgabe, ein weiteres Verfahren der vorstehend erörterten Art zur Wärmebehandlung von vorgespannten Glasscheiben mit dem Ziel des Ausscheidens von zu Spontanbruch neigenden Exemplaren anzugeben.
• Das Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 löst die gestellte Aufgabe erfindungsgemäss, indem es den neuen Erkenntnissen hinsichtlich der β-Keimbildung in NiS-Einschlüssen folgt. Die Merkmale der Unteransprüche geben vorteilhafte Weiterbildungen dieses Verfahrens an.
• Die Untersuchungsergebnisse deuten darauf hin, dass ein gezieltes und rasches Anregen, gar Erzwingen der genannten Keimbildung bzw. Einsteuern des Temperaturbereichs, in dem diese bevorzugt abläuft (Keimbildungsbereich), die Ergebnisse eines nachfolgenden Heat-Soak-Tests deutlich verbessern und vor allem die benötigte Zeit deutlich verkürzen kann.
• Dieser bevorzugte Keimbildungsbereich befindet sich zwischen 80 und 200 °C, wobei das Maximum der Keimbildung pro Zeiteinheit nach bisherigen Erkenntnissen zwischen etwa 130 und 160 °C liegt. Seine genaue Lage hängt aber von vielen Randbedingungen ab (Glasmischung und -dicke, NiS-Anteile und -Reinheit) und kann deshalb nicht allgemein verbindlich bestimmt werden.
• Ist jedenfalls erst einmal in jedem der in der Glasmasse eingeschlossenen NiS-Mikrokristalle der α-Phase die β-Keimbildung (also noch nicht die vollständige Umsetzung) vollzogen, dann wird der nachfolgende Heißlagerungstest unabhängig von seiner Konfiguration mit erhöhter Sicherheit das maximale Wachstum jedes Einschlusses herbeiführen, d. h. alle α-NiS-Einschlüsse vollständig in β-NiS-Einschlüsse umsetzen. Bleibt deren Wachstum unkritisch für die betreffende thermisch vorgespannte Glasscheibe, dann wird diese auch im späteren Einsatz nicht mehr zerstört werden.
• Der eigentliche Heat-Soak-Test für das beschleunigte Wachstum der β-NiS-Einschlüsse bzw. die Vervollständigung der Phasenumsetzung wird also erfindungsgemäß nach einer vollständigen Keimbildung gefahren.
• Ein weiterer bedeutender Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens wird darin gesehen, dass gerade dieser wesentliche Keimbildungsbereich schnell gezielt eingeregelt und für eine definierte Zeitspanne gehalten werden kann, sei es bei konstanter Temperatur, sei es mit einem sehr langsamen Anstieg oder auch Abfallen innerhalb des Bereichs, sei es mit einer variablen Steuerung / Temperaturoszillation innerhalb des Bereichs. Jedesmal wird die Sicherheit erhöht, dass sowohl sämtliche keimfähigen NiS-Kristalle tatsächlich von der Keimbildung erfasst werden und später auch in ihre β-Phase wachsen, als auch das vorhandene (Selbst-)Zerstörungspotential in höchstmöglichem Maße erfasst wird.
• Zwar kann sich an die Keimbildung, wie schon angedeutet, praktisch jeder herkömmliche Heißlagerungstest anschließen. Es versteht sich jedoch, dass die höchstmögliche Wirtschaftlichkeit und kürzestmögliche Testdauer erreicht wird, wenn die Glasscheiben anschließend an die Keimbildung wieder erhitzt werden in den bekannten Temperaturbereich, in dem die NiS-Kristalle am schnellsten wachsen bzw. vollständig umgesetzt werden. Die eingangs diskutierte Literatur liefert hierzu hinreichende Informationen.
• Das erfindungsgemäße Verfahren schafft nun auch hier erhebliche Vorteile, indem nach Durchlaufen der Keimbildungsphase auch die bevorzugte Testtemperatur relativ schnell, also mit großem Temperaturgradienten, eingesteuert werden kann, wo bislang der gesamte Temperaturanstieg aufgrund der eher empirischen Erfahrungswerte relativ langsam gesteuert wurde.
• Infolge der steilen Temperaturänderungen und dazu noch relativ geringer Haltezeiten bei den optimalen Werten wird die Dauer des Gesamtprozesses so weit verkürzt, dass ein zumindest quasi-kontinuierlicher Durchlauf verwirklicht werden kann.
• Bei diesem Vorgehen kommt es auch in der Tat nicht darauf an, aus welcher Richtung und mit welcher Schnelligkeit (in K/min) der optimale Temperaturbereich für die Keimbildung erreicht wird. Folglich können Glasscheiben aus Umgebungstemperatur auf diese Temperatur bzw. in diesen Bereich hinein möglichst schnell aufgeheizt werden, um das Verfahren zu beginnen, oder man hält die Abkühlung von Glasscheiben, die aus einem Vorspannofen kommen, in diesem Temperaturbereich -möglichst natürlich in der Nähe des Maximums der Keimbildung pro Zeiteinheit- an. Dieser wird für eine vorgegebene Zeitspanne gehalten, die vorzugsweise mindestens fünf Minuten beträgt. Diese Werte schwanken natürlich auch in Abhängigkeit von der Glasmenge, die getestet werden soll, sowie der Dicke der Scheiben etc.
• Hinsichtlich der Öfen zum Durchführen des modifizierten Heißlagerungs- oder Heat-Soak-Tests sind keine grundsätzlichen Änderungen auf der Hardware-Seite notwendig. Die bevorzugten Temperaturbereiche und deren Zeitverläufe können im Prinzip mit jeder herkömmlichen Ofen- und Temperatursteuerung eingeregelt werden. Zweckmäßig wird man jedoch die Ofenleistung erhöhen bzw. den Wärmeübergang in das Glas verbessern (insbesondere durch Zwangskonvektion), damit man steilere Temperaturrampen als bisher üblich fahren kann. Letztere Modifikation ist schließlich maßgeblich für eine nennenswerte Verkürzung des gesamten Zeitbedarfs, sowie für einen zuverlässigen Test.
• Man erwartet, dass der Heißlagerungstest für Scheiben, die von Umgebungstemperatur aufgeheizt werden müssen, in insgesamt ca. 5 Stunden, und für Scheiben, die on-line noch heiß aus der Vorspannbehandlung direkt dem Heißlagerungstest zugeführt werden, in insgesamt ca. 0,5 Stunden durchzuführen sein wird.
• Im Sinne eines Ausführungsbeispiels wird im folgenden kurz ein an der Praxis orientierter Ablauf des Verfahrens im direkten (on-line-)Anschluss an das thermische Vorspannen von Glasscheiben geschildert.
• Glasscheiben verlassen eine Vorspannstation mit einer Temperatur von ca. 450 °C, auf die sie bevorzugt mittels kalter Luft abgeschreckt wurden. Sie werden dann einzeln oder in Paketen einer Wärmebehandlungsstation (Ofen) zugeführt, in der ihre Temperatur mit einem Gradienten von –4 K/min. (oder noch schneller, falls möglich) auf weniger als 200 °C, z. B. in einen bevorzugten (Keimbildungs-)Bereich zwischen 130 und 160 °C, heruntergesteuert wird. Die rasche Temperaturänderung wird man bevorzugt durch (Zwangs-) Konvektion herbeiführen. Die Glastemperatur wird dann für eine Zeitspanne von mindestens fünf Minuten in diesem Bereich gehalten, wobei sich die Glasscheiben bevorzugt in einer geschlossenen Kammer befinden. Sie können dabei auch auf einem Förderer liegend in Bewegung bleiben. Damit könnte ein kontinuierlicher Materialfluss beibehalten werden. Die Dauer dieser Zeitspanne wird ggf. anhand der Testergebnisse weiter zu optimieren sein.
• Mit dieser Verweildauer im Keimbildungsbereich der Temperatur ist nach den bisherigen Erkenntnissen sicher gestellt, dass in sämtlichen NiS-Einschlüssen in α-Phase zumindest Keime der β-Phase entstehen. Einige Einschlüsse können auch jetzt schon mehr oder weniger vollständig in die β-Phase umgesetzt sein, einzelne Glasscheiben schon jetzt zerstört werden. Für die Beseitigung von Scherben sind natürlich geeignete Massnahmen zu treffen.
• Anschließend wird die Temperatur der Glasscheiben mit einem Gradienten von 4 K/min (oder noch schneller, wenn genügend Ofenleistung verfügbar ist und/ oder der Wärmeübergang in das Glas gut ist) in den bekannten Bereich von etwa 290 °C ± 10 °C eingesteuert, damit die angekeimten α-NiS-Einschlüsse möglichst rasch und vollständig in ihre β-Phase umgesetzt werden. Dieser Temperaturbereich wird nun für mindestens 15 Minuten gehalten. Für den Spontanbruch anfällige Glasscheiben werden während dieses Zeitintervalls zerstört, wenn sie nicht schon vorher zerbrochen sind. Selbst eine Verkürzung auf die genannten 15 Minuten ist denkbar, wenn die Zuverlässigkeit der Selbstzerstörung auch bei kürzerer Einwirkdauer der höheren Temperatur statistisch gesichert werden kann.
• Auch während dieser zweiten Zeitspanne sowie auch während der Temperaturerhöhung können die Glasscheiben grundsätzlich in Bewegung bleiben, sofern dabei die Einhaltung der gewünschten Temperatur gewährleistet ist.
• Nach Ablauf der Haltezeit bei der eigentlichen Testtemperatur werden die noch intakten Glasscheiben auf Umgebungstemperatur abgekühlt. Auch hierbei kann eine Konvektionskühlung mit kalten Medien (Luft, Fluide) erhebliche Zeiteinsparungen bringen.

Claims (7)

1. Verfahren zur Wärmebehandlung vorgespannter Glasscheiben zum Zwecke des Ausscheidens von durch Volumenzuwachs eingeschlossener Kristalle, insbesondere durch Umsetzung von Nickelsulfid-Einschlüssen aus ihrer α-Phase in ihre β-Phase, von Spontanbruch gefährdeten Exemplaren, auch Heat-Soak-Test genannt, wobei die Glasscheiben nach dem Vorspannen für eine bestimmte Zeitspanne auf mindestens einem den Volumenzuwachs der Kristalle beschleunigenden Temperaturwert gehalten werden, dadurch gekennzeichnet, dass – die Temperatur der Glasscheiben ausgehend von einer Anfangstemperatur in den Bereich einer Keimbildung der β-Phase in den vorhandenen α-NiS-Einschlüssen eingesteuert wird, der zwischen 80 und 200 °C liegt, im folgenden Keimbildungsbereich genannt, wobei die Temperaturänderung beim Einsteuern des Keimbildungsbereichs mehr als 2 K/min beträgt, – innerhalb des Keimbildungsbereichs für mindestens 5 Minuten eine gegenüber der vorgenannten Temperaturänderung wesentlich langsamere Temperaturänderung gesteuert oder eine bestimmte Temperatur konstant gehalten wird, und – die Glasscheiben anschließend für mindestens 15 Minuten einer weiteren Wärmebehandlung in einem Temperaturbereich oberhalb der Temperatur des Keimbildungsbereichs im Bereich der maximalen Wachstumsgeschwindigkeit der gebildeten Kristalle oder Kristallphasen unterzogen werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur der Glasscheiben innerhalb des Keimbildungsbereichs zwischen 100 und 180 °C gesteuert wird.
3. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur der Glasscheiben innerhalb des Keimbildungsbereichs zwischen 130 und 160 °C gesteuert wird.
4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur der Glasscheiben durch Aufheizen ausgehend von einer niedrigeren Ausgangstemperatur, insbesondere von Umgebungstemperatur, in den Keimbildungsbereich eingesteuert wird.
5. Verfahren nach einem der Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur der Glasscheiben im Anschluss an deren thermisches Vorspannen ausgehend von einer höheren Ausgangstemperatur durch gesteuertes Abkühlen in den Keimbildungsbereich eingesteuert wird.
6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur der Glasscheiben auch in den Temperaturbereich der weiteren Wärmebehandlung mit einer Änderung von mehr als 2 K/min eingesteuert wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur der Glasscheiben für die weitere Wärmebehandlung auf Werte zwischen 280 – 300 °C gesteuert wird.