DE10128384A1

DE10128384A1 - Ladungspumpenschaltung

Info

Publication number: DE10128384A1
Application number: DE10128384A
Authority: DE
Inventors: Kyu-Hyoun Kim
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2000-06-09
Filing date: 2001-06-06
Publication date: 2002-01-10
Anticipated expiration: 2021-06-07
Also published as: JP2002026727A; DE10128384B4; JP3976165B2; US20010052811A1; KR20010110928A; US6535051B2; KR100374631B1

Abstract

Eine Ladungspumpenschaltung wird bereitgestellt, mit der eine Koppelung und eine Ladungsinjektion vermieden werden können, ohne dass eine Layout-Fläche und eine Energieaufnahme vergrößert werden. Die Ladungspumpenschaltung weist eine Pull-up-Stromquelle, eine Pull-down-Stromquelle, eine erste Schalteinrichtung und eine zweite Schalteinrichtung auf. Die Pull-up-Stromquelle liefert einen Pump-up-Strom an den Ausgangsknoten. Die Pull-down-Stromquelle weist einen Stromspiegel auf und entnimmt einen Pump-down-Strom aus dem Ausgangsknoten. Speziell ist die erste Schalteinrichtung mit einem Versorgungsspannungsknoten und der Pull-up-Stromquelle verbunden und wird in Reaktion auf ein Pump-up-Steuersignal geschaltet. Die zweite Schalteinrichtung ist mit der zweiten Stromquelle und einem Massespannungsknoten verbunden und wird in Reaktion auf ein Pump-down-Steuersignal geschaltet. Die Ladungspumpenschaltung kann einen ersten Ersatz-Kondensator aufweisen, dessen einer Anschluss mit einer Verbindung zwischen der ersten Schalteinrichtung und der ersten Stromquelle verbunden ist, und sie kann einen zweiten Ersatz-Kondensator aufweisen, dessen einer Anschluss mit einer Verbindung zwischen der zweiten Schalteinrichtung und der zweiten Stromquelle verbunden ist.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Halbleiterschal tung und speziell auf eine Ladungspumpenschaltung, die in einer Delay- Locked Loop-Schaltung (DLL) oder einer Tastverhältnis-Korrekturschaltung vorgesehen ist.

Ladungspumpenschaltungen werden in Integratoren verwendet, wenn ein Knoten einer Schaltung auf ein vorbestimmtes Spannungsniveau aufgela den werden muss. Wenn eine Ladungspumpenschaltung in einer DLL- Schaltung verwendet wird, dient die Ladungspumpenschaltung dazu, ein Pump-Up-Steuersignal oder ein Pump-Down-Steuersignal zu empfangen und diese zu integrieren. Wenn eine Ladungspumpenschaltung in einer Tastverhältnis-Korrekturschaltung verwendet wird, empfängt die Ladungs pumpenschaltung ein Taktsignal, um ein logisch "hohes" Intervall des Taktsignals mittels einer negativen (oder positiven) Steigung zu integrieren und um ein logisch "niedriges" Intervall des Taktsignals mittels einer positi ven (oder negativen) Steigung zu integrieren. Falls ein Tastverhältnis des Taktsignals in der Größenordnung von 50% liegt, wird eine konstante Spannung ausgegeben, falls ein Tastverhältnis unter 50% liegt, wird eine ansteigende (oder abnehmende) Spannung ausgegeben und falls ein Tastverhältnis über 50% liegt, wird eine abnehmende (oder ansteigende) Spannung ausgegeben.

Verschiedene Typen von Ladungspumpenschaltungen wurden entwickelt und repräsentative Ladungspumpenschaltungen werden von John W. Poulton in "Digital System Engineering", S. 626-627, Cambridge University Press, 1998, beschrieben. Weiterhin beschreibt das US-Patent Nr. 5,473,283 "Cascode Switched Charge Pump Circuit", erteilt für Thomas M. Luich am 5. Dezember 1995, verbesserte Ladungspumpenschaltungen.

Fig. 1 ist ein Prinzipschaltbild, das ein Beispiel einer konventionellen La dungspumpenschaltung des Typs beschreibt, wie er in "Digital System En gineering" und US-Patent Nr. 5,473,283 beschrieben ist. Die konventionel le Ladungspumpenschaltung der Fig. 1 weist eine Pull-up-Stromquelle 102 und eine erste Schalteinrichtung 104 auf, die einerseits mit der Pull-up- Stromquelle 102 und andererseits mit einem Ausgangsknoten 110 verbun den ist. Die Schalteinrichtung 104 wird in Reaktion auf ein Pump-up- Steuersignal PU geschaltet. Eine zweite Schalteinrichtung 108 ist einer seits mit dem Ausgangsknoten 110 und andererseits mit einer Pull-down- Stromquelle 106 verbunden und wird in Reaktion auf ein Pump-down- Steuersignal PD geschaltet. Eine Referenzstromquelle 116 stellt einen Re ferenzstrom Iref bereit, und ein Integrierkondensator Cint ist mit dem Aus gangsknoten 110 verbunden, um einen Strom, der durch den Ausgangs knoten 110 fließt, zu integrieren, um den Strom in eine Spannung umzu wandeln.

Die Pull-up-Stromquelle 102 weist einen Stromspiegel auf, der aus den PMOS-Transistoren 112 und 114 aufgebaut ist, und die Pull-down- Stromquelle 106 weist einen Stromspiegel auf, der aus den NMOS- Transistoren 118 und 120 aufgebaut ist. Die erste Schalteinrichtung 104 und die zweite Schalteinrichtung 108 weisen einen PMOS-Transistor bzw. einen NMOS-Transistor auf. Die konventionelle Ladungspumpenschaltung der Fig. 1 ist jedoch dahingehend nachteilig, dass aufgrund der Überlap pungskapazität Gate-Drain Cca der ersten Schalteinrichtung 104 und der Überlappungskapazität Gate-Drain Ccb der zweiten Schalteinrichtung 108 ein Koppelungseffekt auftritt. Der Koppelungseffekt bezieht sich auf das Einkoppeln eines Signals am Ausgangsknoten 110, d. h. einer Wellenform eines Ausgangssignals V_o, aufgrund der Überlappungskapazitäten Cca und Ccb, wenn die Niveauwerte eines Pump-up-Steuersignals PU und ei nes Pump-down-Steuersignals PD verändert werden.

Bei der konventionellen, in der Fig. 1 gezeigten Ladungspumpenschaltung liegt ein weiteres Problem dahingehend vor, dass aufgrund der parasitären Kapazität Cpa, die an einer Verbindung N1 zwischen der Pull-up- Stromquelle 102 und der ersten Schalteinrichtung 104 vorhanden ist, und aufgrund der parasitären Kapazität Cpb, die an einer Verbindung N2 zwi schen der Pull-down-Stromquelle 106 und der zweiten Schalteinrichtung 108 vorhanden ist, eine Ladungsinjektion auftritt. Speziell schwingt dann, wenn die erste Schalteinrichtung 104 ein- oder ausgeschaltet wird, das Ni veau der Verbindung N1 diskontinuierlich von einer Spannung VDD zu ei ner Ausgangsspannung V_o oder umgekehrt. Weiter schwingt dann, wenn die zweite Schalteinrichtung 108 ein- oder ausgeschaltet wird, das Niveau der Verbindung N2 diskontinuierlich von einer Massespannung VSS auf die Ausgangsspannung V_o oder umgekehrt. In diesem Fall werden Ladun gen von den parasitären Kapazitäten Cpa und Cpb injiziert, und die injizier ten Ladungen werden mit dem Integrierkondensator Cint geteilt. Dieser Ef fekt wird als Ladungsinjektion bezeichnet.

Die Tatsache, dass Koppelung und Ladungsinjektion auftreten, kann zu Integrationsfehlern führen. Bei der konventionellen Ladungspumpenschal tung der Fig. 1 tritt dann, wenn ein Zyklus oder mehreren Zyklen der Pump-up- und Pump-down-Steuersignale PU und PD fehlen, keine Koppe lung auf, aber die Ladungsinjektion ist immer noch vorhanden.

Fig. 2 ist ein Prinzipschaltbild eines weiteren Beispiels einer konventionel len Ladungspumpenschaltung des Typs, wie er in "Digital System Enginee ring" beschrieben ist, bei dem beabsichtigt ist, den Effekt der Ladungsin jektion zu vermeiden. Zusätzlich zu den Komponenten der Ladungspum penschaltung der Fig. 1 weist die in der Fig. 2 gezeigte konventionelle La dungspumpenschaltung weiter eine Schalteinrichtung 104a auf, die zwi schen die Pull-up-Stromquelle 102 und einen Kompensationsausgangs knoten 111 eingebunden ist und die in Reaktion auf ein invertiertes Pump up-Steuersignal PU überstrichen geschaltet wird, sowie eine Schalteinrich tung 108a, die zwischen den Kompensationsausgangsknoten 111 und die Pull-down-Stromquelle 106 geschaltet ist und die in Reaktion auf ein inver tiertes Pump-down-Steuersignal PD geschaltet wird, und einen Puffer 122 mit Verstärkungsfaktor 1, dessen Eingangsanschluss mit dem Ausgangs knoten 110 und dessen Ausgangsanschluss mit dem Kompensationsaus gangsknoten 111 verbunden ist.

Bei der konventionellen Ladungspumpenschaltung der Fig. 2 werden die Spannung des Kompensationsausgangsknoten 111 und die Spannung des Ausgangsknotens 110 durch den Puffer 122 mit Verstärkungsfaktor 1 auf das gleiche Niveau gebracht. Da entweder die Schalteinrichtung 104 oder die Schalteinrichtung 104a sowie entweder die Schalteinrichtung 108 oder die Schalteinrichtung 108a immer eingeschaltet sind, schwingen die Ni veaus der Verbindung N1 und der Verbindung N2 nicht diskontinuierlich. Dem gemäß kann dies eine Ladungsinjektion verhindern.

Die in der Fig. 2 gezeigte Ladungspumpenschaltung erfordert jedoch eine ideale Verstärkung und einen idealen Offset des Puffers 122 mit Verstär kungsfaktor 1 und eine sehr schnelle Antwortzeit. Mit anderen Worten muss der Ausgangswiderstand des Puffers 122 mit Verstärkungsfaktor 1 sehr klein sein und seine Betriebsgeschwindigkeit muss sehr hoch sein. Daher hat die Ladungspumpenschaltung Nachteile dahingehend, dass zur Erzielung dieser Eigenschaften die Layout-Fläche des Puffers 122 mit Ver stärkungsfaktor 1 vergrößert werden muss und dass viel Strom aufge nommen wird.

Um die vorstehend genannten Probleme zu lösen, soll mit der vorliegen den Erfindung eine Ladungspumpenschaltung bereitgestellt werden, mit der der Koppelungseffekt und die Ladungsinjektion verhindert werden kön nen, ohne eine Vergrößerung der Layout-Fläche und der Energieaufnahme zu verursachen.

Um diese Aufgabenstellung zu lösen, stellt die vorliegende Erfindung eine Ladungspumpenschaltung mit einem Ausgangsknoten, einer ersten Stromquelle zum Liefern eines Pump-up-Stroms an den Ausgangsknoten und einer ersten Schalteinrichtung bereit, die einerseits mit einem ersten Referenzspannungsknoten und andererseits der ersten Stromquelle ver bunden ist und die in Reaktion auf ein Pump-up-Steuersignal geschaltet wird. Eine zweite Stromquelle entnimmt einen Pump-down-Strom aus dem Ausgangsknoten, und eine zweite Schalteinrichtung ist einerseits mit der zweiten Stromquelle und andererseits mit einem zweiten Referenzspan nungsknoten verbunden und wird in Reaktion auf ein Pump-down- Steuersignal geschaltet.

Die Ladungspumpenschaltung weist weiter einen ersten Ersatz- Kondensator auf, dessen einer Anschluss mit einer Verbindung zwischen der ersten Schalteinrichtung und der ersten Stromquelle verbunden ist, sowie einen zweiten Ersatz-Kondensator, dessen einer Anschluss mit einer Verbindung zwischen der zweiten Schalteinrichtung und der zweiten Stromquelle verbunden ist. An den jeweils gegenüberliegenden Anschlüs sen des ersten und des zweiten Ersatz-Kondensators liegt ein invertiertes Pump-up-Steuersignal bzw. ein invertiertes Pump-down-Steuersignal an.

Vorteilhafterweise weist die erste Stromquelle einen Stromspiegel zum Be reitstellen des Pump-up-Stroms in Abhängigkeit eines vorbestimmten Re ferenzstroms auf. Die zweite Stromquelle weist einen Stromspiegel zum Bereitstellen des Pump-down-Stroms in Abhängigkeit des vorbestimmten Referenzstroms auf.

Die vorliegende Erfindung stellt auch eine Ladungspumpenschaltung mit ersten bis vierten Stromquellen, ersten bis vierten Schalteinrichtungen und ersten bis vierten Ersatz-Kondensatoren bereit. Die erste Stromquelle lie fert einen ersten Pump-up-Strom an den ersten Ausgangsknoten, und die zweite Stromquelle entnimmt einen ersten Pump-down-Strom aus dem ersten Ausgangsknoten. Die erste Schalteinrichtung ist einerseits mit ei nem Versorgungsspannungsknoten und andererseits der ersten Strom quelle verbunden und wird in Reaktion auf ein Pump-up-Steuersignal ge schaltet, wohingegen die zweite Schalteinrichtung mit der zweiten Strom quelle und einem Massespannungsknoten verbunden ist und in Reaktion auf ein Pump-down-Steuersignal geschaltet wird. Die dritte Stromquelle gibt einen zweiten Pump-up-Strom an den zweiten Ausgangsknoten ab, und die vierte Stromquelle nimmt einen zweiten Pump-down-Strom von dem zweiten Ausgangsknoten auf. Die dritte Schalteinrichtung ist einer seits mit dem Versorgungsspannungsknoten und andererseits der dritten Stromquelle verbunden und wird in Reaktion auf ein invertiertes Pump-up- Steuersignal geschaltet. Die vierte Schalteinrichtung ist einerseits mit der vierten Stromquelle und andererseits mit dem Massespannungsknoten verbunden und wird in Reaktion auf ein invertiertes Pump-down- Steuersignal geschaltet.

Ein Anschluss des ersten Ersatz-Kondensators ist mit einer Verbindung zwischen der ersten Schalteinrichtung und der ersten Stromquelle verbun den, wohingegen am anderen Anschluss ein invertiertes Pump-up- Steuersignal anliegt. Ein Anschluss des zweiten Ersatz-Kondensators ist mit einer Verbindung zwischen der zweiten Schalteinrichtung und der zwei ten Stromquelle verbunden, wohingegen am anderen Anschluss ein inver tiertes Pump-down-Steuersignal anliegt. Ein Anschluss des dritten Ersatz- Kondensators ist mit einer Verbindung zwischen der dritten Schalteinrich tung und der dritten Stromquelle verbunden, wohingegen an dem anderen Anschluss ein invertiertes Pump-up-Steuersignal anliegt. Ein Anschluss des vierten Ersatz-Kondensators ist mit einer Verbindung zwischen der vierten Schalteinrichtung und der vierten Stromquelle verbunden, wohin gegen an dem anderen Anschluss ein invertiertes Pump-down- Steuersignal anliegt.

Vorzugsweise weist die erste Stromquelle einen Stromspiegel auf, um den ersten Pump-up-Strom in Abhängigkeit eines vorbestimmten Referenz stroms bereitzustellen. Die zweite Stromquelle weist einen Stromspiegel auf, um den ersten Pump-down-Strom in Abhängigkeit des vorbestimmten Referenzstroms bereitzustellen. Die dritte Stromquelle weist einen Strom spiegel auf, um den zweiten Pump-up-Strom in Abhängigkeit des vorbe stimmten Referenzstroms bereitzustellen. Die vierte Stromquelle weist ei nen Stromspiegel, um den zweiten Pump-down-Strom in Abhängigkeit des vorbestimmten Referenzstroms bereitzustellen.

Weitere Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den Ansprüchen und der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausfüh rungsbeispiele der Erfindung in bezug auf die Zeichnungen. In den Zeich nungen bezeichnen gleiche Bezugszeichen in den verschiedenen Ansich ten gleiche Bauteile. Die Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maß stabsgerecht, vielmehr wird Wert auf die Darstellung der der Erfindung zugrundeliegenden Prinzipien gelegt.

Fig. 1 zeigt ein Prinzipschaltbild mit einem Beispiel einer konventionellen Ladungspumpenschaltung,

Fig. 2 zeigt ein Prinzipschaltbild mit einem weiteren Beispiel einer konventionellen Ladungspumpenschaltung,

Fig. 3 zeigt ein Prinzipschaltbild einer Ladungspumpenschaltung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,

Fig. 4 zeigt eine Darstellung der Wellenformen von Signalen während des Betriebs der Ladungspumpenschaltung gemäß der ersten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung,

Fig. 5 zeigt ein Prinzipschaltbild einer Ladungspumpenschaltung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,

Fig. 6 zeigt eine Darstellung der Wellenform von Signalen während des Betriebs der Ladungspumpenschaltung gemäß der zweiten Aus führungsform der vorliegenden Erfindung und

Fig. 7 zeigt ein Prinzipschaltbild einer Ladungspumpenschaltung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 3 weist eine Ladungspumpenschaltung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Pull up-Stromquelle 302, eine erste Schalteinrichtung 304, eine Pull-down- Stromquelle 306, eine zweite Schalteinrichtung 308, einen Integrier- Kondensator Cint und eine Referenzstromquelle 316 auf.

Die Pull-up-Stromquelle 302 liefert einen Pump-up-Strom Ipu an einen Ausgangsknoten 310 in Abhängigkeit eines vorbestimmten Referenz stroms Iref, der ausgehend von der Referenzstromquelle 316 fließt. Die Pull-up-Stromquelle 302 weist einen Stromspiegel, der aus den PMOS- Transistoren 313 und 314 besteht, und einen PMOS-Transistor 312 auf, der einerseits mit dem PMOS-Transistor 313 und andererseits mit einem Versorgungsspannungsknoten VDD verbunden ist und an dessen Gate- Anschluss eine Massespannung VSS angelegt ist. Die erste Schalteinrich tung 304 besteht bei der ersten Ausführungsform aus einem PMOS- Transistor, der einerseits mit einer Versorgungsspannung VDD und ande rerseits mit der Pull-up-Stromquelle 302 verbunden ist und der in Abhän gigkeit eines Pump-up-Steuersignals PU geschaltet wird. Die Größe des PMOS-Transistors 312 ist vorzugsweise gleich wie die des PMOS- Transistors der ersten Schalteinrichtung 304, und die Größe des PMOS- Transistors 313 ist vorzugsweise die gleiche wie die des PMOS- Transistors 314.

Die Pull-down-Stromquelle 306 entnimmt einen Pump-down-Strom Ipd aus dem Ausgangsknoten 310 in Abhängigkeit eines vorbestimmten Referenz stroms Iref, der ausgehend von der Referenzstromquelle 316 fließt. Die Pull-down-Stromquelle 306 weist einen Stromspiegel, der aus den NMOS- Transistoren 319 und 310 besteht, und einen NMOS-Transistor 318 auf, der einerseits mit dem NMOS-Transistor 319 und andererseits mit einem Massespannungsknoten VSS verbunden ist, und an dessen Gate- Anschluss eine Versorgungsspannung VDD anliegt. Die zweite Schaltein richtung 308, die gemäß der vorliegenden Ausführungsform aus einem NMOS-Transistor besteht, ist einerseits mit einer Massespannung VSS und andererseits mit der Pull-down-Stromquelle 306 verbunden und wird in Abhängigkeit eines Pump-down-Steuersignals PD geschaltet. Die Größe des NMOS-Transistors 318 ist vorzugsweise gleich wie die Größe des NMOS-Transistors der zweiten Schalteinrichtung 308, und die Größe des NMOS-Transistors 319 ist vorzugsweise gleich wie die des NMOS- Transistors 320. Der Integrier-Kondensator Cint ist mit dem Ausgangskno ten 310 und einem Massespannungsknoten VSS verbunden und integriert einen Strom, der durch den Ausgangsknoten 310 fließt, um diesen Strom in ein Ausgangsknotensignal V_o umzusetzen.

Der Betrieb der Ladungspumpenschaltung gemäß der ersten Ausführungs form der vorliegenden Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die Fig. 3 beschrieben. Hierbei wird angenommen, dass die Größe des PMOS- Transistors 312 gleich ist wie die des PMOS-Transistors der ersten Schalt einrichtung 304 und dass die Größe des PMOS-Transistors 313 gleich ist wie die des PMOS-Transistors 314. Weiterhin wird angenommen, dass die Größe des NMOS-Transistors 318 gleich ist wie die des NMOS-Transistors der zweiten Schalteinrichtung 308 und dass die Größe des NMOS- Transistors 319 gleich ist wie die des NMOS-Transistors 320.

Wenn ein Pump-up-Signal PU logisch "niedrig" ist, wird der Widerstand der ersten Schalteinrichtung 304 gleich zu dem Widerstand des PMOS- Transistors 312, und ein Pump-up-Strom Ipu mit demselben Wert wie der Referenzstrom Iref wird an dem Ausgangsknoten 310 bereitgestellt. Ein Signal V_o, das an dem Ausgangsknoten 310 ausgegeben wird, wird ent sprechend hochgezogen. Auf der anderen Seite wird dann, wenn das Pump-up-Signal PU logisch "hoch" ist, die erste Schalteinrichtung 304 ausgeschaltet und der Pump-up-Strom Ipu wird zu null.

In gleicher Weise wird dann, wenn ein Pump-down-Steuersignal PD lo gisch "hoch" ist, der Widerstand der zweiten Schalteinrichtung 308 gleich zu dem des NMOS-Transistors 318, und ein Pump-down-Strom Ipd mit demselben Wert wie eine Referenzstrom Iref wird an dem Ausgangsknoten 310 entnommen. Entsprechend wird ein Signal V_o, das an dem Ausgangs knoten 310 ausgegeben wird, heruntergezogen. Wenn das Pump-down- Steuersignal PD logisch "niedrig" ist, wird die zweite Schalteinrichtung 308 ausgeschaltet und der Pump-down-Strom Ipd wird zu null.

Fig. 4 ist eine Darstellung der Wellenformen von Signalen während des Betriebs der Ladungspumpenschaltung gemäß der ersten Ausführungs form der Erfindung, die in Fig. 3 dargestellt ist. Hier bezeichnet IN die Pump-up- und Pump-down-Steuersignale PU und PD, wobei das Pump up-Steuersignal PU gleich dem Pump-down-Steuersignal PD ist. Eine La dungsinjektion, verursacht durch eine parasitäre Kapazität Cpa an einer Verbindung N3 zwischen der ersten Schalteinrichtung 304 und der Pull-up- Stromquelle 302, und aufgrund einer parasitären Kapazität Cpb an einer Verbindung N4 zwischen der zweiten Schalteinrichtung 308 und der Pull down-Stromquelle 306, wird nachstehend beschrieben.

Wenn die erste Schalteinrichtung eingeschaltet oder ausgeschaltet wird, verändert sich das Niveau der Verbindung N3. Beispielsweise liegt das Ni veau der Verbindung N3 dann, wenn die erste Schalteinrichtung 304 ein geschaltet ist, im wesentlichen auf einer Versorgungsspannung VDD und dann, wenn die erste Schalteinrichtung 304 ausgeschaltet ist, hat das Ni veau der Verbindung N3 einen Wert, der durch die folgende Gleichung (1) ausgedrückt werden kann:

Vn3 = VGP + |VTP| (1)

Hier bezeichnen VGP und VTP die Gatespannung bzw. die Schwellen spannung des PMOS-Transistors 314. Hinsichtlich der Tatsache, dass der PMOS-Transistor 312 immer ausgeschaltet ist, kann VGP durch die fol gende Gleichung (2) ausgedrückt werden.

VGP = VCC - VSG (2)

Hier bezeichnet VCC und VSG eine Versorgungsspannung bzw. eine Spannung zwischen einem Source-Anschluss und einem Gate-Anschluss des PMOS-Transistors 313. Falls Gleichung (2) in Gleichung (1) eingesetzt wird, hat das Niveau der Verbindung N3 dann, wenn die erste Schaltein richtung 304 ausgeschaltet ist, einen Wert, der durch die folgende Glei chung (3) ausgedrückt werden kann.

Vn3 = VCC - VSG + |VTP| (3)

Daher kann eine Schwingungsbreite V1 des Niveaus der Verbindung N3, die in der Wellenformdarstellung der Fig. 4 gezeigt ist, durch die folgende Gleichung (4) ausgedrückt werden.

V1 = VCC - (VCC-VSG + |VTP|)
= VSG - |VTP| (4)

Weiter schwankt dann, wenn die zweite Schalteinrichtung 308 eingeschal tet oder ausgeschaltet ist, das Niveau einer Verbindung N4. Mit anderen Worten liegt dann, wenn die zweite Schalteinrichtung 308 eingeschaltet ist, das Niveau der Verbindung N4 im wesentlichen auf einer Massespannung VSS, d. h. 0 Volt, und dann, wenn sie ausgeschaltet ist, hat das Niveau der Verbindung N4 einen Wert, der durch die folgende Gleichung (5) ausge drückt werden kann.

Vn4 = VGN - VTN (5)

Hier bezeichnen VGN und VTN die Gatespannung bzw. die Schwellen spannung des NMOS-Transistors 320. Da der NMOS-Transistor 318 im mer eingeschaltet ist, kann VGN durch die folgende Gleichung (6) ausge drückt werden.

VGN = VGS (6)

Hier bezeichnet VGS eine Spannung zwischen einem Gate-Anschluss und einem Source-Anschluss des NMOS-Transistors 319. Falls Gleichung (6) in Gleichung (5) eingesetzt wird, kann dann, wenn die zweite Schalteinrich tung 308 ausgeschaltet ist, ein Wert des Niveaus der Verbindung N4 durch die folgende Gleichung (7) ausgedrückt werden.

Vn4 = VGS - VTN (7)

Folglich kann eine Schwingungsbreite V2 des Niveaus der Verbindung N4, die in der Wellenformdarstellung der Fig. 4 gezeigt ist, durch die folgende Gleichung (8) ausgedrückt werden.

V2 = VGS - VTN (8)

Schließlich kann eine Ladungsinjektion, die durch Schwingungen der Ni veaus der Verbindungen N3 und N4 verursacht ist, durch die folgende Gleichung (9) ausgedrückt werden.

V1(Injektion) + V2(Injektion) = (VSG - |VTP|.Cpa/(Cint + Cpa) -
(VGS - VTN).Cpb/(Cint + Cpb) (9)

Hier bezeichnen V1(Injektion) und V2(Injektion) eine Ladungsinjektion auf grund einer Schwingung des Niveaus der Verbindung N3 bzw. eine La dungsinjektion aufgrund einer Schwingung des Niveaus der Verbindung N4.

Wie sich aus den Gleichungen (4) und (8) ergibt, sind bei der Ladungs pumpenschaltung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung die Schwingungsbreite V1 des Niveaus der Verbindung N3 und die Schwin gungsbreite V2 des Niveaus der Verbindung N4 im Vergleich zum Stand der Technik verringert. Weiter kann aus Gleichung (9) entnommen werden, dass eine Ladungsinjektion von einem Ausgangssignal V_o abhängt. Bei der Ladungspumpenschaltung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfin dung kann eine Ladungsinjektion daher vermieden werden, indem die Größen der PMOS-Transistoren 313 und 314 und der NMOS-Transistoren 319 und 320 bestimmt werden oder indem eine Ersatz-Kapazität an der Verbindung N3 oder N4 angebracht wird, um die Werte Cpa und Cpb ein zustellen, so dass die folgende Gleichung (10) gebildet werden kann. Dies bedeutet, dass ein Integrationsfehler aufgrund der Ladungsinjektion ver mieden werden kann.

(VSG - |VTP|)/(VGS - VTN) = Cpb/Cpa (10)

Beispielsweise wird dann, wenn ein Steilheitsparameter Kp der PMOS- Transistoren den halben Wert eines Steilheitsparameters Kn der NMOS- Transistoren beträgt, vorausgesetzt eine Kanalbreite des PMOS- Transistors 314 ist doppelt so groß wie eine Kanalbreite des NMOS- Transistors 314, wird (VSG - |VTP| gleich zu (VSG - VTN). Falls ein NMOS-Transistor, dessen Größe gleich ist wie die des NMOS-Transistors 320 und der stets ausgeschaltet ist, mit der Verbindung N4 verbunden wird, wird Cpa gleich zu Cpb. In diesem Fall wird eine Ladungsinjektion, die durch die Gleichung (10) ausgedrückt wird, zu null, so dass ein Integra tionsfehler, der durch die Ladungsinjektion verursacht ist, vermieden wer den kann.

Als nächstes wird ein Koppelungseffekt aufgrund einer Überlappungskapa zität Cca zwischen einem Gate-Anschluss und einem Drain-Anschluss der ersten Schalteinrichtung 304 und einer Überlappungskapazität Ccb zwi schen einem Gate-Anschluss und einem Drain-Anschluss der zweiten Schalteinrichtung 308 beschrieben. Bei der Ladungspumpenschaltung der Fig. 3 ist die erste Schalteinrichtung 304 einerseits mit einem Versor gungsspannungsknoten VDD und andererseits mit der Pull-up-Stromquelle 302 verbunden, und die zweite Schalteinrichtung 308 ist einerseits mit ei nem Massespannungsknoten VSS und andererseits der Pull-down- Stromquelle 306 verbunden, so dass dann, wenn die Niveaus der Pull-up- und Pull-down-Steuersignale PU und PD verändert werden, die Koppelung durch die Überlappungskapazitäten Cca und Ccb die Verbindung N3 oder N4 beeinflusst.

Wie in der Wellenform-Darstellung der Fig. 4 gezeigt ist, steigt das Span nungsniveau der Verbindung N3 durch einen Koppelungseffekt aufgrund der Überlappungskapazität Cca in dem Moment sofort an, indem die erste Schalteinrichtung 304 von einem eingeschalteten Zustand in einen ausge schalteten Zustand übergeht, d. h., in dem Moment, in dem Signal IN von einem logisch "niedrigen" Zustand in einen logisch "hohen" Zustand über geht. Dem gemäß fließt ein Strom, der geringfügig größer ist als ein Refe renzstrom Iref durch den PMOS-Transistor 314 und die parasitäre Kapazi tät Cpa beginnt sich zu entladen. Folglich wird das Spannungsniveau der Verbindung N3 exponentiell verringert und der Betrag eines Entladestroms, der durch den PMOS-Transistor 314 fließt, wird allmählich verringert, so dass das Spannungsniveau der Verbindung N3, wie in Gleichung (1) ge zeigt, VGP + |VTP| beträgt.

Auch wird das Spannungsniveau der Verbindung N3 durch einen Koppe lungseffekt aufgrund der Überlappungskapazität Cca sofort in dem Moment verringert, in dem die erste Schalteinrichtung 304 von einem ausgeschalte ten Zustand in einen eingeschalteten Zustand übergeht, d. h., in dem das Signal IN von einem logisch "hohen" Zustand in einen logisch "niedrigen" Zustand übergeht. Da eine Spannung VDS zwischen einem Drain- Anschluss und einem Source-Anschluss der ersten Schalteinrichtung 304 entsprechend angehoben wird, fließt ein großer Strom durch die erste Schalteinrichtung 304, und die parasitäre Kapazität Cpa beginnt sich aufzuladen. In diesem Fall ist der Ladestrom relativ groß, so dass das Spannungsniveau der Verbindung N3 sehr schnell stabilisiert wird, wie in der Wellenform-Darstellung der Fig. 4 gezeigt ist. Da der Betrieb dann, wenn die zweite Schalteinrichtung 308 von einem eingeschalteten Zustand in einen ausgeschalteten Zustand und umgekehrt übergeht, gleich zu dem zuvor beschriebenen Betrieb ist, wird auf eine detaillierte Darstellung die ses Betriebs verzichtet.

Wie zuvor beschrieben wurde, ist dann, wenn die erste und die zweite Schalteinrichtung 304 und 308 von einem eingeschalteten Zustand in ei nen ausgeschalteten Zustand übergehen, die Geschwindigkeit, mit der ein Strom des PMOS-Transistors 314 abgeschaltet wird, langsam, so dass die Wellenform eines Ausgangssignals V_o nicht linear ist sondern einen leich ten Überschwinger aufweist. In diesem Fall kann dann, wenn die Abschalt geschwindigkeiten der ersten und der zweiten Schalteinrichtung 304 und 308 verschieden voneinander sind, d. h., wenn die Werte von Cpa und Cpb unterschiedlich sind, ein Integrationsfehler verursacht werden.

Bei der Ladungspumpenschaltung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung sind die Größen der PMOS-Transistoren 313 und 314 und der NMOS-Transistoren 319 und 320 daher aufeinander abgestimmt, so dass der Wert Cpa gleich dem Wert Cpb ist, wodurch ein Koppelungseffekt ver mieden wird. Als weiteres Mittel zum Vermeiden des Koppelungseffekts kann ein Ersatz-Koppelungskondensator wie in der Fig. 5 gezeigt ange ordnet werden, so dass die Überlappungskapazitäten Cca und Ccb, die den Koppelungseffekt verursachen, ausgeglichen werden können.

Fig. 5 ist ein Prinzipschaltbild einer Ladungspumpenschaltung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung, und Fig. 6 ist eine Wellenform- Darstellung von Signalen während des Betriebs der Ladungspumpenschal tung gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung, die in Fig. 5 ge zeigt ist.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 5 weist die Ladungspumpenschaltung ge mäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung eine Pull-up-Stromquelle 302, eine erste Schalteinrichtung 304, eine Pull-down-Stromquelle 306, eine zweite Schalteinrichtung 308, einen Integrierkondensator Cint und ei ne Referenzstromquelle 316 auf, wie die Ladungspumpenschaltung gemäß der ersten Ausführungsform. Die Ladungspumpenschaltung gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung weist weiterhin einen ersten Er satz-Kondensator 501, dessen einer Anschluss mit einer Verbindung N3 zwischen der ersten Schalteinrichtung 304 und der Pull-up-Stromquelle 302 verbunden ist, und einen zweiten Ersatz-Kondensator 502 auf, dessen einer Anschluss mit einer Verbindung N4 zwischen der zweiten Schaltein richtung 308 und der Pull-down-Stromquelle 306 verbunden ist.

An dem anderen Anschluss des ersten Ersatz-Kondensators 501 liegt ein invertiertes Pump-up-Steuersignal PU an, und an dem anderen Anschluss des zweiten Ersatz-Kondensators 502 liegt ein invertiertes Pump-down- Steuersignal PD an. Folglich tritt bei der Ladungspumpenschaltung gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung kein Koppelungseffekt auf, da die Überlappungskapazität Cca und Ccb durch den ersten Ersatz- Kondensator 501 und den zweiten Ersatz-Kondensator 502 ausgeglichen werden. Wie in der Wellenform-Darstellung der Fig. 6 gezeigt ist, ist die Wellenform eines Ausgangssignals V_o linear ohne Überschwinger.

Fig. 7 ist ein Prinzipschaltbild einer Ladungspumpenschaltung gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Unter Bezugnahme auf die Fig. 7 weist die Ladungspumpenschaltung gemäß der dritten Ausführungsform der Erfindung eine erste Pull-up-Stromquelle 302, eine erste Schalteinrich tung 304, eine erste Pull-down-Stromquelle 306, eine zweite Schalteinrich tung 308, einen ersten Integrierkondensator Cint1, eine Referenzstrom quelle 316, einen ersten Ersatz-Kondensator 501 und einen zweiten Er satz-Kondensator 502 auf. Die Ladungspumpenschaltung gemäß der drit ten Ausführungsform weist weiter eine zweite Pull-up-Stromquelle 702, ei ne dritte Schalteinrichtung 704, eine zweite Pull-down-Stromquelle 706, eine vierte Schalteinrichtung 708, einen zweiten Integrierkondensator Cint2, einen dritten Ersatz-Kondensator 701 und einen vierten Ersatz- Kondensator 702 auf.

Die zweite Pull-up-Stromquelle 702 liefert in Abhängigkeit eines vorbe stimmten Referenzstroms Iref, der von der Referenzstromquelle 316 aus geht, einen Pump-up-Strom Ipu2 an einen invertierten Ausgangsknoten 710. Die zweite Pull-up-Stromquelle 702 weist einen Stromspiegel, beste hend aus den PMOS-Transistoren 313 und 714, und einen PMOS- Transistor 312 auf. Die dritte Schalteinrichtung 704 weist einen PMOS- Transistor auf, der einerseits mit einem Versorgungsspannungsknoten VDD und andererseits mit der zweiten Pull-up-Stromquelle 702 verbunden ist und der in Reaktion auf ein invertiertes Pump-up-Steuersignal PU ge schaltet wird. Die Größe des PMOS-Transistors in der dritten Schalteinrich tung 704 ist vorzugsweise gleich wie die Größe eines PMOS-Transistors in einer ersten Schalteinrichtung 304, und die Größe des PMOS-Transistors 714 ist vorzugsweise gleich wie die des PMOS-Transistors 313.

Die zweite Pull-down-Stromquelle 706 entnimmt einen Pump-down-Strom Ipd2 aus dem invertierten Ausgangsknoten 710 entsprechend einem vor bestimmten Referenzstrom Iref, der von der Referenzstromquelle 316 aus geht. Die Pull-down-Stromquelle 706 weist einen Stromspiegel, bestehend aus den NMOS-Transistoren 319 und 720, und einen NMOS-Transistor 318 auf. Die vierte Schafteinrichtung 708 weist einen NMOS-Transistor auf und ist einerseits mit einem Massespannungsknoten VSS und andererseits mit der zweiten Pull-down-Stromquelle 706 verbunden und wird in Reakti on auf ein invertiertes Pump-down-Steuersignal PD geschaltet. Die Größe des NMOS-Transistors in der vierten Schalteinrichtung 708 ist vorzugswei se gleich der Größe eines NMOS-Transistors in der zweiten Schalteinrich tung 308, und die Größe des NMOS-Transistors 720 ist vorzugsweise gleich wie die Größe des NMOS-Transistors 319.

Der zweite Integrierkondensator Cint2 ist einerseits mit dem invertierten Ausgangsknoten 710 und andererseits mit einem Massespannungsknoten VSS verbunden und integriert einen Strom, der durch den invertierten Aus gangsknoten 710 fließt, um den Strom in das invertierte Spannungssignal Vo umzusetzen. Der dritte Ersatz-Kondensator 701 ist mit einer Verbin dung N5 zwischen der dritten Schalteinrichtung 704 und der zweiten Pull- up-Stromquelle 702 verbunden, und ein Pump-up-Steuersignal PU liegt an ihm an. Der vierte Ersatz-Kondensator 702 ist mit einer Verbindung N6 zwischen der vierten Schalteinrichtung 708 und der zweiten Pull-down- Stromquelle 706 verbunden, und ein Pump-down-Steuersignal PD liegt an ihm an. Auf diese Weise tritt bei der Ladungspumpenschaltung gemäß der dritten Ausführungsform der Erfindung vom Differentialtyp kein Koppe lungseffekt auf, da Überlappungskapazitäten durch die ersten bis vierten Ersatz-Kondensatoren 501, 502, 701 und 702 ausgeglichen sind.

Wie vorstehend beschrieben wurde, wird bei einer Ladungspumpenschal tung gemäß der Erfindung eine Schalteinrichtung, die von einem Pump-up- Steuersignal PU oder einem invertierten Signal PU gesteuert ist, zwischen einen Versorgungsspannungsknoten und eine Pull-up-Stromquelle ge schaltet, und eine Schalteinrichtung, die von einem Pump-down- Steuersignal PD oder einem invertierten Signal PD gesteuert ist, wird zwi schen einen Massenspannungsknoten und eine Pull-down-Stromquelle geschaltet. Dies verringert die Schwingungsbreite der Niveaus der Verbin dungen N3 und N5 und die Schwingungsbreite der Niveaus der Verbin dungen N4 und N6 und macht eine Ladungsinjektion unabhängig von ei nem Ausgangssignal V_o.

Folglich kann eine Ladungsinjektion durch Kontrollieren der Größen der PMOS-Transistoren einer Pull-up-Stromquelle oder von NMOS- Transistoren einer Pull-down-Stromquelle oder durch Hinzufügen von Er satz-Kondensatoren zu den Verbindungen N3 und N5 oder den Verbin dungen N4 und N6 zum Ausgleichen von parasitären Kapazitäten Cpa und Cpb verhindert werden. Dadurch kann ein Integrationsfehler aufgrund einer Ladungsinjektion vermieden werden.

Weiterhin kann in einer Ladungspumpenschaltung gemäß der Erfindung ein Koppelungseffekt durch Kontrollieren der Größen von PMOS- Transistoren einer Pull-up-Stromquelle und der Größen von NMOS- Transistoren einer Pull-down-Stromquelle, so dass parasitäre Kapazitäten Cpa und Cpb gleich zueinander sind, vermieden werden. Ein Koppelungs effekt kann auch dadurch vermieden werden, dass ein Ersatz- Koppelungskondensator mit den Verbindungen N3 und N5 oder den Ver bindungen N4 und N6 verbunden wird, um Überlappungskapazitäten Cca und Ccb auszugleichen. Auf diese Weise kann ein Integrationsfehler auf grund eines Koppelungseffekts vermieden werden.

Dem gemäß kann mit einer Ladungspumpenschaltung gemäß der Erfin dung eine Koppelung und ein Ladungsinjektion vermieden werden, ohne eine Layout-Fläche oder eine Energieaufnahme zu vergrößern.

Die Erfindung ist unter Bezugnahme auf die bevorzugten Ausführungsfor men beschrieben worden, es ist jedoch für den Fachmann klar, dass zahl reiche Änderungen im Rahmen der folgenden Ansprüche ausgeführt wer den können.

Claims

1. Ladungspumpenschaltung mit:
einem Ausgangsknoten (310),
einer ersten Stromquelle (302) zum Liefern von Pump-up-Strom an den Ausgangsknoten (310),
einer ersten Schalteinrichtung (304), die einerseits mit einem ersten Referenzspannungsknoten und andererseits mit der ersten Stromquel le (302) verbunden ist und in Reaktion auf ein Pump-up-Steuersignal geschaltet wird,
einer zweiten Stromquelle (306) zum Entnehmen von Pump-down- Strom aus dem Ausgangsknoten (310) und
einer zweiten Schalteinrichtung (308), die einerseits mit der zweiten Stromquelle (306) und andererseits mit einem zweiten Referenzspan nungsknoten verbunden ist und in Reaktion auf ein Pump-down- Steuersignal geschaltet wird.

2. Ladungspumpenschaltung nach Anspruch 1, mit:
einem ersten Ersatz-Kondensator (501), dessen erster Anschluss mit einer Verbindung (N3) zwischen
der ersten Schalteinrichtung (304) und der ersten Stromquelle (302) verbunden ist und
einem zweiten Ersatz-Kondensator (502), dessen erster Anschluss mit einer Verbindung (N4) zwischen
der zweiten Schalteinrichtung (308) und der zweiten Stromquelle (306) verbunden ist.

3. Ladungspumpenschaltung nach Anspruch 2, worin an einem je weiligen zweiten Anschluss des ersten Ersatz-Kondensators (501) und des zweiten Ersatz-Kondensators (502) ein invertiertes Pump-up- Steuersignal bzw. ein invertiertes Pump-down-Steuersignal anliegt.

4. Ladungspumpenschaltung nach einem der vorstehenden Ansprü che, worin die erste Stromquelle (302) einen Stromspiegel zum Be reitstellen des Pump-up-Stroms in Abhängigkeit eines vorbestimmten Referenzstroms bereitstellt.

5. Ladungspumpenschaltung nach einem der vorstehenden Ansprü che, worin die zweite Stromquelle (306) einen Stromspiegel zum Be reitstellen des Pump-down-Stroms in Abhängigkeit eines vorbestimm ten Referenzstroms bereitstellt.

6. Ladungspumpenschaltung nach einem der vorstehenden Ansprü che, worin die erste Schalteinrichtung (304) einen PMOS-Transistor aufweist, dessen Source-Anschluss mit dem ersten Referenzspan nungsknoten verbunden ist, an dessen Gate-Anschluss das Pump-up- Signal anliegt und dessen Drain-Anschluss mit der ersten Stromquelle verbunden ist.

7. Ladungspumpenschaltung nach einem der vorstehenden Ansprü che, worin die zweite Schalteinrichtung (308) einen NMOS-Transistor aufweist, dessen Drain-Anschluss mit der zweiten Stromquelle (306) verbunden ist, an dessen Gate-Anschluss das Pump-down- Steuersignal anliegt und dessen Source-Anschluss mit dem zweiten Referenzspannungsknoten verbunden ist.

8. Ladungspumpenschaltung mit:
einem ersten Ausgangsknoten (310),
einer ersten Stromquelle (302) zum Liefern eines ersten Pump-up- Stroms an den ersten Ausgangsknoten (310),
einer ersten Schalteinrichtung (304), die einerseits mit einem ersten Referenzspannungsknoten und andererseits mit der ersten Stromquel le (302) verbunden ist und die in Reaktion auf ein Pump-up- Steuersignal geschaltet wird,
einer zweiten Stromquelle (306) zum Entnehmen eines ersten Pump down-Stroms aus dem Ausgangsknoten (310),
eine zweite Schalteinrichtung (308), die einerseits mit der zweiten Stromquelle (306) und andererseits mit einem zweiten Referenz spannungsknoten verbunden ist und die in Reaktion auf ein Pump down-Steuersignal geschaltet wird,
einen zweiten Ausgangsknoten (710),
eine dritte Stromquelle (702) zum Liefern eines zweiten Pump-up- Stroms an den zweiten Ausgangsknoten (710),
eine dritte Schalteinrichtung (704), die einerseits mit dem ersten Refe renzspannungsknoten und der dritten Stromquelle (702) verbunden ist und die in Reaktion auf ein invertiertes Pump-up-Steuersignal ge schaltet wird,
eine vierte Stromquelle (706) zum Entnehmen eines zweiten Pump down-Stroms aus dem zweiten Ausgangsknoten (710) und eine vierte Schalteinrichtung (708), die mit der vierten Stromquelle (706) und dem zweiten Referenzspannungsknoten verbunden ist und die in Reaktion auf ein invertiertes Pump-down-Steuersignal geschal tet wird.

9. Ladungspumpenschaltung nach Anspruch 8, mit:
einem ersten Ersatz-Kondensator (501), dessen erster Anschluss mit einer Verbindung (N3) zwischen der ersten Schalteinrichtung (304) und der ersten Stromquelle (302) verbunden ist,
einem zweiten Ersatz-Kondensator (502), dessen erster Anschluss mit einer Verbindung (N4) zwischen der zweiten Schalteinrichtung (308) und der zweiten Stromquelle (306) verbunden ist,
einem dritten Ersatz-Kondensator (701), dessen erster Anschluss mit einer Verbindung (N5) zwischen der dritten Schalteinrichtung (704) und der dritten Stromquelle (702) verbunden ist und
einem vierten Ersatz-Kondensator (702), dessen erster Anschluss mit einer Verbindung (N6) zwischen der vierten Schalteinrichtung (708) und der vierten Stromquelle (706) verbunden ist.

10. Ladungspumpenschaltung nach Anspruch 9, worin an einem jeweiligen zweiten Anschluss des ersten Ersatz-Kondensators (501) und des zweiten Ersatz-Kondensators (502) ein invertiertes Pump-up- Steuersignal bzw. ein invertiertes Pump-down-Steuersignal anliegt und worin an einem jeweiligen zweiten Anschluss des dritten Ersatz- Kondensators (701) und des vierten Ersatz-Kondensators (702) das Pump-up-Steuersignal bzw. das Pump-down-Steuersignal anliegt.

11. Ladungspumpenschaltung nach einem der Ansprüche 8 bis 10, worin die erste Stromquelle (302) einen Stromspiegel aufweist, um in Abhängigkeit eines vorbestimmten Referenzstroms den ersten Pump up-Strom bereitzustellen.

12. Ladungspumpenschaltung nach einem der Ansprüche 8 bis 11, worin die zweite Stromquelle (306) einen Stromspiegel aufweist, um in Abhängigkeit eines vorbestimmten Referenzstroms, den ersten Pump down-Strom bereitzustellen.

13. Ladungspumpenschaltung nach einem der Ansprüche 8 bis 12, worin die dritte Stromquelle (702) einen Stromspiegel aufweist, um in Abhängigkeit eines vorbestimmten Referenzstroms, den zweiten Pump-up-Strom bereitzustellen.

14. Ladungspumpenschaltung nach einem der Ansprüche 8 bis 13, worin die vierte Stromquelle (706) einen Stromspiegel aufweist, um in Abhängigkeit eines vorbestimmten Referenzstroms, den zweiten Pump-down-Strom bereitzustellen.

15. Ladungspumpenschaltung nach einem der Ansprüche 8 bis 14, worin die erste Schalteinrichtung (304) einen PMOS-Transistor auf weist, dessen Source-Anschluss mit dem ersten Referenzspannungs knoten verbunden ist, an dessen Gate-Anschluss das Pump-up- Steuersignal angelegt wird und dessen Drain-Anschluss mit der ersten Stromquelle (302) verbunden ist.

16. Ladungspumpenschaltung nach einem der Ansprüche 8 bis 15, worin die zweite Schalteinrichtung (308) einen NMOS-Transistor auf weist, dessen Drain-Anschluss mit der zweiten Stromquelle (306) ver bunden ist, an dessen Gate-Anschluss das Pump-down-Steuersignal angelegt wird und dessen Source-Anschluss mit dem zweiten Refe renzspannungsknoten verbunden ist.

17. Ladungspumpenschaltung nach einem der Ansprüche 8 bis 16, worin die dritte Schalteinrichtung (704) einen PMOS-Transistor auf weist, dessen Source-Anschluss mit dem ersten Referenzspannungs knoten verbunden ist, an dessen Gate-Anschluss ein invertiertes Pump-up-Steuersignal angelegt wird und dessen Drain-Anschluss mit der dritten Stromquelle (702) verbunden ist.

18. Ladungspumpenschaltung nach einem der Ansprüche 8 bis 17, worin die vierte Schalteinrichtung (708) einen NMOS-Transistor auf weist, dessen Drain-Anschluss mit der vierten Stromquelle (706) ver bunden ist, an dessen Gate-Anschluss ein invertieres Pump-down- Steuersignal angelegt wird und dessen Source-Anschluss mit dem zweiten Referenzspannungsknoten verbunden ist.