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Die
Erfindung schafft eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung,
und insbesondere eine Flüssigkristallanzeige,
bei welcher die Adhäsion
zwischen der oberen und der unteren Platte eines Paneels mit einem
hohen Aperturverhältnis,
auf welches Paneel eine organische Schutzschicht aufgetragen ist,
verstärkt
wird, und ein Verfahren zum Herstellen derselben.
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Allgemein
wird bei einer Flüssigkristallanzeige
(LCD) die Lichtdurchlässigkeit
gemäß Videosignalen
durch in einem Matrixmuster angeordnete Flüssigkristallzellen gesteuert,
so dass ein den Videosignalen entsprechendes Bild auf einem Flüssigkristallpaneel
angezeigt wird. Zu diesem Zweck weist die LCD ein Flüssigkristallpaneel
mit Aktivmatrix-artig angeordneten Flüssigkristallzellen und integrierte Ansteuerschaltungen
(ICs) zum Ansteuern der Flüssigkristallzellen
auf. Die ICs sind üblicherweise
in Chipform hergestellt und werden im Fall eines "Tape Automated Bonding" (TAB)-Systems auf
einem Tape Carrier Package montiert, oder im Fall eines "Chip-auf-Glas" (COG)-Systems auf
der Oberfläche des
Flüssigkristallpaneels
montiert. Im Fall eines TAB-Systems sind die Ansteuer-ICs mittels
des TCP mit einer auf dem Flüssigkristallpaneel
vorgesehenen Kontaktierungsfläche
elektrisch gekoppelt.
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1 zeigt
eine Draufsicht auf ein Flüssigkristallpaneel 2,
das eine Struktur mit einer unteren Platte 4 und einer
gegenüberliegenden
und daran haftenden oberen Platte 6 aufweist. In Bezug
auf 1 weist das Flüssigkristallpaneel 2 einen
Bildanzeigeteil 8 mit in einem Matrixmuster angeordneten Flüssigkristallzellen,
Gatekontaktierungsflächen 12 und
Datenkontaktierungsflächen 14 auf,
die mit Gateleitungen bzw. Datenleitungen des Bildanzeigeteils 8 verbunden
sind. Im Bildanzeigeteil 8 kreuzen sich die Datenleitungen,
an denen Videosignale anliegen und Gateleitungen, an denen ein Abtastsignal, d.
h. ein Gatesignal an der unteren Platte 4 anliegt. An den
Kreuzungsstellen sind Dünnschichttransistoren
(TFTs) zum Schalten der Flüssigkristallzellen
und mit den Dünnschichttransistoren
verbundene Pixelelektroden zum Ansteuern der Flüssigkristallzellen vorgesehen.
An der oberen Platte 6 sind Farbfilter vorgesehen, die
mittels einer schwarzen Matrix und einer gemeinsamen transparenten
Elektrode, die einen Gegenpart zur Pixelelektrode darstellt, für jeden Bereich
gesondert schichtartig aufgetragen sind. Die untere Platte 4 und
die obere Platte 6, die die oben beschriebene Konfiguration
aufweisen, sind durch einen Spacer (Spacer = Abstandsstück) voneinander getrennt
und weisen innerhalb desselben einen Zellspalt auf. Der Zellspalt
ist mit einem Flüssigkristallmaterial
gefüllt.
Die untere Platte 4 haftet mittels eines auf eine Dichtung 10,
die außerhalb
des Bildanzeigeteils 8 angeordnet ist, schichtartig aufgetragenen Dichtmittels
an der oberen Platte 6. Die Gatekontaktierungsflächen 12 und
die Datenkontaktierungsflächen 14 sind
an dem Rand der unteren Platte 4 angeordnet, der nicht
mit der oberen Platte 6 überlappt. Von den Gatekontaktierungsflächen 12 werden
von den Gate-Ansteuer-ICs angelegte Gatesignale an die Gateleitungen
des Bildanzeigeteils 8 angelegt. Von den Datenkontaktierungsflächen 14 werden
von den Daten-Ansteuer-ICs angelegte Videosignale an die Datenleitungen
des Bildanzeigeteils 8 angelegt.
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Die
untere Platte 4 ist vollständig mit einer Schutzschicht
zum Schutz der Metallelektroden und der Dünnschichttransistoren (TFTs)
beschichtet. In jedem Zellbereich sind die Pixelelektroden auf der Schutzschicht
ausgebildet. Als Schutzschicht wurde üblicherweise ein anorganisches
Material, z. B. SiNx oder SiOx verwendet.
Da die anorganische Schutzschicht eine hohe Dielektrizitätskonstante
aufweist und mittels einer Gasphasenabscheidungs-Technik ausgebildet
wird, hat diese Schicht den Nachteil, dass es schwierig ist, ihre
Höhe bzw.
Dicke zu erhöhen.
Entsprechend muss zwischen den Pixelelektroden und den Datenleitungen,
zwischen denen die anorganische Schicht angeordnet ist, ein konstanter
horizontaler Abstand von z. B. 3 μm
bis 5 μm
beibehalten werden, so dass durch parasitäre Kapazitäten verursachte Kopplungseffekte
minimiert sind. Folglich wird die Größe der Pixelelektroden, die
einen Einfluss auf das Aperturverhältnis der Flüssigkristallzelle
hat, verringert, so dass man ein niedriges Aperturverhältnis erhält. Um dieses
Problem zu lösen, wurde
kürzlich
als Schutzschicht ein organisches Material mit einer relativ niedrigen
Dielektrizitätskonstante
verwendet. Da diese organische Schutzschicht eine niedrige Dielektrizitätskonstante
von ungefähr
2,7 aufweist und mittels eines Spin-Coating-Verfahrens (Aufschleuder-Technik)
ausgebildet wird, hat sie den Vorteil, dass sie zu einer gewünschten
Höhe oder
Dicke ausgebildet werden kann. Solch eine organische Schutzschicht
minimiert den Kapazitätswert
der parasitären
Kapazität,
so dass die Pixelelektrode mit den Datenleitungen überlappen
kann, ohne dass dazwischen ein horizontaler Abstand verbleibt. Infolgedessen
ist die Größe der Pixelelektroden
erhöht,
so dass das Aperturverhältnis
verbessert ist.
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Wenn
die untere und die obere Platte der Flüssigkristallanzeige mit einem
so hohen Aperturverhältnis
mittels eines Dichtmittels aneinandergeklebt werden, hat das Dichtmittel üblicherweise
Kontakt mit der organischen Schutzschicht der unteren Platte. Jedoch
hat die organische Schutzschicht bezüglich eines Dichtmittels wie
z. B. Epoxid-Harz schwache
Hafteigenschaften. Auch hat die organische Schutzschicht schwache
Hafteigenschaften bezüglich
einer im unteren Teil derselben angeordneten Gateisolierungsschicht.
Dadurch wird, wenn die Stärke
der organischen Schutzschicht selbst schwach ist, oder wenn die
Haftung zwischen der organischen Schutzschicht und dem Dichtmittel
oder der Gateisolierungsschicht schwach ist, bereits durch einen
unbedeutenden Schlag auf den schwach haftenden Teil bewirkt, dass
Sprünge
oder Risse auftreten oder Schichten sich voneinander trennen. Folglich
tritt das Problem auf, dass Flüssigkristall
durch einen schwach haftenden Teil zwischen dem Dichtmittel und
der Gateisolierungsschicht des unteren und des oberen Teils der
organischen Schutzschicht hindurchleckt. Im Folgenden wird das Problem
bei herkömmlichen
Flüssigkristallanzeigen
anhand der Zeichnungen im Detail beschrieben.
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2 zeigt
eine vergrößerte Ansicht
eines Teils einer von der Dichtung aus 1 durchkreuzten Datenzuführung. Die
Datenzuführung 16 in 2 stellt
ein Verbindungsstück
zwischen der Datenkontaktierungsfläche 14 und der Datenleitung
des Bildanzeigeteils dar und ist zusammen mit der Datenkontaktierungsfläche 14 und
der Datenleitung ausgebildet. Im unteren Bereich der Datenzuführung 16 erstreckt
sich ein Halbleitermuster 18 in die Datenkontaktierungsfläche 14.
Die mit einem Dichtmittel überzogene
Dichtung 10 ist in einer Richtung angeordnet, die die Datenzuführung 16 kreuzt.
Mittels der Datenkontaktierungsfläche 14 wird durch
ein in der organischen Schutzschicht definiertes Kontaktloch hindurch
eine auf der organischen Schutzschicht ausgebildete transparente
Schicht 17 kontaktiert. Die transparente Schicht 17 dient
zum Schutz der als Metallelektrode ausgebildeten Datenkontaktierungsfläche und
zum Verhindern einer Oxidation der Metallelektrode, während die
für einen
TAB-Prozess erforderliche Wiederholung einer TCP-Adhäsion durchgeführt wird.
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3A zeigt
die Dichtung 10 aus 2 im entlang
der Linie A-A' genommenen
Schnitt, und 3B zeigt die Dichtung 10 im
entlang der Line B-B' genommenen
Schnitt. In 3A und 3B hat
die untere Platte 4 eine solche Struktur, dass eine Gateisolierungsschicht 22,
ein Halbleitermuster 18 und eine Datenzuführung 16 sequentiell
auf ein unteres Glas 20 aufgetragen werden und dasselbe
vollständig
mit einer organischen Schutzschicht 24 beschichtet wird.
In 3B wurde in die rechte Seite eines Dichtmittels 11 ein
Flüssigkristall 32 des
Bildanzeigeteils injiziert. Die obere Platte 6 hat eine
solche Struktur, dass auf einem oberen Glas 30 ein Farbfilter
und eine schwarze Matrix 26 ausgebildet sind, und das obere
Glas 30 vollständig
mit einer gemeinsamen transparenten Elektrode beschichtet ist. Die
untere Platte 4 ist mittels des Dichtmittels 11 an
die obere Platte 6 geklebt. In diesem Fall haftet das Dichtmittel 11 an
der organischen Schutzschicht 24, wodurch eine schwache
Haftung gegeben ist. Außerdem
hat die organische Schutzschicht 24 eine schwache Haftung
zur Gateisolierungsschicht 22 in deren unterem Bereich.
Es besteht das Problem, dass, wenn die Adhäsion zwischen der organischen
Schutzschicht 24 und dem Dichtmittel 11 oder der
Gateisolierungsschicht 22 schwach ist, bereits durch einen
unbedeutenden Schlag Risse oder Sprünge erzeugt werden, so dass
Flüssigkristall
herausleckt.
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4 zeigt
eine vergrößerte Ansicht
eines Teils einer von der Dichtung aus 1 durchkreuzten Gatezuführung. Die Gatezuführung 34 in 4 bildet ein
Verbindungsstück
zwischen der Gatekontaktierungsfläche 12 und der Gateleitung
des Bildanzeigeteils und ist zusammen mit der Gatekontaktierungsfläche 12 und
der Gateleitung ausgebildet. Von der Gatekontaktierungsfläche 12 wird
durch ein mittels der Gateisolierungsschicht und der organischen Schutzschicht
ausgebildetes Kontaktloch 19 hindurch eine auf der organischen
Schutzschicht ausgebildete transparente Schicht 17 kontaktiert.
Die transparente Schicht 17 dient zum Schutz einer als
Gatekontaktierungsfläche
dienenden Metallelektrode. Die mit einem Dichtmittel überzogene
Dichtung 10 ist in eine Richtung angeordnet, die die Gatezuführung 34 kreuzt.
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5A zeigt
die Dichtung 10 aus 4 im entlang
der Linie A-A' genommenen
Schnitt, und 5B zeigt die Dichtung 10 im
entlang der Linie B-B' genommenen
Schnitt. In 5A und 5B hat
die untere Platte 4 eine solche Struktur, dass auf einem
unteren Glas 20 sequentiell die Gatezuführung 34 und eine
Gateisolierungsschicht 22 aufgebracht werden, und das untere
Glas 20 vollständig mit
einer organischen Schutzschicht 24 überzogen wird. Die obere Platte 6 hat
eine solche Struktur, dass auf einem oberen Glas 30 ein
Farbfilter und eine schwarze Matrix 26 ausgebildet sind,
und das obere Glas 30 vollständig mit einer gemeinsamen
transparenten Elektrode überzogen
ist. Die untere Platte 4 haftet mittels des Dichtmittels 11 an
der oberen Platte 6. In diesem Fall haftet das Dichtmittel 11 an
der organischen Schutzschicht 24, wodurch eine schwache
Haftung gegeben ist. Außerdem
hat die organische Schutzschicht 24 eine schwache Haftung
gegenüber
der Gateisolierungsschicht 22 in deren unterem Bereich.
Es besteht das Problem, dass, wenn die Haftung zwischen der organischen
Schutzschicht 24 und dem Dichtmittel 11 oder der
Gateisolierungsschicht 22 schwach ist, bereits durch unbedeutende Schläge Risse
oder Sprünge
verursacht werden, so dass Flüssigkristallmaterial
herausleckt.
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Da
bei einer Flüssigkristallanzeige
mit einem hohen Aperturverhältnis,
auf die eine herkömmliche organische
Schutzschicht aufgetragen ist, die Hafteigenschaften zwischen der
organischen Schutzschicht und dem Dichtmittel oder der Gateisolierungsschicht
schwach sind, besteht folglich das Problem, dass durch einen schwachen äußeren Schlag leicht
ein Sprung oder Riss erzeugt wird, und somit Flüssigkristall durch den Sprung
oder Riss hindurchleckt.
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Aus
EP 0 455 233 A2 ist
eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
bekannt, bei welcher ein Paar von Glassubstraten über ein
den Flüssigkristallbereich
umschließendes
rahmenförmiges
Dichtelement kontaktiert sind. Ansteuerungselemente mit einer Mehrzahl
von Dünnschichttransistoren
sind über
ein zwischen diesen Elementen und dem Glassubstrat eingefülltes Harz
befestigt.
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Ferner
ist aus
EP 0 731 373
A1 eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
bekannt, bei welcher ein den Flüssigkristallbereich
umgebendes Dichtmittel vorgesehen ist, welches die Gateisolationsschicht
direkt kontaktiert. Aus
DE
197 14 510 A1 ist ein Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige
bekannt, bei welcher auf einem Dünnschichttransistor eine
organische Passivierungsschicht ausgebildet, wobei durch selektives
Abätzen
der organischen Passivierungsschicht ein Verbindungsloch auf der Sourceelektrode
oder Drainelektrode des Transistors gebildet wird.
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Aufgabe
der Erfindung ist es, eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
sowie ein Verfahren zu deren Herstellung bereitzustellen, wobei
die Adhäsion zwischen
einem Dichtmittel und einer unteren Platte in einer Flüssigkristallanzeige
mit einem hohen Aperturverhältnis,
auf die eine organische Schutzschicht aufgebracht ist, verstärkt ist.
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Weitere
Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung
ausgeführt und
werden aus der Beschreibung oder der Durchführung der Erfindung ersichtlich.
Die Ziele und weiteren Vorteile der Erfindung werden anhand der
in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen sowie in den Zeichnungen
insbesondere dargestellten Struktur verwirklicht und erzielt.
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Um
diese und weitere Vorteile gemäß dem Zweck
der Erfindung zu erzielen, weist, wie die Ausführungsformen und die ausführliche
Beschreibung zeigen, eine Flüssigkristallanzeige
gemäß einem
Aspekt der Erfindung ein Substrat, eine die Elektrodenleitung und
die Elektrodenkontaktierungsfläche
koppelnde Elektrodenzuführung,
ein die Elektrodenzuführung
zwischen der Elektrodenleitung und der Elektrodenkontaktierungsfläche kreuzendes
Dichtmittel und eine organische Schutzschicht und eine Gateisolierungsschicht
auf, die auf der Oberfläche des
Substrats ausgebildet und in solcher Weise strukturiert sind, dass
wenigstens ein Loch gebildet wird, so dass das Dichtmittel in direkten
Kontakt mit dem Substrat gelangt.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der Erfindung weist ein Verfahren zum Herstellen
einer Flüssigkristallanzeige,
wobei die Flüssigkristallanzeige ein
Substrat, eine Elektrodenleitung, eine Elektrodenkontaktierungsfläche, eine
die Elektrodenleitung und die Elektrodenkontaktierungsfläche koppelnde Elektrodenzuführung, ein
die Elektrodenzuführung zwischen
der Elektrodenleitung und der Elektrodenkontaktierungsfläche kreuzendes
Dichtmittel, und eine organische Schutzschicht und eine Gateisolierungsschicht,
die auf der Oberfläche
des Substrats ausgebildet sind, aufweist, ein derartiges Strukturieren
der organischen Schutzschicht und der Gateisolierungsschicht in
einem mit dem Dichtmittel beschichteten Bereich auf, dass wenigstens
ein Loch gebildet wird, so dass das Dichtmittel in direkten Kontakt
mit einem Substrat gelangt.
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In
den Zeichnungen sind Ausführungsformen
der Erfindung veranschaulicht, und in der folgenden Beschreibung
sind anhand der Zeichnungen die Grundsätze der Erfindung erklärt.
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Es
zeigen:
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1 eine
Draufsicht auf ein herkömmliches Flüssigkristallpaneel;
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2 eine
vergrößerte Draufsicht
auf einen Teilbereich der die Dichtung aus 1 kreuzenden Datenzuführung;
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3A eine
Ansicht der Dichtung im entlang der Linie A-A' in 2 genommenen
vertikalen Schnitt;
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3B eine
Ansicht der Dichtung im entlang der Linie B-B' in 2 genommenen
vertikalen Schnitt;
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4 eine
vergrößerte Draufsicht
auf einen Teilbereich der Gatezuführung, der die Dichtung aus 1 kreuzt;
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5A eine
Ansicht der Dichtung im entlang der Linie A-A' in 4 genommenen
Schnitt;
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5B eine
Ansicht der Dichtung im entlang der Linie B-B' in 4 genommenen
Schnitt;
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6 eine
teilweise vergrößerte Draufsicht auf
eine Datenzuführung
einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung;
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7 eine
Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie
A-A' in 6 genommenen
Schnitt;
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8 eine
teilweise vergrößerte Draufsicht einer
Gatezuführung
einer Flüssigkristallanzeige
gemäß einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung;
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9 eine
teilweise vergrößerte Draufsicht einer
Datenzuführung
einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der Erfindung;
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10 eine
Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie
A-A' in 9 genommenen
Schnitt;
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11 eine
teilweise vergrößerte Draufsicht einer
Gatezuführung
einer Flüssigkristallanzeige
gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der Erfindung;
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12 eine
teilweise vergrößerte Draufsicht einer
Da tenzuführung
einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer
dritten Ausführungsform
der Erfindung;
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13 eine
Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie
A-A' in 12 genommenen
Schnitt;
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14 eine
teilweise vergrößerte Draufsicht einer
Datenzuführung
einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer
vierten Ausführungsform
der Erfindung;
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15 eine
Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie
A-A' in 14 genommenen
Schnitt;
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16 eine
teilweise vergrößerte Draufsicht einer
Datenzuführung
einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer
fünften
Ausführungsform
der Erfindung;
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17A und 17B Ansichten
der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie A-A' bzw. B-B' in 15 genommenen
Schnitt;
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18 eine
teilweise vergrößerte Draufsicht einer
Gatezuführung
einer Flüssigkristallanzeige;
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19 eine
Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie
A-A' in 18 genommenen
Schnitt;
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20 eine
teilweise vergrößerte Draufsicht einer
Datenzuführung
einer Flüssigkristallanzeige;
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21 eine
Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie
A-A' in 20 genommenen
Schnitt;
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22 eine
teilweise vergrößerte Draufsicht einer
Gatezuführung
einer Flüssigkristallanzeige;
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23 eine
Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie
A-A' in 22 genommenen
Schnitt;
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24 eine
teilweise vergrößerte Draufsicht einer
Da tenzuführung
einer Flüssigkristallanzeige; und
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25 eine
Ansicht der unteren Platte und der Dichtung im entlang der Linie
A-A' in 24 genommenen
Schnitt.
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Im
Folgenden wird eingehend Bezug auf bevorzugte Ausführungsformen
der Erfindung genommen, wobei in den Zeichnungen Beispiele bevorzugter
Ausführungsformen
veranschaulicht sind.
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6 zeigt
eine teilweise vergrößerte Ansicht
einer Datenzuführung
einer Flüssigkristallanzeige
gemäß einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung. In 6 ist die Datenzuführung 16 zusammen mit
einer Datenkontaktierungsfläche 14 und
einer Datenleitung eines Bildanzeigeteils ausgebildet. Die Datenkontaktierungsfläche 14 ist
durch ein in einer organischen Schutzschicht definiertes Kontaktloch 19 hindurch
mit einer transparenten Schicht 17 elektrisch gekoppelt.
Im unteren Bereich der Datenzuführung 16 erstreckt
sich ein Halbleitermuster 18 in die Datenkontaktierungsfläche 14.
Eine mit einem Dichtmittel beschichtete Dichtung 10 ist
in eine Richtung angeordnet, die die Datenzuführung 16 kreuzt. Die organische
Schutzschicht und die Gateisolierungsschicht, die zwischen den Datenzuführungen 16 an der
Dichtung 10 angeordnet sind, sind durch ein Trockenätzverfahren
unter Verwendung eines Maskenmusters strukturiert, so dass eine
Anzahl von Löchern 40 ausgebildet
ist, wodurch es erlaubt ist, dass das Dichtmittel teilweise, durch
die Löcher 40 hindurch,
direkten Kontakt mit einem unteren Glas hat. Insbesondere erstrecken
sich die Löcher 40 bis
außerhalb
der Dichtung 10, wodurch verhindert wird, dass während des
schichtartigen Aufbringens des Dichtmittels Blasenbildung auftritt.
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7 zeigt
die untere Platte im Schnitt entlang der Linie A-A' in 6,
durch die Dichtung 10 und das definierte Loch 40 hindurch.
Ein Verfahren zum Herstellen einer Datenzuführung gemäß einer ersten Ausführungsform
der Erfindung wird im Folgenden in Bezug auf 6 und 7 beschrieben. Auf
der gesamten Oberfläche
eines unteren Glases 20 wird eine Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet. Nachdem
auf der Gateisolierungsschicht 22 sequentiell das Halbleitermuster 18 und
die Datenzuführung 16 ausgebildet
worden sind, wird auf der gesamten Oberfläche derselben Schicht 22 eine
organische Schutzschicht 24 ausgebildet. Dann werden an
einer mit einem Dichtmittel 11 zu beschichtenden Stelle
die organische Schutzschicht 24 und die Gateisolierungsschicht 22 sequentiell
so strukturiert, dass die Löcher 40 ausgebildet
werden. In diesem Fall ist ein Ende des Lochs 40 außerhalb
der Dichtung 10 angeordnet. Anschließend wird die Dichtung 10 mit
dem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die obere Platte und
die untere Platte aneinandergeklebt werden. In diesem Fall besteht
teilweise direkter Kontakt zwischen dem Dichtmittel 11 und
dem unteren Glas 20 durch das Loch 40 hindurch,
wodurch die Adhäsion zwischen
dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
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8 zeigt
eine teilweise vergrößerte Ansicht
einer Gatezuführung
der Flüssigkristallanzeige gemäß einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung. In 8 ist die Gatezuführung 34 zusammen
mit der Gatekontaktierungsfläche 12 und
einer Gateleitung eines Bildanzeigeteils ausgebildet. Die Gatekontaktierungsfläche 12 ist
durch ein durch die Gateisolierungsschicht und die organischen Schutzschicht
hindurch ausgebildetes Kontaktloch 19 hindurch mit einer
transparenten Elektrode 17 elektrisch gekoppelt. Eine mit einem
Dichtmittel überzogene
Dichtung 10 ist in einer Richtung angeordnet, die die Gatezuführung 34 kreuzt.
Die organische Schutzschicht und die Gateisolierungsschicht, die
zwischen den Gatezuführungen 34 an
der Dichtung 10 angeordnet sind, sind so strukturiert,
dass, ähnlich
wie es oben für
die Datenzuführungen
beschrieben wurde, eine Anzahl von Löchern 40 ausgebildet
ist, wodurch es erlaubt ist, dass ein Dichtmittel teilweise, durch
die Löcher 40 hindurch,
in direktem Kontakt mit einem unteren Glas steht. Insbesondere erstrecken
sich die Löcher 40 bis außerhalb
der Dichtung 10, so dass verhindert wird, dass während des
schichtartigen Auftragens des Dichtmittels Blasen erzeugt werden.
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In 8 ist, ähnlich wie
in 7, die untere Platte im entlang der Linie A-A' genommenen Schnitt durch
die Dichtung 10 mit dem definierten Loch 40 gezeigt.
Im Folgenden wird anhand der 7 und 8 ein
Verfahren zum Herstellen einer Gatezuführung gemäß einer ersten Ausführungsform
der Erfindung beschrieben. Auf dem unteren Glas wird die Gatezuführung 34 ausgebildet,
und auf der gesamten Oberfläche
desselben wird eine Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet.
Nachdem auf der gesamten Oberfläche
der Gateisolierungsschicht 22 die organische Schutzschicht 24 ausgebildet
worden ist, werden die organische Schutzschicht 24 und
die Gateisolierungsschicht 22 an einer mit einem Dichtmittel 11 zu
beschichtenden Stelle unter Verwendung eines Maskenmusters mittels
eines Trockenätzverfahrens sequentiell
derart strukturiert, dass die Löcher 40 ausgebildet
werden. In diesem Fall ist ein Ende des Lochs 40 außerhalb
der Dichtung 10 angeordnet. Anschließend wird die Dichtung 10 mit
dem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die obere Platte
und die untere Platte aneinandergeklebt werden. In diesem Fall besteht
teilweise direkter Kontakt zwischen dem Dichtmittel 11 und
dem unteren Glas 20 durch die Löcher 40 hindurch,
wodurch die Adhäsion
zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
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9 zeigt
eine teilweise vergrößerte Ansicht
einer Datenzuführung
einer Flüssigkristallanzeige
gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der Erfindung. In 9 sind die Datenzuführung 44 und
eine Datenkontaktierungsfläche 42 simultan
ausgebildet worden, wobei während
des Ausbildens der Gateleitung das gleiche Material als Gateleitung
verwendet wurde. Die Datenzuführung 44 ist
mittels einer in einem Kontaktloch 43 definierten transparenten
Elektrode 45 mit einer in einer anderen Schicht ausgebildeten
Datenleitung 50 elektrisch gekoppelt. Mit anderen Worten
ist die auf einer Gateisolierungsschicht ausgebildete Datenleitung 50 mittels
der in dem Kontaktloch 19 definierten transparenten Elektrode 17 mit
der im unteren Bereich der Gateisolierungsschicht ausgebildeten
Datenzuführung 44 elektrisch gekoppelt.
Auf der Datenzuführung 44 ist
ein die Dichtung 10 kreuzendes Halbleitermuster 46 angeordnet.
Die Gateisolierungsschicht wird, mit Ausnahme einer organischen
Schutzschicht der Dichtung 10 und eines mit dem Halbleitermuster 46 ausgebildeten Teilbereichs,
geätzt,
so dass das Dichtmittel an das Halbleitermuster 46 und
das untere Glas geklebt wird. In diesem Fall ist, da der Bereich
in dem das Dichtmittel an dem unteren Glas klebt, vergrößert ist, die
Adhäsion
zwischen dem Dichtmittel und der unteren Platte verstärkt. Insbesondere
werden die organische Schutzschicht und die Gateisolierungsschicht
in einem Bereich 48 geätzt,
dessen Breite größer gewählt wird
als die Breite der Dichtung 10, wodurch verhindert wird,
dass beim schichtartigen Aufbringen des Dichtmittels Blasen erzeugt
werden.
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10 zeigt
die untere Platte und die Dichtung 10 im entlang der Linie
A-A' in 9 genommenen
Schnitt durch die Dichtung 10. Im Folgenden wird in Bezug
auf 10 ein Verfahren zum Herstellen einer Datenzuführung gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der Erfindung beschrieben. Nachdem die Datenzuführung 44 auf dem unteren
Glas 20 ausgebildet worden ist, wird das untere Glas 20 vollständig mit
der Gateisolierungsschicht 22 beschichtet. Dann wird die
Gateisolierungsschicht 22, mit Ausnahme eines mit der organischen
Schutzschicht der Dichtung und dem Halbleitermuster 46 ausgebildeten
Teilbereichs, mittels eines Maskenmusters geätzt. In diesem Fall ist die
Breite des Bereichs 48, in dem der organische Schutzschicht
und der Gateisolierungsschicht geätzt werden, so eingestellt,
dass sie größer ist
als die Breite der Dichtung 10. Das Halbleitermuster 46 wirkt
während
des Ätzens
der Gateisolierungsschicht als Ätz-Stopp,
so dass die darunterliegende Gateisolierungsschicht 22 und
die Datenzuführung 44 geschützt sind.
Zu diesem Zweck wird bei dem Halbleitermuster 46 eine Breite
gewählt,
die größer ist
als die der Datenzuführung 44.
Dann wird die Dichtung 10 mit einem Dichtmittel 11 beschichtet,
so dass die obere Platte und die untere Platte aneinandergeklebt
werden. In diesem Fall hat das Dichtmittel 11 Kontakt mit
dem unteren Glas 20 und dem Halbleitermuster 46,
so dass die Adhäsion
zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
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11 zeigt
eine teilweise vergrößerte Ansicht
einer Gatezuführung
der Flüssigkristallanzeige gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der Erfindung. In 11 ist die Gatezuführung 34 zusammen mit
einer Gatekontaktierungsfläche 12 und
einer Gateleitung eines Bildanzeigeteils ausgebildet. Die Gatekontaktierungsfläche 12 ist
durch ein durch die Gateisolierungsschicht und die organische Schutzschicht hindurch
ausgebildetes Kontaktloch 19 hindurch mit einer transparenten
Elektrode 17 elektrisch gekoppelt. Auf der Gatezuführung 34 ist
ein die Dichtung 10 kreuzendes Halbleitermuster 46 zum
Schutz der Gatezuführung 34 ausgebildet.
Die Gateisolierungsschicht wird, mit Ausnahme einer an der Dichtung 10 angeordneten
Schutzschicht und eines mit dem Halbleitermuster 46 ausgebildeten
Teilbereichs, geätzt,
so dass das Dichtmittel an das Halbleitermuster 46 und
das untere Glas geklebt wird. In diesem Fall ist, da der Bereich,
in dem das Dichtmittel an dem unteren Glas klebt, vergrößert ist,
die Adhäsion zwischen
dem Dichtmittel und der unteren Platte verstärkt. Insbesondere ist die Breite
des Bereichs 48, in dem die organische Schutzschicht und
die Gateisolierungsschicht geätzt
werden, größer gewählt als
die Breite der Dichtung 10, wodurch verhindert wird, dass
während
des schichtartigen Aufbringens des Dichtmittels Blasen erzeugt werden.
Ein Schnitt durch die untere Platte und die Dichtung 10 entlang der
Linie A-A' in 11,
durch die Dichtung hindurch, hat die gleiche Struktur wie der in 10,
falls die Datenzuführungen
durch die Gatezuführungen
ersetzt werden.
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12 zeigt
eine teilweise vergrößerte Ansicht
einer Datenzuführung
einer Flüssigkristallanzeige
gemäß einer
dritten Ausführungsform
der Erfindung. In 12 sind eine Datenkontaktierungsfläche 14 und
eine Datenzuführung 16 simultan
mit einer Datenleitung eines Bildanzeigeteils ausgebildet. Die Datenzuführung 16 ist
durch ein durch eine organische Schutzschicht hindurch ausgebildetes
Kontaktloch 19 hindurch mit einer transparenten Elektrode 17 elektrisch
gekoppelt. Unter der Datenzuführung 16 ist
ein Halbleitermuster 18 ausgebildet. Ein an der Dichtung 10 in
dem Halbleitermuster 18 ausgebildeter Teilbereich 18a wirkt als Ätz-Stopp-Vorrichtung während des Ätzens der
Gateisolierungsschicht, wodurch verhindert wird, dass die Gateisolierungsschicht
unter dem Halbleitermuster 18a unterhöhlt wird. Zu diesem Zweck ist
die Breite des Halbleitermusters 18a an der Dichtung 10 breiter
gewählt
als in anderen Teilbereichen desselben. Die Gateisolierungsschicht
mit Ausnahme der organischen Schutzschicht in der Dichtung 10 und
des Halbleitermusters 18a werden geätzt. Im oberen Bereich der
Datenzuführung 16 ist
eine transparente Elektrode 47 zum Schutz der Datenzuführung 16 angeordnet.
Die transparente Elektrode 47 hat eine stärkere Adhäsion bezüglich des
Dichtmittels 11 als die Datenzuführung 16. Entsprechend
ist, da das Dichtmittel 11 direkten Kontakt mit der transparenten
Elektrode 47 und dem unteren Glas hat, die Adhäsion zwischen dem
Dichtmittel 11 und der unteren Platte zusätzlich verstärkt. Insbesondere
ist die Breite des geätzten Bereichs 48 so
eingestellt, dass sie größer ist
als die der Dichtung 10, wodurch verhindert wird, dass
während
des schichtartigen Auftragens des Dichtmittels Blasen erzeugt werden.
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13 zeigt
die untere Platte und die Dichtung 10, die die Datenzuführung 16 kreuzt,
im entlang der Linie A-A' in 12 genommenen
Schnitt durch die Dichtung 10 hindurch. Im Folgenden wird
in Bezug auf 13 ein Verfahren zum Herstellen
einer Datenzuführung
gemäß einer
dritten Ausführungsform
der Erfindung beschrieben. Ein mit der Gateleitung versehenes unteres
Glas 20 wird vollständig
mit einer Gateisolierungsschicht 22 beschichtet. Ein Halbleitermuster 18a in
der Dichtung 10 wirkt als ein Ätz-Stopp bei einem späteren Ätz-Schritt, bei dem die Gateisolierungsschicht 22 geätzt wird.
Die Breite des Halbleitermusters 18a wird so eingestellt,
dass sie breiter ist als die des anderen Teilbereichs, so dass verhindert
wird, dass die darunterliegende Gateisolierungsschicht 22 unterhöhlt wird.
Nachdem die Datenzuführung 16 zusammen
mit der Datenleitung und der Datenkontaktierungsfläche auf
dem Halbleitermuster 18a ausgebildet worden ist, wird dieselbe
vollständig
mit einer organischen Schutzschicht beschichtet. Dann wird die Gateisolierungsschicht 22 mit
Ausnahme der organischen Schutzschicht in der Dichtung 10 und
des Halbleitermusters 18a unter Verwendung eines Maskenmusters
geätzt. Anschließend wird,
nachdem die transparente Elektrode 47 so ausgebildet worden
ist, dass sie die Datenzuführung 16,
das Halbleitermuster 18a und die Gateisolierungsschicht 22 umschließt, die
Dichtung 10 mit dem Dichtmittel 11 beschichtet,
so dass die untere Platte und die obere Platte aneinandergeklebt werden.
Entsprechend klebt das Dichtmittel 11 an dem unteren Glas 20 und
der transparenten Elektrode 47, wodurch die Adhäsion zwischen
dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
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14 zeigt
eine vergrößerte Ansicht
einer Datenzuführung
in einer Flüssigkristallanzeige
gemäß einer
vierten Ausführungsform
der Erfindung. 15 zeigt die untere Platte und
die Dichtung 10 im entlang der Linie A-A' in 14 genommenen Schnitt
durch die Dichtung 10 hindurch. In Bezug auf 14 und 15 sind
zwischen Datenzuführungen 16,
die die Dichtung 10 kreuzen, eine Anzahl von Löchern 52 derart
in einer organischen Schutzschicht 24 und einer Gateisolierungsschicht 22 definiert, dass
ein Dichtmittel 11 durch die Anzahl von Löchern 52 in
direkten Kontakt mit dem unteren Glas 20 gelangt, wodurch
die gegenseitige Adhäsion
zwischen ihnen verstärkt
ist. Die Datenzuführung 16 ist
zusammen mit der Datenkontaktierungsfläche und den Datenleitungen
auf dem mit der Gateisolierungsschicht 22 versehenen unteren
Glas 20 ausgebildet. Im unteren Teilbereich der Datenzuführung 16 ist
ein Halbleitermuster 18 ausgebildet. Die mit der Datenzuführung 16 ausgebildete
untere Platte wird vollständig mit
der organischen Schutzschicht 24 beschichtet. Die Anzahl
von Löchern 52 werden
durch ein Strukturieren der organischen Schutzschicht 24 und
der Gateisolierungsschicht 22 zwischen den die Dichtung 10 kreuzenden
Datenzuführungen 16 ausgebildet.
Entsprechend kommt ein Dichtmittel 22, wenn es auf die
organische Schutzschicht 24 schichtartig aufgetragen wird,
durch die Löcher 52 hindurch
in direkten Kontakt mit dem unteren Glas 20, so dass die
Adhäsion
zwischen ihnen verstärkt
ist. In ähnlicher
Weise werden in der organischen Schutzschicht und in der Gateisolierungsschicht
zwischen die Dichtung 10 kreuzenden Gatezuführungen
eine Anzahl von Löchern 52 definiert,
so dass die Adhäsion
zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
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16 zeigt
eine vergrößerte Ansicht
einer Datenzuführung
in einer Flüssigkristallanzeige
gemäß einer
fünften
Ausführungsform
der Erfindung. 17A und 17B zeigen
die unter Platte und die Dichtung 10 im entlang der Linie
A-A' bzw. der Linie B-B' in 16 genommenen
Schnitt durch die Dichtung 10 hindurch. In Bezug auf 16 und 17A und 17B wird
in der organischen Schutzschicht 24 und in der Gateisolierungsschicht 22 in
einer eine Datenzuführung 16 kreuzenden
Richtung ein linienförmiges
Loch 54 derart definiert, dass das Dichtmittel 11 durch
das linienförmige
Loch hindurch in direkten Kontakt mit dem unteren Glas 20 kommt,
so dass die gegenseitige Adhäsion
verstärkt
ist. Die Datenzuführung 16 ist
zusammen mit der Datenkontaktierungsfläche und den Datenleitungen
auf dem mit der Gateisolierungsschicht 22 versehenen unteren
Glas 20 ausgebildet. Im unteren Teilbereich der Datenzuführung 16 ist
ein Halbleitermuster 18 ausgebildet. Die mit der Datenzuführung 16 ausgebildete
untere Platte ist vollständig
mit der organischen Schutzschicht 24 beschichtet. Das linienförmige Loch 54 ist durch
ein Strukturieren der organischen Schutzschicht 24 und
der Gateisolierungsschicht 22 in eine die Datenzuführung 16 kreuzende
Richtung ausgebildet. Entsprechend steht ein schichtartig aufgetragenes
Dichtmittel 11 durch die linienförmigen Löcher 54 hindurch in
direktem Kontakt mit dem unteren Glas 20, so dass die Adhäsion zwischen
dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
In ähnlicher
Weise ist in der organischen Schutzschicht und der Gateisolierungsschicht,
zwischen die Dichtung 10 kreuzenden Gatezuführungen,
ein linienförmiges Loch 54 definiert,
so dass die Adhäsion
zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
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18 zeigt
eine weitere vergrößerte Ansicht
eines Teilbereichs einer Gatezuführung
einer Flüssigkristallanzeige,
die nicht beansprucht ist. In 18 ist
die Gatezuführung 34 mit
einer Gatekontaktierungsfläche 12 und
einer Gateleitung integriert ausgebildet. Die Gatekontaktierungsfläche 12 ist durch
ein durch eine Gateisolierungsschicht und eine organische Schutzschicht
hindurch ausgebildetes Kontaktloch 19 hindurch mit einer
transparenten Elektrode 17 elektrisch gekoppelt. In einem
Dichtungsbereich 10 ist eine organischer Schutzschicht
in einer die Gatezuführung 34 kreuzenden
Richtung ausgebildet, wodurch das Dichtmittel vollständig oder teilweise
mit der im unteren Teilbereich der organischen Schutzschicht angeordneten
Gateisolierungsschicht in Kontakt ist. Insbesondere ist ein Bereich,
in dem die organische Schutzschicht entfernt worden ist, wie die
in 18 gezeigten drei Bereiche, d. h. der erste bis
dritte Bereich, D1 bis D3, in solcher Weise angeordnet, dass jede
Seite oder eine Seite desselben jenseits der Linienbreite der Dichtung 10 angeordnet
ist. In diesem Fall wird, wie in 19 gezeigt
ist, Luft durch einen Raum zwischen dem Dichtmittel 11 und
der organischen Schutzschicht 24 heraus entleert, wodurch
verhindert wird, dass beim schichtartigen Auftragen des Dichtmittels
Blasen erzeugt werden. Wenn der Bereich, in dem die organische Schutzschicht
entfernt worden ist, so gewählt ist,
dass er breiter ist als die Linienbreite der Dichtung 10,
wie der in 18 gezeigte erste geätzte Bereich D1,
hat das gesamte Dichtmittel Kontakt mit der Gateisolierungsschicht.
Wenn es so eingerichtet ist, dass eine Seite des Bereichs, in dem
die organische Schutzschicht entfernt worden ist, jenseits der Dichtung 10 liegt,
wie beim zweiten und dritten geätzten Bereich
D2 und D3, hat das Dichtmittel teilweise Kontakt mit der Gateisolierungsschicht.
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19 zeigt
die untere Platte und die Dichtung 10 im entlang der Linie
A-A' in 18 gezeigten Schnitt
durch die Dichtung 10 hindurch. Im Folgenden wird in Bezug
auf 19 ein Verfahren zum Herstellen der Gatezuführung beschrieben.
Auf dem unteren Glas 20 wird die Gatezuführung 34 ausgebildet, und
auf der gesamten Oberfläche
des unteren Glases 20 wird eine Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet.
Nachdem auf der gesamten Oberfläche
der Gateisolierungsschicht 22 eine organische Schutzschicht 24 ausgebildet
worden ist, wird die organische Schutzschicht 24 an einer
mit dem Dichtmittel 11 zu beschichtenden Stelle unter Verwendung
eines Maskenmusters geätzt.
In diesem Fall wird jede oder eine Seite des geätzten Bereichs in der organischen Schutzschicht 24 jenseits
der Linienbreite einer mit dem Dichtmittel beschichteten Dichtung
angeordnet. Dann wird die Dichtung 10 mit dem Dichtmittel 11 beschichtet,
um die untere Platte und die obere Platte zusammenzukleben. In diesem
Fall hat die aus einem anorganischen Material gefertigte Gateisolierungsschicht 22 Kontakt
mit dem Dichtmittel 11, wodurch die Adhäsion zwischen dem Dichtmittel 11 und der
unteren Platte verstärkt
ist.
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20 zeigt
eine weitere teilweise vergrößerte Ansicht
der Datenzuführung
einer Flüssigkristallanzeige,
die nicht beansprucht wird. In 20 ist die
Datenzuführung 16 mit
einer Datenkontaktierungsfläche 14 und
einer Datenleitung integriert ausgebildet. Die Datenkontaktierungsfläche 14 ist
durch ein in der organischen Schutzschicht ausgebildetes Kontaktloch 19 hindurch
mit einer transparenten Elektrode 17 elektrisch gekoppelt.
In einem Dichtungsbereich 10 ist in eine die Datenzuführung 16 kreuzende
Richtung eine organische Schutzschicht ausgebildet, wodurch ein
Dichtmittel vollständig
oder teilweise mit der Gateisolierungsschicht in Kontakt gebracht
ist. In diesem Fall ist ferner im oberen Teilbereich der Datenzuführung 16 eine
transparente Elektrode 56 vorgesehen, welche die Datenzuführung 16 schützt und
eine gute Adhäsion
bezüglich des
Dichtmittels aufweist. Damit verhindert wird, dass während des
schichtartigen Auftragens des Dichtmittels Blasen erzeugt werden,
ist der Bereich, in dem die organische Schutzschicht entfernt ist,
so gewählt, dass
jede Seite oder eine Seite desselben jenseits der Linienbreite der
Dichtung 10 angeordnet ist, wie bei den in 20 gezeigten
ersten bis dritten Bereichen D1 bis D3.
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21 zeigt
die untere Platte und die Dichtung 10 im entlang der Linie
A-A' in 20 gezeigten Schnitt.
Im Folgenden wird in Bezug auf 20 ein Verfahren
zum Herstellen der Datenzuführung
beschrieben. Auf der gesamten Oberfläche eines unteren Glases 20 wird
eine Gateisolierungs schicht 22 ausgebildet. Nachdem die
Datenzuführung 16 auf der
Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet worden ist, wird
auf der gesamten Oberfläche
derselben eine organische Schutzschicht 24 ausgebildet.
Dann wird an einer mit einem Dichtmittel 11 zu beschichtenden Stelle
die organische Schutzschicht 24 unter Verwendung eines
Maskenmusters geätzt.
In diesem Fall ist jede Seite oder eine Seite des geätzten Bereichs
in der organischen Schutzschicht 24 jenseits der Linienbreite
einer mit dem Dichtmittel beschichteten Dichtung angeordnet. Anschließend wird
in einem durch ein Ätzen
der organischen Schutzschicht freigelegten oberen Teilbereich der
Datenzuführung 16 eine
transparente Elektrode 56 ausgebildet. Dann wird die Dichtung 10 mit
dem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die untere Platte
und die obere Platte zusammengeklebt werden. In diesem Fall hat
das Dichtmittel 11 Kontakt mit der Gateisolierungsschicht 22 und
der transparenten Elektrode 56, wodurch die Adhäsion zwischen
dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
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22 zeigt
eine weitere vergrößerte Ansicht
eines Teilbereichs einer Gatezuführung
einer Flüssigkristallanzeige,
die nicht beansprucht wird. In 22 ist
eine in eine die Gatezuführung 34 kreuzende
Richtung vorgesehene organische Schutzschicht in einem Dichtungsbereich 10 teilweise
entfernt, wodurch es erlaubt ist, dass ein Dichtmittel mit einer
im unteren Teil der organischen Schutzschicht angeordneten Gateisolierungsschicht
teilweise Kontakt hat. In diesem Fall sind in der organischen Schutzschicht
zwischen den Gatezuführungen 34 parallel
zu den Gatezuführungen 34 ausgerichtete
linienförmige
Löcher 58, 60 und 62 definiert.
Insbesondere erstreckt sich, damit Blasenbildung während des
schichtartigen Auftragens des Dichtmittels verhindert wird, jedes
Ende oder ein Ende des linearen Lochs bis jenseits der Dichtung 10.
Noch genauer erstreckt sich jedes Ende des linienförmigen Lochs
bis jenseits der Dichtung 10, wie bei dem ersten linienförmigen Loch 58,
oder es erstreckt sich ein Ende des linienförmigen Lochs bis jenseits der
Dichtung 10, wie bei dem zweiten oder dritten linienförmigen Loch 60 oder 62.
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23 zeigt
die untere Platte und die Dichtung 10 im entlang einer
horizontalen Linie A-A' in 22 genommenen
vertikalen Schnitt durch die Dichtung 10. Im Folgenden
wird in Bezug auf 23 ein Verfahren zum Herstellen
der Gatezuführung
beschrieben. Auf dem unteren Glas 20 wird die Gatezuführung 34 ausgebildet,
und auf der gesamten Oberfläche
desselben wird eine Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet.
Nachdem auf der gesamten Oberfläche der
Gateisolierungsschicht 22 eine organische Schutzschicht 24 ausgebildet
worden ist, wird die organische Schutzschicht 24 an einer
mit einem Dichtmittel 11 zu beschichtenden Stelle unter
Verwendung eines Maskenmusters teilsweise geätzt. Mit anderen Worten werden
in der organischen Schutzschicht 24 zwischen den Gatezuführungen 34 die
linienförmigen Löcher 58, 60 und 62 definiert.
In diesem Fall ist jede Seite oder eine Seite der linienförmigen Löcher 58, 60 und 62 jenseits
der Dichtung 10 angeordnet. Dann wird die Dichtung 10 mit
dem Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die untere Platte
und die obere Platte zusammengeklebt werden. Entsprechend hat das Dichtmittel 11 teilweise
Kontakt mit der Gateisolierungsschicht 22, wodurch die
Adhäsion
zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
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24 zeigt
eine weitere teilweise vergrößerte Ansicht
einer Datenzuführung
einer Flüssigkristallanzeige,
die nicht beansprucht wird. In 24 ist
eine in eine die Datenzuführung 16 kreuzende Richtung
vorgesehene organische Schutzschicht in einem Dichtungsbereich 10 teilweise
entfernt, wodurch es erlaubt ist, dass das Dichtmittel eine im unteren
Teil der organischen Schutzschicht angeordnete Gateisolierungsschicht
teilweise berührt.
In diesem Fall sind in der organischen Schutzschicht zwischen den
Datenzuführungen 16 parallel
zu den Datenzuführungen 16 ausgerichtete
linienförmige
Löcher 58, 60 und 62 definiert.
Insbesondere erstreckt sich, damit Blasenbildung während des
schichtartigen Aufbringens des Dichtmittels verhindert wird, jedes
Ende oder ein Ende des linearen Lochs bis jenseits der Dichtung 10.
Noch genauer erstreckt sich jedes Ende des linienförmigen Lochs
bis jenseits der Dichtung 10, wie bei dem ersten linienförmigen Loch 58,
oder es erstreckt sich ein Ende des linienförmigen Lochs bis jenseits der
Dichtung 10, wie bei dem zweiten oder dritten linienförmigen Loch 60 oder 62.
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25 zeigt
die untere Platte und die Dichtung 10 in einem entlang
der Linie A-A' in 24 genommenen
Schnitt durch die Dichtung 10. Im folgenden wird in Bezug
auf 25 ein Verfahren zum Herstellen der Datenzuführung beschrieben.
Auf der gesamten Oberfläche
eines unteren Glases 20 wird eine Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet.
Nachdem die Datenzuführung 16 auf
der Gateisolierungsschicht 22 ausgebildet worden ist, wird
auf der gesamten Oberfläche
derselben eine organische Schutzschicht 24 ausgebildet.
Dann wird die organische Schutzschicht 24 an einer mit
einem Dichtmittel 11 zu beschichtenden Stelle unter Verwendung
eines Maskenmusters geätzt.
Mit anderen Worten wird in der organischen Schutzschicht 24 zwischen
den Datenzuführungen 16 ein
linienförmiges
Loch ausgebildet. In diesem Fall erstreckt sich jede Seite oder
eine Seite der linienförmigen
Löcher 58, 60 und 62 bis
jenseits der Dichtung 10. Dann wird die Dichtung 10 mit dem
Dichtmittel 11 beschichtet, so dass die untere Platte und
die obere Platte zusammengeklebt werden. In diesem Fall hat das
Dichtmittel 11 teilweise Kontakt mit der Gateisolierungsschicht 22,
wodurch die Adhäsion
zwischen dem Dichtmittel 11 und der unteren Platte verstärkt ist.
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Wie
oben beschrieben worden ist, werden bei der erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeige und
dem erfindungsgemäßen Verfahren
zum Herstellen derselben eine organische Schutzschicht und eine
Gateisolierungsschicht in einem mit einem Dichtmittel beschichteten
Bereich teilweise oder vollständig
derart entfernt, dass das Dichtmittel direkt mit einem Glassubstrat
in Berührung
kommt, wodurch die Adhäsion
zwischen dem Dichtmittel und der unteren Platte verstärkt ist.
Entsprechend wird mittels der Flüssigkristallanzeige
mit hohem Aperturverhältnis, auf
die die organische Schutzschicht aufgetragen ist, verhindert, dass
ein durch externe Stöße verursachtes
Herauslecken von Flüssigkristall
aufgrund einer geschwächten
Adhäsion
zwischen dem Dichtmittel und der organischen Schutzschicht oder
zwischen der organischen Schutzschicht und der Gateisolierungsschicht
auftritt.