JPH0943616A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 液晶表示装置の封止構造を改善し注入口から
の液晶漏れ出しを防止する。 【解決手段】 液晶３はシール材２１を横切って形成さ
れた開口領域を介して外部から表示領域に注入される。
封止材２２が開口領域内の間隙に充填され、上下の基板
１，２の内表面に接着して液晶３を密封する。駆動基板
１は表示領域に形成されたスイッチング素子７と、この
スイッチング素子７を被覆し且つ周辺領域まで延設され
た平坦化膜１８と、平坦化膜１８の上に形成され対応す
るスイッチング素子７により駆動される画素電極６とを
有している。駆動基板１の開口領域には画素電極６と同
層の透明導電膜２３が残されており、封止材２２と直接
に接着して液晶３の漏れ出しを防いでいる。あるいは、
開口領域から平坦化膜１８を選択的に除去しても良く、
この場合には封止材２２は下地の層間絶縁膜１５と接着
する事になり、同じく液晶３の漏れ出しを防げる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は互いに接合した一対
の基板の間隙に液晶を保持したフラットパネル型の液晶
表示装置に関する。より詳しくは、パネルに注入された
液晶の封止構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の液晶表示装置は、所定の間隙を介
して互いに対面した内表面を有し表示領域と周辺領域を
規定する一対の基板を用いて構成されている。周辺領域
に沿って間隙にシール材が配設され両基板を互いに接合
している。シール材を横切って形成された開口領域（注
入口）を介して外部から液晶が表示領域に注入される。
封止材が注入口内の間隙に充填され上下の内表面に接着
して液晶を密封する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述した様に従来の液
晶表示装置の組み立てでは、液晶注入後封止材を注入口
に少量吸引させて内部の液晶を封止している。封止材と
しては例えば紫外線硬化型の樹脂からなる接着剤が用い
られ、注入口に導入した後紫外線を照射して硬化させ上
下の基板の内表面と接着させている。しかしながら、従
来の液晶表示装置では基板の内表面に種々の薄膜が形成
されており、紫外線硬化型の封止材と接着性が悪い場合
がある。接着性が悪いと紫外線照射時に封止材が硬化す
る前に液晶が注入口から外部へ漏れ出し、不良が発生す
る。特に、アクティブマトリクス型の液晶表示装置等で
は基板の凹凸を埋める為平坦化膜が形成されている場合
があり、一般に封止材と平坦化膜表面との接着力が低下
する。この為、液晶漏れ不良の発生確率が増大してい
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決する為二通りの解決手段を講じた。第１の解決
手段によれば、本発明にかかる液晶表示装置は所定の間
隙を介して互いに対面した内表面を有し表示領域と周辺
領域を規定する一対の基板を用いて組み立てられてい
る。シール材が周辺領域に沿って該間隙に配設され両基
板を互いに接合する。液晶は該シール材を横切って形成
された開口領域を介して外部から表示領域に注入され
る。封止材が該開口領域内の間隙に充填され上下の内表
面に接着して液晶を密封する。透明導電膜が該表示領域
内で互いに対面した両内表面に形成され上下から該液晶
を挟む。特徴事項として、開口領域で少なくとも一方の
基板の内表面にも透明導電膜が形成され、該封止材と直
接に接着している。好ましくは、前記透明導電膜は該開
口領域で複数のパタンに分割されている。又好ましく
は、一方の基板は表示領域に形成されたスイッチング素
子と、該スイッチング素子を被覆し且つ周辺領域まで延
設された平坦化膜と、該平坦化膜の上に形成された透明
導電膜とを有する。この場合、前記透明導電膜は表示領
域内で画素電極にパタン化され該平坦化膜を介して対応
するスイッチング素子に接続すると共に、開口領域でも
パタン化されて該平坦化膜の上に配されている。

【０００５】第２の解決手段によれば、本発明にかかる
液晶表示装置は、所定の間隙を介して互いに対面した内
表面を有し表示領域と周辺領域を規定する一対の基板を
用いて構成されている。シール材が該周辺領域に沿って
該間隙に配設され両基板を互いに接合する。液晶は該シ
ール材を横切って形成された開口領域を介して外部から
表示領域に注入される。封止材が該開口領域内の間隙に
充填され上下の内表面に接着して該液晶を密封してい
る。一方の基板は表示領域に形成されたスイッチング素
子と、該スイッチング素子を被覆し且つ周辺領域まで延
設された平坦化膜と、該平坦化膜の上に形成され対応す
るスイッチング素子により駆動される画素電極とを含
む。特徴事項として、前記平坦化膜は該開口領域から選
択的に除去されており、前記封止材は該平坦化膜が除去
された内表面に接着している。好ましくは、前記平坦化
膜は該開口領域で複数に分割されたパタンに沿って選択
的に除去されている。

【０００６】本発明の第１側面によれば、少なくとも一
方の基板側で開口領域（注入口）の内表面に透明導電膜
を配置している。これにより、封止材と基板との接着力
が向上し、注入口から液晶が漏れ出す事を抑制できる。
本発明の第２側面によれば、一方の基板側の注入口から
平坦化膜を選択的に除去しており、封止材は平坦化膜が
除去された基板の内表面に接着している。これにより、
封止材と基板との接着力が向上し、注入口から液晶が漏
れ出す事を防止している。

【０００７】

【発明の実施の形態】図１を参照して本発明にかかる液
晶表示装置の構造を詳細に説明する。（Ａ）は本液晶表
示装置の第１実施形態を示す模式的な断面図である。本
液晶表示装置は所定の間隙を介して互いに対面した一対
の駆動基板１及び対向基板２を用いて構成されている。
駆動基板１の内表面には画素電極６が形成され、対向基
板２の内表面には対向電極５が形成されている。両内表
面は互いに対面して表示領域と周辺領域を規定する。シ
ール材２１が周辺領域に沿って間隙に配設され駆動基板
１及び対向基板２を互いに接合している。なお、図示を
簡略化する為周辺領域はパネルの右側部分のみを示して
いる。実際にはシール材２１が配設された周辺領域は全
周に渡って中央の表示領域を囲んでいる。シール材２１
は例えばエポキシアクリレート系の樹脂接着剤からな
り、スクリーン印刷等により周辺領域に供給される。こ
の樹脂接着剤は紫外線照射と加熱を併用して硬化され
る。エポキシアクリレート系の接着剤に代え熱硬化型の
エポキシ系接着剤を用いても良い。液晶３はシール材を
横切って形成された開口領域（注入口）を介して外部か
ら表示領域に注入されている。なお、図示では開口領域
は左側に表わされている。封止材２２が開口領域内の間
隙に充填され上下の内表面に接着して液晶３を密封して
いる。この封止材は例えばアクリル系の樹脂接着剤から
なり、少量が注入口に吸引される。吸引後紫外線を照射
すると封止材２２が硬化し上下の内表面に接着する。透
明導電膜が表示領域内で互いに対面した両内表面に形成
され、上下から液晶３を挟んでいる。本例では、上側の
対向基板２に形成された透明導電膜は対向電極５に加工
されている。一方、下側の駆動基板１に形成された透明
導電膜は画素電極６に加工されている。本発明の特徴事
項として、開口領域で少なくとも駆動基板１の内表面に
も透明導電膜２３が形成され、封止材２２と直接に接着
している。好ましくは、透明導電膜２３は開口領域で複
数のパタンに分割されている。なお本例では、駆動基板
１は表示領域に形成されたスイッチング素子７と、この
スイッチング素子７を被覆し且つ周辺領域まで延設され
た平坦化膜１８と、平坦化膜１８の上に形成された透明
導電膜とを有する。前述した様に、この透明導電膜は表
示領域内で画素電極６にパタン化され平坦化膜１８を介
して対応するスイッチング素子７に接続されている。こ
のスイッチング素子７は例えば薄膜トランジスタからな
る。開口領域でも透明導電膜２３がパタン化されて平坦
化膜１８の上に配されている。なお、シール材２１の下
方には遮光帯３０が形成されている。

【０００８】図１の（Ｂ）は本発明にかかる液晶表示装
置の第２実施形態を示す模式的な断面図である。基本的
には（Ａ）に示した第１実施形態と類似しており、対応
する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にし
ている。一対の駆動基板１及び対向基板２は所定の間隙
を介して互いに対面しており表示領域と周辺領域を規定
している。シール材２１は周辺領域に沿って間隙に配さ
れ両基板１，２を互いに接合する。液晶３はシール材２
１を横切って形成された開口領域を介して外部から表示
領域に注入されている。封止材２２は開口領域内の間隙
に充填され上下の内表面に接着して液晶３を密封する。
駆動基板１は表示領域に形成されたスイッチング素子７
と、スイッチング素子７を被覆し且つ周辺領域まで延設
された平坦化膜１８と、平坦化膜１８の上に形成され対
応するスイッチング素子により駆動される画素電極６と
を有している。特徴事項として、平坦化膜１８は開口領
域から選択的に除去されており、封止材２２は平坦化膜
１８が除去された内表面に接着している。なお、この内
表面には下地の層間絶縁膜１５が露出している。好まし
くは、平坦化膜１８は開口領域で複数に分割されたパタ
ンに従って選択的に除去されている。

【０００９】

【実施例】図２は本発明にかかる液晶表示装置の第１実
施例を表わしており、開口領域の近傍を拡大した部分平
面図である。図示する様に駆動基板１と対向基板２はシ
ール材２１により互いに接合されている。シール材２１
は部分的に除去されており開口領域（注入口）を形成し
ている。注入口は両基板１，２の端面において外部と連
通している。この開口領域に透明導電膜２３が形成さ
れ、封止材２２と直接に接着している。本実施例では透
明導電膜２３は矩形にパタニングされており、所定の幅
寸法Ｗと長手寸法（奥行き寸法）Ｌを有している。又、
透明導電膜２３の端部はシール材２１の下面に一部入り
込んでおり、所定の重なり幅Ｍを有している。封止材２
２はシール材２１との界面で接着性が悪くなる場合があ
り、これを補う為、透明導電膜２３は一部重なり幅Ｍで
シール材２１の下に入り込んでいる。本例ではベタにパ
タニングされた透明導電膜２３は基板１，２の端面から
測った長手寸法Ｌが２mmに設定され、幅寸法Ｗが５mmに
設定され、重なり幅Ｍが０．５mmに設定されている。本
実施例では膜ストレスの影響で透明導電膜２３に微小な
クラックが生じたものの、封止材２２と駆動基板１との
接着力は向上し、開口領域での液晶漏れは発生しなかっ
た。なお、開口領域の大きさは製造する液晶表示パネル
の寸法に合わせて適宜設定される。この開口領域の寸法
に合わせて透明導電膜２３のサイズを決定すれば良い。
好ましくは、長手寸法Ｌは少なくとも０．２mmに設定さ
れ、重なり幅Ｍは０．１mm以上に設定される。透明導電
膜２３の材料としては例えばＩＴＯを用いる事ができ
る。これに代えて酸化錫や有機透明導電材料を用いても
良い。

【００１０】図３は本発明にかかる液晶表示装置の第２
実施例を示しており、図２に示した第１実施例と対応す
る部分には対応する参照番号を付して理解を容易にして
いる。本例では透明導電膜２３は開口領域で複数のパタ
ンに分割されている。透明導電膜２３は第１実施例と同
様にＬ×Ｗ＝２mm×５mmの寸法にカッティングされてい
る。透明導電膜２３は複数のストライプパタンに分割さ
れている。このストライプパタンは幅寸法が１００μｍ
で間隔も１００μｍである。本実施例でも封止材と駆動
基板１との接着力は向上し、注入口での液晶漏れは発生
しなかった。又、透明導電膜２３をベタではなくストラ
イプ状にパタニングした為、透明導電膜２３にクラック
も生じなかった。なお、図示では理解を容易にする為封
止材２２を省いてある。

【００１１】図４は本発明にかかる液晶表示装置の第３
実施例を示す模式的な部分平面図である。第１実施例と
同様にＬ×Ｗ＝２mm×５mmの領域に、幅２０μｍで間隔
１０μｍのストライプパタンを基板１，２の端面に沿う
様に形成している。各ストライプパタンは長さ１mm毎に
１０μｍの間隙を開けて互い違いにパタニングした。封
止材と駆動基板１との接着力は向上し、注入口での液晶
漏れは発生しなかった。又ベタではなく互い違いにパタ
ニングした為、透明導電膜２３にクラックも生じなかっ
た。

【００１２】図５は本発明にかかる液晶表示装置の第４
実施例を示す模式的な部分平面図である。第１実施例と
同様にＬ×Ｗ＝２mm×５mmの領域に、縦横３０μｍ角の
透明導電膜２３を縦横１０μｍの間隔で行列状にパタニ
ング形成した。封止材と駆動基板１との接着力は向上し
注入口での液晶漏れは発生しなかった。又、格子状にパ
タニングした為、透明導電膜２３にクラックも生じなか
った。一般に、開口領域に形成される透明導電膜は複数
のパタンに分割する事が好ましい。個々のパタンは基板
１，２の端面から垂直方向に沿ってピッチ１〜３００μ
ｍで幅０．５〜２００μｍに形成されている。一方、基
板１，２の端面と平行方向にピッチ１０μｍ〜１０mmで
幅５μｍ〜９mmでパタニング形成されている。以上の寸
法範囲で透明導電膜をパタニングすれば所望の接着力向
上が実現できる。

【００１３】ところで、図１の（Ｂ）に示した本発明の
第２実施形態では開口領域から平坦化膜を選択的に除去
している。この場合、平坦化膜は開口領域で複数に分割
されたパタンに沿って選択的に除去する事が好ましい。
平坦化膜の除去パタンは特に図示しないが、図２〜図５
に示した透明導電膜のパタンと同様なものを用いる事が
できる。例えば、開口領域から２mm×５mmの長方形パタ
ンに沿って平坦化膜を除去すると良い。これにより、封
止材と駆動基板との接着力は向上し注入口での液晶漏れ
は発生しなかった。あるいは、幅１００μｍで間隔１０
０μｍの溝状に平坦化膜を選択除去しても良い。あるい
は幅２０μｍで間隔１００μｍの溝状に、基板端面に沿
う様に除去しても良い。この溝は長さ１mm毎に１０μｍ
の間隙を開けて互い違いに形成できる。さらには、縦横
３０μｍ角の穴状に縦横間隔１０μｍで平坦化膜を選択
的に除去しても良い。これによっても、封止材と駆動基
板との接着力は向上し注入口での液晶漏れは発生しなか
った。

【００１４】図６は第１実施形態にかかる液晶表示装置
の具体的な構成例を示す模式的な断面図である。図示す
る様に、本アクティブマトリクス型液晶表示装置は駆動
基板１と対向基板２と両者の間に保持された液晶３とで
構成されたパネル構造を有している。駆動基板１は行列
配置した画素４を有している。対向基板２は少なくとも
対向電極５を有しており、所定の間隙を介して駆動基板
１に接合している。この間隙には液晶３が保持されてい
る。

【００１５】駆動基板１は上層部と中層部と下層部とに
分かれている。上層部は各画素４毎に形成された画素電
極６を含む。この画素電極６は平坦化膜１８の上に形成
されている。なお、駆動基板１の周辺部にも平坦化膜１
８が延設されており、その上に透明導電膜２３が形成さ
れている。この透明導電膜２３は画素電極６と同一材料
である。これに対し、下層部は個々の画素電極６を駆動
するスイッチング素子７、画素４の各行に対応してスイ
ッチング素子７の行を走査する走査配線８及び画素４の
各列に対応してスイッチング素子７の列に所定の画像信
号を供給する信号配線９とを含んでいる。なお、スイッ
チング素子７は多結晶シリコン等からなる半導体薄膜１
０を活性層とする薄膜トランジスタで構成されている。
この薄膜トランジスタの上にはゲート絶縁膜を介してゲ
ート電極Ｇがパタニング形成されている。このゲート電
極Ｇは前述した走査配線８に連続している。薄膜トラン
ジスタはゲート電極Ｇの両側にソース領域Ｓ及びドレイ
ン領域Ｄを備えている。ソース領域Ｓ側には一方の引出
電極１１が接続しており、前述した信号配線９に連続し
ている。ドイレン領域Ｄには他方の引出電極１２が接続
している。なお、半導体薄膜１０には上述した薄膜トラ
ンジスタに加え補助容量１３も形成されている。この補
助容量１３は半導体薄膜１０を一方の電極とし補助配線
１４を他方の電極とする。両電極１０，１４の間にゲー
ト絶縁膜と同層の誘電体膜が介在している。なお、ゲー
ト電極Ｇ、走査配線８及び補助配線１４は同一層からな
り、第１層間絶縁膜１５により、引出電極１１，１２か
ら電気的に絶縁されている。

【００１６】上述した上層部と下層部との間の中層部に
は導電性を有する遮光膜が介在している。この遮光膜は
マスク遮光膜１６Ｍとパッド遮光膜１６Ｐとに分割され
ている。これらの導電性を有する遮光膜１６Ｍ，１６Ｐ
は金属膜からなる。一方のマスク遮光膜１６Ｍは画素の
行方向に沿って連続的にパタニングされ、少なくとも部
分的にスイッチング素子７を遮光する。マスク遮光膜１
６Ｍは第２層間絶縁膜１７及び平坦化膜１８により上下
から挟持されており、前述した下層部及び上層部から絶
縁されている。マスク遮光膜１６Ｍは固定電位に保持さ
れている。一方、パッド遮光膜１６Ｐは画素４毎に離散
的にパタニングされている。パッド遮光膜１６Ｐは対応
する画素電極６とスイッチング素子７との間のコンタク
ト部Ｃに介在してその電気的接続及び遮光を図る。

【００１７】引き続き図６を参照して製造方法を詳細に
説明する。駆動基板１はガラス又は石英等からなり、こ
の駆動基板１の上に減圧ＣＶＤ法で半導体薄膜１０を成
膜する。例えば、この半導体薄膜１０は５０nm程度の膜
厚に堆積した多結晶シリコンからなり、薄膜トランジス
タの活性層として用いられる。この半導体薄膜１０は成
膜された後アイランド状にパタニングされる。半導体薄
膜１０の上に例えばＳｉＯ₂ からなるゲート絶縁膜を成
膜する。ここで、半導体薄膜１０の材料としては多結晶
シリコンの他に非晶質シリコン等を用いても良い。又、
ゲート絶縁膜の材料としてはＳｉＯ₂ の他に、ＳｉＮや
酸化タンタル及びこれらの積層膜を用いても良い。

【００１８】次に、駆動基板１の上に走査配線８、ゲー
ト電極Ｇ、補助配線１４等を同時に形成する。例えば、
減圧ＣＶＤ法により３５０nm程度の膜厚で多結晶シリコ
ンを堆積した後、不純物をドーピングし低抵抗化を図
り、さらに所定の形状にパタニングする。これらの走査
配線８、ゲート電極Ｇ及び補助配線１４の材料として
は、多結晶シリコンの他に、Ｔａ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ等
の金属やこれらのシリサイド、ポリサイド等を用いても
良い。この様にして、半導体薄膜１０、ゲート絶縁膜及
びゲート電極Ｇからなる薄膜トランジスタが形成され
る。本例ではこの薄膜トランジスタはプレーナ型である
が、正スタガ型や逆スタガ型等を採用しても良い。同時
に、半導体薄膜１０には補助容量１３も形成される。

【００１９】次に常圧ＣＶＤ法により６００nm程度の膜
厚でＰＳＧ等を堆積し第１層間絶縁膜１５を形成する。
この第１層間絶縁膜１５は上述した走査配線８、ゲート
電極Ｇ、補助配線１４等を被覆している。この第１層間
絶縁膜１５には薄膜トランジスタのソース領域Ｓやドレ
イン領域Ｄに達するコンタクトホールが開口されてい
る。第１層間絶縁膜１５の上には信号配線９や引出電極
１１，１２がパタニング形成されている。例えば、スパ
ッタリング法により６００nm程度の膜厚でアルミニウム
を堆積し、所定の形状にパタニングして信号配線９及び
引出電極１１，１２に加工する。一方の引出電極１１は
コンタクトホールを介して薄膜トランジスタのソース領
域Ｓに接続し、他方の引出電極１２は同じくコンタクト
ホールを介して薄膜トランジスタのドレイン領域Ｄに接
続する。これら信号配線９及び引出電極１１，１２の材
料としては、Ａｌの他に、Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｉ等を
用いても良い。

【００２０】信号配線９や引出電極１１，１２の上には
第２層間絶縁膜１７が成膜されており、これらを被覆す
る。例えば、常圧ＣＶＤ法により６００nm程度の膜厚で
ＰＳＧを堆積して第２層間絶縁膜１７を形成する。この
第２層間絶縁膜１７には引出電極１２に達するコンタク
トホールＣが開口されている。この第２層間絶縁膜１７
の上にはマスク遮光膜１６Ｍ及びパッド遮光膜１６Ｐが
形成されている。例えば、スパッタリング法により２５
０nm程度の膜厚でＴｉを堆積し、所定の形状にパタニン
グしてマスク遮光膜１６Ｍ及びパッド遮光膜１６Ｐに加
工する。マスク遮光膜１６Ｍは表示領域外で固定電位に
コンタクトしている。一方、パッド遮光膜１６Ｐは前述
したコンタクトホールＣを介して引出電極１２にコンタ
クトしている。

【００２１】マスク遮光膜１６Ｍ及びパッド遮光膜１６
Ｐを被覆する様に平坦化膜１８が成膜される。この平坦
化膜１８はスイッチング素子７や種々の配線の凹凸を埋
め平坦化する為に十分な厚みを有している。平坦化膜１
８の表面は略完全な平面状態にあり、その上に画素電極
６がパタニング形成される。この平坦化膜１８は開口領
域にも延設されており、その上には透明導電膜２３が残
されている。平坦化膜１８は一般に無色透明である事が
要求される。又、コンタクト部Ｃを設ける必要がある
為、微細加工が可能でなければならない。さらに、画素
電極６や透明導電膜２３のエッチング等に薬品を用いる
為、所望の耐薬品性が要求される。加えて、後工程で高
温に晒される為、所定の耐熱性を要求される。かかる要
求特性を満たす為、所望の有機材料や無機材料が選択さ
れる。有機材料としては、例えばアクリル樹脂やポリイ
ミド樹脂が挙げられる。ポリイミド樹脂は耐熱性に優れ
ているが若干着色がある。これに対してアクリル樹脂は
略完全に無色透明である。これらの樹脂は、例えばスピ
ンコート法や転写法等により塗布される。無機材料とし
ては、例えば二酸化珪素を主成分とする無機ガラスが挙
げられる。本例では、所定の粘性を有し凹凸を埋めるの
に好適なアクリル樹脂を用いている。この平坦化膜１８
の上に画素電極６が形成されている。例えば、スパッタ
リング法により１５０nm程度の膜厚でＩＴＯ等の透明導
電膜を成膜し、所定の形状にパタニングして画素電極６
に加工する。この時同時に、開口領域でも透明導電膜２
３を所定の形状にパタニングする。

【００２２】この後、ガラス等からなり対向電極５が全
面に形成されている対向基板２をシール材（図示せず）
により駆動基板１に接合する。続いて開口領域を介して
両基板１，２の間隙に液晶３を真空注入方式等で封入す
る。この液晶３は例えばツイストネマティック配向され
ている。最後に、開口領域（注入口）に封止材２２を少
量吸引させ、紫外線を照射して硬化する。これにより、
液晶３はパネル内に密封される。

【００２３】図７は、本発明の第２実施形態にかかる液
晶表示装置の具体的な構成を示す断面図である。基本的
には、図６に示した構成例と同一であり、対応する部分
には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。
本例では封止材２２が導入される開口領域から、平坦化
膜１８が選択的に除去されている。従って、封止材２２
は下地の第２層間絶縁膜１７と接触しており、強固な接
着力が得られる。一方、対向基板２側では対向電極５と
封止材２２が直接接触している。

【００２４】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明の第１側面に
よれば、駆動基板と対向基板の少なくとも一方の注入口
の最上層に透明導電膜を設置する事で、封止材と基板と
の接着力が向上し、注入口での液晶漏れを抑制する事が
できる。又、本発明の第２側面によれば、平坦化膜を有
する駆動基板の注入口から平坦化膜を選択的に除去する
事で、封止材と基板との接着力が向上し、注入口での液
晶漏れを抑制する事ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる液晶表示装置の実施形態を示す
模式的な部分断面図である。

【図２】本発明にかかる液晶表示装置の第１実施例を示
す部分平面図である。

【図３】第２実施例を示す部分平面図である。

【図４】第３実施例を示す部分平面図である。

【図５】第４実施例を示す部分平面図である。

【図６】本発明にかかる液晶表示装置の具体的な構成例
を示す断面図である。

【図７】本発明にかかる液晶表示装置の他の具体的な構
成例を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 駆動基板 ２ 対向基板 ３ 液晶 ５ 対向電極 ７ スイッチング素子 １８ 平坦化膜 ２１ シール材 ２２ 封止材 ２３ 透明導電膜

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の間隙を介して互いに対面した内表
   面を有し表示領域と周辺領域を規定する一対の基板と、 該周辺領域に沿って該間隙に配設され両基板を互いに接
   合するシール材と、 該シール材を横切って形成された開口領域を介して外部
   から該表示領域に注入された液晶と、 該開口領域内の間隙に充填され上下の内表面に接着して
   該液晶を密封する封止材と、 該表示領域内で互いに対面した両内表面に形成され上下
   から該液晶を挟む透明導電膜とを備えた液晶表示装置で
   あって、 該開口領域で少なくとも一方の基板の内表面にも透明導
   電膜が形成され、該封止材と直接に接着している事を特
   徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記透明導電膜は該開口領域で複数のパ
   タンに分割されている事を特徴とする請求項１記載の液
   晶表示装置。
3. 【請求項３】 一方の基板は、表示領域に形成されたス
   イッチング素子と、該スイッチング素子を被覆し且つ周
   辺領域まで延設された平坦化膜と、該平坦化膜の上に成
   膜された透明導電膜とを有し、 前記透明導電膜は、表示領域内で画素電極にパタン化さ
   れ該平坦化膜を介して対応するスイッチング素子に接続
   すると共に、開口領域でもパタン化されて該平坦化膜の
   上に配されている事を特徴とする請求項２記載の液晶表
   示装置。
4. 【請求項４】 所定の間隙を介して互いに対面した内表
   面を有し表示領域と周辺領域を規定する一対の基板と、 該周辺領域に沿って該間隙に配設され両基板を互いに接
   合するシール材と、 該シール材を横切って形成された開口領域を介して外部
   から該表示領域に注入された液晶と、 該開口領域内の間隙に充填され上下の内表面に接着して
   該液晶を密封する封止材とを備えた液晶表示装置であっ
   て、 一方の基板は、表示領域に形成されたスイッチング素子
   と、該スイッチング素子を被覆し且つ周辺領域まで延設
   された平坦化膜と、該平坦化膜の上に形成され対応する
   スイッチング素子により駆動される画素電極とを有し、 前記平坦化膜は該開口領域から選択的に除去されてお
   り、 前記封止材は該平坦化膜が除去された内表面に接着して
   いる事を特徴とする液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記平坦化膜は該開口領域で複数に分割
   されたパタンに沿って選択的に除去されている事を特徴
   とする請求項４記載の液晶表示装置。