CN1970564A - 前体、包含该前体制备的薄层、制备该薄层的方法和相变存储设备 - Google Patents
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Abstract
一种包含Te、15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的Te前体，一种制备该Te前体的方法，一种包含所述Te前体的含Te的硫族化物薄层，一种制备该薄层的方法，及一种相变存储设备。所述Te前体可以在较低温度下沉积形成掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的含Te的硫族化物薄层。举例来说，在较低沉积温度下，Te前体可以使用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)或等离子体增强的原子层沉积(PEALD)。使用所述Te前体形成的掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的GST相变层的重置电流可以降低，从而当使用包含它的存储设备时，其集成是可能的，并且更高容量和/或更快速度的操作也是可能的。
Description
优先权声明
本申请主张2005年2月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2005-0012037的优先权，其公开全部引入本文作为参考。
技术领域
本发明的实施方案涉及一种用于较低温度沉积的前体，例如Te前体；一种使用该前体制备的薄层，例如含Te的硫族化物薄层；及一种制备该薄层的方法，举例来说，本发明涉及用于较低温度沉积并含有Te、15族化合物和/或14族化合物的前体；掺有15族化合物和/或14族化合物并在较低温度下使用该前体制备的硫族化物薄层；及制备该薄层的方法。并且，本发明的实施方案涉及一种包括使用所述前体形成的相变层的相变存储设备(phase-change memory device)。
背景技术
依据温度，相变材料是可以具有晶态或非晶态的材料。晶态具有比非晶态更低的电阻并具有有序的规则原子排列。晶态和非晶态可以是可逆的。也就是说，晶态可以变成非晶态并且非晶态可以变回晶态。相变随机存取存储设备(PRAM)是一种应用相变材料具有可逆状态和可区别的电阻的特性的存储设备。
PRAM的一般形式可以包括通过接触栓与晶体管的源极或漏极区域电连接的相变层。作为存储器的操作可以通过利用由于相变层中晶体结构的改变而产生的电阻差异来进行。图1显示了根据现有技术的PRAM的一般形式。在下文中，参照图1描述常规PRAM的一般结构。
参照图1，在晶体管基底10上，可以形成第一杂质区域11a和第二杂质区域11b，并且可以形成与两个杂质区域相接触的栅绝缘层12和栅极层13。第一杂质区域11a可以认为是源极，而第二杂质区域11b可以认为是漏极。
在第一杂质区域11a上可以形成栅极层13，在第二杂质区域11b上可以形成绝缘层15，并且穿过绝缘层15可以形成与第二杂质区域11b相接触的接触栓14。在接触栓14上可以形成下电极16，并且在下电极16上可以形成相变层17和上电极18。
在具有上述结构的PRAM中储存数据的技术可以如下。由经第二杂质区域11b和下电极16施加的电流在下电极16和相变层17的接触区域产生焦耳热。通过利用焦耳热改变相变层17的晶体结构来储存数据。也就是说，通过改变施加的电流，将相变层17的晶体结构变成晶态或非晶态。因此，可以区别开之前储存的数据，因为电阻相应于晶态和非晶态之间的变化而改变。
已知各种类型的可以用于存储设备的相变材料，其代表性的实例是GST(GeSbTe)基合金。已知包括各种类型的硫族化物材料层的晶体管存储设备。
为了改善存储设备的性能，降低消耗的电流值可能是有益的。对于包括GST层，一种常用的相变材料的PRAM，重置电流(reset current)值例如由晶态向非晶态转变的电流值高。
图2为在相变层使用GST(Ge2Sb2Te5)的存储设备重置/设置程序的加热温度的曲线图。
参照图2，可以看出，对于GST的设置程序，如将非晶态变为晶态，在一段时间内通过保持温度低于熔点可以实现结晶。可以看出，对于重置程序，如将晶态变为非晶态，温度应提高至接近熔点(Tm)，然后冷却。提高温度至熔点(Tm)所需的电流相对较高。因此，在实现更高集成的存储设备方面可能存在限制。
发明内容
本发明的实施方案提供一种可在较低温度下沉积的前体，例如Te前体，一种使重置/设置程序消耗更小电流的使用该前体的薄层，例如含Te的硫族化物薄层如GST薄层，及一种使用所述前体制备薄层的方法，和/或一种包括相变层如使用前体形成的相变层的相变存储设备。
根据本发明的实施方案，提供了一种含有Te、15族化合物和/或14族化合物的Te前体。
根据本发明的实施方案，提供了一种含有Te、N和/或Si的Te前体。
更一般地，根据本发明实施方案的前体可以定义为一种或多种结合一种或多种15族化合物(如N)或者一种或多种14族化合物(如Si)或者两者的16族化合物(如Te)。
根据本发明的另一个实施方案，提供了一种使用含Te、15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的Te前体制备的薄层，例如含Te的硫族化物薄层。
根据本发明的另一个实施方案，提供了一种制备薄层，例如含Te的硫族化物薄层的方法，该方法包括在低于350℃的沉积温度下沉积一种或多种上述前体。
根据本发明的另一个实施方案，提供了一种相变存储设备，其包括晶体管基底，该晶体管基底包括在晶体管基底上形成的第一杂质区域和第二杂质区域，在该第一杂质区域和第二杂质区域之间的沟道区域上形成的栅结构，连接到第二杂质区域的下电极，在下电极上形成的相变层例如GST相变层，及在该相变层上形成的上电极，其中所述相变层通过使用Ge前体、Sb前体和含有Te、15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的Te前体形成。
通过使用根据本发明实施方案的前体，通过较低温度沉积可以获得具有更均匀厚度、适合于各种设备的薄层。举例来说，使用Te前体获得的薄层如GST薄层可以掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)，从而可以减小用于改变晶体结构的重置电流。因此，可以实现具有更高性能的相变存储设备。
附图说明
通过参照附图详细描述其实施方案，本发明实施方案的上述及其他特点和优点将变得更加显而易见，附图中：
图1是根据现有技术的一般形式PRAM的剖视图；
图2是包括由Ge2Sb2Te5制成的相变层的存储设备重置/设置程序的加热温度曲线图。
图3是构成相变层的实例材料的重置电流(mA)和设置电阻值(kΩ)的关系图。
图4是根据本发明实施方案包括掺有15族化合物和/或14族化合物的薄层，例如GST薄层的相变存储设备的剖视图。
图5A和图5B分别图示了根据本发明实施方案用于较低温度沉积的Te前体的1H-NMR分析和13C-NMR分析的结果。
图6是通过在250℃下沉积根据本发明实施方案的Te前体获得的图案的SEM照片。
图7是根据本发明实施方案为达到所需的Te/(Ge+Sb)阳离子比率，通过沉积Ge前体、Sb前体和Te前体获得的掺有15族化合物(如N)和14族化合物(如Si)的薄层，例如GST薄层的电阻率图。
具体实施方式
现在将在下文中参照其中说明了本发明实施方案的附图，更充分地描述本发明的实施方案。然而本发明可以以多种不同形式实施，并不应该被解释为仅限于本文中提出的实施方案。相反，提供这些实施方案，以便本公开彻底而完全，并向本领域的技术人员充分地传达本发明的范围。在整个说明书中相同的附图标记是指相同的元件。
根据本发明实施方案用于较低温度沉积的Te前体可以包含Te、15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)。在本文中，关于Te前体的术语“用于较低温度沉积”意指对于根据本发明实施方案的Te前体，与例如不含15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的常规Te前体相比，形成具有所需厚度薄层的沉积过程的沉积温度相对较低。术语“较低温度”是指例如低于约350℃的温度，并且将在下文中更详细地描述。
例如，根据本发明实施方案用于较低温度沉积的Te前体可以由下式I表示：
Q1Q2N-Te-NQ3Q4 I
式中Q1、Q2、Q3和Q4各自独立地是氢原子、直链或支链C1-30烷基或SiR1R2R3，其中R1、R2和R3各自独立地是氢原子或直链或支链C1-30烷基，并且Q1、Q2、Q3和Q4中的至少一个是SiR1R2R3。
由式I表示的Te前体包含15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)。因此，当使用该Te前体的含Te的薄层形成时，不需要另外的15族化合物(如N)源和/或14族化合物(如Si)源来掺杂。而且，当使用具有式I的Te前体时，可以形成含Te的硫族化物薄层例如GST薄层，其在较低沉积温度，例如低于350℃，或例如200～350℃下具有适用于各种晶体管设备的性能(如耐久性，电性质等)。
在式I中，Q1、Q2、Q3和Q4中的至少一个可以是SiR1R2R3，以使根据本发明实施方案的Te前体可以包含14族化合物(如Si)。
例如，在式I中，R1、R2和R3可以各自独立地是，但不限于，氢原子、甲基、乙基、异丙基、丁基、戊基和/或己基。
根据本发明实施方案的Te前体可以由下式II表示：
Te[NH(Si(CH3)3)]2 II
如上所述，更一般地，根据本发明实施方案的前体可以定义为一种或多种结合一种或多种15族化合物(如N)或者一种或多种14族化合物(如Si)或者两者的16族化合物(如Te)。
在制备用于较低温度沉积的Te前体中，可以使用各种已知方法中的任何一种。在已知方法中，制备根据本发明实施方案的Te前体的方法描述如下。
可以使具有N-Si键的氨基硅烷-基化合物与含碱金属的材料反应，制得用至少一种碱金属取代的氨基硅烷-基化合物。该氨基硅烷基-化合物可以包括，但不限于，六甲基二硅氨烷、七甲基二硅氨烷等。含碱金属的材料可以包含，但不限于，正丁基锂(nBu-Li)等。氨基硅烷-基化合物与含碱金属的材料之间的反应可以在有机溶剂，如己烷等中进行。
可以使用至少一种碱金属取代的氨基硅烷-基化合物与用卤族元素取代的含Te的化合物化学计量地反应，获得用于较低温度沉积并具有Te-N键和N-Si键的Te前体。用卤族元素取代的含Te的化合物可以包含，但不限于，二氯化碲(TeCl2)、二氟化碲(TeF2)等。反应可以在溶剂，例如THF等中进行。由此获得的根据本发明实施方案的Te前体可以通过各种常规提纯和/或分离方法分离，并且可以用作形成薄层的沉积源。
以上描述了制备根据本发明实施方案的Te前体的方法，然而，该方法不限于上述实施方案而且可以进行各种变换。
本发明实施方案提供了通过使用用于较低温度沉积的含Te、15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的Te前体制得的含Te的硫族化物薄层。该硫族化物薄层可以包括As-Se-Te、As-Tl-Te、Tl-Se-As-Te、As-Ge-Te、Ge-Sb-Te等。
在其它实施方案中，硫族化物薄层可以包括其他硫族化物合金如锗-锑-碲(Ge-Sb-Te)、砷-锑-碲(As-Sb-Te)、锡-锑-碲(Sn-Sb-Te)、锡-铟-锑-碲(Sn-In-Sb-Te)或砷-锗-锑-碲(As-Ge-Sb-Te)。作为选择，硫族化物薄层可以包括VA族元素-锑-碲如钽-锑-碲(Ta-Sb-Te)、铌-锑-碲(Nb-Sb-Te)或钒-锑-碲(V-Sb-Te)。而且，硫族化物薄层还可以包括VIA族元素-锑-碲如钨-锑-碲(W-Sb-Te)、钼-锑-碲(Mo-Sb-Te)或铬-锑-碲(Cr-Sb-Te)。
尽管硫族化物薄层如上所述主要由三元相变硫族化物合金形成，但是硫族化物合金也可以选自二元相变硫族化物合金或四元相变硫族化物合金。例如，二元相变硫族化物合金的实例可以包括一种或多种Sb2-Te3或Ge-Te合金；四元相变硫族化物合金的实例可以包括一种或多种Ag-In-Sb-Te、(Ge-Sn)-Sb-Te，Ge-Sb-(Se-Te)或Te81-Ge15-Sb2-S2合金。
在实施方案中，如上所述，硫族化物薄层可以由具有多种电阻形态(resistance state)的过渡金属氧化物制成。例如，硫族化物薄层可以由GST(Ge2Sb2Te5)制成。
其中，本发明实施方案还提供了一种由Ge-Sb-Te(GST)制成的薄层，如上所述，其通过使用用于较低温度沉积的Ge前体、Sb前体和Te前体制备。
术语“掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的含Te的硫族化物薄层”或者“掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的GST薄层”或，或者“掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的GST相变薄层”在本文中是指掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的含Te的硫族化物薄层，或者由Ge-Sb-Te-基材料制成的薄层，或者掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的相变薄层。
用于较低温度沉积的Te前体的描述可以如上所述。
Ge前体和Sb前体包括，但不限于，可以与用于较低温度沉积的Te前体一起使用的任何材料，且可以任意地选自已知的Ge前体和Sb前体。该Ge前体可以包括，但不限于，Ge(CH3)4或Ge[N(CH3)2]4等。Sb前体可以包括，但不限于，Sb(CH3)3或Sb[N(CH3)2]3等。掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的GST薄层中Ge，Sb和Te之间的组成比可以变化。其中，根据本发明实施方案的掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的GST薄层可以由，例如掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的Ge2Sb2Te5材料制成。
掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的薄层可以使用较小的重置电流进行从晶态向非晶态的相变。而且，该薄层的设置电阻可以提高。图3是重置电流(mA)和设置电阻值相对于构成相变薄层的材料的曲线图。为了测量重置电流和设置电阻值，TiN用作上电极和下电极，并在两电极之间分别使用相变层GST(Ge2Sb2Te5)层，掺有15族化合物(如N)的GST层和掺有14族化合物(如Si)的GST层来形成PRAM。当相变层状态可以从晶态变成非晶态时，测量电流值，例如重置电流值和设置电阻值。
参照图3，对于未掺有杂质的GST，重置电流值较高，例如为3mA，设置电阻值较低，例如为约0.8KΩ。对于掺有15族化合物(如N)的GST，需要1.5mA的重置电流，设置电阻值为约1.5kΩ。此外，当掺有14族化合物(如Si)的GST形成为相变层时，需要较低的重置电流值，如为约0.7mA，设置电阻值较高，如为6.2KΩ。因此，当掺杂15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)时，重置电流值降低和/或设置电阻值提高，同时保持了GST相变层的相变特性。作为杂质包含在GST相变层的Si和/或N，可以促进在较低温度下从晶态向非晶态的相变。
根据本发明实施方案的掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的薄层，例如含Te的硫族化物薄层的制备方法，可以包括在低于350℃的沉积温度下沉积上述Te前体。含Te的硫族化物薄层可以是各种已知的硫族化物薄层，其中，可以是在约350℃或更低的沉积温度下使用Ge前体、Sb前体和Te前体制备的Ge-Sb-Te(GST)薄层。Ge前体、Sb前体和Te前体的描述如上所述。
根据掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的薄层，例如含Te的硫族化物薄层的制备方法，沉积温度可以低于用于采用常规前体的制备方法中的温度。例如，在根据本发明实施方案制备掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的薄层的方法中的沉积温度可以低于约350℃。沉积温度的下限可以根据要形成的薄层厚度和/或阳离子比率，例如Te/(Ge+Sb)阳离子比率而改变。例如，当形成厚度为330的掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的GST薄层时，沉积温度的下限可以是约200℃。在根据本发明实施方案形成掺杂15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的含Te的硫族化物薄层的方法中，沉积温度可以低于约350℃，例如200～350℃，例如250℃。
该沉积温度区别于使用常规前体的沉积过程的沉积温度。当使用常规前体形成硫族化物薄层时，已知需要高于约500℃的沉积温度来制备具有所需厚度适用于各种设备的薄层。然而，前体的成分，例如Te，暴露在高于约350℃的温度下可能蒸发。因此，难以形成具有所需阳离子比率的硫族化物薄层。
然而，当根据本发明实施方案用于较低温度沉积的前体在较低的温度，例如低于约350℃下沉积时，可以形成具有更均匀厚度适用于各种设备的薄层。举例来说，当Te前体与Ge前体和Sb前体一起沉积时，可以形成具有更均匀厚度适用于各种设备的GST薄层。而且，可以有效地形成具有所需Te/(Ge+Sb)阳离子比率的薄层且无原材料的损失，因为Te成分更不易蒸发。此外，如果使用用于较低温度沉积的含15族化合物(如N)和14族化合物(如Si)的Te前体作为沉积源，无需分别掺杂15族化合物(如N)和14族化合物(如Si)来获得掺有15族化合物(如N)和14族化合物(如Si)的含Te的硫族化物。
根据本发明实施方案制备掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的含Te的硫族化物薄层的方法，可以使用沉积方法，例如化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)，但沉积方法不限于这些实例。CVD和ALD可以是已知技术。也可以采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)或等离子体增强的原子层沉积(PEALD)。PECVD或PEALD可以使用例如H2和/或NH3等离子体源。CVD和ALD的实例可以在，例如于2003年10月2日公开的Min等人的US专利申请2003/0185981，于2004年6月22日公告的Lee等人的US专利6752869，及韩国专利待审公开2002-0084616中找到，其公开全部引入本文作为参考。
根据本发明实施方案使用用于较低温度沉积的前体形成的掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的薄层可以具有相变层的特性。通过利用该特性，例如，薄层可以用作相变存储设备中的相变层。在下文中，将描述包括使用用于较低温度沉积的Te前体形成的相变层的相变存储设备，及其制备方法。
图4是根据本发明实施方案制得的相变存储设备的剖视图。
参照图4，在掺有n型或p型的晶体管基底20上，可以形成第一杂质区域21a和第二杂质区域21b，以便两个区域具有与晶体管基底20相反的极性。晶体管基底20在第一杂质区域21a和第二杂质区域21b之间的区域可称为沟道区域，在沟道区域上，形成栅绝缘层22和栅极层23。
在第一杂质区域21a、栅极层23和第二杂质区域21b上，可以形成绝缘层25，在该绝缘层25中可以形成暴露第二杂质区域的接触孔。在接触孔中，形成导电栓24，在该导电栓24上顺序形成下电极26，相变层27和上电极28。根据本发明实施方案的相变存储设备可以是GST薄层(或任何上述硫族化物材料)，其中如上所述相变层27含有Si和/或N。举例来说，GST材料可以是Ge2Sb2Te5。
相变层27下的晶体管结构可以通过常规晶体管制备方法形成。在图4的结构中，下电极26和导电栓24可以整体形成。例如，相变层27可以形成在导电栓24上，以使导电栓直接充当下电极26，并且电流可以直接施加于相变层27上以诱导焦耳热的产生。在实施方案中，导电栓24可以用作加热栓。
根据本发明实施方案制备相变存储设备的方法可以如下。在晶体管基底20上，可以顺序施加用于形成栅绝缘层22和栅极层23的材料。可以去除用于形成栅绝缘层22和栅极层23的材料的两侧，形成栅绝缘层22和栅极层23。在暴露的栅绝缘层22和栅极层23两侧上的晶体管基底20的表面上，可以施加杂质，形成第一杂质区域21a和第二杂质区域21b。在第一杂质区域21a、栅极层23和第二杂质区域21b上，可以形成绝缘层25。在绝缘层25上可以形成接触孔，以便暴露第二杂质区域21a，并且接触孔可以填充导电材料形成导电栓24。
任选地，贵金属材料即导电材料，或者金属氮化物，例如TiN等，可以施加到导电栓24上形成下电极26。通常，使用溅射方法在导电栓24或下电极26上形成相变层27。
然而，在本发明实施方案中，通过在反应室内的基底上使用于较低温度沉积的含Te、15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的Te前体与Ge前体和Sb前体反应，可以形成含15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的GST相变层。沉积温度可以为，例如低于350℃如200～350℃。通过如在下电极26内一样，在相变层27上施加导电材料形成上电极28，可以制得根据本发明实施方案的相变存储设备。
将参照下面的实施例更详细地描述本发明。下面的实施例是用于说明目的并非意在限制本发明的范围。
实施例
实施例1
反应方程式I
式II’
如反应方程式I中，在-78℃和环境压力下，将0.1摩尔六甲基二硅氨烷溶液和0.2摩尔nBu-Li混合于1000ml的己烷中，然后在室温下使混合物反应4小时，获得上述式II′表示的化合物。
反应方程式II
式II
如反应方程式II，将0.5摩尔由式II′表示的化合物和0.5摩尔TeCl2混合于1000ml THF中，然后在150℃下将混合物加热8小时。在环境温度和真空下蒸发混合物，在0.1托和60℃下，对合成的Te前体进行分馏，制得24g由式II表示的化合物，例如Te[NH(Si(CH)3)3]2，然后进行1H-NMR分析和13C-NMR分析(所有分析都在C6D6和25℃下进行)，结果分别示于图5A和5B中。从图5A和5B中，可以证实式II的化合物的Te-N键和N-Si键。
式II的化合物称为Te前体1。
评价例1-在低沉积温度下Te前体1的构图性能的评价
通过使用Te前体1评价通过ALD方法构图的性能，结果示于图6中。制得包括多个深度为18000且宽度为960的凹面部分的Si基底，作为在其上沉积Te前体1以形成层的基底，并且详细沉积条件列于下表1中。
表1
| 沉积温度 | 250℃ |
| 沉积循环 | 250次 |
| 处理时间 | 0.006/3/1/1 |
| Ar流量 | 500sccm |
| H2流量 | 300sccm |
| 等离子体功率 | 100W |
参照图6，可以看出Te前体1的沉积产物沿白线均匀地填充整个具有图案的凹面部分。从该结果可以看出，根据本发明实施方案的Te前体1具有改善的构图性能。
制备例-由GST材料制成的层的形成及其电阻评价
通过使用Ge[N(CH3)2]4作为Ge前体、Sb[N(Si(CH3)3)3]作为Sb前体和Te前体1作为Te前体，形成通过ALD方法掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的Ge2Sb2Te5层。ALD方法的详细条件与表1中所述的相同。而且，Te/(Ge+Sb)阳离子比率控制在约1.1、1.25和1.45。测量上面获得的掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的GST薄层的电阻，结果示于图7中。根据图7可以看出，掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的GST薄层的电阻随着Te/(Ge+Sb)阳离子比率增加，即温度升高而减小。
根据本发明实施方案用于较低温度沉积的Te前体可以在较低温度下沉积形成含Te的薄层，例如掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的含Te的硫族化物薄层，例如GST薄层。通过使用用于较低温度沉积的Te前体形成的掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的GST相变层可以具有较低的重置电流，从而当使用包括它的存储设备时，其集成是可能的，并且具有更高容量和/或更快速度的操作是可能的。
尽管已经参照其实施方案具体地说明和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将会理解其中可以进行各种形式和细节的变化，而不脱离由所附的权利要求书限定的本发明的精神和范围。
Claims (17)
1.一种Te前体，其包含Te、15族化合物和/或14族化合物。
2.根据权利要求1的Te前体，该Te前体包含Te、N和/或Si。
3.根据权利要求1的Te前体，该Te前体由下式I表示：
Q1Q2N-Te-NQ3Q4 I
式中Q1、Q2、Q3和Q4各自独立地是氢原子、直链或支链C1-30烷基或SiR1R2R3，其中R1、R2和R3各自独立地是氢原子或直链或支链C1-30烷基，并且Q1、Q2、Q3和Q4中的至少一个是SiR1R2R3。
4.根据权利要求3的Te前体，其中R1、R2和R3各自独立地是氢原子、甲基、乙基、异丙基、丁基、戊基或己基。
5.根据权利要求1的Te前体，该Te前体由下式II表示：
Te[NH(Si(CH)3)3]2 II。
6.一种含Te的硫族化物薄层，其使用根据权利要求1的Te前体制得。
7.根据权利要求6的含Te的硫族化物薄层，其中该含Te的硫族化物薄层是Ge-Sb-Te(GST)薄层。
8.根据权利要求7的含Te的硫族化物薄层，其中该(GST)薄层是Ge2-Sb2-Te5薄层。
9.根据权利要求6的含Te的硫族化物薄层，其中该Te前体由下式I表示：
Q1Q2N-Te-NQ3Q4 I
式中Q1、Q2、Q3和Q4各自独立地是氢原子、直链或支链C1-30烷基或SiR1R2R3，其中R1、R2和R3各自独立地是氢原子或直链或支链C1-30烷基，并且Q1、Q2、Q3和Q4中的至少一个是SiR1R2R3。
10.根据权利要求6的含Te的硫族化物薄层，其中Te前体由下式II表示：
Te[NH(Si(CH)3)3]2 II。
11.一种制备含Te的硫族化物薄层的方法，包括：
在低于350℃的沉积温度下，沉积根据权利要求1的Te前体。
12.根据权利要求11的制备含Te的硫族化物薄层的方法，其中所述含Te的硫族化物薄层是Ge-Sb-Te(GST)薄层。
13.根据权利要求11的制备含Te的硫族化物薄层的方法，其中所述沉积温度是200～350℃。
14.根据权利要求11的制备含Te的硫族化物薄层的方法，其中所述Te前体是通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)来沉积的。
15.根据权利要求11的制备含Te的硫族化物薄层的方法，其中所述Te前体是通过使用等离子体的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)来沉积的。
16.一种相变存储设备，包括：
包括第一杂质区域、第二杂质区域和沟道区域的晶体管基底；
在该第一杂质区域和第二杂质区域之间的沟道区域上形成的栅结构；
与第二杂质区域相连的下电极；
在下电极上形成的GST相变层；及
在相变层上形成的上电极，
其中所述GST相变层是通过使用根据权利要求1的Te前体形成的。
17.根据权利要求15的相变存储设备，其中所述相变层由Ge2-Sb2-Te5材料制成。
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