KR100704125B1 - Ge-Sb-Te 박막증착방법 - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명에 있어서, 상기 Ge-Sb-Te 막을 이루는 각 원소의 조성은, 상기 제1,2,3전구체의 온도나 증기압을 조절하거나, 온도 및 증기압을 고정시킨 상태에서 상기 제1,2전구체 피딩시간인 t1 및 상기 제2,3전구체 피딩시간인 t3 을 조절하거나, 이송가스의 양을 조절함으로써, 조성의 조절이 가능하다.
본 발명에 있어서, 상기 Ge-Sb-Te 막을 이루는 각 원소의 조성은, 상기 제1,2,3전구체의 온도나 증기압을 조절하거나, 온도 및 증기압을 고정시킨 상태에서 상기 제1,2,3전구체의 피딩시간인 t1 을 조절하거나, 이송가스의 양을 조절함으로써, 조성의 조절이 가능하다.
Claims (10)
- 삭제
- 기판(w)이 내장된 챔버(10)로 반응가스를 피딩하는 반응가스 피딩단계;상기 반응가스 피딩단계 중에 진행되는 것으로서, Ge, Sb, Te 중 어느 하나를 포함하는 제1전구체와, 상기 Ge, Sb, Te 중 다른 하나를 포함하는 제2전구체와, 상기 Ge, Sb, Te 중 나머지 하나를 포함하는 제3전구체를 챔버(10)로 피딩 및 퍼지함으로써 상기 기판(w) 상에 Ge-Sb-Te 막을 형성하는 Ge-Sb-Te 막 형성단계; 및상기 Ge-Sb-Te 막 형성단계를 반복하여 형성되는 막의 두께를 조절하는 두께조절단계;를 포함하며,상기 Ge-Sb-Te 막 형성단계는,상기 제1전구체를 t1 동안 피딩하는 제1전구체 피딩단계와, 상기 제1전구체를 불활성가스를 이용하여 t2 동안 퍼지하는 제1전구체 퍼지단계와, 상기 제2전구체를 t3 동안 피딩하는 제2전구체 피딩단계와, 상기 제2전구체를 불활성가스를 이용하여 t4 동안 퍼지하는 제2전구체 퍼지단계와, 상기 제3전구체를 t5 동안 피딩하는 제3전구체 피딩단계와, 상기 제3전구체를 불활성가스를 이용하여 t6 동안 퍼지하는 제3전구체 퍼지단계를 순차적으로 진행함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te 박막증착방법.
- 제2항에 있어서,상기 Ge-Sb-Te 막을 이루는 각 원소의 조성은, 상기 제1,2,3전구체의 온도나 증기압을 조절하거나, 온도 및 증기압을 고정시킨 상태에서 상기 제1,2,3전구체 피딩시간인 t1, t3, t5 을 조절하거나 이송가스의 양을 조절함으로써, 조성의 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te 박막증착방법.
- 기판(w)이 내장된 챔버(10)로 반응가스를 피딩하는 반응가스 피딩단계;상기 반응가스 피딩단계 중에 진행되는 것으로서, Ge, Sb, Te 중 어느 하나를 포함하는 제1전구체와, 상기 Ge, Sb, Te 중 다른 하나를 포함하는 제2전구체와, 상기 Ge, Sb, Te 중 나머지 하나를 포함하는 제3전구체를 챔버(10)로 피딩 및 퍼지함으로써 상기 기판(w) 상에 Ge-Sb-Te 막을 형성하는 Ge-Sb-Te 막 형성단계; 및상기 Ge-Sb-Te 막 형성단계를 반복하여 형성되는 막의 두께를 조절하는 두께조절단계;를 포함하며,상기 Ge-Sb-Te 막 형성단계는,상기 제1전구체의 피딩과 제2전구체의 피딩을 t1 동안 동시에 수행하는 제1,2전구체 피딩단계와, 상기 제1전구체의 퍼지와 제2전구체의 퍼지를 불활성가스를 이용하여 t2 동안 동시에 수행하는 제1,2전구체 퍼지단계와, 상기 제2전구체의 피딩과 제3전구체의 피딩을 t3 동안 동시에 수행하는 제2,3전구체 피딩단계와, 상기 제2전구체의 퍼지와 제3전구체의 퍼지를 불활성가스를 이용하여 t4 동안 동시에 수행하는 제2,3전구체의 퍼지단계를 순차적으로 진행함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te 박막증착방법.
- 제4항에 있어서,상기 Ge-Sb-Te 막을 이루는 각 원소의 조성은, 상기 제1,2,3전구체의 온도나 증기압을 조절하거나, 온도 및 증기압을 고정시킨 상태에서 상기 제1,2전구체 피딩시간인 t1 및 상기 제2,3전구체 피딩시간인 t3 을 조절하거나, 이송가스의 양을 조절함으로써, 조성의 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te 박막증착방법.
- 기판(w)이 내장된 챔버(10)로 반응가스를 피딩하는 반응가스 피딩단계;상기 반응가스 피딩단계 중에 진행되는 것으로서, Ge, Sb, Te 중 어느 하나를 포함하는 제1전구체와, 상기 Ge, Sb, Te 중 다른 하나를 포함하는 제2전구체와, 상기 Ge, Sb, Te 중 나머지 하나를 포함하는 제3전구체를 챔버(10)로 피딩 및 퍼지함으로써 상기 기판(w) 상에 Ge-Sb-Te 막을 형성하는 Ge-Sb-Te 막 형성단계; 및상기 Ge-Sb-Te 막 형성단계를 반복하여 형성되는 막의 두께를 조절하는 두께조절단계;를 포함하며,상기 Ge-Sb-Te 막 형성단계는,상기 제1전구체의 피딩과 제2전구체의 피딩과 제3전구체의 피딩을 t1 동안 동시에 수행하는 제1,2,3전구체 피딩단계와, 상기 제1전구체의 퍼지와 제2전구체의 퍼지와 제3전구체의 퍼지를 불활성가스를 이용하여 t2 동안 수행하는 제1,2,3전구체 퍼지단계를 순차적으로 진행함으로서 수행되는 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te 박막증착방법.
- 제6항에 있어서,상기 Ge-Sb-Te 막을 이루는 각 원소의 조성은, 상기 제1,2,3전구체의 온도나 증기압을 조절하거나, 온도 및 증기압을 고정시킨 상태에서 상기 제1,2,3전구체의 피딩시간인 t1 을 조절하거나, 이송가스의 양을 조절함으로써, 조성의 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te 박막증착방법.
- 제2항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서,상기 반응가스는 H2 또는 NH3 인 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te 박막증착방법.
- 제2항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서,상기 기판(w)의 온도가 20 ~ 700도 범위내에서 진행되는 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te 박막증착방법.
- 제2항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서,상기 챔버(10) 내부의 압력은 0.1torr ~ 100 torr 범위내에서 진행되는 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te 박막증착방법.
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