KR100958331B1 - 신규한 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물 및 이를 이용한텔루륨 박막 증착 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 신규한 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물 및 이를 이용한 텔루륨 박막 증착 방법에 관한 것으로, 하기 화학식 1로 표시되는 신규한 유기 금속 전구체 화합물과 상기 전구체 화합물을 이용하여 단차피복성이 우수하며 박막 내 불순물이 없는 텔루륨 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112008012764451-pat00001
[상기 식에서, R1 및R2는 서로 독립적으로 수소이거나 직쇄 또는 분지쇄의 (C1-C7)알킬이고, 단 R1 및 R2는 동시에 수소가 아니다.]
텔루륨, 착화합물, 증착, 전구체, 박막, 원자층, 기상

Description

신규한 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물 및 이를 이용한 텔루륨 박막 증착 방법{Novel precursors for deposition of tellurium thin film and deposition method using the same}
본 발명은 신규한 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물 및 이를 이용한 텔루륨 박막 증착 방법에 관한 것으로, 하기 화학식 1로 표시되는 신규한 유기 금속 전구체 화합물과 상기 전구체 화합물을 이용하여 단차피복성이 우수하며 박막 내 불순물이 없는 텔루륨 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112008012764451-pat00002
[상기 식에서, R1 및R2는 서로 독립적으로 수소이거나 직쇄 또는 분지쇄의 (C1-C7)알킬이고, 단 R1 및 R2는 동시에 수소가 아니다.]
반도체 메모리 장치는 전원이 꺼진 후 데이터 저장 여부에 따라 휘발성 메모리 장치와 비휘발성 메모리 장치로 구분될 수 있다. 일반적으로 전원을 차단하더라 도 저장된 정보가 지워지지 않는 특징을 갖고 있는 비휘발성 메모리 소자는 휴대용 개인 단말기의 수요 증대와 함께 비약적인 기술 발전을 보이고 있다. 상변화 메모리 장치(phase change memory device)는 비휘발성 메모리 장치로서 플래시 메모리 장치를 대체할 수 있는 차세대 메모리 장치로 연구되고 있다. 상변화 메모리 장치는 결정질 상태와 비정질 상태 중 하나의 상태로 유지되는 상변화 물질을 포함한다. 상변화 물질은 가열 및 냉각에 의하여 다른 상태로 변할 수 있다.　상변화 물질은 결정 상태에서는 낮은 저항을 갖고, 비정질 상태에서는 높은 저항을 갖는다.
텔루륨(Te)은 상전이 메모리와 광 기록 매체의 상전이 물질로 사용되는 GST[Ge(germanium)-Sb(antimony)-Te(tellurium)]합금 주성분으로 사용된다. 금속 텔루륨은 반도체 기술분야에서, 예를 들면, 적외선 검출물질인 카드뮴 수은 텔루라이드(CMT)의 제조시 및 감광성 스위치 각각에 있어서 중요하다. 빈번하게, 이들 금속 또는, 특히, CMT와 같은 이들 화합물은 성분 금속의 휘발성 화합물은 성분 금속의 휘발성 화합물(텔루륨의 경우, 이는 디알킬 화합물이 가장 일반적이다)의 증기상 공동분해를 포함하는 금속-유기 증기상 에피택시(Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy; MOVPE)의 공정에 의해 기판 위에 침착된다. 디알킬 화합물은 휘발성 이외에도 이들이, 용이하게 분해되어 문헌에 기술된 바와 같은 순수한 디알킬 화합물을 형성시킬 수 있는 부가물을 형성함으로써 용이하게 정제될 수 있다는 이점이 있다[참조: GB-A-850955 및 PCT/GB88/01062]. 디알킬 디텔루라이드는 MOVPE 증의 전구체로서 유용할 뿐만 아니라 비대칭 디알킬 화합물을 제조하는데 있어서도 사용될 수 있다[참조: GB 8913799. 6].
종래에 텔루륨 박막을 제조하기 위해서는 스퍼터링(sputtering)을 사용하였다. 스퍼터링은 가속된 입자를 고체 표면에 충돌시켜서 운동량의 교환에 의해 공간에 튀어나온 원자를 기판에 붙이는 방식이다. 따라서, 상기 방식은 그 특성상 복잡한 3차원 구조를 갖는 고집적 반도체 소자의 트랜치 구조에는 적용이 곤란하다. 그러므로 또한, 상기 화학 기상 증착법은 증착하려는 화합물을 기체화하여 반응 챔버에 보내고 화학 반응을 이용하여 소망하는 물질의 박막을 얻는 방식으로 박막을 증착하는 기판 구조 또는 패턴의 종횡비(aspect ratio)에 따른 단차피복성(step coverage)이 우수하여 원자층 증착법(Atomic layer deposition; ALD)과 더블어 고집접도를 얻기 위 사용하는 증착 방법이다. 원자층 증착법이란 반응물질을 챔버 내부로 주입하고 잔류하는 반응물질 및 부산물을 제거하는 과정을 순차적으로 반복하는 방식으로 반도체 기판 상에 원자층을 증착하는 방법이다. 이러한 원자층 증착법은 CVD법처럼 화학반응을 사용하는 증착법이지만, CVD법은 각각의 가스를 동시에 주입하여 챔버 내에서 혼합되는 반면, ALD법은 한 종류의 가스씩 펄스 형태로 주입된다는 점에서 CVD법과 구별된다.
구체적으로 화학 기상 증착법이나 원자층 증착법을 이용하여 텔루륨 박막을 제조하는 방법을 살펴보면, 종래에는 텔루륨 원료물질로서 Te(iPr)2, Te(tBu)2 등이 적용되었다.
그러나, Te(iPr)2, Te(tBu)2는 원자층 증착법을 이용하여 증착할 경우 텔루륨 의 증착 속도가 느리고 일부 불완전하게 분해된 화합물이 화학적 결합을 끊고 독립적으로 존재하기가 어려워 텔루륨 박막에 불순물이 많이 남는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 신규한 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물을 제공하며, 상기 전구체 화합물을 이용하여 단차피복성이 우수하며 박막 내 불순물이 없는 텔루륨 박막을 제조하는 방법을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명은 상기한 텔루륨 박막 증착을 위한 기존 전구체들의 장점을 최대한 포괄하며 단점을 최대한 보완할 수 있도록 설계된 하기 화학식 1로 표시되는 신규한 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물에 관한 것이며, 또한 상기 전구체 화합물을 이용하여 단차피복성이 우수하며 박막 내 불순물이 없는 텔루륨 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112008012764451-pat00003
[상기 식에서, R1 및R2는 서로 독립적으로 수소이거나 직쇄 또는 분지쇄의 (C1-C7)알킬이고, 단 R1 및 R2는 동시에 수소가 아니다.]
상기 화학식 1의 화합물의 R1 및R2는 서로 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, n- 프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, t-부틸, n-펜틸, i-펜틸, n-헥실 또는 n-헵틸로부터 선택되어질 수 있다.
본 발명에 따른 디아미노텔루륨 유도체는 구체적으로 하기 화학식 2 내지 화학식 5로부터 선택되는 화합물로 예시될 수 있으나, 하기의 화합물이 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
[화학식 2]
Figure 112008012764451-pat00004
[화학식3]
Figure 112008012764451-pat00005
[화학식4]
Figure 112008012764451-pat00006
[화학식5]
Figure 112008012764451-pat00007
상기 전구체 화합물을 제조하기 위한 출발물질은 공지된 화합물로서, 텔루륨 테트라클로라이드(Tellurium tetrachloride, TeCl4)을 사용한다.
질소 분위기 하에 유기금속시약과 디알킬아민 유도체를 반응시킨 후 텔루륨테트라클로라이드를 가하여 교반 후 진공정제하여 본 발명에 따른 텔루륨 박막 전구체 화합물을 제조한다. 상기 유기금속시약으로는 n-부틸리튬, sec-부틸리튬, tert-부틸리튬 등을 들 수 있다. 이중에서도 바람직하기로는 n-부틸리튬이 좋다.
또한, 본 발명은 상기 텔루륨 박막증착용 전구체 화합물을 이용한 텔루륨 박막 제조 방법을 제공한다. 상기 텔루륨 박막증착용 전구체 화합물을 이용한 텔루륨 박막 제조시 아르곤, 헬륨 등과 같은 비활성가스를 이송가스로 사용한다.
원자층 증착법(Atomic Layer Deposition : ALD)을 이용하여 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물로부터 텔루륨 박막을 제조하는 방법은 하기의 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
(a)챔버 내에 반응 기판을 도입하는 단계;
(b)상기 챔버 내로 본 발명에 따른 상기 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물을 주입하여 기판상에 흡착시키는 단계;
(c)상기 챔버 내에 잔류하는 상기 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물 및 부산물을 퍼지하는 단계;
(d)상기 챔버에 활성화 가스를 공급하여 텔루륨 박막을 형성하는 단계;
(e)상기 챔버 내에 잔류 반응 가스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계.
본 발명에 따른 제조 방법은 원자층 증착법으로서 반응 기판 상에 상기 텔루 륨 전구체 화합물을 흡착시키는 단계(b)와 활성화 가스를 공급하여 텔루륨 단층(mono-layer)를 형성하는 단계(d)를 포함하며, 완전한 원자층 증착을 위해 중간에 퍼지단계(c, e)를 진행하여 균일한 증착이 되도록 하는 특징이 있다. 상기 활성화 가스는 챔버 내에 수소 가스 또는 암모니아를 주입하고 챔버에 직접 고주파(Radip frequency; RF)를 인가하여 챔버 내에 수소(H2) 플라즈마 또는 암모니아(NH3) 플라즈마를 형성하는 방법에 의해서 공급될 수 있으며, 또한 외부에서 플라즈마를 형성하고 챔버 내로 유도하는 리모트 플라즈마(remote plasma)에 의해 공급될 수 있다. 상기 활성화 가스는 흡착된 텔루륨 전구체 화합물의 유기성분과 반응하여 제거하는 역할을 함으로써 순수한 텔루륨 박막을 기판에 증착시킬 수 있다. 또한 상기 (b)~(e) 단계를 1주기(cycle)라고 하며, (e)단계 후, (b)~(e) 단계를 1회 이상 반복하여 상기 텔루륨 단층(mono-layer)이 반복 증착된 복층의 텔루륨 박막을 제조한다.
화학기상 증착법(Chemical vapor Deposition : CVD)을 이용하여 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물로부터 텔루륨 박막을 제조하는 방법은 하기의 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
(f)챔버 내에 반응 기판을 도입하는 단계;
(g)상기 챔버 내로 본 발명에 따른 상기 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물과 이송가스를 주입하여 기판상에 흡착되어 증착시키는 단계.
(h) 상기 챔버 내에 잔류 부산물 및 가스를 퍼지하는 단계.
본 발명에 따른 제조 방법은 화학기상 증착법으로서 반응 기판 상에 상기 텔루륨 전구체 화합물을 이송 가스에 의해 챔버내 주입하여 기판 표면상에서 화학반응을 일으켜 생성된 화합물을 확산에 의해 기판위에 흡착 되어 증착시키는 단계(g)와 잔류 가스 및 부산물을 퍼지 단계(h)를 포함하여, 균일한 증착이 되도록 하는 특징이 있다. 또한 상기 (g)~(h) 단계는 동시에 이루어지면서 텔루륨 박막 형성 및 성장시키므로써 박막을 제조한다. 텔루륨 박막 형성 및 성장시키기 위하여 상기 (g)~(h) 단계를 10분 이상 지속적으로 수행하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 신규한 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물은 텔루륨 박막을 제조하기 위한 전구체 화합물로서 적합한 휘발성과 열적 안정성 및 증착 성능을 가지고 있으며, 상기 전구체 화합물을 이용하여 증착된 텔루륨 박막은 종래의 텔루륨 전구체 화합물이 가지고 있는 불순물, 스텝 커버리지 문제점을 해결함으로써 고집적화된 반도체 디바이스 제조 및 관련 산업 분야에 그 활용도가 크다고 할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현 될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
이하, 본 발명의 전구체 화합물 및 전구체 화합물 합성용 리간드의 제조방법에 대하여 하기의 제조예를 통하여 좀더 상세하게 설명하기로 한다.
[ 제조예 1] 디에틸메틸아미노텔루륨 [Te(N( C 2 H 5 )( CH 3 )) 2 ] 의 제조
Figure 112008012764451-pat00008
[화학식 2]
질소 분위기 하에 냉각된 n-BuLi (1.6 M in Hexane) 128.6 ml에 에틸메틸아민 42.3 ml을 천천히 넣고 5시간을 교반하여 LiNEtMe 용액을 만들고 여기에 TeCl4 (33.15g)을 천천히 첨가해 상온에서 5시간을 교반한 후 부산물로 나온 LiCl을 거르고 진공을 이용하여 용매를 제거하였다. 용매를 제거한 후 남은 진한 갈색의 액체를 28℃에서 진공(260mTorr)상태를 유지하면서 증류하여 1차 정제를 하고, 1차 정제하여 얻어진 생성물을 다시 25℃에서 진공(300mTorr) 상태를 유지하면서 증류하여 2차 정제를 하여 표제화합물로써 고순도의 Te(N(C2H5)(CH3))2 [화학식2] 6g(20%)을 얻었으며 1H-NMR 및 FTIR 결과는 다음과 같다.
1H-NMR(400MHz C6D6): δ(ppm) = 3.41(Te-CH 3 ), 3.31(Te-CH 2 -CH3), 1.02(Te-CH2-CH 3 ).
FTIR(cm-1): 2964.08(m), 2834.49(m), 2782.58(m), 1440.31(m), 1409.22(m), 1369.50(m), 1345.11(m), 1259.65(w), 1196.46(m), 1171.77(s), 1050.19(s), 1018.07(s), 981.10(vs), 862.68(vs), 797.95(m)
[ 실시예 1] 화학 기상 증착법을 이용한 텔루륨 박막의 제조
본 발명의 제조예 1에서 제조된 전구체 화합물 Te(N(C2H5)(CH3))2 를 이용하여 텔루륨 박막을 제조하는 방법을 보다 구체적으로 설명한다.
챔버 내부에 반응기판인 실리콘 웨이퍼를 도입하고, 기판 온도를 250℃로 하고, 스테인레스 스틸 버블러(bubbler) 용기 내에 있는 Te(N(C2H5)(CH3))2 의 온도를 30℃로 한다. 이후, 아르곤 가스를 이송 기체로 하여 Te(EMA)2 를 반응 챔버 내부로 주입 기판위에서 열에너지로 Te(N(C2H5)(CH3))2 흡착 분해시킨다. 잔류 부산물 및 가스는 아르곤 가스와 진공펌프를 이용하여 퍼지(purge)를 실시하여 챔버 내부에 존재하는 잔류가스 또는 흡착되는 않은 Te(N(C2H5)(CH3))2 를 제거하여 텔루륨 박막을 제조한다. 상기 공정을 10분 동안 실시하여 텔루륨 박막이 형성됨을 확인하였다. 상기 형성되는 텔루륨 박막을 원하는 특성에 따라 상기 공정을 시간에 따라 박막을 형성함으로써 막 두께를 조절할 수 있다.
생성된 텔루륨 박막은 불순물 생성이 거의 없었으며, 또한 스텝 커버리지 특성이 매우 우수하였다.
[ 실시예 2] 원자층 증착법을 이용한 텔루륨 박막의 제조
본 발명의 제조예 1에서 제조된 전구체 화합물 Te(N(C2H5)(CH3))2 를 이용하여 텔루륨 박막을 제조하는 방법을 보다 구체적으로 설명한다.
챔버 내부에 반응기판인 실리콘 웨이퍼를 도입하고, 기판 온도를 180℃로 하고, 스테인레스 스틸 버블러(bubbler) 용기 내에 있는 Te(N(C2H5)(CH3))2 의 온도를 30℃로 한다. 이후, 아르곤 가스를 이송 기체로 하여 4초간 Te(N(C2H5)(CH3))2 를 반응 챔버 내부로 주입시켜 텔루륨 화합물을 기판에 흡착시킨다. 그 다음 6초간 아르곤 가스와 진공펌프를 이용하여 퍼지(purge)를 실시하여 챔버 내부에 존재하는 잔류가스 또는 흡착되는 않은 Te(N(C2H5)(CH3))2 를 제거한다. 그 후 4초간 수소 플라즈마를 공급하여 실리콘 웨이퍼 상이 흡착된 전구체와 반응시켜 텔루륨 박막을 형성시킨다. 또한 6초간 아르곤 가스와 진공펌프를 이용하여 분해된 잔류물을 다시 한번 퍼지하여 텔루륨 박막을 제조한다. 상기 공정을 통해 한 주기당 0.6Å 두께의 텔루륨 단층(mono-layer) 박막이 형성되었다. 상기 형성되는 텔루륨 박막을 원하는 특성에 따라 상기 주기를 반복 수행하여 복층의 막막을 형성함으로써 막 두께를 조절할 수 있다.
생성된 텔루륨 박막은 불순물 생성이 거의 없었으며, 또한 스텝 커버리지 특성이 매우 우수하였다.
도 1은 본 발명에 따른 원자층 증착 반응 장치의 개요도이고,
도 2는 본 발명에 따른 원자층 증착 공정 순서도이며,
도 3은 본 발명에 따른 화학기상 증착 반응 장치의 개요도이고,
도 4는 본 발명에 따른 화학기상 증착 공정 순서도이며,
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 반응기 20: 히터 30: 기판
40: RF Power 50: 버블러 55: 가스 주입관
60: 이송가스통 70: 반응가스통 80: 펌프
110: 반응기 120: 히터 130: 기판
140: 버블러 145: 원료 주입관 150: 이송가스통
160: 펌프

Claims (7)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물.
    [화학식 1]
    Figure 112009069272065-pat00009
    [상기 식에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소이거나 직쇄 또는 분지쇄의 (C1-C7)알킬이고, 단 R1 및 R2는 동시에 수소가 아니고, R1과 R2가 알킬인 경우 탄소수는 서로 동일하지 않다.]
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, t-부틸, n-펜틸, i-펜틸, n-헥실 또는 n-헵틸인 것을 특징으로 하는 디아미노텔루륨 유도체.
  3. 제 2항에 있어서,
    하기 화학식 2 내지 화학식 5로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 디아미노텔루륨 유도체.
    [화학식 2]
    Figure 112008012764451-pat00010
    [화학식3]
    Figure 112008012764451-pat00011
    [화학식4]
    Figure 112008012764451-pat00012
    [화학식5]
    Figure 112008012764451-pat00013
  4. (a)챔버 내에 반응 기판을 도입하는 단계;
    (b)상기 챔버 내로 제 1항 내지 제3항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물을 주입하여 기판상에 흡착시키는 단계;
    (c)상기 챔버 내에 잔류하는 상기 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물 및 부산물을 퍼지하는 단계;
    (d)상기 챔버에 활성화 가스를 공급하여 텔루륨 박막을 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 챔버 내에 잔류 반응 가스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계를 포함하는 텔루륨 박막의 제조 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 (e)단계 후, (b)~(e) 단계를 1회 이상 반복하여 복층의 텔루륨 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 텔루륨 박막의 제조 방법.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 활성화 가스는 수소 플라즈마 또는 암모니아 플라즈마에 의해서 공급되는 것을 특징으로 하는 텔루륨 박막의 제조 방법.
  7. (f)챔버 내에 반응 기판을 도입하는 단계;
    (g)상기 챔버 내로 제 1항 내지 제3항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 텔루륨 박막 증착용 전구체 화합물과 이송가스를 주입하여 기판상에 흡착되어 증착시키는 단계; 및
    (h) 상기 챔버 내에 잔류 부산물 및 가스를 퍼지하는 단계를 포함하는 텔루륨 박막의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100688532B1 (ko) 2005-02-14 2007-03-02 삼성전자주식회사 텔루르 전구체, 이를 이용하여 제조된 Ｔｅ-함유 칼코게나이드(ｃｈａｌｃｏｇｅｎｉｄｅ) 박막, 상기 박막의 제조방법 및 상변화 메모리 소자

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions: Inorganic Chemistry, 1996, (8), pp. 1727-1730*
Science of Synthesis, 2006, 24, pp. 957-1005*

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8993441B2 (en) 2013-03-13 2015-03-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming a thin layer and methods of manufacturing a phase change memory device using the same

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