CN1873051A - 氧化锌膜的成膜方法 - Google Patents

氧化锌膜的成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1873051A
CN1873051A CNA2006100806988A CN200610080698A CN1873051A CN 1873051 A CN1873051 A CN 1873051A CN A2006100806988 A CNA2006100806988 A CN A2006100806988A CN 200610080698 A CN200610080698 A CN 200610080698A CN 1873051 A CN1873051 A CN 1873051A
Authority
CN
China
Prior art keywords
zinc
oxide film
zinc oxide
film
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2006100806988A
Other languages
English (en)
Inventor
高松勇吉
秋山敏雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NIPPON PAIOUNI CO Ltd
Japan Pionics Ltd
Original Assignee
NIPPON PAIOUNI CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NIPPON PAIOUNI CO Ltd filed Critical NIPPON PAIOUNI CO Ltd
Publication of CN1873051A publication Critical patent/CN1873051A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供使用CVD法安全地在各种基板表面形成具有高品质的结晶的氧化锌膜的成膜方法。本发明的方法是将二甲基锌或二乙基锌溶解到有机溶剂中的原料气化，供应到CVD装置中，同时将含有氧化剂气体的气体供应到CVD装置，在基板表面形成氧化锌膜。或者，将二甲基锌或二乙基锌的气化气体和含有氧化剂气体的气体交替地供应给CVD装置，在基板表面形成氧化锌膜。

Description

氧化锌膜的成膜方法
技术领域
本发明涉及下述形成氧化锌膜的成膜方法，该方法中使用二甲基锌或二乙基锌溶解到有机溶剂中形成的原料，或者将二甲基锌或二乙基锌的气化气体和氧化剂气体交替地供应到CVD装置，通过CVD法安全且容易地在各种基板表面形成氧化锌膜。
背景技术
一直以来，常用氧化锌作为在各种基板上形成绝缘膜、透明电极膜、半导体膜等的材料。已经提出了例如氧化锌膜除了可以作为等离子显示板、太阳能电池等的透明电极膜的构成成分使用以外，还可以作为光电子元件的材料膜使用，以代替氮化镓类发光二极管。
作为氧化锌膜的普通的成膜方法，主要使用例如在氩气体气氛或者在氩气和氧气存在下，使用锌、氧化锌作为靶点材料，通过溅射法在基板上形成氧化锌膜的方法。另外，通过溶胶-凝胶法形成氧化锌膜的方法也实施起来。
例如，在特开2001-210867号公报中记载了在氮化镓类半导体发光元件中，通过真空蒸镀法、激光烧蚀法或溶胶-凝胶法，在P型GaN半导体层上形成氧化锌膜的方法。另外，在特开2003-105559号公报中记载了基板上形成添加了掺杂剂的氧化锌膜后，将该基板放入热处理装置，在规定的气体气氛下进行热处理，制造含有氧化锌膜的蓝色发光体。另外，在特开2004-323941号公报中，记载了通过磁控溅射法形成等离子显示板的前面板和低放射玻璃等中使用的氧化锌膜的方法。
还研究了将醋酸锌(Zn(CH3COO)2)、锌(II)乙酰丙酮酸盐(Zn(CH3CO)2CH)、二(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮(ヘプタンジオナイト))锌(Zn(DPM)2)等固体原料溶解到四氢呋喃等有机溶剂中作为液体原料气化，通过CVD法在基板上形成氧化锌膜的方法。
发明内容
通过CVD法在基板上形成氧化锌膜时，前述固体原料的气化温度和溶剂有很大不同，加热时容易只将溶剂气化而析出固体原料，所以在将均匀组成的原料供应到基板表面方面，与溅射法形成氧化锌膜、溶胶-凝胶法形成氧化锌膜相比，在技术上更加困难。另外，还研究了使用二甲基锌或二乙基锌等液体原料作为原料，但是特别是二甲基锌具有在空气中易燃，在氧气中爆炸的化学性质，使用极为困难。
然而，通过CVD法形成的氧化锌膜与通过溅射法、溶胶-凝胶法形成的氧化锌膜相比，可以期待其为高品质、高纯度的薄膜，所以希望通过CVD法形成氧化锌膜。特别是，在用作光电子元件时，要求具有极高品质结晶的物质。
因此，本发明为了解决前述课题，提供了使用CVD法，安全地在各种基板表面形成极高品质、高纯度的氧化锌膜的成膜方法。
本发明人等为了解决这些课题，进行了认真的研究，结果发现通过使用二甲基锌或二乙基锌作为原料，与使用醋酸锌、乙酰丙酮锌(II)、二(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮(ヘプタンジオナイト))锌等固体原料的情形相比，可以形成更高品质、高纯度的氧化锌膜；而且通过将二甲基锌或二乙基锌溶解到烃等有机溶剂中，或者将二甲基锌或二乙基锌的气化气体和氧等氧化剂气体交替地供应到CVD装置中，使用CVD法，可以安全地形成氧化锌膜，从而完成本发明。
也就是，本发明是一种成膜方法，其特征在于：将二甲基锌或二乙基锌溶解到有机溶剂中形成的原料气化，供应到CVD装置，同时将含氧化剂气体的气体供应给CVD装置，在基板表面形成氧化锌膜。
另外，本发明是一种成膜方法，其特征在于：将二甲基锌或二乙基锌的气化气体和含氧化剂气体的气体交替地供应到CVD装置中，在基板表面形成氧化锌膜。
一直以来所进行的根据溅射法、溶胶-凝胶法形成氧化锌膜的成膜方法，或者使用醋酸锌、乙酰丙酮锌(II)、二(2，2，6，6四甲基-3，5-庚二酮(ヘプタンジオナイト))锌等固体原料的CVD法形成的氧化锌膜的成膜方法中，难以形成具有较高品质结晶的氧化锌膜，但是通过本发明的氧化锌膜的成膜方法可以安全且容易地在各种基板上形成具有极高品质结晶的氧化锌膜。
本发明的氧化锌膜的成膜方法适用于在各种基板上形成氧化锌膜的成膜方法。特别是，在硅基板、蓝宝石基板等上成膜作为光电子元件时，在得到极高品质的结晶方面，可以发挥出效果。
本发明的第1种成膜方法是将二甲基锌或二乙基锌溶解到烃等有机溶剂中后，通过将它们稀释提高安全性。另外，本发明的第2种成膜方法是避免将二甲基锌或二乙基锌的气化气体和氧等氧化剂气体直接接触，而是交替地供应到CVD装置中，提高安全性。
本发明的第1种成膜方法中使用的原料是将二甲基锌或二乙基锌溶解到醚、酮、酯、醇、烃等有机溶剂中形成的溶液。
作为前述醚可以例示丙醚、甲基丁基醚、乙基丙基醚、乙基丁基醚、氧化环丙烷、四氢呋喃、四氢吡喃等；作为酮可以例示丙酮、乙基甲基酮、异丙基甲基酮、异丁基甲基酮等；作为酯可以例示甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸异丁酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸异丁酯、丙酸甲酯、丙酸丙酯、丁酸甲酯、丁酸乙酯等；作为醇可以例示甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等；作为烃可以例示己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、环己烷、环庚烷、环辛烷、环壬烷、环癸烷等。
在前述有机溶剂中，优选为通式CnH2n+2所示的链烷烃类烃或者通式CnH2n所示的环烷烃类烃(n：5～12左右)，更优选为己烷、庚烷、辛烷。
另外，原料中含有的二甲基锌或二乙基锌的含量通常为0.1～5.0mol/L，优选为0.5～2.0mol/L。原料中含有的二甲基锌或二乙基锌的含量不足0.1mol/L时，出现氧化锌膜的成膜速度变慢的问题；超过5.0mol/L时，担心原料的安全使用、原料安全地气化供应、氧化锌膜安全地成膜变难。
如前所述，将二甲基锌或二乙基锌和有机溶剂混合形成的原料通常可以容易地均匀制备，在室温或室温附近的温度(0～40℃)下，常压或常压附近的压力(80～120kPa)下，在惰性气体的气氛中，是稳定的。另外，即使万一原料和空气或氧气接触，也不会燃烧或爆炸。
本发明的第2种成膜方法中使用的原料通常是只由二甲基锌或二乙基锌形成的溶液，但是也可以使用将二甲基锌或二乙基锌溶解到醚、酮、酯、醇、烃等有机溶剂中形成的溶液。使用有机溶剂时，和第1种成膜方法同样地，优选为通式CnH2n+2所示的链烷烃类烃或者通式CnH2n所示的环烷烃类烃(n：5～12左右)，更优选为己烷、庚烷、辛烷。
本发明的成膜方法可以是第1种成膜方法，也可以是第2种成膜方法，例如，可以通过图1所示的气化供应装置和图3所示的CVD装置进行。
在本发明的CVD法形成氧化锌膜时，气体供应装置通常设置有液体质量流控制器等液体流量控制器5、气化器7、CVD装置8，此外根据需要还设置了脱气体器4。气化器7进一步连接气体流量控制器9、载气供应管线10，设置绝热材料6。另外，CVD装置8进一步连接气体预热器11、氧气、臭氧、氮氧化物、水等氧化剂气体供应管线12。
在形成氧化锌膜时，例如，在将气化器内部、CVD装置内部设定为规定温度、压力后，通过惰性气体的压力将原料2从原料容器3供应到气化器7中将其气化，进而供应到CVD装置8中。另外，从氧化剂气体供应管线12供应氧气等。在本发明中，可以通过减压CVD法、常压CVD法的任一种进行。在成膜时，可以将均匀性优异的原料均匀地气化，以所希望的浓度、流量供应，所以可以在各种基板上得到具有高品质结晶的氧化锌膜。
另外，作为本发明的成膜方法中使用的气化器7没有特别的限制，可以列举出例如，如图2所示，原料供应部14内部由含氟类树脂、聚酰亚胺类树脂等耐腐蚀性合成树脂17构成的气化器；将液体原料喷出到气化室13中进行气化的喷管18为喷出液体原料的内管和喷出载气的外管形成的二重结构的喷出管的气化器；或者在CVD原料供应部的侧面部具有流过冷却水的装置19的气化器等。
另外，作为CVD装置在第1种结构的成膜方法中没有特别的限制，但是在第2种成膜方法中，CVD装置必须为如下结构：使二甲基锌或二乙基锌的气化气不和含氧化剂气体的气体不直接接触，而是交替地供应到基板表面。作为这种CVD装置可以列举出例如，如图3所示的具有在反应室20内部装载基板21的环状接受器22，加热该基板的加热器23，将二甲基锌或二乙基锌导入反应室内的原料供应管24，将氧化剂气体从其外侧导入反应室内的供应管25，接受器的旋转轴26和反应气排出部27的CVD装置。
在本发明的第2种成膜方法中，通常膜厚每成长5～500nm，优选膜厚每成长10～100nm，就切换二甲基锌或二乙基锌的气化气和含氧化剂气体的气体。这种气体的切换通常间隔5秒～10分钟。
另外，在第2种成膜方法中，为了更有效地形成氧化锌膜，在将氧化剂气体供应给CVD装置时，最好将基板温度设定为比未供应氧化剂气体时更低。供应二甲基锌或二乙基锌的气化气体时的基板温度通常是150～500℃，供应氧化剂气体时的基板温度通常为100～300℃。
附图说明
图1是表示本发明中使用的气化供应装置的一个例子的结构图。
图2是表示本发明中使用的气化器的一个例子的结构图。
图3是表示本发明中使用的CVD装置的一个例子的结构图。
具体实施方式
接着，通过实施例对本发明进行更具体地的说明，但是本发明并非由此进行限定。
【实施例1】
(原料的制备)
从惰性气体供应管线将氩供应到内径8cm、高10cm的不锈钢(SUS316)制造的容器中，使容器内部为氩气氛。接着，在该容器中加入二甲基锌和己烷，将它们混合，在25℃、常压的状态下，搅拌制备原料(二甲基锌含量：0.5mol/L)。
(气化器的制造)
制造内部由含氟类合成树脂(PFA)构成，与气化器外部的接触部由不锈钢(SUS316)构成的原料供应部14。含氟类合成树脂的构成部17是外径16mm，高34.2mm的圆柱状，其外侧的不锈钢的厚度为2.0mm。而且，顶端是二重结构，设置内管为原料流路、外管为载气的流路的喷出管18。另外，在原料供应部的侧面设置流过冷却水冷却CVD原料供应部的冷却管19。
制造除了具有前述原料供应部14以外，还具有气化气体排出口15、加热器16的图2所示的不锈钢(SUS316)制造的气化器7。另外，气化室14是内径为65mm、高为92.5mm的圆柱状，底部突起的高度为27.5mm，而且气化气体排出口15设置在距离底部15mm高的位置。
(CVD装置的制造)
在石英制造的反应容器(内部尺寸为内径300mm、高度100mm)的内部设置环状接受器22(直径260mm，厚度5mm)、加热器23、接受器的旋转轴26、反应气体排出部27和与环状接受器对向的壁面(直径260mm，厚度10mm)等，再在壁面的中心部设置将二甲基锌或二乙基锌引入反应室内部的原料供应管24、从其外侧将氧化剂气体引入反应室内的供应管25，制造如图3所示的CVD装置。另外，基板21设置为在公转的同时还可以自转。另外，反应室20的垂直方向的间隙为15mm。
(气化供应装置的制造)
将前述气化器7、CVD装置8和脱气体器4、液体质量流控制器5、载气供应管线10、氧化剂气体供应管线12、气体预热器11、气体流量控制器9等连接，设置绝热材料6，制造图1所示的气化供应装置。另外，氧化剂气体供应管线12设置为在CVD装置内部添加氧化剂气体。接着，连接填充了前述原料的原料容器和惰性气体供应管线1。
(氧化锌膜的形成)
使用前述原料、气化供应装置、CVD装置，通过CVD法在直径20mm的硅基板上形成如下氧化锌膜。
将硅基板设置在CVD装置的接受器上，在气化供应装置内，将氩供应到CVD装置内后，使气化器内为70℃、常压，同时将CVD装置内保持为40kPa，将基板保持在200℃。接着，使用液体质量流控制器，将前述原料以0.5g/min的流量供应到气化器中，同时从载气供应管线将加热到70℃的氩以500ml/min的流量供应到气化器中，使原料气化供应给CVD装置。另外，将30℃的氧气以350ml/min的流量供应给CVD装置。
(氧化锌膜的评价)
将如此得到的氧化锌膜通过原子间力显微镜分析，结果可以确认膜厚为0.10μm，得到高纯度、均匀的氧化锌膜。另外，氧化锌膜的电阻率、霍耳迁移率、载流子密度如表1所示，确认具有作为透明导电膜的优异的性质。
【实施例2】
(氧化锌膜的形成)
使用二甲基锌作为原料，使用与实施例1相同的气化供应装置和CVD装置，通过CVD法在直径20mm的硅基板上，形成如下氧化锌膜。
将硅基板设置在CVD装置的接受器上，在气化供应装置内将氩供应到CVD装置内后，使气化器内为50℃、常压，同时将CVD装置内保持为40kPa，将基板保持在200℃。接着，使用液体质量流控制器，将前述原料以0.10g/min的流量供应到气化器中，同时从载气供应管线将加热到50℃的氩以100ml/min的流量供应到气化器中，使原料气化供应给CVD装置1分钟。之后，中断原料的供应，同时将基板温度下降到120℃，以200ml/min的流量供应1分钟30℃的氧气给CVD装置。之后，中断氧气的供应，同时将基板温度再次升到200℃，供应1分钟原料给CVD装置。重复10次上述操作，完成氧化锌膜的成膜。
(氧化锌膜的评价)
将如此得到的氧化锌膜通过原子间力显微镜分析，结果可以确认膜厚为0.15μm，得到高纯度、均匀的氧化锌膜。另外，氧化锌膜的电阻率、霍耳迁移率、载流子密度如表1所示，确认具有作为透明导电膜的优异的性质。
【实施例3】
(氧化锌膜的形成)
使用实施例1的原料，使用与实施例1相同的气化供应装置和CVD装置，通过CVD法在直径20mm的蓝宝石基板上，形成如下氧化锌膜。
将硅基板设置在CVD装置的接受器上，在气化供应装置内，将氩供应到CVD装置内后，使气化器内为70℃、设为常压，同时将CVD装置内保持为40kPa，将基板保持在200℃。接着，使用液体质量流控制器将实施例1的原料以0.5g/min的流量供应到气化器中，同时从载气供应管线将加热到70℃的氩以500ml/min的流量供应到气化器中，使原料气化供应给CVD装置1分钟。之后，中断原料的供应，将基板温度下降到120℃，以350ml/min的流量，供应1分钟30℃的氧气给CVD装置。之后，中断氧气的供应，同时将基板温度再次升到200℃，供应1分钟原料给CVD装置。重复10次上述操作，完成氧化锌膜的成膜。
(氧化锌膜的评价)
将如此得到的氧化锌膜通过原子间力显微镜分析，结果可以确认膜厚为0.18μm，得到高纯度、均匀的氧化锌膜。另外，氧化锌膜的电阻率、霍耳迁移率、载流子密度如表1所示，确认具有作为透明导电膜的优异的性质。
【实施例4】
(氧化锌膜的形成)
除了在实施例1的形成氧化锌膜时，使用二乙基锌代替二甲基锌以外，与实施例1同样地形成氧化锌膜。
(氧化锌膜的评价)
将如此得到的氧化锌膜通过原子间力显微镜分析，可以确认膜厚为0.11μm，得到高纯度、均匀的氧化锌膜。另外，氧化锌膜的电阻率、霍耳迁移率、载流子密度如表1所示，确认具有作为透明导电膜的优异的性质。
[比较例1]
(氧化锌膜的形成)
使用将醋酸锌溶解到己烷中的原料(醋酸锌的含量：0.5mol/L)，使用与实施例1相同的气化供应装置和CVD装置，通过CVD法，在直径20mm的硅基板上，如下形成氧化锌膜。
将硅基板设置在CVD装置的接受器上，在气化供应装置内，将氩供应到CVD装置内后，使气化器内为70℃、设为常压，同时将CVD装置内保持为40kPa，将基板保持在200℃。接着，使用液体质量流控制器，将前述原料以0.5g/min的流量供应到气化器中，同时从载气供应管线将加热到70℃的氩以500ml/min的流量供应到气化器中，使原料气化供应给CVD装置。另外，将30℃的氧气以350ml/min的流量供应给CVD装置。
(氧化锌膜的评价)
将如此得到的氧化锌膜通过原子间力显微镜分析，结果可以确认膜厚为0.11μm，得到均匀的氧化锌膜。但是，氧化锌膜的电阻率、霍耳迁移率、载流子密度如表1所示，无法得到比实施例的氧化锌膜更优异的性质。
                           表1
  电阻率(Ω·cm)   霍耳迁移率(cm2/vs)   载流子密度(cm-3)
  实施例1   8.5×10-4   80   2.2×1017
  实施例2   1.7×10-3   94   1.5×1017
  实施例3   9.4×10-4   86   2.1×1017
  实施例4   8.2×10-4   81   2.3×1017
  比较例1   8.8×10-3   15   9.1×1017

Claims (7)

1.一种成膜方法，其特征在于：将二甲基锌或二乙基锌溶解到有机溶剂中形成的原料气化，供应给CVD装置，同时将含有氧化剂气体的气体供应给CVD装置，在基板表面形成氧化锌膜。
2.一种成膜方法，其特征在于：将二甲基锌或二乙基锌的气化气体和含有氧化剂气体的气体交替地供应给CVD装置，在基板表面形成氧化锌膜。
3.根据权利要求1或2所记载的成膜方法，其中氧化剂气体是氧气、臭氧、氮氧化物或水。
4.根据权利要求1或2所记载的成膜方法，其中基板是硅基板、蓝宝石基板、陶瓷基板、玻璃基板、金属基板或合金基板。
5.根据权利要求1所记载的成膜方法，其中有机溶剂是醚、酮、酯、醇或烃。
6.根据权利要求1所记载的成膜方法，其中原料中含有的二甲基锌或二乙基锌的含量为0.1～5mol/L。
7.根据权利要求2所记载的成膜方法，其中在对CVD装置供应氧化剂气体时，基板的温度设定得比未供应氧化剂气体时更低。
CNA2006100806988A 2005-06-01 2006-05-29 氧化锌膜的成膜方法 Pending CN1873051A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005161187 2005-06-01
JP2005161187A JP4699092B2 (ja) 2005-06-01 2005-06-01 酸化亜鉛膜の成膜方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1873051A true CN1873051A (zh) 2006-12-06

Family

ID=36928153

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2006100806988A Pending CN1873051A (zh) 2005-06-01 2006-05-29 氧化锌膜的成膜方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20060275948A1 (zh)
EP (1) EP1728893B1 (zh)
JP (1) JP4699092B2 (zh)
KR (1) KR20060125500A (zh)
CN (1) CN1873051A (zh)
DE (1) DE602006021256D1 (zh)
TW (1) TWI332531B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103710680A (zh) * 2012-10-09 2014-04-09 三星康宁精密素材株式会社 氧化锌前驱体和利用该前驱体沉积氧化锌类薄膜的方法
CN104379806A (zh) * 2012-03-16 2015-02-25 皮尔金顿集团有限公司 用于沉积氧化锌涂层的化学气相沉积工艺、用于形成导电玻璃制品的方法以及由此制成的涂覆玻璃制品
US9598768B2 (en) 2008-09-24 2017-03-21 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Method of forming zinc oxide film (ZnO) or magnesium zinc oxide film (ZnMgO) and apparatus for forming zinc oxide film or magnesium zinc oxide film

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0518383D0 (en) * 2005-09-09 2005-10-19 Pilkington Plc Deposition process
WO2008007770A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Transparent conducting layer coated film and its use
US7491575B2 (en) * 2006-08-02 2009-02-17 Xerox Corporation Fabricating zinc oxide semiconductor using hydrolysis
JP4616359B2 (ja) * 2007-01-09 2011-01-19 韓國電子通信研究院 電子素子用ＺｎＯ半導体膜の形成方法及び前記半導体膜を含む薄膜トランジスタ
KR100966081B1 (ko) * 2008-01-03 2010-06-25 아주대학교산학협력단 산화아연박막의 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의형성방법
JP5200551B2 (ja) 2008-01-18 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法
US9096441B2 (en) 2009-04-21 2015-08-04 Tosoh Finechem Corporation Composition for manufacturing doped or undoped zinc oxide thin film and method for manufacturing zinc oxide thin film using same
JP5674186B2 (ja) * 2010-02-16 2015-02-25 国立大学法人 宮崎大学 酸化亜鉛薄膜製造方法、およびこの方法で製造した帯電防止薄膜、紫外線カット薄膜、透明電極薄膜
TWI465401B (zh) * 2009-04-21 2014-12-21 Tosoh Finechem Corp Doped or undoped zinc oxide thin film manufacturing method and a method for producing the zinc oxide thin film using the same
JP5515144B2 (ja) * 2009-05-12 2014-06-11 東ソー・ファインケム株式会社 ドープ酸化亜鉛薄膜形成用組成物及びドープ酸化亜鉛薄膜の製造方法
WO2010131621A1 (ja) * 2009-05-12 2010-11-18 国立大学法人 宮崎大学 ドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物、酸化亜鉛薄膜の製造方法、帯電防止薄膜、紫外線カット薄膜、透明電極薄膜
RU2542977C2 (ru) * 2009-10-15 2015-02-27 Аркема Инк. НАНЕСЕНИЕ ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ZnO НА ПОЛИМЕРНЫЕ ПОДЛОЖКИ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ УФ
DE102012203212A1 (de) * 2012-03-01 2013-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beschichtungsanlage und verfahren zur durchführung eines aufwachsprozesses
KR101466842B1 (ko) * 2012-11-28 2014-11-28 코닝정밀소재 주식회사 투명전극용 산화아연계 박막 제조방법
KR20150019623A (ko) * 2013-08-14 2015-02-25 코닝정밀소재 주식회사 산화아연계 박막 증착방법
JP6564994B2 (ja) * 2015-08-26 2019-08-28 株式会社アルバック 抗菌部材の形成方法、および、抗菌部材
EP3715499A1 (en) * 2019-03-29 2020-09-30 Picosun Oy Substrate coating

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0682625B2 (ja) * 1985-06-04 1994-10-19 シーメンス ソーラー インダストリーズ，エル．ピー． 酸化亜鉛膜の蒸着方法
JPS62284078A (ja) * 1987-05-22 1987-12-09 Oki Electric Ind Co Ltd 化学気相成長方法
US5126921A (en) * 1990-07-06 1992-06-30 Akira Fujishima Electronic component and a method for manufacturing the same
JP2545306B2 (ja) * 1991-03-11 1996-10-16 誠 小長井 ＺｎＯ透明導電膜の製造方法
US5324365A (en) * 1991-09-24 1994-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell
US6258170B1 (en) * 1997-09-11 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Vaporization and deposition apparatus
JP3394488B2 (ja) 2000-01-24 2003-04-07 星和電機株式会社 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
US7368014B2 (en) * 2001-08-09 2008-05-06 Micron Technology, Inc. Variable temperature deposition methods
KR20030025354A (ko) 2001-09-20 2003-03-29 한국과학기술연구원 청색발광 ＺｎＯ 박막형광체의 제조방법
JP2004323941A (ja) 2003-04-25 2004-11-18 Central Glass Co Ltd 酸化亜鉛膜の成膜方法
US7192802B2 (en) * 2004-10-29 2007-03-20 Sharp Laboratories Of America, Inc. ALD ZnO seed layer for deposition of ZnO nanostructures on a silicon substrate

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9598768B2 (en) 2008-09-24 2017-03-21 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Method of forming zinc oxide film (ZnO) or magnesium zinc oxide film (ZnMgO) and apparatus for forming zinc oxide film or magnesium zinc oxide film
CN104379806A (zh) * 2012-03-16 2015-02-25 皮尔金顿集团有限公司 用于沉积氧化锌涂层的化学气相沉积工艺、用于形成导电玻璃制品的方法以及由此制成的涂覆玻璃制品
CN104379806B (zh) * 2012-03-16 2017-06-09 皮尔金顿集团有限公司 用于沉积氧化锌涂层的化学气相沉积工艺、用于形成导电玻璃制品的方法以及由此制成的涂覆玻璃制品
CN103710680A (zh) * 2012-10-09 2014-04-09 三星康宁精密素材株式会社 氧化锌前驱体和利用该前驱体沉积氧化锌类薄膜的方法
US9514857B2 (en) 2012-10-09 2016-12-06 Corning Precision Materials Co., Ltd. Zinc oxide precursor and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same

Also Published As

Publication number Publication date
TW200704818A (en) 2007-02-01
EP1728893B1 (en) 2011-04-13
JP2006336062A (ja) 2006-12-14
US20060275948A1 (en) 2006-12-07
DE602006021256D1 (zh) 2011-05-26
TWI332531B (en) 2010-11-01
EP1728893A3 (en) 2007-09-05
JP4699092B2 (ja) 2011-06-08
EP1728893A2 (en) 2006-12-06
KR20060125500A (ko) 2006-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1873051A (zh) 氧化锌膜的成膜方法
JP6080167B2 (ja) 薄膜トランジスタ用途に用いられる砒化ガリウムに基づく材料
TW200814157A (en) Overall defect reduction for PECVD films
US20100140756A1 (en) Apparatus for manufacturing silicon oxide thin film and method for forming the silicon oxide thin film
CN104603327A (zh) 含有钼的薄膜的制造方法、薄膜形成用原料及钼酰亚胺化合物
KR20090057067A (ko) 저 저항률의 도핑된 아연 산화물 코팅의 제조 방법 및 그에의해 형성된 물품
CN101235485A (zh) 纳米金刚石薄膜窗口的制备方法
CN101139700A (zh) 氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法
RU2447031C2 (ru) Способ нанесения покрытия из оксида цинка на изделие (варианты)
TW201231404A (en) Composition for production of oxide thin films and method for producing oxide thin films by using said composition
US20230142848A1 (en) Zinc compound, thin-film forming raw material, thin-film, and method of producing thin-film
JP2009536144A (ja) 基板上に酸化亜鉛コーティングを堆積させる方法
JP4508702B2 (ja) 成膜方法
TWI709658B (zh) 氧化石墨烯沉積源及利用其的氧化石墨烯薄膜形成方法
CN101052615A (zh) 金属化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法
US8858694B2 (en) Zinc oxide precursor containing alkyl zinc halide and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same
JP5583529B2 (ja) 金属化合物及び薄膜形成用原料
KR101344856B1 (ko) 아연주석산화물 박막의 제조방법
RU2397572C1 (ru) Способ получения пленочных покрытий оксида олова на подложках
CN110923632B (zh) 一种二维层状材料的制备方法及装置
WO2020203636A1 (ja) 原子層エッチングのためのエッチング材料
US20240060177A1 (en) Indium compound, thin-film forming raw material, thin film, and method of producing same
WO2017090599A1 (ja) 傾斜組成膜、それを具備しているガスバリアー性フィルム及び電子デバイス
CN118317660A (zh) 一种钙钛矿光电器件修饰层和相应电池模组的制备方法
CN104673291A (zh) 氮锆酸盐发光薄膜、电致发光器件及二者的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20061206