JPS62284078A - 化学気相成長方法 - Google Patents
化学気相成長方法Info
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- JPS62284078A JPS62284078A JP12390687A JP12390687A JPS62284078A JP S62284078 A JPS62284078 A JP S62284078A JP 12390687 A JP12390687 A JP 12390687A JP 12390687 A JP12390687 A JP 12390687A JP S62284078 A JPS62284078 A JP S62284078A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
本発明は複数のガス導入管を設けて、選択的にガスを噴
出し基板上に混成膜を形成するようにした化学気相成長
方法に関するものである。
出し基板上に混成膜を形成するようにした化学気相成長
方法に関するものである。
（従来の技術）
基板上にＺｎＯとＳｉＯ□の混成膜を形成する従来の化
学気相成長装置を第２図に示す。
学気相成長装置を第２図に示す。
第２図は従来の装置の主要部を説明する一部切断した斜
視図である。図においてｌは基板回転石英板、２はガス
導入管、３は石英板、４はヒータ、５は基板回転石英板
１上に載置された基板、６は基板回転石英板１の回転方
向を示している。
視図である。図においてｌは基板回転石英板、２はガス
導入管、３は石英板、４はヒータ、５は基板回転石英板
１上に載置された基板、６は基板回転石英板１の回転方
向を示している。
石英板３とその下方に距離をおいて平行に設けた中心に
六１−１を有する基板回転石英板１とその下に設けたヒ
ータ４と該基板回転石英板１の中心の穴１−１に遊挿さ
れ、側面２−１に複数の噴出口２−２を有するガス導入
管２とにより反応室が形成されていて、基板回転石英板
１の上面に基板５を載置し、回転手段は図示してないが
、回転方向６に回転するとともにガス導入管２の側面２
−１に設けられている複数の噴出孔２−２からそれまで
の径路は図示してないが、原料ガスと輸送ガスが基板回
転石英板ｌ上の基板５上噴出されて、基板５上にＺｎＯ
と５ｉ０２の混成膜が形成される。
六１−１を有する基板回転石英板１とその下に設けたヒ
ータ４と該基板回転石英板１の中心の穴１−１に遊挿さ
れ、側面２−１に複数の噴出口２−２を有するガス導入
管２とにより反応室が形成されていて、基板回転石英板
１の上面に基板５を載置し、回転手段は図示してないが
、回転方向６に回転するとともにガス導入管２の側面２
−１に設けられている複数の噴出孔２−２からそれまで
の径路は図示してないが、原料ガスと輸送ガスが基板回
転石英板ｌ上の基板５上噴出されて、基板５上にＺｎＯ
と５ｉ０２の混成膜が形成される。
原料ガスは酸素、シラン、ジメチル亜鉛又はジエチル亜
鉛であシ、輸送ガスはアルゴン又は窒素であって、これ
らをガス導入管２にょシ導入手段の図示は省略したが導
入し、原料ガスのシラン、ジメチル亜鉛又はジエチル亜
鉛は基板回転石英板ｌ上で熱分解し、酸化し、基板回転
石英板ｌに載置された基板５上にＺｎＯと５ｉ０２の混
成膜が形成される。
鉛であシ、輸送ガスはアルゴン又は窒素であって、これ
らをガス導入管２にょシ導入手段の図示は省略したが導
入し、原料ガスのシラン、ジメチル亜鉛又はジエチル亜
鉛は基板回転石英板ｌ上で熱分解し、酸化し、基板回転
石英板ｌに載置された基板５上にＺｎＯと５ｉ０２の混
成膜が形成される。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら従来の技術においては、基板回転石英板１
は矢印６方向に回転させてガス導入管２を中心に基板５
は公転するが、ジメチル亜鉛又はジエチル亜鉛は酸素と
激しく反応するため、ガス導入管２内及びその附近で原
料の大部分が反応し、シランガスは、ジメチル亜鉛又は
ジエチル亜鉛に比べて、酸素との反応は遅いのでＺｎＯ
と５ｉ０２混成膜内のＺｎＯと５ｉ０２との混成比は、
回転半径方向に対して、不均一となり、又混成膜中のＺ
ｎＯの割合が非常に小さくなるような欠点があった。
は矢印６方向に回転させてガス導入管２を中心に基板５
は公転するが、ジメチル亜鉛又はジエチル亜鉛は酸素と
激しく反応するため、ガス導入管２内及びその附近で原
料の大部分が反応し、シランガスは、ジメチル亜鉛又は
ジエチル亜鉛に比べて、酸素との反応は遅いのでＺｎＯ
と５ｉ０２混成膜内のＺｎＯと５ｉ０２との混成比は、
回転半径方向に対して、不均一となり、又混成膜中のＺ
ｎＯの割合が非常に小さくなるような欠点があった。
本発明の目的はこれらの欠点を除去するため酸素との反
応の激しいジメチル亜鉛又はジエチル亜鉛を酸素と別々
に基板上に導入して、均一性のあるＺｎＯと５ｉ０２の
混成膜を得る化学気相成長方法を提供することである。
応の激しいジメチル亜鉛又はジエチル亜鉛を酸素と別々
に基板上に導入して、均一性のあるＺｎＯと５ｉ０２の
混成膜を得る化学気相成長方法を提供することである。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明はＺｎＯと５ＩＯ２との混成膜を化学気相成長さ
せるに際し、水平の石英板の中心下方に直立する第１ガ
ス導入管の側面の複数の孔より原料ガスである酸素及び
シランと輸送ガスであるアルゴン又は窒素とを噴出し、
前記第１ガス導入管を中心に有する穴に遊挿して水平に
設けられた基板回転板の上面に、基板を置いて回転させ
、前記基板回転板の下に配置されたヒータにより前記基
板を加熱し、前記基板回転板の上方の半径方向に設けら
れた第２ガス導入管の側面の複数の孔より前記基板上に
原料ガスであるジメチル亜鉛又はジエチル亜鉛と輸送ガ
スであるアルゴン又は窒素を噴出させることによｌ）
ＺｎＯとＳ ｉ Ｏ２との混成膜を成長させるように構
成したものである。
せるに際し、水平の石英板の中心下方に直立する第１ガ
ス導入管の側面の複数の孔より原料ガスである酸素及び
シランと輸送ガスであるアルゴン又は窒素とを噴出し、
前記第１ガス導入管を中心に有する穴に遊挿して水平に
設けられた基板回転板の上面に、基板を置いて回転させ
、前記基板回転板の下に配置されたヒータにより前記基
板を加熱し、前記基板回転板の上方の半径方向に設けら
れた第２ガス導入管の側面の複数の孔より前記基板上に
原料ガスであるジメチル亜鉛又はジエチル亜鉛と輸送ガ
スであるアルゴン又は窒素を噴出させることによｌ）
ＺｎＯとＳ ｉ Ｏ２との混成膜を成長させるように構
成したものである。
（作用）
基板上にＺｎＯと５ｉ０２との混成膜を化学気相成長す
る方法を前記の通シ構成し酸素との反応の激しいジメチ
ル亜鉛又はジエチル亜鉛は酸素と別々に基板上に導入さ
れ均一性のあるＺｎＯと５ｉ０２の混成膜を得ることが
できるのである。
る方法を前記の通シ構成し酸素との反応の激しいジメチ
ル亜鉛又はジエチル亜鉛は酸素と別々に基板上に導入さ
れ均一性のあるＺｎＯと５ｉ０２の混成膜を得ることが
できるのである。
（実施例）
本発明の一実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明の一実施例による化学気相成長装置を示
す斜視図であって、該装置の主要部を説明するため一部
切断しである。
す斜視図であって、該装置の主要部を説明するため一部
切断しである。
１５は第２ガス導入管、１５−１は横架部分、１５−２
はガス噴出口である。第２図と同じ部分は同じ符号をつ
けである。
はガス噴出口である。第２図と同じ部分は同じ符号をつ
けである。
第１図に示すように石英板３と、その中心下方に直立す
る第１ガス導入管２と、石英板３の下方に水平に設けら
れておシその中心の穴１−１に第１ガス導入管２が遊挿
されていて、図示されていないが、回転装置によって第
１ガス導入管２を中心として回転方向６に回転されるよ
うになっている基板回転石英板１とその下に配置された
ヒータ４と基板回転石英板１の上方で下面に複数のガス
噴出孔１５−２を有し半径方向に横架するように設けら
れた部分１５−１からなる第２ガス導入管とにより反応
室を形成する。つぎにこの発明のＺｎＯとＳ ｉ Ｏ２
との混成膜の成長方法を説明する。
る第１ガス導入管２と、石英板３の下方に水平に設けら
れておシその中心の穴１−１に第１ガス導入管２が遊挿
されていて、図示されていないが、回転装置によって第
１ガス導入管２を中心として回転方向６に回転されるよ
うになっている基板回転石英板１とその下に配置された
ヒータ４と基板回転石英板１の上方で下面に複数のガス
噴出孔１５−２を有し半径方向に横架するように設けら
れた部分１５−１からなる第２ガス導入管とにより反応
室を形成する。つぎにこの発明のＺｎＯとＳ ｉ Ｏ２
との混成膜の成長方法を説明する。
ガス導入の経路は図示してないが、第１ガス導入管２の
噴出孔２−２よシ原料ガスとして酸素、シラン、及び輸
送ガスとしてアルゴン又は窒素を導入し、第２ガス導入
管１５の噴出孔１５−２よシ原料ガスとしてジメチル亜
鉛又はジエチル亜鉛及び輸送ガスとして同じようにアル
ゴン又は窒素を基板回転石英板１の上面に直接あたるよ
うに噴出する。原料ガスのシラン、ジメチル亜鉛又はジ
エチル亜鉛は、基板回転石英板１上で混合し、熱分解し
、酸化し、基板回転石英板１の上におかれた基板５上に
ＺｎＯとＳ ｉ Ｏ２の混成膜が形成される。基板回転
石英板ｌは矢印６の方向に回転させであるので基板５は
第１ガス導入管を中心にして公転する。酸素との反応の
激しいジメチル亜鉛又はジエチル亜鉛と酸素とを別々の
導入管よシ反応室内に導入するようにしたので、導入途
中でのジメチル亜鉛又はジエチル亜鉛と酸素の反応は防
止され、基板回転石英板１におかれた基板５上にＺｎＯ
と５ｉ０２の混成膜が形成される。
噴出孔２−２よシ原料ガスとして酸素、シラン、及び輸
送ガスとしてアルゴン又は窒素を導入し、第２ガス導入
管１５の噴出孔１５−２よシ原料ガスとしてジメチル亜
鉛又はジエチル亜鉛及び輸送ガスとして同じようにアル
ゴン又は窒素を基板回転石英板１の上面に直接あたるよ
うに噴出する。原料ガスのシラン、ジメチル亜鉛又はジ
エチル亜鉛は、基板回転石英板１上で混合し、熱分解し
、酸化し、基板回転石英板１の上におかれた基板５上に
ＺｎＯとＳ ｉ Ｏ２の混成膜が形成される。基板回転
石英板ｌは矢印６の方向に回転させであるので基板５は
第１ガス導入管を中心にして公転する。酸素との反応の
激しいジメチル亜鉛又はジエチル亜鉛と酸素とを別々の
導入管よシ反応室内に導入するようにしたので、導入途
中でのジメチル亜鉛又はジエチル亜鉛と酸素の反応は防
止され、基板回転石英板１におかれた基板５上にＺｎＯ
と５ｉ０２の混成膜が形成される。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、酸素との反応の激
しいジメチル亜鉛又はジエチル亜鉛を酸素とちがった第
２ガス導入管で反応室内に導入し、直接基板にあたるよ
うに噴出するから基板上に形成されるＺｎＯと＄１０２
との混成膜内のＺｎＯと５ｉ０２の混成比は回転半径方
向に対して不均一とならず、混成膜内の均一性を保持で
きるばかりでなく、混成膜中のＺｎＯの割合を大きくで
きるという利点があり、均一性混成比の選択性にすぐれ
ているので良質なＺｎＯと８１０２の混成膜の形成に利
用できるという効果がある。
しいジメチル亜鉛又はジエチル亜鉛を酸素とちがった第
２ガス導入管で反応室内に導入し、直接基板にあたるよ
うに噴出するから基板上に形成されるＺｎＯと＄１０２
との混成膜内のＺｎＯと５ｉ０２の混成比は回転半径方
向に対して不均一とならず、混成膜内の均一性を保持で
きるばかりでなく、混成膜中のＺｎＯの割合を大きくで
きるという利点があり、均一性混成比の選択性にすぐれ
ているので良質なＺｎＯと８１０２の混成膜の形成に利
用できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例による化学気相成長装置を示
す一部切断斜視図、第２図は従来の化学気相成長装置の
一部切断した主要部斜視図である。 ｌ・・・基板回転石英板、１−１・・・穴、２・・・ガ
ス導入管、２−１・・・側面、２−２・・・ガス噴出口
、３・・・石英板、４・・・ヒータ、５・・・基板、６
・・・回転方向、１５・・・第２ガス導入管、１５−１
・・・横架部分、１５〜２・・・ガス噴出口。
す一部切断斜視図、第２図は従来の化学気相成長装置の
一部切断した主要部斜視図である。 ｌ・・・基板回転石英板、１−１・・・穴、２・・・ガ
ス導入管、２−１・・・側面、２−２・・・ガス噴出口
、３・・・石英板、４・・・ヒータ、５・・・基板、６
・・・回転方向、１５・・・第２ガス導入管、１５−１
・・・横架部分、１５〜２・・・ガス噴出口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 水平の石英板の中心下方に直立する第１ガス導入管の側
面の複数の孔より原料ガスである酸素及びシランと輸送
ガスであるアルゴン又は窒素とを噴出し、 前記第１ガス導入管を中心に有する穴に遊挿して水平に
設けられた基板回転板の上面に、基板を置いて回転させ
、 前記基板回転板の下に配置されたヒータにより前記基板
を加熱し、 前記基板回転板の上方の半径方向に設けられた第２ガス
導入管の側面の複数の孔より前記基板上に原料ガスであ
るジメチル亜鉛又はジエチル亜鉛と輸送ガスであるアル
ゴン又は窒素を噴出してＺｎＯとＳｉＯ＿２との混成膜
を形成することを特徴とする化学気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12390687A JPS62284078A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 化学気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12390687A JPS62284078A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 化学気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62284078A true JPS62284078A (ja) | 1987-12-09 |
| JPS646270B2 JPS646270B2 (ja) | 1989-02-02 |
Family
ID=14872268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12390687A Granted JPS62284078A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 化学気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62284078A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0636705A2 (en) * | 1993-07-27 | 1995-02-01 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | A vertical type vapor phase growth apparatus |
| US6812157B1 (en) * | 1999-06-24 | 2004-11-02 | Prasad Narhar Gadgil | Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition |
| JP2006336062A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Japan Pionics Co Ltd | 酸化亜鉛膜の成膜方法 |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP12390687A patent/JPS62284078A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0636705A2 (en) * | 1993-07-27 | 1995-02-01 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | A vertical type vapor phase growth apparatus |
| EP0636705A3 (en) * | 1993-07-27 | 1996-03-13 | Shinetsu Handotai Kk | Vertical vapor deposition device. |
| US6812157B1 (en) * | 1999-06-24 | 2004-11-02 | Prasad Narhar Gadgil | Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition |
| JP2006336062A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Japan Pionics Co Ltd | 酸化亜鉛膜の成膜方法 |
| JP4699092B2 (ja) * | 2005-06-01 | 2011-06-08 | 日本パイオニクス株式会社 | 酸化亜鉛膜の成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS646270B2 (ja) | 1989-02-02 |
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