JPS6179773A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6179773A JPS6179773A JP20317884A JP20317884A JPS6179773A JP S6179773 A JPS6179773 A JP S6179773A JP 20317884 A JP20317884 A JP 20317884A JP 20317884 A JP20317884 A JP 20317884A JP S6179773 A JPS6179773 A JP S6179773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gaseous
- reaction
- ports
- sih4
- cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45576—Coaxial inlets for each gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/42—Silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＣＶＤ装置の反応ガスの噴出構造に関するもの
であり、特に、複数の反応ガスを導入してＣＶＤを行う
場合に、それらの反応ガスが相互に反応しあって固形物
を形成し、その固形物がガス噴出孔を閉塞するためにＣ
ＶＤ作業が円滑に出来ないという欠点があり、これの改
善が要望されている。
であり、特に、複数の反応ガスを導入してＣＶＤを行う
場合に、それらの反応ガスが相互に反応しあって固形物
を形成し、その固形物がガス噴出孔を閉塞するためにＣ
ＶＤ作業が円滑に出来ないという欠点があり、これの改
善が要望されている。
第４図（ａ＋〜第４図（ｂｌは従来のＣＶＤ装置の反応
ガスの噴出孔の構造を説明するための断面図である。
ガスの噴出孔の構造を説明するための断面図である。
第４図（ａｌは、ＣＶＤ装置ｌのなかに、基板２が配置
され、複数の反応ガスが同時に反応ガス供給孔３から供
給されるもので、噴出孔４からガスが噴出され、基板上
でヒータ７に加熱され、加熱反応した後排気孔５から排
気される。
され、複数の反応ガスが同時に反応ガス供給孔３から供
給されるもので、噴出孔４からガスが噴出され、基板上
でヒータ７に加熱され、加熱反応した後排気孔５から排
気される。
第４図中）はＣＶＤ装置ｌのなかに、基板２があり、複
数のガスがそれぞれ別個にガス供給孔５′及び５″から
二種類のガスが供給されて、それぞれの噴出孔６′及び
６″からガスが噴出される場合であって、同様に排気孔
５がある。
数のガスがそれぞれ別個にガス供給孔５′及び５″から
二種類のガスが供給されて、それぞれの噴出孔６′及び
６″からガスが噴出される場合であって、同様に排気孔
５がある。
このように二種類の反応ガスの噴出孔が近接して配置さ
れ、且つ配置された高さがほぼ同レベルであると、二種
類の反応ガスが容易に反応して固形物を生成しやすくな
る。
れ、且つ配置された高さがほぼ同レベルであると、二種
類の反応ガスが容易に反応して固形物を生成しやすくな
る。
例えば、ＣＶＤ装置でタングステンシリサイド（ＷＳｉ
）を形成するために、六弗化タングステ：、’ （ＷＦ
６）とシラ７（ＳｉＨ４）を同時ニＣｖＤ装置に供給し
て基板上で反応させるが、下記の化学反応が進行する。
）を形成するために、六弗化タングステ：、’ （ＷＦ
６）とシラ７（ＳｉＨ４）を同時ニＣｖＤ装置に供給し
て基板上で反応させるが、下記の化学反応が進行する。
ＷＦ６＋ ＳｉＨ４−ＷＳｉｘ ＋ ＨＰ ＋Ｈ２この
−Ｓｉｘは固形物であり、反応ガスの噴出孔を目すまり
又は閉塞してしまい、特に長時間ＣＶＤ装置を使用する
とこの弊害が大きく、安定な製造が不可能になるという
欠点があった。
−Ｓｉｘは固形物であり、反応ガスの噴出孔を目すまり
又は閉塞してしまい、特に長時間ＣＶＤ装置を使用する
とこの弊害が大きく、安定な製造が不可能になるという
欠点があった。
上記の構成のＣＶＤ装置のガスの供給孔と噴出孔の構造
では、複数のガスが濃度の高い部分で近接して噴射され
るために固形物ができることが問題点であり、そのため
に噴出孔が閉塞するという不具合を生ずる。
では、複数のガスが濃度の高い部分で近接して噴射され
るために固形物ができることが問題点であり、そのため
に噴出孔が閉塞するという不具合を生ずる。
〔問題点を解決するための手酌
本発明は、上記問題点を解消したＣＶＤ装置のガスの導
入構造を提供するもので、その手段は、複数の反応ガス
によって気相成長が行われるＣＶＤ装置において、上記
それぞれの反応ガスの噴射孔を噴出方向に対して高さの
異なる位置に設け、上記複数の反応ガスが噴出孔の部分
で反応しないようにしたことを特徴とするＣＶＤ装置の
ガスの導入構造によって達成できる。
入構造を提供するもので、その手段は、複数の反応ガス
によって気相成長が行われるＣＶＤ装置において、上記
それぞれの反応ガスの噴射孔を噴出方向に対して高さの
異なる位置に設け、上記複数の反応ガスが噴出孔の部分
で反応しないようにしたことを特徴とするＣＶＤ装置の
ガスの導入構造によって達成できる。
本発明は、二種類の反応ガスの噴出を別個の供給系で供
給し、且つ噴出方向に対し高さのレベルを異なる比較的
離した間隔にそれぞれの噴出孔を設けることにより、反
応ガス相互の化学反応を阻止して、反応生成固形物が噴
射孔を閉塞するのを防止するように考慮したものである
。
給し、且つ噴出方向に対し高さのレベルを異なる比較的
離した間隔にそれぞれの噴出孔を設けることにより、反
応ガス相互の化学反応を阻止して、反応生成固形物が噴
射孔を閉塞するのを防止するように考慮したものである
。
第１図（ａｌと第１図中）は本発明のＣＶＤ装置のガス
の供給孔の実施例を説明するための断面図及び平面図で
ある。
の供給孔の実施例を説明するための断面図及び平面図で
ある。
第１図（ａｌのＣＶＤ装置における反応ガスの供給装置
１１に、シランの反応ガスを供給する配管１２と六弗化
タングステンの反応ガスを供給する配管１３を別々に設
け、その噴出部分は配管１３については、複数の直径１
１Ｔｌｌｎ程度の孔を設けた噴射孔１４と、配管１２に
ついては噴出孔１４の面よりも長く突出させた複数の噴
出筒１５を周辺部に設けて、その噴出筒１５に、内部方
向に直径が約 ｍｍの多数の噴射孔１６を設けている。
１１に、シランの反応ガスを供給する配管１２と六弗化
タングステンの反応ガスを供給する配管１３を別々に設
け、その噴出部分は配管１３については、複数の直径１
１Ｔｌｌｎ程度の孔を設けた噴射孔１４と、配管１２に
ついては噴出孔１４の面よりも長く突出させた複数の噴
出筒１５を周辺部に設けて、その噴出筒１５に、内部方
向に直径が約 ｍｍの多数の噴射孔１６を設けている。
第１図（ｂ）は、本装置の下面の平面図を示している。
第２図は本発明の他の実施例を示しているが、ＣＶＤ装
置の内部に、六弗化タングステンの配管２１を配置して
、その下部の噴出面２２に噴出孔２３を設け、その噴出
孔２３の高さのレベルよりも２〜３ｃｍの低位置にリン
グ状の円筒２４を配置して、配管２５より供給された反
応ガスであるシランガスを、リング状の円筒２４の内側
に噴射されるように設けた噴出孔２６により噴射させる
ことにより、シランは軽く、−力水弗化タングステンの
重いので、双方の反応ガスが容器内部全体に拡散してほ
ぼ均一な濃度に混合される。
置の内部に、六弗化タングステンの配管２１を配置して
、その下部の噴出面２２に噴出孔２３を設け、その噴出
孔２３の高さのレベルよりも２〜３ｃｍの低位置にリン
グ状の円筒２４を配置して、配管２５より供給された反
応ガスであるシランガスを、リング状の円筒２４の内側
に噴射されるように設けた噴出孔２６により噴射させる
ことにより、シランは軽く、−力水弗化タングステンの
重いので、双方の反応ガスが容器内部全体に拡散してほ
ぼ均一な濃度に混合される。
第３図（ａ）と第３図中）は他の実施例の断面図と平面
図であって、シランと六弗化タングステンの配管系とそ
れに接続される噴出孔が、二段構造とされており、これ
により二種類の反応ガスが分離されるようにしたもので
ある。
図であって、シランと六弗化タングステンの配管系とそ
れに接続される噴出孔が、二段構造とされており、これ
により二種類の反応ガスが分離されるようにしたもので
ある。
配管３１の反応ガスの噴出面３２は円形であり、それぞ
れの噴出孔３３の間隔を２ｃｍ程度にして噴出面の全面
に噴出孔を設けである。
れの噴出孔３３の間隔を２ｃｍ程度にして噴出面の全面
に噴出孔を設けである。
一方、配管３４は他の反応ガスを供給するものであり、
反応ガス噴出面３５は枠型配管３６として、上面の噴出
面３２からの反応ガスを遮蔽しないように考慮されてい
て、この枠型構造の配管に反応ガスの噴出孔３７が設け
られている。
反応ガス噴出面３５は枠型配管３６として、上面の噴出
面３２からの反応ガスを遮蔽しないように考慮されてい
て、この枠型構造の配管に反応ガスの噴出孔３７が設け
られている。
このような構造により双方の反応ガスが噴射孔の部分で
固形物を形成し、噴出孔を閉塞することなく、均一な膜
を形成する信頼性の高い製造が行われる。
固形物を形成し、噴出孔を閉塞することなく、均一な膜
を形成する信頼性の高い製造が行われる。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明の気相成長装置は、噴
射孔の閉塞等の事故のない信頼性の高い装置になり、こ
れで気相成長される基板には均一な膜厚の成長がなされ
るという効果大なるものがある。
射孔の閉塞等の事故のない信頼性の高い装置になり、こ
れで気相成長される基板には均一な膜厚の成長がなされ
るという効果大なるものがある。
第１図、第２図、第３図は本発明の気相成長装置の反応
ガスの供給系を説明するための断面および平面図、 第４図は従来の気相成長装置の反応ガスの供給系を説明
するための断面および平面図、図において、１１は反応
ガスの供給装置、１２．１３は配管、１４は噴出孔、１
５は噴出筒、１６は噴出孔、２１は配管、２２は噴出面
、２３は噴出孔、２４はリング状の円筒、２５は配管、
２６は噴出孔、３１は配管、３２は噴出面、３３は噴出
孔、３４は配管、３５は噴出面、３６は枠型配管、３７
は噴出孔である。 第１図 第２図 第３厘
ガスの供給系を説明するための断面および平面図、 第４図は従来の気相成長装置の反応ガスの供給系を説明
するための断面および平面図、図において、１１は反応
ガスの供給装置、１２．１３は配管、１４は噴出孔、１
５は噴出筒、１６は噴出孔、２１は配管、２２は噴出面
、２３は噴出孔、２４はリング状の円筒、２５は配管、
２６は噴出孔、３１は配管、３２は噴出面、３３は噴出
孔、３４は配管、３５は噴出面、３６は枠型配管、３７
は噴出孔である。 第１図 第２図 第３厘
Claims (1)
- 複数の反応ガスによって気相成長が行われるＣＶＤ装
置において、上記それぞれの反応ガスの噴射孔を噴出方
向に対して高さの異なる位置に設け、上記複数の反応ガ
スが噴出孔の領域で反応しないようにしたことを特徴と
するＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20317884A JPS6179773A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20317884A JPS6179773A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6179773A true JPS6179773A (ja) | 1986-04-23 |
Family
ID=16469746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20317884A Pending JPS6179773A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6179773A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5010842A (en) * | 1988-10-25 | 1991-04-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming thin film |
| US5624498A (en) * | 1993-12-22 | 1997-04-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Showerhead for a gas supplying apparatus |
| WO1999020811A1 (en) * | 1997-10-17 | 1999-04-29 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a process chamber employing asymmetric flow geometries |
| US6444039B1 (en) * | 2000-03-07 | 2002-09-03 | Simplus Systems Corporation | Three-dimensional showerhead apparatus |
| JP2007277723A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-25 | Genus Inc | 反応炉に均一な気体運搬を行う方法および装置 |
-
1984
- 1984-09-27 JP JP20317884A patent/JPS6179773A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5010842A (en) * | 1988-10-25 | 1991-04-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming thin film |
| US5624498A (en) * | 1993-12-22 | 1997-04-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Showerhead for a gas supplying apparatus |
| WO1999020811A1 (en) * | 1997-10-17 | 1999-04-29 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a process chamber employing asymmetric flow geometries |
| US6110556A (en) * | 1997-10-17 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a process chamber employing asymmetric flow geometries |
| US6444039B1 (en) * | 2000-03-07 | 2002-09-03 | Simplus Systems Corporation | Three-dimensional showerhead apparatus |
| JP2007277723A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-25 | Genus Inc | 反応炉に均一な気体運搬を行う方法および装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6086677A (en) | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system | |
| US6921437B1 (en) | Gas distribution system | |
| US6022414A (en) | Single body injector and method for delivering gases to a surface | |
| US11286566B2 (en) | Apparatus for deposition of a III-V semiconductor layer | |
| EP0637058B1 (en) | Method of supplying reactant gas to a substrate processing apparatus | |
| US20060021703A1 (en) | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system | |
| US8298370B2 (en) | Apparatus for chemical vapor deposition (CVD) with showerhead | |
| KR100332314B1 (ko) | 박막증착용 반응용기 | |
| US20060011298A1 (en) | Showerhead with branched gas receiving channel and apparatus including the same for use in manufacturing semiconductor substrates | |
| JP2001323377A (ja) | 半導体ウェーハ処理システムのシャワーヘッドのための上下続きの２つのガスのフェースプレート | |
| JP2002518839A5 (ja) | ||
| US9427762B2 (en) | Gas injector and cover plate assembly for semiconductor equipment | |
| JPS63227011A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JP2007277723A (ja) | 反応炉に均一な気体運搬を行う方法および装置 | |
| MY115858A (en) | Method and apparatus for purging barrel reactors | |
| JPH02187018A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPS6179773A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPS615515A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| EP0396239A3 (en) | Apparatus for producing semiconductors by vapour phase deposition | |
| US8043577B2 (en) | Method and device for nozzle-jetting oxygen into a synthesis reactor | |
| JP2004158499A (ja) | 成膜装置 | |
| CN213624369U (zh) | 气体喷洒部件以及薄膜沉积装置 | |
| JP3081860B2 (ja) | 化学気相成長装置及び半導体装置の製造方法 | |
| EP3697943B1 (en) | Nozzle head | |
| JP2002164336A (ja) | ガスインジェクタ及び成膜装置 |