JP3081860B2 - 化学気相成長装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
化学気相成長装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JP3081860B2 JP3081860B2 JP04272897A JP27289792A JP3081860B2 JP 3081860 B2 JP3081860 B2 JP 3081860B2 JP 04272897 A JP04272897 A JP 04272897A JP 27289792 A JP27289792 A JP 27289792A JP 3081860 B2 JP3081860 B2 JP 3081860B2
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- cavity
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置を製造す
るために使用され、半導体ウエハ上に薄膜を形成する化
学気相成長装置及び半導体装置の製造方法に関するもの
である。
るために使用され、半導体ウエハ上に薄膜を形成する化
学気相成長装置及び半導体装置の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の化学気相成長装置の一例を
示す断面図であり、２種類の反応ガスを用いた例を示し
ている。図において、１は反応室、２は反応室１内に収
容された半導体ウエハ、３は半導体ウエハ２を支持し加
熱する加熱ステージ、４は反応室１内に臨んで設けられ
半導体ウエハ２の主面に対向しているガスヘッドであ
り、このガスヘッド４は、内部に空洞部５を有してい
る。
示す断面図であり、２種類の反応ガスを用いた例を示し
ている。図において、１は反応室、２は反応室１内に収
容された半導体ウエハ、３は半導体ウエハ２を支持し加
熱する加熱ステージ、４は反応室１内に臨んで設けられ
半導体ウエハ２の主面に対向しているガスヘッドであ
り、このガスヘッド４は、内部に空洞部５を有してい
る。
【０００３】６はガスヘッド４の半導体ウエハ２に対向
する面に設けられた多数の噴出孔であり、これらの噴出
孔６は、半導体ウエハ２の主面全体に及ぶ範囲に、一定
間隔で設けられている。７はガスヘッド４の上面に設け
られ反応ガスを空洞部５に導入するための導入孔であ
る。
する面に設けられた多数の噴出孔であり、これらの噴出
孔６は、半導体ウエハ２の主面全体に及ぶ範囲に、一定
間隔で設けられている。７はガスヘッド４の上面に設け
られ反応ガスを空洞部５に導入するための導入孔であ
る。
【０００４】８は一端部がガスヘッド４の導入孔７に接
続され反応ガスをガスヘッド４内に導入するガス導入配
管、９はガス導入配管８の他端部に接続され２種類の反
応ガスを混合するための予混合ボックス、１０は一方の
反応ガス（例えばＴＥＯＳ：Ｔetraethylorthosilcat
e）を予混合ボックス９に導入する第１の配管、１１は
他方の反応ガス（例えばオゾン）を予混合ボックス９に
導入する第２の配管、１２は反応室１の外周部に設けら
れている排気口である。
続され反応ガスをガスヘッド４内に導入するガス導入配
管、９はガス導入配管８の他端部に接続され２種類の反
応ガスを混合するための予混合ボックス、１０は一方の
反応ガス（例えばＴＥＯＳ：Ｔetraethylorthosilcat
e）を予混合ボックス９に導入する第１の配管、１１は
他方の反応ガス（例えばオゾン）を予混合ボックス９に
導入する第２の配管、１２は反応室１の外周部に設けら
れている排気口である。
【０００５】次に、動作について説明する。２種類の反
応ガスは、それぞれ第１及び第２の配管１０，１１を通
って予混合ボックス９に送り込まれる。通常、これらの
反応ガスは、Ｎ2 等の不活性ガスにより希釈化して使用
される。予混合ボックス９に入った反応ガスは、ガス導
入配管８を経て導入孔７からガスヘッド４内の空洞部５
に導入される。このとき、２種類の反応ガスは、予混合
ボックス９へ入る際の流路の急拡大の作用と、ガス導入
配管８へ入る際の流路の急縮小の作用とにより、乱流を
生じて互いに混合される。また、ガス導入配管８の中を
流れる間にも、層流混合や乱流混合を生じながらガスヘ
ッド４へ送り込まれる。
応ガスは、それぞれ第１及び第２の配管１０，１１を通
って予混合ボックス９に送り込まれる。通常、これらの
反応ガスは、Ｎ2 等の不活性ガスにより希釈化して使用
される。予混合ボックス９に入った反応ガスは、ガス導
入配管８を経て導入孔７からガスヘッド４内の空洞部５
に導入される。このとき、２種類の反応ガスは、予混合
ボックス９へ入る際の流路の急拡大の作用と、ガス導入
配管８へ入る際の流路の急縮小の作用とにより、乱流を
生じて互いに混合される。また、ガス導入配管８の中を
流れる間にも、層流混合や乱流混合を生じながらガスヘ
ッド４へ送り込まれる。
【０００６】このようにして混合されガスヘッド４に導
入された反応ガスは、噴出孔６を適当な孔径にしておく
ことにより空洞部５に溜め込まれ、各噴出孔６から半導
体ウエハ２の主面全体に向けて噴出される。このとき、
加熱ステージ３により半導体ウエハ２を加熱しておくこ
とにより、熱化学反応が生じ、半導体ウエハ２の主面全
体に薄膜（例えばＳｉＯ2膜）が形成される。また、未
反応のまま残された反応ガスは、加熱ステージ３の外周
方向に設けられた排気口１２を介して反応室１外に排出
される。
入された反応ガスは、噴出孔６を適当な孔径にしておく
ことにより空洞部５に溜め込まれ、各噴出孔６から半導
体ウエハ２の主面全体に向けて噴出される。このとき、
加熱ステージ３により半導体ウエハ２を加熱しておくこ
とにより、熱化学反応が生じ、半導体ウエハ２の主面全
体に薄膜（例えばＳｉＯ2膜）が形成される。また、未
反応のまま残された反応ガスは、加熱ステージ３の外周
方向に設けられた排気口１２を介して反応室１外に排出
される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の化学気相成長装置においては、ガスヘッド４か
ら離れた予混合ボックス９において２種類の反応ガスが
混合されるため、ガス導入配管８の内部において２種類
の反応ガスが化学反応してしまい、ガス導入配管８の内
部に反応生成物（例えばＳｉＯ2）が付着し、ガス導入
配管８が徐々に詰まってしまうという問題点があった。
また、ガス導入配管８の内部を清掃することは非常に困
難であるという問題点もあった。
た従来の化学気相成長装置においては、ガスヘッド４か
ら離れた予混合ボックス９において２種類の反応ガスが
混合されるため、ガス導入配管８の内部において２種類
の反応ガスが化学反応してしまい、ガス導入配管８の内
部に反応生成物（例えばＳｉＯ2）が付着し、ガス導入
配管８が徐々に詰まってしまうという問題点があった。
また、ガス導入配管８の内部を清掃することは非常に困
難であるという問題点もあった。
【０００８】さらに、清掃のためにガス導入配管８を装
置から取り外す場合には、予混合ボックス９の出口に設
けられたバルブ（図示せず）を閉じる必要があるが、各
反応ガスの供給を止める前に誤って上記のバルブを閉じ
てしまうと、第１及び第２の配管１０，１１が予混合ボ
ックス９で連通しているため、圧力の高い方の反応ガス
が低い方の側へ流入してしまうという問題点もあった。
置から取り外す場合には、予混合ボックス９の出口に設
けられたバルブ（図示せず）を閉じる必要があるが、各
反応ガスの供給を止める前に誤って上記のバルブを閉じ
てしまうと、第１及び第２の配管１０，１１が予混合ボ
ックス９で連通しているため、圧力の高い方の反応ガス
が低い方の側へ流入してしまうという問題点もあった。
【０００９】これに対して、図７に示すように、ガスヘ
ッド４に導入孔７を２つ設け、それぞれにガス導入配管
８を接続することにより、２種類の反応ガスを別々の経
路からガスヘッド４内に導入して空洞部５内で混合する
方法も考えられるが、この方法では、２種類の反応ガス
が十分に混合しきらず、結果として膜厚均一性が悪化す
るという別の問題が生じてしまう。また、図６及び図７
のいずれの例においても、ガスヘッド４に導入された反
応ガスは、空洞部５内での滞留時間が短いため、十分に
拡散されないまま噴出孔６から噴出されてしまい、噴出
圧力が半導体ウエハ２の主面全体に対して十分に均一で
はなく、従って膜厚均一性が悪化するという問題点があ
った。
ッド４に導入孔７を２つ設け、それぞれにガス導入配管
８を接続することにより、２種類の反応ガスを別々の経
路からガスヘッド４内に導入して空洞部５内で混合する
方法も考えられるが、この方法では、２種類の反応ガス
が十分に混合しきらず、結果として膜厚均一性が悪化す
るという別の問題が生じてしまう。また、図６及び図７
のいずれの例においても、ガスヘッド４に導入された反
応ガスは、空洞部５内での滞留時間が短いため、十分に
拡散されないまま噴出孔６から噴出されてしまい、噴出
圧力が半導体ウエハ２の主面全体に対して十分に均一で
はなく、従って膜厚均一性が悪化するという問題点があ
った。
【００１０】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、複数種の反応
ガスを十分に混合しつつ、清掃を容易にしてメンテナン
ス性を向上させることができ、また噴出孔から噴出され
る反応ガスの圧力を均一化することができ、この結果形
成される薄膜の膜厚の均一性を向上させることができる
化学気相成長装置及び半導体装置の製造方法を得ること
を目的とする。
ることを課題としてなされたものであり、複数種の反応
ガスを十分に混合しつつ、清掃を容易にしてメンテナン
ス性を向上させることができ、また噴出孔から噴出され
る反応ガスの圧力を均一化することができ、この結果形
成される薄膜の膜厚の均一性を向上させることができる
化学気相成長装置及び半導体装置の製造方法を得ること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る化
学気相成長装置は、半導体ウエハを収容する反応室と、
この反応室内に臨んで設けられ、空洞部、複数種の反応
ガスを導入するための複数の導入孔及び反応ガスを半導
体ウエハに向けて噴出するための多数の噴出孔を有して
いるガスヘッドと、このガスヘッド内の導入孔の出口部
分に着脱可能に取り付けられ、複数種の反応ガスを合流
させた後、複数の曲がり角を含むガス通路により混合し
て空洞部に噴出する混合器と、空洞部を複数に分割する
ようにガスヘッド内に設けられ、かつ多数の細孔を有し
ており、噴出孔から噴出する反応ガスの圧力を均一化す
るための内部抵抗板とを備えたものである。
学気相成長装置は、半導体ウエハを収容する反応室と、
この反応室内に臨んで設けられ、空洞部、複数種の反応
ガスを導入するための複数の導入孔及び反応ガスを半導
体ウエハに向けて噴出するための多数の噴出孔を有して
いるガスヘッドと、このガスヘッド内の導入孔の出口部
分に着脱可能に取り付けられ、複数種の反応ガスを合流
させた後、複数の曲がり角を含むガス通路により混合し
て空洞部に噴出する混合器と、空洞部を複数に分割する
ようにガスヘッド内に設けられ、かつ多数の細孔を有し
ており、噴出孔から噴出する反応ガスの圧力を均一化す
るための内部抵抗板とを備えたものである。
【００１２】請求項２の発明に係る半導体装置の製造方
法は、半導体ウエハを加熱する工程、複数種の反応ガス
を合流させた後、複数の曲がり角を含むガス通路により
混合してガスヘッドの空洞部内に噴出させる工程、空洞
部内に設けられた内部抵抗板の多数の細孔を通過させる
ことにより、反応ガスの圧力を均一化する工程、及び内
部抵抗板を通過した反応ガスをガスヘッドから加熱され
た半導体ウエハへ向けて噴出させ、半導体ウエハ上に薄
膜を形成する工程を含むものである。
法は、半導体ウエハを加熱する工程、複数種の反応ガス
を合流させた後、複数の曲がり角を含むガス通路により
混合してガスヘッドの空洞部内に噴出させる工程、空洞
部内に設けられた内部抵抗板の多数の細孔を通過させる
ことにより、反応ガスの圧力を均一化する工程、及び内
部抵抗板を通過した反応ガスをガスヘッドから加熱され
た半導体ウエハへ向けて噴出させ、半導体ウエハ上に薄
膜を形成する工程を含むものである。
【００１３】
【００１４】
【００１５】
実施例１．図１は請求項１及び請求項２の発明の一実施
例による化学気相成長装置の断面図であり、図６及び図
７と同一又は相当部分には同一符号を付し、その説明を
省略する。
例による化学気相成長装置の断面図であり、図６及び図
７と同一又は相当部分には同一符号を付し、その説明を
省略する。
【００１６】図において、２１はガスヘッド４内の導入
孔７の出口部分にねじ止めされ２種類の反応ガスを混合
する混合器、２２はガスヘッド４内に互いに間隔をおい
て水平に取り付けられている２枚の内部抵抗板であり、
これらの内部抵抗板２２により、ガスヘッド４内が第１
ないし第３の空洞部５ａ〜５ｃに分割されている。ま
た、各内部抵抗板２２には、噴出孔６と同様の細孔２２
ａが一定間隔で多数設けられている。
孔７の出口部分にねじ止めされ２種類の反応ガスを混合
する混合器、２２はガスヘッド４内に互いに間隔をおい
て水平に取り付けられている２枚の内部抵抗板であり、
これらの内部抵抗板２２により、ガスヘッド４内が第１
ないし第３の空洞部５ａ〜５ｃに分割されている。ま
た、各内部抵抗板２２には、噴出孔６と同様の細孔２２
ａが一定間隔で多数設けられている。
【００１７】図２は図１の混合器２１を示す分解斜視図
である。混合器２１は、本体２３及び蓋２４からなって
いる。これらのうち本体２３には、複数の曲がり角を有
する渦巻状のガス通路２３ａが形成されている。また、
本体２３の中央部には、図３に示すように、各導入孔７
とガス通路２３ａとを連通するガス取入口２３ｂが２つ
設けられている。さらに、ガス通路２３ａの外周側の端
部には、ガス噴出口２３ｃが設けられている。また、混
合器２１は、蓋２４のねじ孔２４ａ及び本体２３のねじ
孔２３ｄを貫通するねじ（図示せず）により、一体に組
み立てられるとともにガスヘッド４に取り付けられる。
である。混合器２１は、本体２３及び蓋２４からなって
いる。これらのうち本体２３には、複数の曲がり角を有
する渦巻状のガス通路２３ａが形成されている。また、
本体２３の中央部には、図３に示すように、各導入孔７
とガス通路２３ａとを連通するガス取入口２３ｂが２つ
設けられている。さらに、ガス通路２３ａの外周側の端
部には、ガス噴出口２３ｃが設けられている。また、混
合器２１は、蓋２４のねじ孔２４ａ及び本体２３のねじ
孔２３ｄを貫通するねじ（図示せず）により、一体に組
み立てられるとともにガスヘッド４に取り付けられる。
【００１８】次に、動作について説明する。別々のガス
導入配管８及び導入孔７を経てガスヘッド４内に導入さ
れた２種類の反応ガスは、ガス取入口２３ｂより混合器
２１内のガス通路２３ａに入る。この後、２種類の反応
ガスは、ともにガス通路２３ａに沿って移動するが、ガ
ス通路２３ａは複数の曲がり角を有しているので、これ
らの曲がり角を通過する度に反応ガスの流れは乱され、
この結果２種類の反応ガスの混合が促進される。そし
て、十分に混合された反応ガスが、ガス噴出口２３ｃか
ら第１の空洞部５ａに噴出される。
導入配管８及び導入孔７を経てガスヘッド４内に導入さ
れた２種類の反応ガスは、ガス取入口２３ｂより混合器
２１内のガス通路２３ａに入る。この後、２種類の反応
ガスは、ともにガス通路２３ａに沿って移動するが、ガ
ス通路２３ａは複数の曲がり角を有しているので、これ
らの曲がり角を通過する度に反応ガスの流れは乱され、
この結果２種類の反応ガスの混合が促進される。そし
て、十分に混合された反応ガスが、ガス噴出口２３ｃか
ら第１の空洞部５ａに噴出される。
【００１９】第１の空洞部５ａへ送り込まれた反応ガス
は、多数の細孔２２ａが設けられた内部抵抗板２２によ
り第１の空洞部５ａに溜め込まれ、次の第２の空洞部５
ｂへ送り込まれる。この後、反応ガスは、第２の空洞部
５ｂ、第３の空洞部５ｃで順次溜め込まれ、最終的には
噴出孔６から半導体ウエハ２へ向けて噴出される。
は、多数の細孔２２ａが設けられた内部抵抗板２２によ
り第１の空洞部５ａに溜め込まれ、次の第２の空洞部５
ｂへ送り込まれる。この後、反応ガスは、第２の空洞部
５ｂ、第３の空洞部５ｃで順次溜め込まれ、最終的には
噴出孔６から半導体ウエハ２へ向けて噴出される。
【００２０】このような化学気相成長装置では、２種類
の反応ガスを別々のガス導入配管８によりガスヘッド４
内の混合器２１に導入しているので、ガス導入配管８内
に反応生成物が付着することはなく、しかも２種類の反
応ガスを十分に混合することが可能である。また、ガス
ヘッド４を清掃する場合には、ガスヘッド４から噴出孔
６を有する部分を取り外して、２枚の内部抵抗板２２を
取り外すので、このとき混合器２１をガスヘッド４から
取り外すことにより、混合器２１の内部の清掃も容易に
行うことができる。
の反応ガスを別々のガス導入配管８によりガスヘッド４
内の混合器２１に導入しているので、ガス導入配管８内
に反応生成物が付着することはなく、しかも２種類の反
応ガスを十分に混合することが可能である。また、ガス
ヘッド４を清掃する場合には、ガスヘッド４から噴出孔
６を有する部分を取り外して、２枚の内部抵抗板２２を
取り外すので、このとき混合器２１をガスヘッド４から
取り外すことにより、混合器２１の内部の清掃も容易に
行うことができる。
【００２１】さらに、ガスヘッド４内が３つの空洞部５
ａ〜５ｃに分割されているので、それぞれの空洞部５ａ
〜５ｃ内で反応ガスが溜め込まれ拡散する。従って、反
応ガスの圧力は空洞部５ａ〜５ｃを経る度に均一化さ
れ、最終的に十分に均一化された圧力で半導体ウエハ２
へ噴出される。この結果、膜厚の均一性が向上すること
になる。
ａ〜５ｃに分割されているので、それぞれの空洞部５ａ
〜５ｃ内で反応ガスが溜め込まれ拡散する。従って、反
応ガスの圧力は空洞部５ａ〜５ｃを経る度に均一化さ
れ、最終的に十分に均一化された圧力で半導体ウエハ２
へ噴出される。この結果、膜厚の均一性が向上すること
になる。
【００２２】実施例２．なお、上記実施例では混合器２
１に設けられた噴出口２３ｃを１箇所だけとしたが、例
えば図４に示すように、混合器２１の外周部に多数の噴
出口２３ｃを設けてもよく、これにより第１の空洞部５
ａにおける反応ガスの拡散を一層促進することができ
る。
１に設けられた噴出口２３ｃを１箇所だけとしたが、例
えば図４に示すように、混合器２１の外周部に多数の噴
出口２３ｃを設けてもよく、これにより第１の空洞部５
ａにおける反応ガスの拡散を一層促進することができ
る。
【００２３】実施例３．また、上記実施例では渦巻状の
ガス通路２３ａを混合器２１内に設けたが、ガス通路の
形状は、反応ガスの流量を許容し、流れを乱すことがで
きれば渦巻状である必要はなく、例えば図５に示すよう
に、蛇行したガス通路２３ｅであってもよい。
ガス通路２３ａを混合器２１内に設けたが、ガス通路の
形状は、反応ガスの流量を許容し、流れを乱すことがで
きれば渦巻状である必要はなく、例えば図５に示すよう
に、蛇行したガス通路２３ｅであってもよい。
【００２４】さらに、上記実施例では内部抵抗板２２を
２枚用いた例を示したが、３枚以上若しくは１枚であっ
てもよく、その枚数は反応ガスの流量、細孔の孔径、ガ
スヘッド４の容積などによって任意に決めることができ
る。
２枚用いた例を示したが、３枚以上若しくは１枚であっ
てもよく、その枚数は反応ガスの流量、細孔の孔径、ガ
スヘッド４の容積などによって任意に決めることができ
る。
【００２５】さらにまた、上記実施例では噴出孔６から
の反応ガスを上方から半導体ウエハ２に吹き付ける方式
の装置について説明したが、半導体ウエハ２の主面を下
方に向け、半導体ウエハ２の下方から反応ガスを上方に
吹き上げる方式、いわゆるフェースダウン方式の装置に
もこの発明は適用できる。この場合、反応ガスは、半導
体ウエハ２で加熱されるため、下方に位置するガスヘッ
ド４の方向に舞い下がることなく半導体ウエハ２の主面
に沿って排気方向へ流れる。従って、加熱された反応ガ
スによりガスヘッド４が汚れることが無くなるという利
点がある。
の反応ガスを上方から半導体ウエハ２に吹き付ける方式
の装置について説明したが、半導体ウエハ２の主面を下
方に向け、半導体ウエハ２の下方から反応ガスを上方に
吹き上げる方式、いわゆるフェースダウン方式の装置に
もこの発明は適用できる。この場合、反応ガスは、半導
体ウエハ２で加熱されるため、下方に位置するガスヘッ
ド４の方向に舞い下がることなく半導体ウエハ２の主面
に沿って排気方向へ流れる。従って、加熱された反応ガ
スによりガスヘッド４が汚れることが無くなるという利
点がある。
【００２６】また、混合器２１のガスヘッド４への取付
方法は、ねじ止めに限定されるものではなく、着脱可能
であれば他の方法で取り付けてもよい。さらに、上記実
施例では使用する反応ガスが２種類の場合について説明
したが、勿論３種類以上の反応ガスを混合して使用する
場合についても、導入孔７やガス取入口２３ａの数を増
やすことにより容易に適用できる。
方法は、ねじ止めに限定されるものではなく、着脱可能
であれば他の方法で取り付けてもよい。さらに、上記実
施例では使用する反応ガスが２種類の場合について説明
したが、勿論３種類以上の反応ガスを混合して使用する
場合についても、導入孔７やガス取入口２３ａの数を増
やすことにより容易に適用できる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明の
化学気相成長装置は、複数種の反応ガスを合流させた
後、複数の曲がり角を含むガス通路により混合し、さら
に内部抵抗板の細孔を通過させて圧力を均一化するよう
にしたので、複数種の反応ガスが混合器で十分に混合さ
れるとともに、内部抵抗板によりガス流速も均一化さ
れ、半導体ウエハに形成される薄膜の膜厚及び膜質を十
分に均一化することができる。また、混合器はガスヘッ
ドから取り外すことにより容易に清掃することができる
ので、メンテナンス性を向上させることもできる。
化学気相成長装置は、複数種の反応ガスを合流させた
後、複数の曲がり角を含むガス通路により混合し、さら
に内部抵抗板の細孔を通過させて圧力を均一化するよう
にしたので、複数種の反応ガスが混合器で十分に混合さ
れるとともに、内部抵抗板によりガス流速も均一化さ
れ、半導体ウエハに形成される薄膜の膜厚及び膜質を十
分に均一化することができる。また、混合器はガスヘッ
ドから取り外すことにより容易に清掃することができる
ので、メンテナンス性を向上させることもできる。
【００２８】また、請求項２の発明の半導体装置の製造
方法は、複数種の反応ガスを合流させた後、複数の曲が
り角を含むガス通路により混合し、さらに内部抵抗板の
細孔を通過させて圧力を均一化するようにしたので、複
数種の反応ガスが十分に混合されるとともに、内部抵抗
板によりガス流速も均一化され、半導体ウエハに形成さ
れる薄膜の膜厚及び膜質を十分に均一化することができ
る。
方法は、複数種の反応ガスを合流させた後、複数の曲が
り角を含むガス通路により混合し、さらに内部抵抗板の
細孔を通過させて圧力を均一化するようにしたので、複
数種の反応ガスが十分に混合されるとともに、内部抵抗
板によりガス流速も均一化され、半導体ウエハに形成さ
れる薄膜の膜厚及び膜質を十分に均一化することができ
る。
【図１】請求項１及び請求項２の発明の一実施例による
化学気相成長装置の断面図である。
化学気相成長装置の断面図である。
【図２】図１の混合器を示す分解斜視図である。
【図３】図２の本体を示す平面図である。
【図４】図１の混合器の他の例を示す断面図である。
【図５】図１の混合器のさらに他の例を示す断面図であ
る。
る。
【図６】従来の化学気相成長装置の一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】従来の化学気相成長装置の他の例を示す断面図
である。
である。
１ 反応室 ２ 半導体ウエハ ４ ガスヘッド ５ａ 第１の空洞部 ５ｂ 第２の空洞部 ５ｃ 第３の空洞部 ６ 噴出孔 ７ 導入孔 ２１ 混合器 ２２ 内部抵抗板 ２２ａ 細孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 蔦原 晃一郎 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式 会社 北伊丹製作所内 (56)参考文献 特開 平１−281137（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−21821（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−35031（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−4738（ＪＰ，Ｕ) 実開 平１−71442（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/00 C30B 25/00 H01L 21/31
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハを収容する反応室と、 この反応室内に臨んで設けられ、空洞部、複数種の反応
ガスを導入するための複数の導入孔及び上記反応ガスを
上記半導体ウエハに向けて噴出するための多数の噴出孔
を有しているガスヘッドと、 このガスヘッド内の上記導入孔の出口部分に着脱可能に
取り付けられ、上記複数種の反応ガスを合流させた後、
複数の曲がり角を含むガス通路により混合して上記空洞
部に噴出する混合器と、 上記空洞部を複数に分割するように上記ガスヘッド内に
設けられ、かつ多数の細孔を有しており、上記噴出孔か
ら噴出する反応ガスの圧力を均一化するための内部抵抗
板と を備えていることを特徴とする化学気相成長装置。 - 【請求項２】 半導体ウエハを加熱する工程、 複数種の反応ガスを合流させた後、複数の曲がり角を含
むガス通路により混合してガスヘッドの空洞部内に噴出
させる工程、 上記空洞部内に設けられた内部抵抗板の多数の細孔を通
過させることにより、上記反応ガスの圧力を均一化する
工程、及び 上記内部抵抗板を通過した反応ガスを上記ガ
スヘッドから加熱された半導体ウエハへ向けて噴出さ
せ、上記半導体ウエハ上に薄膜を形成する工程 を含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
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| JP04272897A JP3081860B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 化学気相成長装置及び半導体装置の製造方法 |
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| JP04272897A JP3081860B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 化学気相成長装置及び半導体装置の製造方法 |
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ID=17520286
Family Applications (1)
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| JP04272897A Expired - Fee Related JP3081860B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | 化学気相成長装置及び半導体装置の製造方法 |
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| JP (1) | JP3081860B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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