CN107841729A - 一种用于pecvd设备的进气混合装置 - Google Patents
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- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 24
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000686 essence Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种用于PECVD设备的进气混合装置，包括第一进气引管、第二进气引管和出气口，还包括一分别与所述第一进气引管、所述第二进气引管和出气口连通的混气盒，所述混气盒内设有迷宫式的混气通道。本发明通过增加迷宫式的混气通道，保证两种工艺气体在送至PECVD设备的反应室之前已充分混合，使工艺气体达到最佳的反应状态。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种用于PECVD设备的进气混合装置。
背景技术
随着光伏行业的发展，行业内对设备的要求也越来越高，其中主要生产设备包括有PECVD（等离子体增强化学的等离子气相沉积法）设备。该设备是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。在用于光伏电池基片的生产中，电池基片的表面需要在PECVD设备的反应室内沉积一层薄膜，该薄膜膜厚的均匀性为电池基片主要的性能参数，图1为现有的PECVD设备中工艺气体进入反应室前的工艺气体输送装置，该装置包括第一进气引管3和第二进气引管4，把两种工艺气体直接汇聚后通过出气口5送至反应室内，这种混合方式容易造成工艺气体混合不够充分，导致镀膜工艺出现偏差，影响薄膜膜厚的均匀性。
发明内容
本发明为了解决上述现有技术中存在的技术问题，提出一种用于PECVD设备的进气混合装置。
本发明采用的技术方案是：
一种用于PECVD设备的进气混合装置，包括第一进气引管、第二进气引管和出气口，还包括一分别与所述第一进气引管、所述第二进气引管和出气口连通的混气盒，所述混气盒内设有迷宫式的混气通道。
在一实施例中，所述混气盒包括一座体，其相对的侧边设有多个向内伸出、相互错开且与对面侧边隔开的挡板，和一与所述座体密封连接形成混气通道的盖板；所述第一进气引管和第二进气引管设置在所述混气盒的一端，所述出气口设置在所述混气盒的另一端。
在另一实施例中，所述混气盒包括第一混气盒和第二混气盒，第一混气盒和第二混气盒的座体相互层叠固定在一起，所述第一混气盒的混气通道出口与所述第二混气盒的混气通道进口连通，第一进气引管、第二进气引管与出气口设置在同一端。
所述出气口为并排设置的多个出气孔。
所述第一混气盒上设有可安装螺钉与PECVD反应室内壁固定的通孔。
与现有技术比较，本发明的优点在于：
本发明通过增加迷宫式的混气通道，保证工艺气体在送至PECVD设备的反应室之前就能充分混合，使工艺气体达到最佳的反应状态。并且采用了两个混气盒平行贴靠的设计，使混气通道为上下两层首尾连通，在较小的占用范围内使混气通道有效延长，进一步改善了工艺气体的混合程度。
附图说明
图1为现有技术中的工艺气体输送装置；
图2为本发明的外观图；
图3为本发明第二混气盒隐藏第二盖板的结构示意图；
图4为本发明第一混气盒隐藏第一盖板的结构示意图；
图5为本发明与PECVD设备的反应室配合的局部截面图。
具体实施方式
下面结合附图以及实施例对本发明的原理及结构进行详细说明。
如图2、图3、图4所示，本发明提出了一种用于PECVD设备的进气混合装置，包括第一进气引管3、第二进气引管4、出气口5和混气盒，混气盒的内部设有迷宫式的混气通道，第一进气引管3和第二进气引管4固定在混气盒上，并与混气盒内部的混气通道的一端连通，出气口5设置在混气盒上并连通混气通道的另一端。工艺气体可经过迷宫式的混气通道进行充分混合，从而达到最佳的反应状态，再由出气口5排出进入PECVD设备的反应室进行等离子气相沉积。其中，出气口5为并排设置的6个出气孔。
本发明一实施例中，混气盒包括：座体和盖板，座体为一面开口的盒体，盒体内相对的两个侧边上互相向内伸出多个相互错开的挡板，并且挡板伸出后不与侧边接触，再通过盖板与座体开口的一侧密封连接，使混气盒内形成多个形状不规则的腔室，相邻的腔室之间首尾相连形成曲折的迷宫，从而形成可供工艺气体通过的迷宫式的混气通道。且第一进气引管3和第二进气引管4设置在混气盒的一端与内部的混气通道连通，所述出气口5设置在所述混气盒的另一端也与混气通道连通，使工艺气体可经过迷宫式的混气通道进行充分混合。
本发明另一实施例中，混气盒包括有第一混气盒1和第二混气盒2，且第一混气盒1和第二混气盒2都包括座体和盖板。座体都为开口的盒体，盒内相对的两个侧边上互相向内伸出多个相互错开的挡板，并通过座体与盖板密封连接形成混气通道。其中，第一混气盒1包括第一座体和第一盖板，第二混气盒2包括第二座体和第二盖板。第二混气盒2固定在第一混气盒1的一侧，使第一混气盒1和第二混气盒2的座体重叠在一起并相互平行，且连接面密封固定在一起。第一混气盒1和第二混气盒2的盒内的混气通道可分为从一端到另一端的迷宫式的第一混气通道11和第二混气通道21，第一混气盒1的一端并排设有第一进气引管3和第二进气引管4，使第一进气引管3和第二进气引管4与第一混气盒1内的第一混气通道11的入口连通。第一混气盒1另一端和第二混气盒2的连接面设有通孔6，使第一混气通道11的出口与第二混气通道21的入口连通，第二混气盒2上设有与第二混气通道21的出口连通的出气口5，从而使第一混气通道11、第二混气通道21和出气口5分别位于第一混气盒1和第二混气盒2相邻的同一端。双层的设计有效增加混气通道的长度，缩短第一混气通道11、第二混气通道21和出气口5的直线距离，匹配性更好，无需其他改动直接就可安装替换现有的装置。且工艺气体经过呈双层设计的第一混气盒1和第二混气盒2时混合更加充分，达到最佳的反应状态。
第一混气盒1上设有可安装螺钉与PECVD反应室内壁固定的通孔，使混气盒固定在PECVD设备上，通孔位于第一进气引管3与第二进气引管4之间。
如图5所示，工艺气体通过第一进气引管3、第二进气引管4经过第一混气盒1后从通孔6运动至第二混气盒2内，此时工艺气体的运动方向与在第一混气盒1内的运动方向相反，通过双层的设计有效延长路径并减少占用面积，工艺气体再通过第二混气盒2的出气口5到达PECVD设备的反应室7内，经过充分混合的工艺气体使电池基片上沉积的薄膜膜厚均匀性更好，提高电池基片的性能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种用于PECVD设备的进气混合装置，包括第一进气引管、第二进气引管和出气口，其特征在于，还包括一分别与所述第一进气引管、所述第二进气引管和出气口连通的混气盒，所述混气盒内设有迷宫式的混气通道。
2.如权利要求1所述的用于PECVD设备的进气混合装置，其特征在于，所述混气盒包括一座体，其相对的侧边设有多个向内伸出、相互错开且与对面侧边隔开的挡板，和一与所述座体密封连接形成混气通道的盖板；所述第一进气引管和第二进气引管设置在所述混气盒的一端，所述出气口设置在所述混气盒的另一端。
3.如权利要求1所述的用于PECVD设备的进气混合装置，其特征在于，所述混气盒包括第一混气盒和第二混气盒，第一混气盒和第二混气盒的座体相互层叠固定在一起，所述第一混气盒的混气通道出口与所述第二混气盒的混气通道进口连通，第一进气引管、第二进气引管与出气口设置在同一端。
4.如权利要求1所述的用于PECVD设备的进气混合装置，其特征在于，所述出气口为并排设置的多个出气孔。
5.如权利要求3所述的用于PECVD设备的进气混合装置，其特征在于，所述第一混气盒上设有可安装螺钉与PECVD反应室内壁固定的通孔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711286753.3A CN107841729A (zh) | 2017-12-07 | 2017-12-07 | 一种用于pecvd设备的进气混合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711286753.3A CN107841729A (zh) | 2017-12-07 | 2017-12-07 | 一种用于pecvd设备的进气混合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107841729A true CN107841729A (zh) | 2018-03-27 |
Family
ID=61664638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711286753.3A Pending CN107841729A (zh) | 2017-12-07 | 2017-12-07 | 一种用于pecvd设备的进气混合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107841729A (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06124903A (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | 化学気相成長装置 |
| CN207699665U (zh) * | 2017-12-07 | 2018-08-07 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | 一种用于pecvd设备的进气混合装置 |
-
2017
- 2017-12-07 CN CN201711286753.3A patent/CN107841729A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06124903A (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | 化学気相成長装置 |
| CN207699665U (zh) * | 2017-12-07 | 2018-08-07 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | 一种用于pecvd设备的进气混合装置 |
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| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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