CN1653624A - 半导体发光元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体发光元件，它具有蓝宝石基板(11)；形成于该基板(11)上，在其上面具有以规定间隔形成条状的多个凹部(121)的u－GaN层(12)；形成于该u－GaN层(12)上的再生长u－GaN层(13)；形成于u－GaN层(13)上，具有n－GaN层(15)、活性层(16)及p－GaN层(19)的层压体；在层压体的一部分被除去而露出的n－GaN层(15)上形成的n型电极(24)；和形成于p－GaN层(19)之上，具有透光性的p型电极(20)，该p型电极(20)构成发光观测面，在u－GaN层(13)的下面与(121)凹部之间形成空气层(S)。

Description

半导体发光元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及在显示、照明及光信息处理等领域所使用的发光二极管等半导体发光元件及其制造方法。
背景技术
在V族元素中具有氮(N)的氮化物半导体，从其带隙的大小来看它有望作为短波长发光元件的材料。其中关于氮化镓类化合物半导体(GaN类半导体：AlGaInN)的研究尤为盛行，目前已经实现了蓝色发光二极管(LED)、绿色LED。
图8是现在已经实现的GaN系紫外发光二极管的截面图。该发光二极管以如下方式制造。在以下的说明中，“u-”表示未掺杂，“p-”为p型，“n-”为n型。
首先，在蓝宝石基板41上，通过有机金属气相成长法(MOVPE法)使u-GaN种晶42成长。然后，在该种晶42上通过CVD等方法使SiO2堆积之后，通过光刻和蚀刻加工SiO2从而形成带状的电介质掩膜54。接着以从该电介质掩膜54之间露出的种晶42为基点，通过选择横向生长(ELO：Epitaxial Lateral Overgrowth)使u-GaN43再生长，从而获得平坦的表面。作为此时的生长方法，可以使用MOVPE法或HVPE法等。然后，依次层压n-GaN接触层44、u-GaN45、InGaN活性层46、p-AlGaN间隙层47及p-GaN接触层48。
接着，在p-GaN接触层48的表面形成规定的掩膜之后进行蚀刻，使n-GaN接触层44的一部分露出。然后，在p-GaN接触层48上形成透光性的p型电极49，同时在露出的n-GaN接触层44上形成n型电极53。最后，在p型电极49上配置底座电极50，通过焊球51在该底座电极50上设置金线52。同样，在n型电极53一侧设置焊球51及金线52。
在这种发光二极管中，通过透明并且具有导电性的薄膜而形成p型电极49，从底座电极50向整个p型电极20注入电流，于是该p型电极49侧成为发光观测面。这样，通过使发光观测面处于p型电极20一侧，这样就可以使用引线接合。其结果是，与使元件翻过来而在p型电极一侧进行接合的所谓面朝下固定(Facedown mount)方式相比，它具有使元件小型化，无需精密的定位这些优点，因此可以提高生产性。
在GaN结晶用的基板内虽然使用蓝宝石、SiC、NGO等，但是所有的基板不与GaN晶格匹配，很难获得相干生长(coherent growth)。因此，在这种基板上生长的GaN层内存在较多的位错(刃位错，螺位错、混合位错)，例如使用蓝宝石基板时，存在1×109cm-2的位错。这种位错引起紫外发光二极管的发光效率降低。
因此，作为降低位错密度的方法，如果在上述发光二极管中，使用选择横向生长，以此方法层压GaN层。这种方法在晶格不匹配大的层内，作为降低穿透位错的方法很有效。
图9是概略地表示通过ELO形成的GaN结晶的位错分布的图8的部分扩大图。如该图所示，u-GaN层43中种晶42的上方区域X1存在较多位错，其位错密度约为1×109cm-2。而电介质掩膜54上的区域X2的位错较少，其位错密度约降低至1×107cm-2左右。此外，此时的电介质掩膜54的宽度约为4μm，其周期约为12μm。于是，如果使用ELO，则可以在电介质掩膜54上形成位错密度较低的结晶，因此，结晶缺陷减少，则可以提高紫外发光二极管的发光效率。作为形成这种位错密度较低的区域的半导体发光元件，除了上述的元件之外，还有欧洲专利局公开公报第一104031号说明书中所记载的元件。
但是，由于上述的发光观测面处于p型电极一侧的发光二极管中，向位于与p型电极相反一侧的n型电极侧所发的光发生散射或者被吸收，因此，就会产生无法有效地取出活性层发出的光的问题。
为了解决这个问题，也有人提出一种方案，即在元件内部装入称作布喇格反射镜的反射镜的发光元件。在该发光元件中，从活性层向n型电极侧发出的光通过反射镜向元件外部反射。但是，即使是这种构造，其发光效率也未必充分，而且由于需要装入反射镜，因此产生导致工序变得复杂的问题。
本发明是为了解决上述问题而产生的，其目的在于提供一种可以在以p型电极为发光观测面的半导体发光元件中，实现较高发光效率的半导体发光元件及其制造方法。
发明内容
为了解决上述问题，本发明的半导体发光元件具有：基板；形成于前述基板上，在其上面具有以规定间隔带状形成的多个凹部的第一GaN系半导体层；形成于该第一GaN系半导体层上的第二GaN系半导体层；形成于该第二GaN系半导体层上，具有n型GaN系半导体层、活性层及p型GaN系半导体层的层压体；在前述层压体的一部分被除去而露出的n型GaN系半导体层上形成的n型电极；和形成于前述p型GaN系半导体层之上、具有透光性的p型电极，该p型电极构成发光观测面，在前述第二GaN系半导体层的下面与前述凹部之间形成空气层。
此外，为了解决上述问题，本发明的半导体发光元件的制造方法包括以下工序：在基板上形成第一GaN系半导体层的工序；在前述第一GaN系半导体层的上面，以规定间隔形成多个带状凹部的工序；通过选择横向生长以前述凹部之间的突部为起点而形成第二GaN系半导体层的同时，在该第二GaN系半导体层的下面与前述凹部之间形成空气层的工序；在前述第二GaN系半导体层上形成具有n型GaN系半导体层、活性层及p型GaN系半导体层的层压体的工序；除去前述层压体的一部分而使前述n型GaN系半导体层露出，并在该n型GaN系半导体层上形成n型电极的工序；和在前述p型GaN系半导体层上形成具有透光性的p型电极的工序。
附图说明
图1是表示本发明的半导体发光元件一实施方式的截面图。
图2是表示图1所示的半导体发光元件的制造方法的示意图。
图3是表示图1所示的半导体发光元件的制造方法的示意图。
图4是表示图1所示的半导体发光元件的u-GaN层的横向生长的示意图。
图5是表示图1的半导体发光元件中注入电流与发光强度的关系的示意图。
图6是表示图1的半导体发光元件的其它例子的截面图。
图7是表示本发明的半导体发光元件的其它实施方式的截面图。
图8是表示传统的半导体发光元件的截面图。
图9是概略表示通过ELO形成的GaN结晶的位错分布的图8的部分扩大图。
具体实施方式
下面参照附图对本发明的半导体发光元件的一实施方式进行说明。图1是作为本发明的半导体发光元件的一实施方式中发光二极管的截面图。此外，在下面的说明中，“u-”表示未掺杂，“p-”表示p型，“n-”表示n型。
如图1所示，该发光二极管是在上面的p型电极20上进行面发光的元件。在该发光二极管中，使用例如具有大约350μm宽(图的左右方向的长度)的蓝宝石基板11，在该基板11上形成u-GaN种晶12。在种晶12的上面，以规定间隔形成带状的多个凹部121，在种晶12的上面再生长着u-GaN层13。于是，在u-GaN层13的下面与凹部121之间形成空气层S。此外，如后面所述，在各个凹部121中，位于电极下方的凹部121的宽度比位于进行面发光的p型电极20下方的凹部121的宽度小。此外，凹部121的底面及侧壁面被由Si2N4构成的掩模层122所覆盖。
在u-GaN层13上面层压着u-GaN层14及n-GaN层15。n-GaN层15的一部分露出，而在其它部分依次层压着u-GaN层16、由InGaN构成的活性层17、p-AlGaN层18及p-GaN层19。在n-GaN层15的露出部分形成n型电极24，并在其上面施以引线接合(Wire bonding)。即在n型电极24通过焊球22与金线23连接。
此外，在整个p-GaN层19上形成p型电极20。该p型电极20是具有透光性的薄膜，如上所述，该p型电极20成为发光观测面。该p型电极20例如是通过镍(Ni)、白金(Pt)、金(Au)等金属进行蒸镀或者溅射(Sputtering)而形成，为了使其具有透光性，优选使层厚大于等于1nm小于等于100nm。与n型电极19相同，在p型电极20上通过引线接合施以布线。但是，由于p型电极20非常薄，难以直接进行引线接合，因此，在p型电极20的一部分上设置用Au形成的引线接合用的底座电极21，该底座电极21通过焊球25与金线26连接。此外，由于底座电极21及n型电极24的施以引线接合的区域具有遮光性，光不会透过，因此，优选使其宽度尽量较小，例如可以使其宽度约为50μm。
如上所述，配置在底座电极21及n型电极24的遮光性区域下方的凹部121与配置在其以外发光观测面下方的凹部121的宽度及间隔不同。换言之，n型电极24的施以引线接合的遮光区域L1及形成底座电极21的遮光区域L2下方的凹部121，其宽度比其它区域，即成为发光观测面的区域L3下方凹部121小。其原因将在后文详细叙述。由于区域L1、L2不具有透光性，即使这些区域下方的结晶位错密度较高，也不会影响发光强度，而且，为了对区域L1、L2施以引线接合，需要事先提高结晶构造的机械强度。反之，在区域L3，为了提高发光强度，需要事先降低其下方的结晶位错密度，因此，使凹部121的宽度增加。
从以上观点来看，区域L3内的凹部121的宽度β优选为区域L1、L2内凹部121的宽度α的2倍以上。作为凹部121的宽度的例子，例如，优选使区域L3下方的凹部121的宽度β大于等于6μm小于等于20μm，大于等于9μm小于等于12μm则更优选。而区域L1、L2下方的凹部121的宽度α优选大于等于1μm小于等于6μm，大于等于2μm小于等于4μm则更优选。此外，在区域L1、L2的下方，由于结晶构造的机械强度有所要求，优选使在凹部121之间形成的突部123的宽度γ大于等于1μm小于等于6μm，大于等于2μm小于等于4μm则更优选。
下面，参照图2至图4对上述发光二极管的制造方法进行说明。首先，在约500℃的温度条件下向C面蓝宝石基板11上供给TMG和NH3，从而形成AlGaN缓冲层(图示省略)。之后，升温至1020℃供给TMG与NH3，如图2(a)所示，以大约1μm的层厚堆积u-GaN层12。此时，主面(表面)成为C面。
接下来在u-GaN层12上涂光刻胶之后，如图2(b)所示，通过光刻技术对光刻胶进行加工，形成沿<1-100>GaN方向延伸的多个带构成的条纹图案G。然后，通过干蚀刻对从条纹图案G露出的u-GaN层12进行加工，在该部分形成凹部121。此时，凹部121的底面与u-GaN层12的表面的层差优选大约为5000。此外，上述条纹图案G根据上述设定的凹部121的宽度及间隔而形成。
接着，使用ECR溅射法堆积Si3N4膜(图示省略)之后，通过剥离除去条纹图案G及其上的Si3N4膜。这样，如图2(c)所示，在凹部121的底面及侧壁面形成由Si3N4膜构成的掩膜层122。接着，如图3(a)所示，露出的u-GaN层12作为种晶通过MOVPE法使u-GaN层13再生长。
其更为详细的情况在于，如图4所示，以凹部121之间形成的突部123的上面，即u-GaN层12的主面(表面(C面))作为种晶，使u-GaN层13再生长。由于作为种晶的u-GaN层12是通过MOVPE法而形成，其主面主要由Ga原子构成。因此，如果从突部123的上面使u-GaN层13再生长，则该u-GaN层13首先沿c轴方向再生长，接着以再生长而形成的GaN的C面及A面作为种晶，一边沿着c轴方向及a轴方向(<11-20>GaN方向)延伸一边横向生长。于是，从突部123的上面形成横向延伸的翼(Wing)区域131。
此时，翼区域131的下面，即与凹部121相对的面131a，主要通过N原子面而构成。该N原子面中结晶的生长速度与相反一侧的面，即翼区域131上面(Ga原子面)131b相比极其缓慢，于是，在翼区域131的下面实际上结晶不生长。因此，翼区域131向上方及横向生长，结果，邻接的翼区域131的顶端结合，形成u-GaN层13。这样，在翼区域131的下方形成空气层S。此外，由于在凹部121形成掩膜层122，因此，在该部分结晶不生长。从防止结晶生长的观点来看，掩膜层122既可以通过非Si3N4膜形成，也可以使用SiO2等电介质膜或W等高熔点金属等。
在上述u-GaN层13的形成工艺中，在凹部121的宽度较大的区域与较小的区域，翼区域131之间的结合时间产生偏差。换言之，在凹部121的宽度较小的区域，与凹部121的宽度较大的区域相比，邻接的翼区域131之间更快速地结合。但是，即使产生时间偏差，如果适当选择形成u-GaN层13时的MOVPE生长条件，则通过供给的原料气体的结晶表面的移动，能够使最终得到的u-GaN层13的表面均匀平坦。
于是，形成膜厚约为5μm的u-GaN层13之后，如图3(b)所示，在u-GaN层13上依次堆积u-GaN层14、n-GaN层15、u-GaN层16、InGaN构成的活性层17、p-AlGaN层18及p-GaN层19而形成层压体。然后，如图3(c)所示，进行选择蚀刻直至n-GaN层15的一部分露出，之后，在露出的n-GaN层15上形成n型电极24。在n型电极24上通过焊球22引线接合金线23。与此相反，在p-GaN层19的整个表面形成透光性的p型电极20之后，形成底座电极21，在该底座电极21上通过焊球25引线接合金线26。于是，形成图1所示的发光二极管。
如上所述，根据本实施方式，活性层17下方的u-GaN层13的下面与凹部121之间形成空气层S。由于该空气层S的折射率为1，因此，从活性层17射向下方的光R(参照图1)在u-GaN层13的下面与空气层S的界面被有效反射。这样则可以大大提高射向元件外部的光的取出效率。因此，如果对传统例与本实施方式的发光元件进行比较，在图8所示的传统例的构造中，在u-GaN层43的下部形成由SiO2构成的电介质掩膜54，但是，由于该电介质掩膜54的折射率与空气相比较大，因此，来自活性层46的大量光线透过蓝宝石基板41侧，发生光的散射或吸收。结果光的取出效率大大降低。与此相反，由于本实施方式中u-GaN层13与空气层S的界面反射率比传统例的u-GaN层43与电介质掩膜54的界面反射率大两倍左右，因此，可以大大增加光的取出效率。此外，由于可以实现这种较高的取出效率，因此无需使用布喇格反射镜以提高反射效率这种特别的构造。
图5是本实施方式及传统例的发光二极管中，发光强度与注入电流之间的关系示意图。如该图所示，在本实施方式的发光二极管中，如上所述，由于向蓝宝石基板11侧发出的光，通过空气层S被有效地向元件外部反射，因此，无论注入电流大小如何，与传统例相比其发光强度也变大。此外，以这种方式能够增加发光强度，如后所述，这也起因于u-GaN层13中结晶缺陷较少。
此外，在本实施方式的发光二极管中，可以获得以下效果。如上所述，在本实施方式的发光二极管中，在区域L1、L2的下方区域，如上所述，使凹部121的宽度α变窄，并提高该区域的机械强度。于是，即使在底座电极21及n型电极24上施以布线，也可以防止由于该冲击而发生结晶破损。特别是，如本实施方式所述，在通过引线接合形成布线的情况下，由于利用机械连续进行引线，通过焊球把引线焊入底座电极，因此，此时的冲击对结晶构造有较大的作用。因此，采用这种引线接合时，如果具有上述构造则尤其有利。
此外，如上所述，如果使凹部121的宽度变窄，则空气层S的宽度变窄，于是就会出现上述无法提高取出效率的问题。此外，如果凹部121的宽度变窄，则由于低位错区域变窄而无法形成高品位的结晶，其结果是出现发光强度降低这样的问题。但是，由于区域L1、L2具有遮光性，从该区域发出的光预定没有，因此，在其下方区域，即使因凹部121的宽度变窄而导致反射率降低，或者结晶缺陷增多，也不会影响元件整体的发光强度和取出效率。
还有，使用本实施方式中的发光二极管，可以获得以下的效果。即，如图8所示的传统例中，由于形成使u-GaN层58横向生长的电介质掩膜54，因此在该电介质掩膜54与横向生长的u-GaN层43之间发生界面应力。因此，会出现以下问题，即c轴结晶方位轴的取向性变得不均一(倾斜角为1度左右)，同时，在横向生长的GaN互相结合的结合部产生新的结晶缺陷。
与此相反，使用本实施方式中的发光二极管，如图4所示，选择横向生长的翼区域131，在无应力的状态下被形成。因此，在该翼区域131内，c轴结晶方位轴的取向性不会变得不均一，翼之间的互相结合也会顺利进行。这样，不仅可以防止产生新的结晶缺陷，还可以形成取向性均一的高品质结晶。于是，由于可以形成这种高品质的结晶，因此，尤其是使用活性层的In组成小的紫外线区域的发光二极管，可以增大其发光效率，即增大对相同注入电流的发光强度，而且还可以减少泄漏电流。
如上所述，由于可以减少结晶缺陷，因此它具有不仅可以防止光的散射，还可以提高发光强度的优点。此外，翼区域131的背面131a，即与空气层S的界面，主要是由N原子构成，并形成原子层级的平坦表面。因此，可以有效地反射从活性层17发出的光。与此相反，在传统例(图8)中，由于u-GaN层43与电介质掩膜54接触，因此，无法形成上述的原子级的平坦表面，光的反射率变低。
以上对本发明的一实施方式进行了说明，但是，本发明并非局限于该实施方式，只要不脱离本发明的宗旨，可以进行各种改变。例如，在上述实施方式中，使区域L3下方的凹部121的宽度β是区域L1、L2下方的凹部121宽度α的2倍以上，但是，也可以无限扩大其倍数。换言之，如图6所示，也可以只在区域L3下方形成凹部121，而不在区域L1、L2下方形成凹部。于是，区域L1、L2下方的机械强度大大提高。这样，就可以确实防止在引线接合等布线形成工序中发生结晶破损。此外，如果采用这种构造，虽然会有区域L1、L2下方的结晶位错密度增大，反射率降低这样的问题，但是，如上所述，由于区域L1、L2具有遮光性，因此不会影响整个元件的光的取出效率和发光效率。
此外，在上述实施方式中，以GaN层作为种晶，使GaN层再生长，但是种晶层及再生长层中的至少一个也可以是包含Al、In、As、P等的混晶。在使用这种混晶的情况下，容易产生多结晶的析出物，与GaN相比，有时选择生长比较困难，但如上所述，如果在成为种晶的GaN层内形成凹部121，则由于析出物产生于该凹部121，因此，可以防止横向生长的翼区域131与析出物接触。这样，不仅可以形成高品质的结晶，还可以提高原材料利用率。
在上述实施方式中，通过借助低温缓冲层的2级生长而形成作为种晶的GaN层，但是，如果是作为单晶的种晶，也可以使用其它方法而形成。此外，在u-GaN层的凹部形成时使用了剥离工艺，但是，只要能够在u-GaN层形成带状的凹部，该方法并没有限定。
此外，在上述实施方式中使用蓝宝石基板，但是，也可以是由III-V族化合物半导体例如GaN或者AlGaN构成的基板。
还有，在上述实施方式中，对发光二极管发出的光的取出效率进行了说明，但是，也可以适用于发出白色光的二极管。即，虽然白色发光二极管是通过利用从发光元件取出的紫外线～蓝色光而激发配置在其周围的荧光体，从而使其发出白色光，但是这种白色发光二极管也可以适用本发明的半导体发光元件，因此，不仅可以提高辉度，而且能够以较高的成品率进行生产。
同时，在上述实施方式中，对以p型电极作为发光观测面，向元件的上方发光的表面发光型半导体发光元件进行了说明，但是本发明也可以适用于端面发光型的发光元件。下面参照图7对其进行说明。
如图7所示，由于该半导体发光元件进行端面发光，因此，它与图1所示的发光二极管相比，n-GaN层15上方的层压体的构造不同。即，如图7所示，在n-GaN层15上，n-AlGaN层31、InGaN层32、p-AlGaN层33、p-GaN层34按照该顺序形成。此外，与图1不同，该发光元件中，p-GaN层34上的一部分形成p型电极35，在其上面设置底座电极21、焊球25以及金线26。此时，底座电极21与图1的发光二极管相同，形成于宽度较窄的空气层S的上方。
在该发光元件中，为了进行端面发光，作为活性层的InGaN层32的厚度较小，夹着该层的n-AlGaN层31及p-AlGaN层33成为覆盖层。由此，形成电流阻塞，光E从InGaN层32向与该图纸垂直的方向发出。此外，该发光元件中电流注入区域被设置在结晶品质较高的空气层S的垂直上方(该图的线M上)，从而提高作为发光元件的可靠性。
工业上的可利用性
本发明提供一种光的取出效率高，而且发光效率高的半导体发光元件及其制造方法。

Claims (15)

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具有：
基板；
形成于所述基板上，在其上面具有以规定间隔形成带状的多个凹部的第一GaN系半导体层；
形成于该第一GaN系半导体层上的第二GaN系半导体层；
形成于该第二GaN系半导体层上，具有n型GaN系半导体层、活性层及p型GaN系半导体层的层压体；
在所述层压体的一部分被除去而露出的n型GaN系半导体层上形成的n型电极；和
形成于所述p型GaN系半导体层上，具有透光性的p型电极，
该p型电极构成发光观测面，
在所述第二GaN系半导体层的下面与所述凹部之间形成空气层。
2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
所述活性层发出的光由所述第二GaN系半导体层的下面与空气层之间的界面反射。
3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
在所述p型电极及n型电极上形成施以布线的遮光区域，
在所述多个凹部之中，形成于所述发光观测面下方的凹部的宽度，比形成于所述遮光性区域下方的凹部的宽度大。
4.如权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于，
形成于所述发光观测面下方的凹部的宽度是形成于所述遮光性区域下方的凹部宽度的2倍以上。
5.如权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于，
形成于所述发光观测面下方的凹部的宽度大于等于6μm小于等于20μm。
6.如权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于，
形成于所述遮光性区域下方的凹部的宽度大于等于1μm小于等于6μm。
7.如如权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于，
形成于所述遮光性区域下方凹部之间的突部的宽度大于等于1μm小于等于6μm。
8.如权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于，
在所述遮光性区域内施以引线接合。
9.一种半导体发光元件制造方法，其特征在于，该方法包括：
在基板上形成第一GaN系半导体层的工序；
在所述第一GaN系半导体层的上面，以规定间隔形成多个带状凹部的工序；
通过选择横向生长以所述凹部之间的突部为起点而形成第二GaN系半导体层，同时，在该第二GaN系半导体层的下面与所述凹部之间形成空气层的工序；
在所述第二GaN系半导体层上形成具有n型GaN系半导体层、活性层及p型GaN系半导体层的层压体的工序；
除去所述层压体的一部分而使所述n型GaN系半导体层露出，并在该n型GaN系半导体层上形成n型电极的工序；和
在所述p型GaN系半导体层上形成具有透光性的p型电极的工序。
10.如权利要求9所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于，
该方法还包括在所述p型电极及n型电极上形成施以布线的遮光性区域的工序，
在所述多个凹部之中，形成于所述发光观测面下方的凹部的宽度，比形成于所述遮光性区域下方的凹部的宽度大。
11.如权利要求10所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于，
在所述遮光性区域内施以引线接合。
12.如权利要求10所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于，
形成于所述发光观测面下方的凹部的宽度是形成于所述遮光性区域下方的凹部宽度的2倍以上。
13.如权利要求12所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于，
形成于所述发光观测面下方的凹部的宽度大于等于6μm小于等于20μm。
14.如权利要求12所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于，
形成于所述遮光性区域下方的凹部的宽度大于等于1μm小于等于6μm。
15.如权利要求12所述的半导体发光元件制造方法，其特征在于，
形成于所述遮光区域下方凹部之间的突部的宽度大于等于1μm小于等于6μm。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102194941A (zh) * 2010-11-16 2011-09-21 华灿光电股份有限公司 内置空腔的高效率发光二极管及其制备方法
CN102544249A (zh) * 2010-12-31 2012-07-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管晶粒及其制作方法
CN102544287A (zh) * 2010-12-10 2012-07-04 晶元光电股份有限公司 光电元件及其制造方法
CN102623580A (zh) * 2011-01-27 2012-08-01 晶元光电股份有限公司 光电元件及其制造方法
CN102956438A (zh) * 2011-08-22 2013-03-06 南亚科技股份有限公司 导体图案的形成方法
CN103383981A (zh) * 2012-05-04 2013-11-06 隆达电子股份有限公司 发光二极管元件
US9070827B2 (en) 2010-10-29 2015-06-30 Epistar Corporation Optoelectronic device and method for manufacturing the same
US9093605B2 (en) 2010-12-02 2015-07-28 Epistar Corporation Optoelectronic device and method for manufacturing the same
CN106449933A (zh) * 2016-09-08 2017-02-22 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管芯片及其制备方法

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101034055B1 (ko) 2003-07-18 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR20050077902A (ko) * 2004-01-29 2005-08-04 엘지전자 주식회사 질화물 반도체 박막의 성장 방법
US7687827B2 (en) 2004-07-07 2010-03-30 Nitronex Corporation III-nitride materials including low dislocation densities and methods associated with the same
DE102005010821B4 (de) * 2005-03-07 2007-01-25 Technische Universität Berlin Verfahren zum Herstellen eines Bauelements
US20060267043A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Emerson David T Deep ultraviolet light emitting devices and methods of fabricating deep ultraviolet light emitting devices
US7915624B2 (en) 2006-08-06 2011-03-29 Lightwave Photonics, Inc. III-nitride light-emitting devices with one or more resonance reflectors and reflective engineered growth templates for such devices, and methods
WO2008019059A2 (en) * 2006-08-06 2008-02-14 Lightwave Photonics Inc. Iii-nitride light-emitting devices with one or more resonance reflectors and reflective engineered growth templates for such devices, and methods
JP2008066702A (ja) * 2006-08-10 2008-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子及びカメラ
KR101316120B1 (ko) * 2006-12-28 2013-10-11 서울바이오시스 주식회사 양극 알루미늄산화를 이용한 산란 중심을 구비하는 발광 소자 제조방법 및 그 발광 소자
KR100767258B1 (ko) 2007-05-15 2007-10-17 주식회사 시스넥스 질화물 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
JP5045418B2 (ja) * 2007-11-28 2012-10-10 三菱化学株式会社 ＧａＮ系ＬＥＤ素子、ＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法およびＧａＮ系ＬＥＤ素子製造用テンプレート
KR20100126437A (ko) 2008-02-25 2010-12-01 라이트웨이브 포토닉스 인코포레이티드 전류-주입/터널링 발광소자 및 방법
KR101068157B1 (ko) 2009-05-12 2011-09-27 전북대학교산학협력단 에어패스를 포함하는 발광소자 및 그 제조방법
KR101068158B1 (ko) 2009-05-12 2011-09-27 전북대학교산학협력단 에어면을 포함하는 발광소자 및 그 제조방법
JP5647497B2 (ja) * 2010-02-10 2014-12-24 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 半導体基板、その製造方法、半導体デバイス及びその製造方法
WO2010143778A1 (ko) 2009-06-10 2010-12-16 서울옵토디바이스주식회사 반도체 기판, 그 제조 방법, 반도체 소자 및 그 제조 방법
US8481411B2 (en) 2009-06-10 2013-07-09 Seoul Opto Device Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor substrate having a cavity
US8860183B2 (en) 2009-06-10 2014-10-14 Seoul Viosys Co., Ltd. Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
JP2011023537A (ja) * 2009-07-15 2011-02-03 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体素子、エピタキシャル基板、及びｉｉｉ族窒化物半導体素子を作製する方法
WO2011025149A2 (ko) 2009-08-26 2011-03-03 서울옵토디바이스주식회사 반도체 기판 제조 방법 및 발광 소자 제조 방법
WO2011033570A1 (ja) * 2009-09-17 2011-03-24 株式会社 東芝 半導体発光素子
KR101631599B1 (ko) 2009-12-02 2016-06-27 삼성전자주식회사 발광 소자 및 그 제조 방법
EP3923352A1 (en) 2010-01-27 2021-12-15 Yale University, Inc. Conductivity based selective etch for gan devices and applications thereof
JP5570838B2 (ja) 2010-02-10 2014-08-13 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 半導体基板、その製造方法、半導体デバイス及びその製造方法
JP5508539B2 (ja) * 2010-09-30 2014-06-04 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
CN103283045B (zh) 2010-12-28 2016-08-17 首尔伟傲世有限公司 高效发光二极管
JP5743806B2 (ja) * 2011-08-23 2015-07-01 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光装置、及び窒化物半導体発光素子の製造方法
US10052848B2 (en) 2012-03-06 2018-08-21 Apple Inc. Sapphire laminates
US9608145B2 (en) * 2012-03-14 2017-03-28 Robbie J. Jorgenson Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices
KR101351484B1 (ko) 2012-03-22 2014-01-15 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자
WO2014004261A1 (en) * 2012-06-28 2014-01-03 Yale University Lateral electrochemical etching of iii-nitride materials for microfabrication
US9221289B2 (en) 2012-07-27 2015-12-29 Apple Inc. Sapphire window
US9232672B2 (en) 2013-01-10 2016-01-05 Apple Inc. Ceramic insert control mechanism
CN104103722B (zh) 2013-04-15 2017-03-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管晶粒及其制造方法
US9632537B2 (en) 2013-09-23 2017-04-25 Apple Inc. Electronic component embedded in ceramic material
US9678540B2 (en) 2013-09-23 2017-06-13 Apple Inc. Electronic component embedded in ceramic material
US9154678B2 (en) 2013-12-11 2015-10-06 Apple Inc. Cover glass arrangement for an electronic device
US9225056B2 (en) 2014-02-12 2015-12-29 Apple Inc. Antenna on sapphire structure
US11095096B2 (en) 2014-04-16 2021-08-17 Yale University Method for a GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL)
CN107078190B (zh) 2014-09-30 2020-09-08 耶鲁大学 用于GaN垂直微腔面发射激光器(VCSEL)的方法
US11018231B2 (en) 2014-12-01 2021-05-25 Yale University Method to make buried, highly conductive p-type III-nitride layers
WO2016187421A1 (en) 2015-05-19 2016-11-24 Yale University A method and device concerning iii-nitride edge emitting laser diode of high confinement factor with lattice matched cladding layer
US10406634B2 (en) 2015-07-01 2019-09-10 Apple Inc. Enhancing strength in laser cutting of ceramic components
KR102369976B1 (ko) * 2015-07-16 2022-03-04 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자
US10263144B2 (en) 2015-10-16 2019-04-16 Robbie J. Jorgenson System and method for light-emitting devices on lattice-matched metal substrates
KR102383837B1 (ko) 2016-05-26 2022-04-07 로비 조젠슨 3a족 질화물 성장 시스템 및 방법
KR102611981B1 (ko) * 2017-10-19 2023-12-11 삼성전자주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01104031A (ja) * 1987-07-03 1989-04-21 Ajinomoto Co Inc フッ素系化合物及び液晶組成物
EP1017113B1 (en) * 1997-01-09 2012-08-22 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
JP3930161B2 (ja) * 1997-08-29 2007-06-13 株式会社東芝 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法
JP3516433B2 (ja) * 1997-12-19 2004-04-05 昭和電工株式会社 化合物半導体発光素子
JP3301601B2 (ja) * 1998-01-27 2002-07-15 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP3620269B2 (ja) * 1998-02-27 2005-02-16 豊田合成株式会社 ＧａＮ系半導体素子の製造方法
US6335546B1 (en) * 1998-07-31 2002-01-01 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor structure, method for producing a nitride semiconductor structure, and light emitting device
JP3987660B2 (ja) * 1998-07-31 2007-10-10 シャープ株式会社 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
KR100677683B1 (ko) * 1999-03-17 2007-02-05 미츠비시 덴센 고교 가부시키가이샤 반도체 기재와 그 제조 방법 및 반도체 결정의 제조 방법
EP1104031B1 (en) * 1999-11-15 2012-04-11 Panasonic Corporation Nitride semiconductor laser diode and method of fabricating the same
JP3571641B2 (ja) * 1999-11-15 2004-09-29 松下電器産業株式会社 窒化物半導体素子
JP2001177145A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP3614070B2 (ja) * 2000-01-17 2005-01-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光ダイオード
JP2001217503A (ja) * 2000-02-03 2001-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法
JP4665286B2 (ja) * 2000-03-24 2011-04-06 三菱化学株式会社 半導体基材及びその製造方法
JP4406999B2 (ja) * 2000-03-31 2010-02-03 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
TW518767B (en) 2000-03-31 2003-01-21 Toyoda Gosei Kk Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element
US6627974B2 (en) * 2000-06-19 2003-09-30 Nichia Corporation Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and nitride semiconductor device using nitride semiconductor substrate
US6608360B2 (en) * 2000-12-15 2003-08-19 University Of Houston One-chip micro-integrated optoelectronic sensor
JP4683730B2 (ja) * 2001-01-04 2011-05-18 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子とこれを含む装置
US7352006B2 (en) * 2004-09-28 2008-04-01 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes exhibiting both high reflectivity and high light extraction

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070827B2 (en) 2010-10-29 2015-06-30 Epistar Corporation Optoelectronic device and method for manufacturing the same
CN102194941A (zh) * 2010-11-16 2011-09-21 华灿光电股份有限公司 内置空腔的高效率发光二极管及其制备方法
US9093605B2 (en) 2010-12-02 2015-07-28 Epistar Corporation Optoelectronic device and method for manufacturing the same
CN102544287A (zh) * 2010-12-10 2012-07-04 晶元光电股份有限公司 光电元件及其制造方法
CN102544249A (zh) * 2010-12-31 2012-07-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管晶粒及其制作方法
CN102623580A (zh) * 2011-01-27 2012-08-01 晶元光电股份有限公司 光电元件及其制造方法
CN102623580B (zh) * 2011-01-27 2015-05-06 晶元光电股份有限公司 光电元件及其制造方法
CN102956438A (zh) * 2011-08-22 2013-03-06 南亚科技股份有限公司 导体图案的形成方法
CN102956438B (zh) * 2011-08-22 2016-05-25 南亚科技股份有限公司 导体图案的形成方法
CN103383981A (zh) * 2012-05-04 2013-11-06 隆达电子股份有限公司 发光二极管元件
CN106449933A (zh) * 2016-09-08 2017-02-22 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管芯片及其制备方法
CN106449933B (zh) * 2016-09-08 2018-11-06 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管芯片及其制备方法

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