JP5508539B2 - Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5508539B2 JP5508539B2 JP2012536227A JP2012536227A JP5508539B2 JP 5508539 B2 JP5508539 B2 JP 5508539B2 JP 2012536227 A JP2012536227 A JP 2012536227A JP 2012536227 A JP2012536227 A JP 2012536227A JP 5508539 B2 JP5508539 B2 JP 5508539B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- iii nitride
- group iii
- nitride semiconductor
- reflective electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 207
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 104
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 260
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 9
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
(1)発光層と、該発光層を挟んで形成される第1伝導型の半導体層および第1伝導型とは異なる第2伝導型の半導体層とからなるIII族窒化物半導体積層体と、
該III族窒化物半導体積層体の前記第1伝導型半導体層側および前記第2伝導型半導体層側にそれぞれ形成された第1電極および第2電極と、
を有するIII族窒化物半導体発光素子であって、
前記III族窒化物半層体積層体の、光取出し側の第1表面とは反対側の第2表面上に、反射電極部と、AlxGa1−xN(0≦x≦0.05)よりなるコンタクト部との混在層を有し、かつ、前記コンタクト部は前記反射電極部よりも厚いことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
前記反射電極部および前記コンタクト部の少なくとも一方が、前記第2表面上で複数の島状領域を形成するように設けられ、
他方が前記複数の島状領域間に少なくとも位置するよう設けられる上記(1)に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
前記反射電極部が、Rh,Pt,Ir,Ru,Mo、およびこれらを含有する合金のいずれかからなる上記(1)または(2)に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
該バッファ層上に第1伝導型の半導体層、発光層、および前記第1伝導型とは異なる第2伝導型の半導体層を順に形成してIII族窒化物半導体積層体を形成する工程と、
該III族窒化物半導体積層体の、前記第2伝導型半導体層側の面上の一部領域に反射電極部を形成する工程と、
少なくとも前記一部領域以外の領域に、AlxGa1−xN(0≦x≦0.05)よりなるコンタクト部を、前記コンタクト部は前記反射電極部よりも厚く形成する工程と、
前記III族窒化物半導体積層体の前記第1伝導型半導体層側および前記第2伝導型半導体層側に、それぞれ第1電極および第2電極を形成する工程と、
を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
その後前記コンタクト層を形成する前記工程を行い、
その後前記保護層を除去する工程をさらに有する上記(7)または(8)に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
本発明の一実施形態であるIII族窒化物半導体発光素子100は、図1に示すとおり、基板101上に、バッファ層102と、III族窒化物半導体積層体106と、反射電極部109とコンタクト部110との混在層111と、をこの順に有している。
次に、III族窒化物半導体発光素子100の製造方法の一例を、図3を用いて説明する。まず、図3(a)に示すように、例えばMOCVD法を用いて、基板101上にAlNからなるバッファ層102を形成する。次に、図3(b)に示すように、バッファ層102上に第1伝導型であるn型の半導体層103、発光層104、および第1伝導型とは異なる第2伝導型であるp型の半導体層105を順にエピタキシャル成長させて、III族窒化物半導体積層体106を形成する。これも同様にMOCVD法で行うことができる。
本発明の参考形態であるIII族窒化物半導体発光素子200について、図4を用いて説明する。この参考形態1では、混在層211において、コンタクト部210が反射電極部209よりも薄い点以外は、実施形態1と同様である。201は基板、202はバッファ層、203はn型半導体層、204は発光層、205はp型半導体層、206はIII族窒化物半導体積層体、212はn側電極、213はp側電極である。本参考形態は、p側電極の面抵抗を低減できる点で好ましい。
本発明の他の実施形態であるIII族窒化物半導体発光素子300について、図5を用いて説明する。この実施形態では、混在層311において、コンタクト部310が、反射電極部309を覆うように形成される点以外は、実施形態1と同様である。実施形態1よりもコンタクト部310のエピタキシャル成長を長時間行うと、コンタクト部310は反射電極部309上で横方向成長して、図5に示すような平坦な表面を有するコンタクト部310が形成される。反射電極部309のない部位でのコンタクト部310の膜厚は、100nm〜500nmの範囲とすることが好ましい。301は基板、302はバッファ層、303はn型半導体層、304は発光層、305はp型半導体層、306はIII族窒化物半導体積層体、312はn側電極、313はp側電極である。なお、本実施形態では、反射電極部309の形成後、反射電極部309上にSiO2,SiNxなどからなる保護層(不図示)を形成し、それを除去することなくコンタクト部310を形成することが、反射電極部の窒化を抑制する観点から好ましい。
本発明の一実施形態として、垂直(Vertical)型のIII族窒化物半導体発光素子400を製造する工程を、図6により説明する。混在層411を形成する工程までは、実施形態1の製造方法として図3(f)で示した工程と同様である。図6(a)に示すように、その後、混在層411上に順次、p側電極413、接続金属層414、サポート基板415を形成する。
サファイア基板(0001)面上にAlNエピタキシャル層を有するAlNテンプレートの上に、MOCVD法により、初期層としてAlN層(厚さ27nm)を積層後、超格子歪緩衝層、n型窒化物半導体層、発光層、p型窒化物半導体層を順次エピタキシャル成長させ、エピタキシャル積層体を形成した。ここまでの積層構造を表1に示す。表1に示すとおり、p型窒化物半導体層の最上部には、酸化防止層として厚さ3nmのp−GaNを形成した。なお、AlNエピタキシャル層は厚さが800nmであり転位密度が1×1010cm−2以下のものを使用した。
反射電極部の厚さを30nm、コンタクト部の厚さを20nmとしたこと以外は、実施例1と同様の方法で、図4に示す参考形態1のIII族窒化物半導体発光素子200を作製した。
反射電極部のない部位でのコンタクト部の厚さを200nmとした結果、コンタクト部は反射電極部上に横方向成長して、コンタクト部が厚さ10nmの反射電極部を覆うように形成された。この点以外は、実施例1と同様の方法で、図5に示す実施形態3のIII族窒化物半導体発光素子300を作製した。
Ru膜の形成後にさらにスパッタ法によりRu膜上にSiO2保護膜(厚さ10nm)を形成し、レジストの除去によりレジスト上の保護膜およびRuを除去して、5μm幅5μm間隔の短冊状のRuからなる反射電極部を形成としたこと、および、コンタクト部としてp−GaNを形成後に、BHFを用いてSiO2保護膜を除去したこと以外は、実施例1と同様の方法で、図1に示す実施形態1のIII族窒化物半導体発光素子100を作製した。
表1において最上部の酸化防止層を形成しない点以外は、表1と同様の積層構造でp型窒化物半導体層までを形成した。その後、p型窒化物半導体層の最上部の全面に、p型コンタクト層(p−GaN:厚さ20nm)、反射電極層(Ru:厚さ10nm)を順に形成した。p側電極およびn側電極は、実施例1と同様に形成した。このようにして、図7に示すIII族窒化物半導体発光素子500を作製した。なお、501は基板、502はバッファ層、503はn型半導体層、504は発光層、505はp型半導体層、506はIII族窒化物半導体積層体、510はp型コンタクト層(p−GaN)、509は反射電極層、512はn側電極、513はp側電極である。
比較例1のp型コンタクト層(p−GaN)を形成しなかった点以外は比較例1と同様の方法で、図8に示すIII族窒化物半導体発光素子600を作製した。なお、601は基板、602はバッファ層、603はn型半導体層、604は発光層、605はp型半導体層、606はIII族窒化物半導体積層体、609は反射電極層、612はn側電極、613はp側電極である。
表1において最上部の酸化防止層を形成しない点以外は、表1と同様の積層構造でp型窒化物半導体層までを形成した。その後、p型窒化物半導体層の最上部の全面に、p型コンタクト層(p−GaN:厚さ20nm)を形成し、その後、実施例1と同様に短冊状の反射電極部(Ru:厚さ10nm)を形成した。そして、反射電極部および露出したp型コンタクト層の上に、p側電極としてNi/Auを形成した。このようにして図9に示すIII族窒化物半導体発光素子700を作製した。なお、701は基板、702はバッファ層、703はn型半導体層、704は発光層、705はp型半導体層、706はIII族窒化物半導体積層体、710はp型コンタクト層、709は反射電極層、712はn側電極、713はp側電極である。
得られた発光素子に定電流電圧電源を用いて20mAの電流を流したときの順方向電圧Vfおよび積分球による発光出力Poを測定し、比較例1における値を1として指数表示した。結果を表2に示す。Poについては、指数が大きいほど発光出力が大きく優れた特性いることを示す。Vfについては、指数が小さいほど順方向電圧が小さく優れた特性であることを示す。
表2に示すとおり、実施例1,3,4および参考例1は、順方向電圧Vfが比較例1と同等以上で、発光出力Poが比較例1よりも格段に大きくなった。特に実施例4では、SiO2によりRuの窒化が確実に防止できた結果、最も高い発光出力を得ることができた。一方、比較例2は、p型コンタクト層(p−GaN)を形成しなかったため、十分なキャリア密度を得ることができず、比較例1よりもVfは大きく、Poは小さくなり、両特性とも比較例1よりさらに劣っていた。また比較例3は、比較例1よりもVfは小さいものの、Poが小さかった。
101 基板
102 バッファ層
103 n型半導体層(第1伝導型半導体層)
104 発光層
105 p型半導体層(第2伝導型半導体層)
106 III族窒化物半導体積層体
107 第1表面
108 第2表面
109 反射電極部
110 コンタクト部
111 混在層
112 n側電極(第1電極)
113 p側電極(第2電極)
414 接合金属
415 サポート基板
116 保護層
Claims (9)
- 発光層と、該発光層を挟んで形成される第1伝導型の半導体層および第1伝導型とは異なる第2伝導型の半導体層とからなるIII族窒化物半導体積層体と、
該III族窒化物半導体積層体の前記第1伝導型半導体層側および前記第2伝導型半導体層側にそれぞれ形成された第1電極および第2電極と、
を有するIII族窒化物半導体発光素子であって、
前記III族窒化物半層体積層体の、光取出し側の第1表面とは反対側の第2表面上に、反射電極部と、AlxGa1−xN(0≦x≦0.05)よりなるコンタクト部との混在層を有し、かつ、前記コンタクト部は前記反射電極部よりも厚いことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。 - 前記混在層は、
前記反射電極部および前記コンタクト部の少なくとも一方が、前記第2表面上で複数の島状領域を形成するように設けられ、
他方が前記複数の島状領域間に少なくとも位置するよう設けられる請求項1に記載のIII族窒化物半導体発光素子。 - 前記第2表面を構成する半導体層がp型であり、
前記反射電極部が、Rh,Pt,Ir,Ru,Mo、およびこれらを含有する合金のいずれかからなる請求項1または2に記載のIII族窒化物半導体発光素子。 - 前記第1電極および第2電極のうち、前記第2表面を構成する半導体層側の電極が、前記反射電極部および/または前記コンタクト部上に形成される請求項1乃至3のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- 前記III族窒化物半導体積層体の前記第2表面は、厚さ5nm以下で形成されたAlxGa1−xN(0≦x≦0.05)よりなる半導体層で構成される請求項1乃至4のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- 前記コンタクト部が、前記反射電極部を覆うように形成される請求項1〜5に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- 基板上にバッファ層を形成する工程と、
該バッファ層上に第1伝導型の半導体層、発光層、および前記第1伝導型とは異なる第2伝導型の半導体層を順に形成してIII族窒化物半導体積層体を形成する工程と、
該III族窒化物半導体積層体の、前記第2伝導型半導体層側の面上の一部領域に反射電極部を形成する工程と、
少なくとも前記一部領域以外の領域に、AlxGa1−xN(0≦x≦0.05)よりなるコンタクト部を、前記コンタクト部は前記反射電極部よりも厚く形成する工程と、
前記III族窒化物半導体積層体の前記第1伝導型半導体層側および前記第2伝導型半導体層側に、それぞれ第1電極および第2電極を形成する工程と、
を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記III族窒化物半導体積層体の、前記反射電極部およびコンタクト部が設けられる側の面に、AlxGa1−xN(0≦x≦0.05)よりなる半導体層を厚さ5nm以下で形成する工程をさらに有する請求項7に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記反射電極部を形成する前記工程の後、前記反射電極部上に保護層を設ける工程をさらに有し、
その後前記コンタクト層を形成する前記工程を行い、
その後前記保護層を除去する工程をさらに有する請求項7または8に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012536227A JP5508539B2 (ja) | 2010-09-30 | 2011-09-30 | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010222728 | 2010-09-30 | ||
JP2010222728 | 2010-09-30 | ||
JP2012536227A JP5508539B2 (ja) | 2010-09-30 | 2011-09-30 | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
PCT/JP2011/005558 WO2012042909A1 (ja) | 2010-09-30 | 2011-09-30 | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012042909A1 JPWO2012042909A1 (ja) | 2014-02-06 |
JP5508539B2 true JP5508539B2 (ja) | 2014-06-04 |
Family
ID=45892397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012536227A Active JP5508539B2 (ja) | 2010-09-30 | 2011-09-30 | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9263642B2 (ja) |
EP (1) | EP2624318A4 (ja) |
JP (1) | JP5508539B2 (ja) |
KR (1) | KR101441833B1 (ja) |
CN (1) | CN103140947B (ja) |
WO (1) | WO2012042909A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6008284B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2016-10-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体紫外発光素子 |
US9082935B2 (en) * | 2012-11-05 | 2015-07-14 | Epistar Corporation | Light-emitting element and the light-emitting array having the same |
US9419194B2 (en) * | 2013-08-13 | 2016-08-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Transparent electron blocking hole transporting layer |
CN103594586B (zh) * | 2013-10-21 | 2016-06-29 | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 | 一种具有粗化表面的电极结构的制造方法 |
DE102014202220B3 (de) | 2013-12-03 | 2015-05-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines Deckelsubstrats und gehäustes strahlungsemittierendes Bauelement |
TWI574433B (zh) * | 2015-02-09 | 2017-03-11 | High-energy non-visible light-emitting diodes with safety instructions | |
JP6860293B2 (ja) * | 2015-04-28 | 2021-04-14 | 日機装株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
CN106129191A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-11-16 | 中山大学 | 基于Be辅助掺杂技术的高亮度紫外LED及其制备方法 |
KR102294898B1 (ko) * | 2019-09-23 | 2021-08-27 | 주식회사 포톤웨이브 | 자외선 led의 제조 방법 및 그에 따른 자외선 led |
KR20220097772A (ko) * | 2020-12-31 | 2022-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널, 이를 구비한 표시 장치, 및 표시 패널의 제조방법 |
JP6995227B1 (ja) | 2021-01-07 | 2022-01-14 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
WO2023120996A1 (ko) * | 2021-12-23 | 2023-06-29 | 서울바이오시스주식회사 | 발광 다이오드 |
WO2023227212A1 (en) * | 2022-05-25 | 2023-11-30 | Ams-Osram International Gmbh | Method for processing an optoelectronic device and optoelectronic device |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11214744A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2001257429A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置 |
JP2001291930A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体光デバイス装置 |
WO2003098710A1 (en) * | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element and production method therefor |
JP2004119983A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ビーム放射型半導体素子 |
JP2004200431A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Toshiba Corp | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2008159980A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Kyocera Corp | 発光素子及び照明装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5777350A (en) * | 1994-12-02 | 1998-07-07 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting device |
JP3835446B2 (ja) * | 1995-02-23 | 2006-10-18 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
ATE445233T1 (de) * | 2002-01-28 | 2009-10-15 | Nichia Corp | Nitrid-halbleiterbauelement mit einem trägersubstrat und verfahren zu seiner herstellung |
GB2407702A (en) * | 2003-10-28 | 2005-05-04 | Sharp Kk | A semiconductor light-emitting device |
TWI234298B (en) * | 2003-11-18 | 2005-06-11 | Itswell Co Ltd | Semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same |
KR100506741B1 (ko) * | 2003-12-24 | 2005-08-08 | 삼성전기주식회사 | 플립칩용 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US7808011B2 (en) * | 2004-03-19 | 2010-10-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers |
US20080048194A1 (en) * | 2004-06-14 | 2008-02-28 | Hiromitsu Kudo | Nitride Semiconductor Light-Emitting Device |
JP4632697B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2011-02-16 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
KR100576870B1 (ko) * | 2004-08-11 | 2006-05-10 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 |
US20080135868A1 (en) * | 2004-10-01 | 2008-06-12 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Nitride Semiconductor Light Emitting Element and Method for Manufacturing the Same |
JP4967243B2 (ja) | 2005-03-08 | 2012-07-04 | 三菱化学株式会社 | GaN系発光ダイオードおよび発光装置 |
US20060267043A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Emerson David T | Deep ultraviolet light emitting devices and methods of fabricating deep ultraviolet light emitting devices |
JP2007158131A (ja) | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体光素子 |
JP2007005591A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2007027510A (ja) | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Fujikura Ltd | 実装基板及び電子部品の実装方法 |
JP2007027540A (ja) | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびこれを用いた照明装置 |
JP5072397B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2012-11-14 | 昭和電工株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
TWI331816B (en) * | 2007-04-03 | 2010-10-11 | Advanced Optoelectronic Tech | Semiconductor light-emitting device |
KR101449035B1 (ko) * | 2008-04-30 | 2014-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 |
JP5376866B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2013-12-25 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
KR101103882B1 (ko) * | 2008-11-17 | 2012-01-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
-
2011
- 2011-09-30 US US13/825,888 patent/US9263642B2/en active Active
- 2011-09-30 KR KR1020137008400A patent/KR101441833B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-30 EP EP11828474.4A patent/EP2624318A4/en not_active Withdrawn
- 2011-09-30 CN CN201180047281.0A patent/CN103140947B/zh active Active
- 2011-09-30 WO PCT/JP2011/005558 patent/WO2012042909A1/ja active Application Filing
- 2011-09-30 JP JP2012536227A patent/JP5508539B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11214744A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2001257429A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置 |
JP2001291930A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体光デバイス装置 |
WO2003098710A1 (en) * | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element and production method therefor |
JP2004119983A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ビーム放射型半導体素子 |
JP2004200431A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Toshiba Corp | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2008159980A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Kyocera Corp | 発光素子及び照明装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103140947A (zh) | 2013-06-05 |
US9263642B2 (en) | 2016-02-16 |
KR101441833B1 (ko) | 2014-09-18 |
JPWO2012042909A1 (ja) | 2014-02-06 |
EP2624318A1 (en) | 2013-08-07 |
US20130193471A1 (en) | 2013-08-01 |
CN103140947B (zh) | 2016-03-16 |
KR20130052006A (ko) | 2013-05-21 |
EP2624318A4 (en) | 2015-11-11 |
WO2012042909A1 (ja) | 2012-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5508539B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP5988568B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP3920315B2 (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
JP5232972B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 | |
JP6730082B2 (ja) | 深紫外発光素子の製造方法 | |
JP2007073734A (ja) | 発光素子 | |
JP2004281863A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
JP2005244207A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
JP6978206B2 (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
US9508891B2 (en) | Method for making light-emitting device | |
WO2011077748A1 (ja) | バーチカル型iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2019207925A (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
JP2008244160A (ja) | III族窒化物系化合物半導体に対する電極形成方法及びp型III族窒化物系化合物半導体の製造方法 | |
JP2021097148A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP6945666B2 (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
WO2014041719A1 (ja) | 半導体紫外発光素子 | |
JP2006024913A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極および発光素子 | |
JP2007073590A (ja) | 発光素子 | |
JP6190591B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP6814902B1 (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
JP2013138093A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
US20230060636A1 (en) | Light emitting device | |
US20240282890A1 (en) | Light emitting element and manufacturing method thereof | |
JP2009182010A (ja) | 3族窒化物化合物半導体の製造方法、発光素子、照明装置及び3族窒化物化合物半導体成長用の基板 | |
WO2015029727A1 (ja) | 半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140225 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140320 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5508539 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |