JP6978206B2 - 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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- 第1主面と、第1主面とは反対側の第2主面とを有する基板と、
前記第1主面上に設けられ、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系半導体材料の活性層を含み、波長360nm以下の深紫外光を発する発光構造と、
前記第2主面上に設けられる第1裏面層と、前記第1裏面層上に設けられる第2裏面層と、を含む裏面構造と、を備え、
前記基板は、サファイア(Al 2 O 3 )基板であり、
前記第1裏面層は、窒化アルミニウム(AlN)層であり、
前記第2裏面層は、前記活性層よりもAlNのモル分率が高いAlGaN層であり、
前記基板と前記第2裏面層の間の格子不整合率は、前記基板と前記第1裏面層の間の格子不整合率より大きいことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第1主面と前記発光構造の間に設けられるバッファ層をさらに備え、
前記第1裏面層の厚さは、前記バッファ層の厚さの0.2倍以上2倍以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記発光構造は、前記基板と前記活性層の間に設けられるクラッド層を含み、前記活性層は、前記クラッド層上の一部領域に設けられ、
前記第2裏面層の厚さは、前記クラッド層の厚さの0.2倍以上2倍以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。 - 前記裏面構造は、前記発光構造が発する波長の深紫外光の透過率が90%以上であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系半導体材料の活性層を含み、波長360nm以下の深紫外光を発する発光構造を基板の第1主面上に形成する工程と、
前記基板の前記第1主面とは反対側の第2主面上に第1裏面層を形成する工程と、
前記第1裏面層上に第2裏面層を形成する工程と、を備え、
前記基板は、サファイア(Al 2 O 3 )基板であり、
前記第1裏面層は、窒化アルミニウム(AlN)層であり、
前記第2裏面層は、前記活性層よりもAlNのモル分率が高いAlGaN層であり、
前記基板と前記第2裏面層の間の格子不整合率は、前記基板と前記第1裏面層の間の格子不整合率より大きいことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記第2裏面層を形成する工程の後に前記発光構造上に電極を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子の製造方法。
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