JP6383826B1 - 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光素子10は、窒化アルミニウム(AlN)層上に設けられるn型AlGaN系半導体材料のn型第1クラッド層24と、n型第1クラッド層24上に設けられ、n型第1クラッド層24よりAlNモル分率が低く、かつ、AlNモル分率が50%以下であるn型AlGaN系半導体材料のn型第2クラッド層25と、n型第2クラッド層25上に設けられるAlGaN系半導体材料の活性層26と、活性層26上に設けられるp型半導体層と、を備える。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- 窒化アルミニウム(AlN)層上に設けられるn型AlGaN系半導体材料のn型第1クラッド層と、
前記n型第1クラッド層上に設けられ、前記n型第1クラッド層よりAlNモル分率が低く、かつ、AlNモル分率が50%以下であるn型AlGaN系半導体材料のn型第2クラッド層と、
前記n型第2クラッド層上に設けられるAlGaN系半導体材料の活性層と、
前記活性層上に設けられるp型半導体層と、を備え、
前記活性層は、波長300nm以上360nm以下の深紫外光を発するよう構成され、
前記n型第1クラッド層と前記n型第2クラッド層のAlNモル分率の差は、5%以上25%以下であることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記活性層は、波長が300nmより大きく、355nm以下の紫外光を発するよう構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記n型第1クラッド層のAlNモル分率は40%以上であり、前記n型第2クラッド層のAlNモル分率は30%以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記n型第2クラッド層は、前記n型第1クラッド層よりも積層方向の厚さが大きいことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 窒化アルミニウム(AlN)層上にn型AlGaN系半導体材料のn型第1クラッド層を形成する工程と、
前記n型第1クラッド層上に、前記n型第1クラッド層よりAlNモル分率が低く、かつ、AlNモル分率が50%以下であるn型AlGaN系半導体材料のn型第2クラッド層を形成する工程と、
前記n型第2クラッド層上にAlGaN系半導体材料の活性層を形成する工程と、
前記活性層上にp型半導体層を形成する工程と、を備え、
前記活性層は、波長300nm以上360nm以下の深紫外光を発するよう構成され、
前記n型第1クラッド層と前記n型第2クラッド層のAlNモル分率の差は、5%以上25%以下であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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