JP6945666B2 - 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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- n型In 1−x−y Al x Ga y N(0≦x+y≦1、0≦x≦1、0≦y≦1)から構成され、酸素濃度が1×10 17 /cm 3 未満であるn型クラッド層と、
前記n型クラッド層上に設けられ、酸素濃度が2×10 17 /cm 3 以上である、酸窒化アルミニウム(AlON)、または、酸窒化アルミニウムガリウム(AlGaON)から構成される中間層と、
前記中間層上に設けられ、In 1−x−y Al x Ga y N(0≦x+y≦1、0≦x≦1、0≦y≦1)から構成される活性層と、
前記活性層上に設けられるp型半導体層と、を備えることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記中間層は、シリコン(Si)を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記中間層の厚さは、10nm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 基板上にn型In 1−x−y Al x Ga y N(0≦x+y≦1、0≦x≦1、0≦y≦1)から構成され、酸素濃度が1×10 17 /cm 3 未満であるn型クラッド層を形成する工程と、
前記n型クラッド層の表面に、酸素濃度が2×10 17 /cm 3 以上である、酸窒化アルミニウム(AlON)、または、酸窒化アルミニウムガリウム(AlGaON)から構成される中間層を形成する工程と、
前記中間層上にIn 1−x−y Al x Ga y N(0≦x+y≦1、0≦x≦1、0≦y≦1)から構成される活性層を形成する工程と、
前記活性層上にp型半導体層を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2020074464A JP2020074464A (ja) | 2020-05-14 |
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JP (1) | JP6945666B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7041715B2 (ja) * | 2020-06-23 | 2022-03-24 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法 |
CN116705927B (zh) * | 2023-08-09 | 2023-11-07 | 江西兆驰半导体有限公司 | Led外延片及其制备方法、led |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4375497B1 (ja) * | 2009-03-11 | 2009-12-02 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体素子、エピタキシャル基板、及びiii族窒化物半導体素子を作製する方法 |
JP5636773B2 (ja) * | 2010-07-06 | 2014-12-10 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ |
JP2015188048A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-10-29 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体積層体および半導体発光素子 |
JP6654596B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2020-02-26 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
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JP2020074464A (ja) | 2020-05-14 |
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