JP6891865B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
図1は一実施形態にかかる発光素子を概略的に示す断面図である。図2は図1におけるA領域を拡大表示した断面図である。図3は図2に示したC範囲における各半導体層のバンドギャップの大きさを模式的に示すエネルギー図である。図4は図1におけるB領域を拡大表示した断面図である。
図5は第2実施形態にかかる発光素子を概略的に示す断面図である。本実施形態は第1実施形態の変形である。本実施形態において、第1実施形態と同じ機能を有する部品、部材、部分、素子、要素については、第1実施形態と同じ符号を付しており、且つその説明を省略することがある。
図6は第3実施形態にかかる発光素子を概略的に示す断面図である。この実施形態は第1実施形態の変形である。本実施形態において、第1実施形態と同じ機能を有する部品、部材、部分、素子、要素については、第1実施形態と同じ符号を付しており、且つその説明を省略することがある。
この実施形態は第1実施形態の変形である。本実施形態において、第1実施形態と同じ機能を有する部品、部材、部分、素子、要素については、第1実施形態と同じ符号を付しており、且つその説明を省略することがある。
この実施形態は第1実施形態の変形である。本実施形態において、第1実施形態と同じ機能を有する部品、部材、部分、素子、要素については、第1実施形態と同じ符号を付しており、且つその説明を省略することがある。
この実施形態は第1実施形態の変形である。本実施形態において、第1実施形態と同じ機能を有する部品、部材、部分、素子、要素については、第1実施形態と同じ符号を付しており、且つその説明を省略することがある。
この実施形態は第1実施形態の変形である。本実施形態において、第1実施形態と同じ機能を有する部品、部材、部分、素子、要素については、第1実施形態と同じ符号を付しており、且つその説明を省略することがある。
以上、実施形態及び実施例を用いて本発明を説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態の記載の範囲に限定されるものではない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることができることは当業者にとって明らかである。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることは、特許請求の範囲の記載から明らかである。例えば、上記実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであるが、本発明は必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。なお、各実施形態の構成の一部について、他の構成によって置換することも可能であり、それを削除することも可能である。
102 基板
104 n側半導体層
106 活性層
108 p側半導体層
112 n電極
114 p電極
202 障壁層
204 井戸層
204a 最初の井戸層
204b 最後の井戸層
206 第1層
206a 最初の第1層
206b 最後の第1層
208 第2層
208a 最初の第2層
208b 最後の第2層
Claims (11)
- 窒化物半導体からなるn側半導体層と、
窒化物半導体からなるp側半導体層と、
前記n側半導体層と前記p側半導体層の間に設けられ、窒化物半導体からなる複数の井戸層と、窒化物半導体からなる複数の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する活性層と、
を含む発光素子であって、
前記複数の井戸層のうちいずれか1つの井戸層と、前記複数の障壁層のうち前記1つの井戸層のp側半導体層側に隣り合って設けられた1つの障壁層との間に、前記1つの井戸層側から順に設けられた、いずれの前記井戸層よりバンドギャップが大きくいずれの前記井戸層より薄い第1層と、前記第1層及びいずれの前記障壁層よりバンドギャップが小さくいずれの前記井戸層より薄い第2層と、を有し、
複数の前記井戸層のうち前記p側半導体層に最も近い最後の井戸層を除く井戸層と、前記複数の障壁層のうち前記最後の井戸層を除く井戸層のp側半導体層側に隣り合って設けられた障壁層との間に、前記第1層及び前記第2層を有する
ことを特徴とする発光素子。 - 窒化物半導体からなるn側半導体層と、
窒化物半導体からなるp側半導体層と、
前記n側半導体層と前記p側半導体層の間に設けられ、窒化物半導体からなる複数の井戸層と、窒化物半導体からなる複数の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する活性層と、
を含む発光素子であって、
前記複数の井戸層のうちいずれか1つの井戸層と、前記複数の障壁層のうち前記1つの井戸層のp側半導体層側に隣り合って設けられた1つの障壁層との間に、前記1つの井戸層側から順に設けられた、いずれの前記井戸層よりバンドギャップが大きくいずれの前記井戸層より薄い第1層と、前記第1層及びいずれの前記障壁層よりバンドギャップが小さくいずれの前記井戸層より薄い第2層と、を有し、
複数の前記井戸層のうち前記n側半導体層に最も近い最初の井戸層を除く井戸層と、前記複数の障壁層のうち前記最初の井戸層を除く井戸層のp側半導体層側に隣り合って設けられた障壁層との間に、前記第1層及び前記第2層を有する
ことを特徴とする発光素子。 - 窒化物半導体からなるn側半導体層と、
窒化物半導体からなるp側半導体層と、
前記n側半導体層と前記p側半導体層の間に設けられ、窒化物半導体からなる複数の井戸層と、窒化物半導体からなる複数の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する活性層と、
を含む発光素子であって、
前記複数の井戸層のうちいずれか1つの井戸層と、前記複数の障壁層のうち前記1つの井戸層のp側半導体層側に隣り合って設けられた1つの障壁層との間に、前記1つの井戸層側から順に設けられた、いずれの前記井戸層よりバンドギャップが大きくいずれの前記井戸層より薄い第1層と、前記第1層及びいずれの前記障壁層よりバンドギャップが小さくいずれの前記井戸層より薄い第2層と、を有し、
複数の前記井戸層のうち前記n側半導体層に最も近い最初の井戸層、及び前記p側半導体層に最も近い最後の井戸層を除く井戸層と、前記複数の障壁層のうち前記最初の井戸層及び前記最後の井戸層を除く井戸層のp側半導体層側に隣り合って設けられた障壁層との間に、前記第1層及び前記第2層を有する
ことを特徴とする発光素子。 - 窒化物半導体からなるn側半導体層と、
窒化物半導体からなるp側半導体層と、
前記n側半導体層と前記p側半導体層の間に設けられ、窒化物半導体からなる複数の井戸層と、窒化物半導体からなる複数の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する活性層と、
を含む発光素子であって、
前記複数の井戸層のうちいずれか1つの井戸層と、前記複数の障壁層のうち前記1つの井戸層のp側半導体層側に隣り合って設けられた1つの障壁層との間に、前記1つの井戸層側から順に設けられた、いずれの前記井戸層よりバンドギャップが大きくいずれの前記井戸層より薄い第1層と、前記第1層及びいずれの前記障壁層よりバンドギャップが小さくいずれの前記井戸層より薄い第2層と、を有し、
複数の前記第2層のうち前記n側半導体層に最も近い最初の第2層のIn含有量は、他の前記第2層のIn含有量より少ない
ことを特徴とする発光素子。 - 窒化物半導体からなるn側半導体層と、
窒化物半導体からなるp側半導体層と、
前記n側半導体層と前記p側半導体層の間に設けられ、窒化物半導体からなる複数の井戸層と、窒化物半導体からなる複数の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する活性層と、
を含む発光素子であって、
前記複数の井戸層のうちいずれか1つの井戸層と、前記複数の障壁層のうち前記1つの井戸層のp側半導体層側に隣り合って設けられた1つの障壁層との間に、前記1つの井戸層側から順に設けられた、いずれの前記井戸層よりバンドギャップが大きくいずれの前記井戸層より薄い第1層と、前記第1層及びいずれの前記障壁層よりバンドギャップが小さくいずれの前記井戸層より薄い第2層と、を有し、
複数の前記第2層のうち前記n側半導体層に最も近い最初の第2層、及び前記p側半導体層に最も近い最後の第2層のIn含有量は、他の前記第2層のIn含有量より少ない
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1から5の何れか一項に記載の発光素子であって、
前記井戸層及び前記第2層は、Inを含む窒化物半導体からなり、
前記第2層のIn含有量は、前記井戸層のIn含有量より少ない
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1から6の何れか一項に記載の発光素子であって、
前記第1層の膜厚は、0.1〜2.0nmである
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1から7の何れか一項に記載の発光素子であって、
前記第2層の膜厚は、0.1〜2.0nmである
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1から8の何れか一項に記載の発光素子であって、
前記障壁層及び第1層は、Gaを含む窒化物半導体からなる
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1から9の何れか一項に記載の発光素子であって、
前記障壁層の膜厚は、3.0〜5.0nmである
ことを特徴とする発光素子。 - 請求項1から10の何れか一項に記載の発光素子であって、
前記井戸層の膜厚は、前記障壁層よりも薄い
ことを特徴とする発光素子。
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