TWI760809B - 氮化物半導體發光元件 - Google Patents

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Abstract

本發明所欲解決的問題在於提供一種氮化物半導體發光元件，其能夠提升發光輸出。 　　為了解決上述問題，本發明的技術手段為一種氮化物半導體發光元件，具備：活性層，其包含障壁層；p型接觸層，其位於活性層的上側；及，電子阻擋積層體，其位於活性層與p型接觸層之間；其中，電子阻擋積層體具備：第一電子阻擋層，其位於活性層側，該第一電子阻擋層具有的Al組成比大於障壁層的Al組成比；及，第二電子阻擋層，其位於p型接觸層側，該第二電子阻擋層具有的Al組成比小於障壁層的Al組成比。

Description

氮化物半導體發光元件
本發明關於氮化物半導體發光元件。
近年來，用於輸出紫外光之發光二極體和雷射二極體等氮化物半導體發光元件持續實用化，於是持續進行可提升發光輸出之氮化物半導體發光元件的開發（參照專利文獻1）。
專利文獻1記載的發光元件，其被形成在Ⅲ族氮化物單晶上，並具備由障壁層與量子井層構成之多重量子井層，且以下述方式作調整：將位於該障壁層之中的p型Ⅲ族氮化物層側之最終阻障層（final barrier layer）的厚度製成2奈米（nm）至10nm，並將該量子井層的厚度分別製成2nm以下。 [先前技術文獻] （專利文獻）
專利文獻1：日本特許第5641173號公報
[發明所欲解決的問題]
然而，即使如專利文獻1記載的發光元件般地施行將最終阻障層及量子井層的膜厚最佳化的對策，還是會有無法獲得足夠的發光強度的情況，關於提升發光強度，尚有進一步改善的餘地。
因此，本發明目的在於提供一種氮化物半導體發光元件，其能夠提升發光輸出。 [用以解決問題的技術手段]
為了解決上述問題，本發明提供一種氮化物半導體發光元件，具備：活性層，其包含障壁層；p型接觸層，其位於前述活性層的上側；及，電子阻擋積層體，其位於前述活性層與前述p型接觸層之間；其中，前述電子阻擋積層體具備：第一電子阻擋層，其位於前述活性層側，該第一電子阻擋層具有的鋁（Al）組成比大於前述障壁層的Al組成比；及，第二電子阻擋層，其位於前述p型接觸層側，該第二電子阻擋層具有的Al組成比小於前述障壁層的Al組成比。 [發明的功效]
依據本發明，能夠提供一種氮化物半導體發光元件，其能夠提升發光輸出。
針對本發明的實施方式，參照圖式來作說明。並且，以下說明的實施方式是作為實施本發明的適宜的具體例而顯示，雖然也有具體例示技術方面較佳的各種技術事項的部分，但本發明的技術範圍並不限於該具體態樣。另外，第1圖及第3圖顯示的各構成要素的尺寸比率並非必然與實際的氮化物半導體發光元件的尺寸比率一致。
[第一實施方式] （氮化物半導體發光元件的結構） 第1圖是概略性顯示本發明的第一實施方式的氮化物半導體發光元件的結構的一個示例的剖面圖。第2圖是示意性顯示構成第1圖所示的氮化物半導體發光元件之半導體層的Al組成比（也稱為「AlN莫耳分率」）的一個示例的圖。此氮化物半導體發光元件1（以下，也簡稱為「發光元件1」）包含例如雷射二極體和發光二極體（Light Emitting Diode，LED）。在本實施方式中，作為發光元件1，舉出發射中心波長為250nm〜360nm的紫外光之發光二極體（LED）為例來說明。
如第1圖所示，發光元件1包含下述而構成：基板11、緩衝層12、n型包覆層30、活性層50、複數個電子阻擋層積層而成之電子阻擋積層體60、p型接觸層80、n側電極90及p側電極92。
活性層50具備：三個障壁層52a、52b、52c，包含位於n型包覆層30側之障壁層52a；及，三個量子井層54a、54b、54c，包含位於電子阻擋積層體60側之量子井層54c。電子阻擋積層體60包含由第一電子阻擋層61與第二電子阻擋層62依序積層而成的構造。並且，在以下說明中，在統稱三個障壁層52a、52b、52c時，也稱為「障壁層52」，在統稱三個量子井層54a、54b、54c時，也稱為「量子井層54」。
就構成發光元件1之半導體而言，例如，能夠使用由Alr Gas In1-r-s N（0≦r≦1，0≦s≦1，0≦r+s≦1）表示的二元系、三元系或四元系Ⅲ族氮化物半導體。另外，這些Ⅲ族元素的一部分可由硼（B）、鉈（Tl）等取代，另外，亦可將氮（N）的一部分由磷（P）、砷（As）、銻（Sb）或鉍（Bi）等取代。以下，針對各構成要素作說明。
（1）基板11 基板11是對於發光元件1所發射的紫外光具有透光性的基板。就基板11而言，例如，能夠使用藉由藍寶石（Al2 O3 ）形成之藍寶石基板。並且，基板11可以是藉由氮化鋁（AlN）形成之AlN單晶基板。
（2）緩衝層12 緩衝層12被形成在基板11上。緩衝層12是藉由AlN形成的AlN層。緩衝層12具有1.0微米（μm）至4.5μm程度的膜厚。緩衝層12的構造可以是單層構造，也可以是多層構造。並且，在基板11是AlN單晶基板時，可以不一定要設置緩衝層12。可在緩衝層12上設置藉由氮化鋁鎵（AlGaN）形成且未摻雜之AlGaN層。
（3）n型包覆層30 n型包覆層30被形成在緩衝層12上。n型包覆層30是藉由n型AlGaN形成之層，例如是摻雜有矽（Si）作為n型雜質之AlGaN層。並且，作為n型雜質，可使用鍺（Ge）、硒（Se）、或碲（Te）等。n型包覆層30具有1μm至4μm程度的膜厚，例如具有2μm至3μm程度的膜厚。
另外，形成n型包覆層30之n型AlGaN的Al組成比，其大於形成量子井層之AlGaN的Al組成比。其原因在於，如此則會抑制下述現象：在發光元件以覆晶型（flip chip）的方式安裝之結構的情況下，也就是在從n型包覆層30側取出從活性層50出射的光之結構的情況下，該出射的光被n型包覆層30吸收，於是光取出效率下降的現象。並且，n型包覆層30的構造可以是單層構造，也可以是多層構造。
（4）活性層50 活性層50被形成在n型包覆層30上。在本實施方式中，活性層50具有量子井構造，該量子井構造由三層障壁層52a、52b、52c及三層量子井層54a、54b、54c交互積層而成。
障壁層52例如具有3nm至50nm程度之範圍的膜厚。另外，量子井層54例如具有1nm至5nm程度之範圍的膜厚。障壁層52及量子井層54的數量不限於三個，障壁層52及量子井層54分別可各設置一個、可各設置二個、可各設置四個以上。此處，將障壁層52及量子井層54分別各設置一個之結構稱為單一量子井結構（SQW：Single Quantum Well），並將設置複數個之結構稱為多重量子井結構（MQW：Multi Quantum Well）。
如第2圖所示，障壁層52包含Alx Ga1-x N而形成，量子井層54包含Ala Ga1-a N而形成（0≦x≦1，0≦a≦1，a＜x）。此處，x是形成障壁層52之AlGaN的Al組成比（以下，也稱為「障壁層52的Al組成比」），a是形成量子井層54之AlGaN的Al組成比（以下，也稱為「量子井層54的Al組成比」）。
另外，為了使活性層50能夠輸出波長為360nm以下的紫外光，障壁層52的Al組成比x及量子井層54的Al組成比a以活性層50內的能帶間隙（band gap）成為3.4eV以上的方式分別適當調整。
（5）電子阻擋積層體60 電子阻擋積層體60被形成在活性層50上。電子阻擋積層體60是扮演將電子向p型接觸層80側的流出加以抑制的角色之層。電子阻擋積層體60包含將下述積層而成的構造：第一電子阻擋層61，其位於活性層50側；及，第二電子阻擋層62，其位於此第一電子阻擋層61上。
第一電子阻擋層61及第二電子阻擋層62皆為藉由p型AlGaN形成之層，例如是摻雜有鎂（Mg）作為p型雜質之AlGaN層。並且，作為p型雜質，可使用鋅（Zn）、鈹（Be）、鈣（Ca）、鍶（Sr）、鋇（Ba）或碳（C）等。並且，電子阻擋層61可為未摻雜。
具體而言，第一電子阻擋層61包含Alb Ga1-b N而構成，第二電子阻擋層62包含Aly Ga1-y N而構成（0≦b≦1，0≦y≦1）。此處，b是形成第一電子阻擋層61之p型AlGaN的Al組成比（以下，也稱為「第一電子阻擋層61的Al組成比」），y是形成第二電子阻擋層62之p型AlGaN的Al組成比（以下，也稱為「第二電子阻擋層62的Al組成比」）。在將Al組成比低之第二電子阻擋層62配置於比第一電子阻擋層61更靠活性層50側時，溢流至Al組成比高的第一電子阻擋層61的位置為止之電子的存在機率會提升。因此，量子井層54中的電子存在機率會減少，發光效率會相應地下降。因此，為了提升量子井層54中的電子的存在機率而提高發光效率，Al組成比高的第一電子阻擋層61被設置於活性層50側。
如第2圖所示，第二電子阻擋層62的Al組成比y小於第一電子阻擋層61的Al組成比b（y＜b）。藉由將電子阻擋積層體60由包含第一電子阻擋層61與第二電子阻擋層62之複數個層構成，並使第一電子阻擋層61的Al組成比b高於第二電子阻擋層62，能夠提升上述電子阻擋積層體60的功能也就是將電子向p型接觸層80側的流出加以抑制之功能。
另外，藉由使第二電子阻擋層62的Al組成比y低於第一電子阻擋層61，能夠抑制下述現象：提高電子阻擋積層體60整體的Al組成比而可能引起電阻增加的現象。亦即，藉由將電子阻擋積層體60由Al組成比不同的二層構成，並調整其組成比及層厚，能夠兼顧抑制電子流出與抑制電阻增加。
另外，藉由如上述般地使第二電子阻擋層62的Al組成比y小於一定數值（作為一個示例，第一電子阻擋層61的Al組成比b），能夠抑制下述現象：Al組成比高時，Mg等雜質變得不易摻雜而引起發光效率下降的現象。
另外，如第2圖所示般地，第一電子阻擋層61的Al組成比b大於障壁層52的Al組成比x（亦即，x＜b）。第二電子阻擋層62的Al組成比y小於障壁層52的Al組成比x（亦即，y＜x）且大於量子井層54的Al組成比a（亦即，a＜y）。統整上述，各Al組成比a、b、x、y滿足a＜y＜x＜b的關係。在以下的表1中，統整了各Al組成比a、b、x、y的具體例。
[表1]
Figure 02_image001
第二電子阻擋層62的膜厚比第一電子阻擋層61的膜厚更厚。第二電子阻擋層62例如具有第一電子阻擋層61的膜厚的5倍以上且20倍以下的膜厚。作為一個示例，第一電子阻擋層61具有1nm以上且10nm以下的膜厚，第二電子阻擋層62具有5nm以上且100nm以下的膜厚。
電子阻擋層的Al組成比越高或膜厚越厚，則越能夠提升抑制電子流出的功能，但若將Al組成比高的層的膜厚加厚，則會有發光元件1的電阻變大之虞。然而，若如上述般地使Al組成比低的第二電子阻擋層62的膜厚比Al組成比高的第一電子阻擋層61的膜厚更厚，則能夠在積層薄的Al組成比高的第一電子阻擋層61的情況下，將電子阻擋積層體60整體的膜厚保持在一定以上。因此，若使第二電子阻擋層62的膜厚比第一電子阻擋層61的膜厚更厚，則能夠在將電子阻擋積層體60的電阻上升加以抑制的情況下，提升抑制電子流出的功能。
（6）p型接觸層80 p型接觸層80被形成在電子阻擋積層體60上，具體而言，被形成在第二電子阻擋層62上。p型接觸層80例如是藉由摻雜有高濃度的Mg等雜質且具有例如10%以下的Al組成比之p型AlGaN形成之層。較佳是：p型接觸層80是藉由p型GaN形成之p型GaN層。
（7）n側電極90 n側電極90被形成在n型包覆層30的一部分區域上。n側電極90例如由n型包覆層30上的多層膜形成，該多層膜由鈦（Ti）/鋁（Al）/Ti/金（Au）依序積層而成。
（8）p側電極92 p側電極92被形成在p型接觸層80上。p側電極92例如由p型接觸層80上的多層膜形成，該多層膜為依序積層之鎳（Ni）/金（Au）多層膜。
（發光元件1的製造方法） 隨後，針對發光元件1的製造方法作說明。首先，在基板11上高溫成長緩衝層12。隨後，在此緩衝層12上依序積層n型包覆層30、活性層50、電子阻擋積層體60及p型接觸層80，而形成具有規定直徑（例如，50mm程度）之圓板狀氮化物半導體積層體（也稱為「晶圓」（wafer））。
這些n型包覆層30、活性層50、電子阻擋積層體60及p型接觸層80，其可使用金屬有機化學氣相沉積法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）、分子束磊晶法（Molecular Beam Epitaxy，MBE）、鹵化物氣相磊晶法（Halide Vapor Phase Epitaxy，HVPE）等公知的磊晶成長法來形成。
隨後，在p型接觸層80上形成遮罩，並將活性層50、電子阻擋積層體60及p型接觸層80上的未形成遮罩的各個露出區域去除。活性層50、電子阻擋積層體60及p型接觸層80的去除，例如可藉由電漿蝕刻來進行。
在n型包覆層30的露出面30a（參照第1圖）上形成n側電極90，並在已去除遮罩之p型接觸層80上形成p側電極92。n側電極90及p側電極92例如可藉由電子束蒸鍍法或濺鍍法等公知方法來形成。藉由將此晶圓切割成規定尺寸，形成第1圖所示之發光元件1。
[第二實施方式] 第3圖是概略性顯示本發明的第二實施方式的發光元件1的結構的一個示例的剖面圖。第4圖是示意性顯示構成第3圖所示的發光元件1之半導體層的Al組成比的一個示例的圖。第二實施方式的發光元件1，其在具有p型包覆層70這點與第一實施方式的發光元件1不同。以下，以與第一實施方式的差異點為中心來說明。
本實施方式的發光元件1，其在上述第一實施方式的發光元件1的結構之外，進一步具備p型包覆層70，該p型包覆層70位於電子阻擋積層體60與p型接觸層80之間。p型包覆層70具有10nm～1000nm程度的膜厚，例如具有20nm～800nm程度的膜厚。p型包覆層70是藉由p型AlGaN形成的層。
具體而言，p型包覆層70包含Alz Ga1-z N而構成（0≦z≦1）。此處，z是形成p型包覆層70之p型AlGaN的Al組成比（以下，也稱為「p型包覆層70的Al組成比」）。
如第4圖所示，p型包覆層70的Al組成比z為第二電子阻擋層62的Al組成比y以下（亦即，z≦y）且大於量子井層54的Al組成比a（亦即，a＜z）。統整上述，各Al組成比a、b、x、y、z滿足a＜z≦y＜x＜b的關係。並且，作為一個示例，p型包覆層70的Al組成比z為0%以上且70%以下。
藉由進一步設置p型包覆層70，該p型包覆層70具有的Al組成比z小於第二電子阻擋層62的Al組成比y，能夠進一步提高抑制下述現象的功能：提高Al組成比可能引起的電阻增加的現象。
[第三實施方式] 第5圖是示意性顯示構成第三實施方式的發光元件1之半導體層的Al組成比的一個示例的圖。第三實施方式的發光元件1，其在具有Al組成比在膜厚方向上漸變之p型包覆層70這點與第一實施方式的發光元件1不同。以下，以與第一實施方式的差異點為中心來說明。並且，第三實施方式的發光元件1的結構，其與第3圖所示的第二實施方式的發光元件1實質相同，因此省略其詳細說明。
本實施方式的發光元件1，其在上述第一實施方式的發光元件1的結構之外，進一步具備p型包覆層70，該p型包覆層70位於電子阻擋積層體60與p型接觸層80之間。p型包覆層70的Al組成比z隨著朝向p型接觸層80而減小。Al組成比z的漸變率（在朝向p型接觸層80側的方向上的減少率）為0.025/nm以上且0.20/nm以下（亦即，2.5%/nm以上且20%/nm以下）。
並且，p型包覆層70的Al組成比z，其可不一定要如第5圖所示般地呈直線性減少，例如，可以是階梯狀地階段性減少，或者，可以是曲線（例如，二次函數曲線或指數函數曲線等）狀減少。較佳是：在p型包覆層70的Al組成比z呈曲線狀減少時，以與p型接觸層80的Al組成比平滑連接的方式，使Al組成比的減少率隨著朝向p型接觸層80而變小。
另外，在Al組成比漸變時，上述Al組成比之關係式（亦即，a＜z≦y＜x＜b）對於p型包覆層70的Al組成比z的最大值成立。此處，p型包覆層70的Al組成比z的最大值是指p型包覆層70的第二電子阻擋層62側的Al組成比。換言之，p型包覆層70的Al組成比的最小值（也就是p型包覆層70的p型接觸層80側的Al組成比）可小於量子井層的Al組成比a。並且，在p型包覆層70與第二電子阻擋層62之間，Al組成比z可以不連續（z＜y）。
藉由如上述般地使p型包覆層70的Al組成比z在厚度方向上漸變，p型接觸層80的Al組成比與p型包覆層70的Al組成比之間的階差會減低，因此認為更能夠將在Al組成比成為不連續之處的由於晶格失配而造成的差排的發生加以抑制。
（發光輸出） 第6圖是顯示上述實施方式的發光元件1的發光輸出的測定結果的一個示例的圖。橫軸的「實施例1」表示第一實施方式的發光元件1的測定結果，「實施例2」表示第二實施方式的發光元件1的測定結果，「實施例3」表示第三實施方式的發光元件1的測定結果。發光輸出可利用各種公知方法來測定，但在本實施例中，作為一個示例，在上述n側電極90與p側電極92之間流通一定電流（例如，100mA），並藉由設置在發光元件1的下側之光偵測器來測定。
如第6圖所示，在實施例1中，中心波長279nm處的光輸出為7.2×103 μW。另外，在實施例2中，中心波長275nm處的光輸出為7.6×103 μW。進一步，在實施例3中，中心波長282nm處的光輸出為8.6×103 μW。依據此測定結果，確認了藉由設置p型包覆層70且其具有的Al組成比z小於第二電子阻擋層62的Al組成比y、或藉由設置p型包覆層70且其具有漸變的Al組成比z，會進一步提升發光輸出。
（實施方式的統整） 隨後，針對由以上說明之實施方式所掌握的技術思想，援引實施方式中的符號等加以記載。不過，以下記載中的各個符號等並非用於將申請專利範圍中的構成要素限定在實施方式所具體顯示的部件等。
[1]一種氮化物半導體發光元件（1），具備：活性層（50），其包含AlGaN系的障壁層（52）；p型接觸層（80），其位於前述活性層（50）的上側；及，電子阻擋積層體（60），其位於前述活性層（50）與前述p型接觸層（80）之間；其中，前述電子阻擋積層體（60）具備：第一電子阻擋層（61），其位於前述活性層（50）側，該第一電子阻擋層（61）具有的Al組成比大於前述障壁層（52）的Al組成比；及，第二電子阻擋層（62），其位於前述p型接觸層（80）側，該第二電子阻擋層（62）具有的Al組成比小於前述障壁層（52）的Al組成比。 [2]如前述[1]所述之氮化物半導體發光元件（1），其中，前述活性層（50）進一步具備量子井層（54），該量子井層（54）具有的Al組成比小於前述障壁層（52）的Al組成比；前述第二電子阻擋層（62）的Al組成比大於前述量子井層（54）的Al組成比。 [3]如前述[1]或[2]所述之氮化物半導體發光元件（1），其中，前述第二電子阻擋層（62）具有的膜厚大於前述第一電子阻擋層（61）的膜厚。 [4]如前述[3]所述之氮化物半導體發光元件（1），其中，前述第二電子阻擋層（62）具有的膜厚是前述第一電子阻擋層（61）的膜厚的5倍以上且20倍以下。 [5]如前述[1]～[4]中任一項所述之氮化物半導體發光元件（1），其中，在前述第二電子阻擋層（62）與前述p型接觸層（80）之間進一步具備p型包覆層（70），該p型包覆層（70）藉由p型AlGaN形成，該p型AlGaN具有的Al組成比小於前述第二電子阻擋層（62）的Al組成比且大於前述量子井層（54）的Al組成比。 [6]如前述[5]所述之氮化物半導體發光元件（1），其中，前述p型包覆層（70）具有的Al組成比在膜厚方向上漸變。 [7]如前述[1]～[6]中任一項所述之氮化物半導體發光元件（1），其中，前述第一電子阻擋層（61）的Al組成比為80%以上，前述第二電子阻擋層（62）的Al組成比為40%以上且90%以下。
1:氮化物半導體發光元件（發光元件） 11:基板 12:緩衝層 30:n型包覆層 30a:露出面 50:活性層 52、52a、52b、52c:障壁層 54、54a、54b、54c:量子井層 60:電子阻擋積層體 61:第一電子阻擋層 62:第二電子阻擋層 70:p型包覆層 80:p型接觸層 90:n側電極 92:p側電極
第1圖是概略性顯示本發明的第一實施方式的氮化物半導體發光元件的結構的一個示例的剖面圖。 第2圖是示意性顯示構成本發明的第一實施方式的氮化物半導體發光元件之半導體層的Al組成比的一個示例的圖。 第3圖是概略性顯示本發明的第二實施方式的氮化物半導體發光元件的結構的一個示例的剖面圖。 第4圖是示意性顯示構成本發明的第二實施方式的氮化物半導體發光元件之半導體層的Al組成比的一個示例的圖。 第5圖是示意性顯示構成本發明的第三實施方式的氮化物半導體發光元件之半導體層的Al組成比的一個示例的圖。 第6圖是顯示本發明的實施方式的發光元件的發光輸出的測定結果的一個示例的圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
30:n型包覆層
50:活性層
52、52a、52b、52c:障壁層
54、54a、54b、54c:量子井層
60:電子阻擋積層體
61:第一電子阻擋層
62:第二電子阻擋層
80:p型接觸層

Claims (5)

  1. 一種氮化物半導體發光元件，具備：活性層，其包含AlGaN系的障壁層；p型接觸層，其位於前述活性層的上側；及，電子阻擋積層體，其位於前述活性層與前述p型接觸層之間；其中，前述電子阻擋積層體具備：第一電子阻擋層，其位於前述活性層側，該第一電子阻擋層具有的Al組成比大於前述障壁層的Al組成比，且自前述活性層側的一端以至前述p型接觸層側的另一端為固定值；及，第二電子阻擋層，其位於前述p型接觸層側，該第二電子阻擋層具有的Al組成比小於前述障壁層的Al組成比，且自前述活性層側的一端以至前述p型接觸層側的另一端為固定值；前述第二電子阻擋層具有的膜厚是前述第一電子阻擋層的膜厚的5倍以上且20倍以下；前述活性層進一步具備量子井層，該量子井層具有的Al組成比小於前述障壁層的Al組成比；該氮化物半導體發光元件在前述第二電子阻擋層與前述p型接觸層之間進一步具備p型包覆層，該p型包覆層藉由p型AlGaN形成，該p型AlGaN具有的Al組成比小於前述第二電子阻擋層的Al組成比且大於前述量子井層的Al組成比。
  2. 如請求項1所述之氮化物半導體發光元件，其中，前述第二電子阻擋層的Al組成比大於前述量子井層的Al組成比。
  3. 如請求項1所述之氮化物半導體發光元件，其中，前述p型包覆層具有的Al組成比在膜厚方向上漸變。
  4. 如請求項1所述之氮化物半導體發光元件，其中，前述第一電子阻擋層的Al組成比為80%以上，前述第二電子阻擋層的Al組成比為40%以上且90%以下。
  5. 一種氮化物半導體發光元件，具備：活性層，其包含AlGaN系的障壁層；p型接觸層，其位於前述活性層的上側；及，電子阻擋積層體，其位於前述活性層與前述p型接觸層之間；其中，前述電子阻擋積層體具備：第一電子阻擋層，其位於前述活性層側，該第一電子阻擋層具有的Al組成比大於前述障壁層的Al組成比，且自前述活性層側的一端以至前述p型接觸層側的另一端為固定值；及，第二電子阻擋層，其位於前述p型接觸層側，該第二電子阻擋層具有的Al組成比小於前述障壁層的Al組成比，且自前述活性層側的一端以至前述p型接觸層側的另一端為固定值；前述第二電子阻擋層具有的膜厚是前述第一電子阻擋 層的膜厚的5倍以上且20倍以下；前述第一電子阻擋層是由AlGaN所構成。
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