TWI757747B - 氮化物半導體發光元件 - Google Patents

氮化物半導體發光元件 Download PDF

Info

Publication number
TWI757747B
TWI757747B TW109117309A TW109117309A TWI757747B TW I757747 B TWI757747 B TW I757747B TW 109117309 A TW109117309 A TW 109117309A TW 109117309 A TW109117309 A TW 109117309A TW I757747 B TWI757747 B TW I757747B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
quantum well
barrier
emitting element
nitride semiconductor
Prior art date
Application number
TW109117309A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202046513A (zh
Inventor
松倉勇介
西里爾 佩爾諾
Original Assignee
日商日機裝股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日機裝股份有限公司 filed Critical 日商日機裝股份有限公司
Publication of TW202046513A publication Critical patent/TW202046513A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI757747B publication Critical patent/TWI757747B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen characterised by the doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
    • H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本發明所欲解決的問題在於提供一種提升發光輸出的氮化物半導體發光元件。 　　為了解決上述問題，本發明的技術手段為一種氮化物半導體發光元件，具備：n型包覆層，其藉由n型AlGaN形成；及，活性層，其位於n型包覆層上且藉由AlGaN形成；並且，在活性層內，在n型包覆層及活性層的積層方向上的Si濃度分布存在區域性的峰。

Description

氮化物半導體發光元件
本發明關於一種氮化物半導體發光元件。
近年來，輸出藍色光之發光二極體或雷射二極體等氮化物半導體發光元件已獲得實用化，且為了提升發光輸出，進行了各種搭配（例如，參照專利文獻1）。
專利文獻1記載之發光元件，針對在氮化鋁（AlN）系Ⅲ族氮化物單晶上形成之發光波長為300奈米（nm）以下的發光元件，其特徵在於，具有：高濃度n型Ⅲ族氮化物層；多重量子井構造，其由n型或i型Ⅲ族氮化物障壁層、與n型或i型Ⅲ族氮化物量子井層構成；i型Ⅲ族氮化物最終障壁層；p型Ⅲ族氮化物層；以及，電子阻擋層，其形成在前述i型Ⅲ族氮化物最終障壁層與前述p型Ⅲ族氮化物層之間，由相對於前述i型Ⅲ族氮化物最終障壁層而成為電子的能障之p型或i型AlN層所構成；並且，將前述i型Ⅲ族氮化物最終障壁層的厚度作成2nm至10nm，並將前述n型或i型Ⅲ族氮化物量子井層的厚度作成2nm以下。 [先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特許第5641173號公報
[發明所欲解決的問題] 依據專利文獻1記載的方法，藉由調整i型Ⅲ族氮化物量子井層及i型Ⅲ族氮化物最終障壁層的膜厚，會提升發光效率。然而，在Ⅲ族氮化物半導體中，即使採取了上述對策，為了獲得充分的發光輸出，仍尚有改善餘地。基於此背景，本發明人針對提升Ⅲ族氮化物半導體中的發光輸出進行了深入探討，而完成本發明。
亦即，本發明的目的在於提供一種提升發光輸出的氮化物半導體發光元件。
[用以解決問題的技術手段] 為了解決上述問題，本發明提供一種氮化物半導體發光元件，具備：n型包覆層，其藉由n型氮化鋁鎵（AlGaN）形成；及，活性層，其位於前述n型包覆層上且藉由AlGaN形成；並且，在前述活性層內，在前述n型包覆層及活性層的積層方向上的矽（Si）濃度分布存在區域性的峰（local peak）。
[發明的功效] 依據本發明，能夠提供一種提升發光輸出的氮化物半導體發光元件。
針對本發明的實施型態，參照圖式來作說明。並且，以下說明的實施型態是作為實施本發明的適宜的具體例而顯示，雖然也有具體例示技術方面較佳的各種技術事項的部分，但本發明的技術範圍並不限於該具體態樣。另外，各圖式中的各構成要素的尺寸比率並非必然與實際的氮化物半導體發光元件的尺寸比率一致。
另外，在以下說明中，無論氮化物半導體發光元件是面上型（face up）還是覆晶型（flip chip），「上」一律表示p側電極92（參照第1圖）側，「下」一律指基板10（參照第1圖）側。並且，除非另有說明，「上」或「下」是表示一個對象物與另一個對象物之間的相對位置關係，其不僅包含該一個對象物以二者之間不包夾第三對象物的方式而配置於該另一個對象物的上方或下方的狀態，也包含該一個對象物以二者之間包夾第三對象物的方式而配置於該另一個對象物的上方或下方的狀態。
[第一實施型態] （第一實施型態之氮化物半導體發光元件的結構） 第1圖是概略顯示本發明的第一實施型態的氮化物半導體發光元件的結構的一個示例之剖面圖。此氮化物半導體發光元件（以下，也簡稱為「發光元件」）1，例如包含雷射二極體或發光二極體（light-emitting diode，LED）。在本實施型態中，作為發光元件1，舉出發射中心波長為250nm〜360nm（較佳為295nm〜360nm）的深紫外光之發光二極體（LED）為例來說明。
如第1圖所示，第一實施型態的發光元件1包含下述而構成：基板10；n型包覆層30；活性層50，包含一個障壁層51A與一個量子井層52A；電子阻擋層60；p型包覆層70；p型接觸層80；n側電極90；以及，p側電極92。
就構成發光元件1之半導體而言，例如，能夠使用由Alx Ga1-x N（0≦x≦1）表示之二元系或三元系Ⅲ族氮化物半導體。另外，氮（N）的一部分能夠由磷（P）、砷（As）、銻（Sb）、鉍（Bi）等取代。
基板10例如包含下述而構成：藍寶石（Al2 O3 ）基板11；及，緩衝層12，其形成在該藍寶石基板11上。緩衝層12藉由氮化鋁（AlN）形成。取代這種結構，就基板10而言，例如，可使用僅藉由AlN形成之AlN基板，在此情況下，並非必然要包含緩衝層12。以上換言之，基板10的半導體層側的表面（以下，也稱為「最外表面」）由AlN形成。
n型包覆層30形成在基板10上。n型包覆層30是藉由例如摻雜有矽（Si）作為n型雜質之n型AlGaN（以下，也簡稱為「n型AlGaN」）形成之層。並且，作為n型雜質，可使用鍺（Ge）、硒（Se）、碲（Te）、碳（C）等。
用於形成n型包覆層30之Al組成比（也稱為「AlN莫耳分率」）為20%以上，較佳為25%以上且55%以下。n型包覆層30具有1微米（μm）～4μm程度的厚度，例如，具有3±0.3μm程度的厚度。n型包覆層30可為單層構造，亦可為多層構造。
活性層50形成在n型包覆層30上。活性層50包含單一量子井構造50A而構成，該單一量子井構造50A藉由下述來構成：一個障壁層51A，其位於n型包覆層30側；及，一個量子井層52A，其位於後述之電子阻擋層60側（亦即，厚度方向上的n型包覆層30的相反側）。另外，為了輸出波長360nm以下的深紫外光，活性層50以能帶間隙（band gap）成為3.4eV以上的方式構成。一個障壁層51A具有例如5nm～50nm的範圍的厚度。另外，一個量子井層52A具有例如1nm～5nm的範圍的厚度，較佳是具有3nm～5nm的範圍的厚度。
一個障壁層51A及一個量子井層52A均藉由AlGaN形成。具體而言，一個障壁層51A包含Alr Ga1-r N而構成，一個量子井層52A包含Als Ga1-s N而構成（0≦r≦1，0≦s≦1，r>s）。亦即，用於形成一個障壁層51A之AlGaN的Al組成比，其大於用於形成一個量子井層52A之AlGaN的Al組成比。並且，單一量子井構造50A內的一個障壁層51A及一個量子井層52A的配置，其不限於上述配置，亦可為下述配置：一個量子井層52A位於n型包覆層30側，且一個障壁層51A位於電子阻擋層60側。
另外，在由一個障壁層51A至一個量子井層52A之間，亦即，在活性層50內，在n型包覆層30、一個障壁層51A及一個量子井層52A的積層方向上的Si濃度（以下，也簡稱為「Si濃度」）分布中存在區域性的峰。換言之，發光元件1的厚度方向的Si濃度分布，在活性層50內具有區域性的峰。
較佳是：Si濃度分布在一個障壁層51A內具有區域性的峰。另外，Si濃度的峰的數值為1.0×1018 個/cm3 以上且1.0×1020 個/cm3 以下。關於Si濃度的細節，詳如後述。
電子阻擋層60形成在活性層50上。在本實施型態中，電子阻擋層60依序包含：第一電子阻擋層61，其藉由AlN形成；及，第二電子阻擋層62，其藉由p型AlGaN（以下，也簡稱為「p型AlGaN」）形成。電子阻擋層60例如具有1nm～30nm程度的厚度。並且，第一電子阻擋層61並非必要的構成要素。另外，第二電子阻擋層62不必限於p型半導體層，亦可為未摻雜的半導體層。
p型包覆層70形成在電子阻擋層60上。p型包覆層70例如是由摻雜有鎂（Mg）作為p型雜質之p型Alt Ga1-t N（0≦t≦1）形成的層。並且，作為p型雜質，可使用鋅（Zn）、鈹（Be）、鈣（Ca）、鍶（Sr）、鋇（Ba）等。p型包覆層70例如具有10nm～1000nm程度的厚度。
p型接觸層80形成在p型包覆層70上。p型接觸層80例如是摻雜有高濃度的Mg等雜質之p型氮化鎵（GaN）層。
[電極] n側電極90形成在n型包覆層30的一部分區域上。n側電極90例如由多層膜形成，該多層膜是在n型包覆層30上依序積層鈦（Ti）/鋁（Al）/Ti/金（Au）而成。
p側電極92形成在p型接觸層80上。p側電極92例如由多層膜形成，該多層膜是在p型接觸層80上依序積層鎳（Ni）/金（Au）而成。
（第一實施型態的發光元件1的製造方法） 隨後，針對發光元件1的製造方法作說明。首先，在藍寶石基板11上高溫成長緩衝層12而製作最外表面為AlN之基板10。隨後，在此基板10上積層n型包覆層30、活性層50、電子阻擋層60、及p型包覆層70，而形成預定直徑（例如，50mm）且具有圓盤狀形狀之氮化物半導體積層體（亦稱為「晶圓」）。
這些n型包覆層30、活性層50、電子阻擋層60、及p型包覆層70，其能夠使用金屬有機化學氣相沉積法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）、分子束磊晶法（Molecular Beam Epitaxy，MBE）、鹵化物氣相磊晶法（Halide Vapor Phase Epitaxy，HVPE）等公知的磊晶成長法來形成。另外，在一個量子井層52A中，以預定的摻雜量來摻雜Si。摻雜量較佳為1.0×1018 ～1.0×1020 個/cm3 。
隨後，在p型包覆層70上形成罩幕（mask），並分別將活性層50、電子阻擋層60、及p型包覆層70上的未形成罩幕之露出區域加以去除。活性層50、電子阻擋層60、及p型包覆層70的去除，例如能夠藉由電漿蝕刻來進行。
在n型包覆層30的露出面30a（參照第1圖）上形成n側電極90，並在已去除罩幕之p型接觸層80上形成p側電極92。n側電極90及p側電極92，例如能夠藉由電子束蒸鍍法或濺鍍法等公知方法來形成。藉由將此晶圓切割成預定尺寸，形成第1圖所示之發光元件1。
（第一實施型態的實施例） 隨後，針對第一實施型態的實施例作說明。第2圖是第一實施型態的一實施例之發光元件1的剖面的一部分的掃瞄穿透式電子顯微鏡（Scanning Transmission Electron Microscopy，STEM）的影像的圖。影像的倍率設為150萬倍，加速電壓設為200kV。如第2圖所示，在發光元件1中，從下方開始依序形成有：n型包覆層30（顏色相對較淡的部分）、一個障壁層51A（相對於n型包覆層30，顏色較濃的部分）、一個量子井層52A（相對於前述一個障壁層51A，顏色較淡的部分）、第一電子阻擋層61（相對於前述一個量子井層52A，顏色較濃的部分）、以及第二電子阻擋層62（相對於第一電子阻擋層61，顏色較淡的部分）。另外，前述一個障壁層51A及一個量子井層52A形成活性層50（具體而言，單一量子井構造50A）。
關於構成活性層50及電子阻擋層60之各層的厚度，彙整於以下的表1中。 [表1]
Figure 02_image001
第3圖是顯示第一實施型態的一實施例之發光元件1的厚度方向上的Si濃度分布及Al離子強度分布的圖。第3圖所示之分布圖是藉由二次離子質譜法（Secondary Ion Mass Spectrometry，SIMS）測定所得到。實線（粗實線）表示Si的濃度（單位：個/cm3 ；參照縱軸左側的刻度），虛線表示Al的二次離子強度（單位：計數/秒；參照縱軸右側的刻度）。
此處，在本實施例中，在n型包覆層30、一個障壁層51A及一個量子井層52A中摻雜有Si（參照第3圖的細虛線及「Si背景訊號」）。另外，摻雜量設為（1.0±0.1）×1017 個/cm3 。並且，為了便於說明，表示Si摻雜的線（細虛線）是從橫軸的一端跨越到另一端的而整體繪製。
如第3圖所示，Si濃度滿足以下關係式（1）及（2）： 一個量子井層52A的Si濃度≧n型包覆層30的Si濃度 …（1） n型包覆層30的Si濃度＞一個障壁層51A的Si濃度 …（2）。 其原因在於，Al組成比越高，Si越難摻雜。
另外，在n型包覆層30、一個障壁層51A及一個量子井層52A的積層方向上的Si濃度分布，在一個障壁層51A及一個量子井層52A之間具有至少一個以上的峰。在本實施例中，Si濃度分布如第3圖所示，在一個量子井層52A內具有峰（參照第3圖的圓形框）。此Si濃度的峰的數值為（1.5±0.2）×1019 個/cm3 。
（發光輸出） 隨後，參照第4圖，針對Si濃度與發光元件1的發光輸出之間的關係作說明。第4圖是顯示第一實施型態的一實施例的發光元件1的發光輸出的測定結果的圖，其中，第4（a）圖是將發光輸出與Si濃度之間的關係以圖表顯示的圖，第4（b）圖是顯示發光輸出與Si濃度之間的關係之表格。此處，第4（a）圖的橫軸表示一個量子井層52A中的Si濃度（例如，一個量子井層52A內的峰的數值）（單位：個/cm3 ），縱軸表示發光元件1的發光輸出（任意單位，且與本公司先前產品相比）。發光輸出（任意單位）可利用各種公知的方法加以測定，但在本實施例中，作為一個示例，使用一種方法，其在一片晶圓的中心部與邊緣部分別附接銦（In）電極，並對此電極流通預定的電流，而使晶圓的中心部發光，再藉由設置在預定位置之光偵測器而測定該發光。並且，測定時流通的電流大小設為20mA。
如第4（a）圖所示，發光元件1的發光輸出，其在一個量子井層52A中的Si濃度為0～（5.0±0.5）×1019 個/cm3 的範圍內上升，在Si濃度為（5.0±0.5）×1019 個/cm3 附近成為最大值，且Si濃度超過（5.0±0.5）×1019 個/cm3 則下降。亦即，發光元件1的發光輸出，其將一個量子井層52A中的Si濃度作為變數而以向上方凸出之拋物線狀的方式變化。換言之，發光元件1的發光輸出，其是在將一個量子井層52A中的Si濃度作為變數之二次曲線上作圖。
因此，能夠確定用於獲得預定的發光元件1的發光輸出之一個量子井層52A中的Si濃度的範圍。例如，為了將發光元件1的發光輸出作成0.5以上，可將Si濃度作成1.0×1018 個/cm3 以上且1.0×1020 個/cm3 以下，為了將發光元件1的發光輸出作成0.6以上，可將Si濃度作成8.5×1018 個/cm3 以上且9.5×1019 個/cm3 以下，為了將發光元件1的發光輸出作成0.7以上，可將Si濃度作成2.2×1019 個/cm3 以上且8.2×1019 個/cm3 以下。
[第二實施型態] 隨後，針對本發明的第二實施型態作說明。第5圖是概略顯示本發明的第二實施型態的發光元件1的結構的一個示例的剖面圖。此發光元件1在具有複數個障壁層51B這點與第一實施型態的發光元件1不同。以下，關於與在第一實施型態中已說明之結構實質相同的結構，標記相同的符號而省略詳細說明，並以與第一實施型態不同之處為中心來說明。
（第二實施型態的發光元件1的結構） 如第5圖所示，第二實施型態的發光元件1包含下述而構成：基板10；n型包覆層30；活性層50，包含複數個障壁層51B與一個量子井層52A；電子阻擋層60；p型包覆層70；p型接觸層80；n側電極90；及，p側電極92。其中，基板10、n型包覆層30、一個量子井層52A、電子阻擋層60、p型包覆層70、p型接觸層80、n側電極90、及p側電極92與上述第一實施型態相同，因此省略詳細說明。一個量子井層52A為量子井層的一個示例。
複數個障壁層51B包含：第一障壁層51a，其位於n型包覆層30側；第二障壁層51b，其設置於第一障壁層51a上；第三障壁層51c，其設置於第二障壁層51b上且位於一個量子井層52A側。換言之，活性層50，其由n型包覆層30朝向電子阻擋層60，具有下述而構成：複數個障壁層51B，其依序積層有第一障壁層51a、第二障壁層51b及第三障壁層51c；及，一個量子井層52A，其積層於該複數個障壁層51B上。
第一障壁層51a藉由AlGaN形成。另外，第一障壁層51a為AlGaN的Al組成比沿厚度方向變化之組成漸變層（gradient composition layer）。具體而言，用於形成第一障壁層51a之AlGaN的Al組成比，其由n型包覆層30朝向第二障壁層51b而增加。可以認為，第一障壁層51a會抑制在n型包覆層30與第二障壁層51b之間的Al組成比的不連續變化，而具有在Al組成比方面平滑地連接n型包覆層30與第二障壁層51b的功能。第一障壁層51a例如具有5nm至20nm的厚度。
第二障壁層51b藉由AlN形成。第二障壁層51b作為用於抑制預定能量以下的電子注入到活性層50之層而作用。第二障壁層51b例如具有1.0nm～5.0nm的厚度。
第三障壁層51c具有5nm至20nm的厚度。並且，構成複數個障壁層51B之層的數量不限於三個，可為二個，亦可為四個以上。
另外，Si濃度分布在複數個障壁層51B內具有區域性的峰。較佳是：Si濃度分布在第二障壁層51b及第三障壁層51c之邊界附近具有區域性的峰。另外，Si濃度的峰的數值為1.0×1018 個/cm3 以上且1.0×1020 個/cm3 以下。
（第二實施型態的發光元件1的製造方法） 隨後，針對上述第二實施型態的發光元件1的製造方法，以與第一實施型態的發光元件1的製造方法不同之處為中心來說明。在第二實施型態中，形成作為第二障壁層51b之AlN層、及以預定摻雜量摻雜有Si之第三障壁層51c。較佳是：此預定的摻雜量為1.0×1018 ～1.0×1020 /cm3 的範圍內。
（第二實施型態的實施例） 隨後，針對上述第二實施型態的實施例作說明。第6圖是第二實施型態的一實施例的發光元件1的剖面的一部分的STEM影像的圖。拍攝條件與第2圖所示者相同。
如第6圖所示，在第二實施型態的發光元件1中，在n型包覆層30與一個量子井層52A之間，依序積層有：作為第一障壁層51a之組成漸變層、作為第二障壁層51b之AlN層、及第三障壁層51c。
關於構成活性層50及電子阻擋層60之各層的厚度，彙整於以下的表2中。 [表2]
Figure 02_image003
一個量子井層52A如表2所示，具有3.0nm以上的厚度。
第7圖是顯示第二實施型態的一實施例的發光元件1的厚度方向上的Si濃度分布及Al離子強度分布的圖。Si濃度分布如第7圖所示，在複數個障壁層51B內且具體而言在第二障壁層51b及第三障壁層51c之邊界附近具有峰。此Si濃度的峰的數值為（4.0±0.4）×1019 個/cm3 。
另外，如上述表2所示，在第二實施型態的一實施例的發光元件1中，一個量子井層52A的厚度為3.3±0.3nm。在先前技術中，為了緩解伴隨壓電場（piezoelectric field）產生而來的極化的影響，量子井層的厚度限制在2.0nm以下，但在本實施型態的發光元件1中，能夠使一個量子井層52A的厚度比先前技術的厚度更厚（例如，在先前技術中亦為大的厚度也就是2.0nm的約1.5倍以上）。
[第三實施型態] 隨後，針對本發明的第三實施型態作說明。第8圖是概略顯示本發明的第三實施型態的發光元件1的結構的一個示例的剖面圖。此發光元件1在具有複數個障壁層51B與複數個量子井層52B交互積層而成的多重量子井構造50B這點與第一實施型態的發光元件1及第二實施型態的發光元件1不同。以下，關於與在第一實施型態及第二實施型態中已說明之結構實質相同的結構，標記相同的符號而省略詳細說明，並以與第一實施型態及第二實施型態不同之處為中心來說明。並且，第三實施型態的發光裝置1發射中心波長為250nm〜360nm（較佳為250nm〜295nm）的深紫外光。
（第三實施型態的發光元件1的結構） 如第8圖所示，第三實施型態的發光元件1包含下述而構成：基板10；n型包覆層30；組成漸變層也就是第一障壁層51a；活性層50，具有多重量子井構造50B，該多重量子井構造50B包含複數個障壁層51B與複數個量子井層52B；電子阻擋層60；p型包覆層70；p型接觸層80；n側電極90；及，p側電極92。並且，以下，為了便於說明，與上述實施型態同樣地將組成漸變層稱為第一障壁層51a，但組成漸變層作為與構成多重量子井構造50B之複數個障壁層51B不同的層而區別處理。
本實施型態的活性層50，在該第一障壁層51a上具有多重量子井構造50B，該多重量子井構造50B由複數個障壁層51B與複數個量子井層52B交互積層而成，該複數個障壁層51B包含Alr Ga1-r N而構成，該複數個量子井層52B包含Als Ga1-s N而構成。具體而言，此活性層50具有多重量子井構造50B，該多重量子井構造50B由K層組成之障壁層51B與K層組成之量子井層52B交互積層而成，該K層組成之障壁層51B包含Alr Ga1-r N而構成，該K層組成之量子井層52B包含Als Ga1-s N而構成。並且，K是自然數。
更具體而言，此活性層50具有多重量子井構造50B，該多重量子井構造50B由第二障壁層51b、第一量子井層52a、第三障壁層51c、第二量子井層52b、第四障壁層51d、第三量子井層52c依序積層而成，其中，該第二障壁層51b包含Alr1 Ga1-r1 N而構成，該第一量子井層52a包含Als1 Ga1-s1 N而構成，該第三障壁層51c包含Alr2 Ga1-r2 N而構成，該第二量子井層52b包含Als2 Ga1-s2 N而構成，該第四障壁層51d包含Alr3 Ga1-r3 N而構成，該第三量子井層52c包含Als3 Ga1-s3 N而構成（0≦r1、r2、r3≦1；0≦s1、s2、s3≦1；r1、r2、r3>s1、s2、s3）。並且，在第8圖中，顯示了K＝3的示例，但K不限於3，K可為2，亦可為4以上。第三實施型態中的第一量子井層52a為下側量子井層的一個示例。第三實施型態中的第二量子井層52b及第三量子井層52c為上側量子井層的一個示例。
在包含多重量子井構造50B之結構中，Si濃度分布較佳是：在複數個量子井層52B之中，靠近n型包覆層30之量子井層（亦即，第一量子井層52a）中具有區域性的峰。
（第三實施型態的發光元件1的製造方法） 隨後，針對上述第三實施型態的發光元件1的製造方法，以與第一實施型態的發光元件1的製造方法及第二實施型態的發光元件1的製造方法不同之處為中心來說明。在第三實施型態中，第一量子井層52a以預定的摻雜量摻雜有Si。此預定的摻雜量較佳是在1.0×1018 ～1.0×1020 /cm3 的範圍內。
（第三實施型態的實施例） 隨後，針對上述第三實施型態的實施例作說明。第9圖是第三實施型態的一實施例的發光元件1的剖面的一部分的STEM影像的圖。拍攝條件與第2圖所示者相同。
如第9圖所示，在第三實施型態的發光元件1中，依序積層有：n型包覆層30；作為第一障壁層51a之組成漸變層；及，活性層50，該活性層50由多重量子井構造50B組成，該多重量子井構造50B由三個障壁層與三個量子井層交互積層而成。並且，虛線從下方開始分別依序表示：n型包覆層30與第一障壁層51a（組成漸變層）之間的界面、以及第一障壁層51a（組成漸變層）與複數個障壁層51B（具體而言，第二障壁層51b）之間的界面。
關於構成活性層50及電子阻擋層60之各層的厚度，彙整於以下的表3中。 [表3]
Figure 02_image005
如表3所示，第一障壁層51a（組成漸變層）具有構成多重量子井構造50B之各個障壁層及量子井層的厚度的3～5倍的厚度。另外，第一量子井層52a（亦即，下側量子井層）具有3.0nm以上的厚度，這相當於其他量子井層（第二量子井層52b及第三量子井層52c，亦即上側量子井層）的厚度的1.5～2.5倍的厚度。
第10圖是顯示第三實施型態的一實施例的發光元件1的厚度方向上的Si濃度分布及Al離子強度分布的圖。如第10圖所示，Si濃度在第一量子井層52a內具有峰。此Si濃度的峰的數值為（4.5±0.5）×1019 個/cm3 。如第10圖所示，在包含多重量子井構造50B之結構中，Si濃度在複數個量子井層52B之中的靠近n型包覆層30之第一量子井層52a中具有峰。
[實施型態的作用及效果] 如以上所說明，在本發明的上述實施型態及其變化例的發光元件1中，在活性層50內，在n型包覆層30及活性層50的積層方向上的Si濃度（以下，亦簡稱為「Si濃度」）分布中存在區域性的峰。藉由此構成，能夠確認提升了發光元件1的發光輸出。
並且，關於上述效果，就下述結構而言特別有效：發光元件1發射中心波長為295nm至360nm的深紫外光且具備單一量子井構造50A之構成、以及發光元件1發射中心波長為295nm以下的深紫外光且具備多重量子井構造50B之構成。
（實施型態的彙整） 隨後，針對由以上說明之實施型態所掌握的技術思想，援引實施型態中的符號等加以記載。不過，以下記載中的各個符號等並非用於將申請專利範圍中的構成要素限定在實施型態所具體顯示的部件等。
[1]一種氮化物半導體發光元件（1），具備：n型包覆層（30），其藉由n型AlGaN形成；及，活性層（50），其位於前述n型包覆層（30）上且藉由AlGaN形成；並且，在前述活性層（50）內，在前述n型包覆層（30）及前述活性層（50）的積層方向上的Si濃度分布存在區域性的峰。 [2]如前述[1]所述之氮化物半導體發光元件（1），其中，前述活性層（50）具有單一量子井構造（50A），該單一量子井構造（50A）藉由下述來構成：一個障壁層（51A），其位於前述n型包覆層（30）側且藉由AlGaN形成；及，一個量子井層（52A），其藉由AlGaN形成，且該AlGaN具有的Al組成比，小於用於形成該一個障壁層（51A）之AlGaN的Al組成比；並且，前述Si濃度分布在前述一個量子井層（52A）內具有前述峰。 [3]如前述[1]所述之氮化物半導體發光元件（1），其中，前述活性層（50）具備複數個障壁層（51B），該複數個障壁層（51B）包含：第一障壁層（51a），其藉由AlGaN形成，且該AlGaN具有由前述n型包覆層（30）側朝向前述活性層（50）側漸變之Al組成比；及，第二障壁層（51b），其設置在前述第一障壁層（51a）上且藉由AlN形成；並且，前述Si濃度分布在前述複數個障壁層（51B）內具有前述峰。 [4]如前述[3]所述之氮化物半導體發光元件（1），其中，前述複數個障壁層（51B）進一步具備第三障壁層（51c），該第三障壁層（51c）形成在前述第二障壁層（51b）上；並且，前述Si濃度分布在前述第二障壁層（51b）及前述第三障壁層（51c）之邊界附近具有前述峰。 [5]如前述[4]所述之氮化物半導體發光元件（1），其中，前述活性層（50）進一步具備一個量子井層（52A），該一個量子井層（52A）形成在前述第三障壁層（51c）上；並且，前述一個量子井層（52A）具有3.0nm以上的厚度。 [6]如前述[1]所述之氮化物半導體發光元件（1），其中，前述活性層（50）具有多重量子井構造（50B），該多重量子井構造（50B）是將複數個障壁層（51B）與複數個量子井層（52B）交互積層而成；並且，前述Si濃度分布在前述複數個量子井層（52B）之中的位於前述n型包覆層（30）側之下側量子井層內具有前述峰。 [7]如前述[6]所述之氮化物半導體發光元件（1），其中，在前述n型包覆層（30）與前述活性層（50）之間，進一步具備第一障壁層（51a），該第一障壁層（51a）藉由AlGaN形成，該AlGaN具有由前述n型包覆層（30）側朝向前述活性層（50）側漸變之Al組成比；並且，前述第一障壁層（51a）的厚度為前述複數個障壁層（51B）之中的任一障壁層或前述複數個量子井層（52B）之中的任一量子井層的厚度的3～5倍。 [8]如前述[6]或[7]所述之氮化物半導體發光元件（1），其中，前述複數個量子井層（52B）具備前述下側量子井層與上側量子井層，該上側量子井層位於比該下側量子井層更靠與前述n型包覆層（30）相反的一側之處；並且，前述下側量子井層具有3.0nm以上的厚度，且具有前述上側量子井層的厚度的1.5倍～2.5倍的厚度。 [9]如前述[1]～[8]中任一項所述之氮化物半導體發光元件（1），其中，前述Si濃度的前述峰的數值為1.0×1018 個/cm3 以上且1.0×1020 個/cm3 以下。 [10]如前述[1]～[9]中任一項所述之氮化物半導體發光元件（1），其中，進一步具備基板（10），該基板位於前述n型包覆層（30）下方且具有由AlN形成之表面。 [11]如前述[1]～[5]中任一項所述之氮化物半導體發光元件（1），其發射中心波長為295nm至360nm的深紫外光。 [12]如前述[6]～[10]中任一項所述之氮化物半導體發光元件（1），其中發射中心波長為250nm至295nm的深紫外光。
1:氮化物半導體發光元件(發光元件) 10:基板 11:藍寶石基板 12:緩衝層 30:n型包覆層 30a:露出面 50:活性層 50A:單一量子井構造 50B:多重量子井構造 51A:一個障壁層 51B:複數個障壁層 51a:第一障壁層 51b:第二障壁層 51c:第三障壁層 51d:第四障壁層 52A:一個量子井層 52B:複數個量子井層 52a:第一量子井層 52b:第二量子井層 52c:第三量子井層 60:電子阻擋層 61:第一電子阻擋層 62:第二電子阻擋層 70:p型包覆層 80:p型接觸層 90:n側電極 92:p側電極
第1圖是概略顯示本發明的第一實施型態的氮化物半導體發光元件的結構的一個示例之剖面圖。 第2圖是第1圖所示之氮化物半導體發光元件的剖面的一部分的掃瞄穿透式電子顯微鏡（Scanning Transmission Electron Microscopy，STEM）影像的圖。 第3圖是顯示第1圖所示之氮化物半導體發光元件的厚度方向上的Si濃度分布（profile）及鋁（Al）離子強度分布的圖。 第4圖是顯示第1圖所示之氮化物半導體發光元件的發光輸出的測定結果的圖，其中，第4（a）圖是將發光輸出與Si濃度之間的關係以圖表顯示的圖，第4（b）圖是顯示發光輸出與Si濃度之間的關係之表格。 第5圖是概略顯示本發明的第二實施型態的氮化物半導體發光元件的結構的一個示例的剖面圖。 第6圖是第5圖所示之氮化物半導體發光元件的剖面的一部分的STEM影像的圖。 第7圖是顯示第5圖所示之氮化物半導體發光元件的厚度方向上的Si濃度分布及Al離子強度分布的圖。 第8圖是概略顯示本發明的第三實施型態的氮化物半導體發光元件的結構的一個示例的剖面圖。 第9圖是第8圖所示之氮化物半導體發光元件的剖面的一部分的STEM影像的圖。 第10圖是顯示第8圖所示之氮化物半導體發光元件的厚度方向上的Si濃度分布及Al離子強度分布的圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
1:氮化物半導體發光元件(發光元件)
10:基板
11:藍寶石基板
12:緩衝層
30:n型包覆層
30a:露出面
50:活性層
50A:單一量子井構造
51A:一個障壁層
52A:一個量子井層
60:電子阻擋層
61:第一電子阻擋層
62:第二電子阻擋層
70:p型包覆層
80:p型接觸層
90:n側電極
92:p側電極

Claims (10)

  1. 一種氮化物半導體發光元件，具備：n型包覆層，其藉由n型AlGaN形成；及，活性層，其位於前述n型包覆層上且藉由AlGaN形成；並且，在前述活性層內，在前述n型包覆層及前述活性層的積層方向上的Si濃度分布存在區域性的峰，該氮化物半導體發光元件發射中心波長為250nm至360nm的深紫外光。
  2. 如請求項1所述之氮化物半導體發光元件，其中，前述活性層具有單一量子井構造，該單一量子井構造藉由下述來構成：一個障壁層，其位於前述n型包覆層側且藉由AlGaN形成；及，一個量子井層，其藉由AlGaN形成，且該AlGaN具有的Al組成比，小於用於形成該一個障壁層之AlGaN的Al組成比；並且，前述Si濃度分布在前述一個量子井層內具有前述峰。
  3. 如請求項1所述之氮化物半導體發光元件，其中，前述活性層具備複數個障壁層，該複數個障壁層包含：第一障壁層，其藉由AlGaN形成，且該AlGaN具有由前述n型包覆層側朝向前述活性層側漸變之Al組成比； 及，第二障壁層，其設置在前述第一障壁層上且藉由AlN形成；並且，前述Si濃度分布在前述複數個障壁層內具有前述峰。
  4. 如請求項3所述之氮化物半導體發光元件，其中，前述複數個障壁層進一步具備第三障壁層，該第三障壁層形成在前述第二障壁層上；並且，前述Si濃度分布在前述第二障壁層及前述第三障壁層之邊界附近具有前述峰。
  5. 如請求項4所述之氮化物半導體發光元件，其中，前述活性層進一步具備一個量子井層，該一個量子井層形成在前述第三障壁層上；並且，前述一個量子井層具有3.0nm以上的厚度。
  6. 如請求項1所述之氮化物半導體發光元件，其中，前述活性層具有多重量子井構造，該多重量子井構造是將複數個障壁層與複數個量子井層交互積層而成；並且，前述Si濃度分布在前述複數個量子井層之中的位於前述n型包覆層側之下側量子井層內具有前述峰。
  7. 如請求項6所述之氮化物半導體發光元件，其中，在前述n型包覆層與前述活性層之間，進一步具備第一障壁層，該第一障壁層藉由AlGaN形成，該AlGaN具有由前述n型包覆層側朝向前述活性層側漸變之Al組成比； 並且，前述第一障壁層的厚度為前述複數個障壁層之中的任一障壁層或前述複數個量子井層之中的任一量子井層的厚度的3~5倍。
  8. 如請求項6或7所述之氮化物半導體發光元件，其中，前述複數個量子井層具備前述下側量子井層與上側量子井層，該上側量子井層位於比該下側量子井層更靠與前述n型包覆層相反的一側之處；並且，前述下側量子井層具有3.0nm以上的厚度且具有前述上側量子井層的厚度的1.5倍~2.5倍的厚度。
  9. 如請求項1所述之氮化物半導體發光元件，其中，前述Si濃度的前述峰的數值為1.0×1018個/cm3以上且1.0×1020個/cm3以下。
  10. 如請求項1所述之氮化物半導體發光元件，其中，進一步具備基板，該基板位於前述n型包覆層下方且具有由AlN形成之表面。
TW109117309A 2019-06-06 2020-05-25 氮化物半導體發光元件 TWI757747B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-106276 2019-06-06
JP2019106276A JP6968122B2 (ja) 2019-06-06 2019-06-06 窒化物半導体発光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202046513A TW202046513A (zh) 2020-12-16
TWI757747B true TWI757747B (zh) 2022-03-11

Family

ID=73609370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109117309A TWI757747B (zh) 2019-06-06 2020-05-25 氮化物半導體發光元件

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11476391B2 (zh)
JP (1) JP6968122B2 (zh)
CN (1) CN112054101B (zh)
TW (1) TWI757747B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7166318B2 (ja) * 2020-10-27 2022-11-07 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
JP7194720B2 (ja) * 2020-10-30 2022-12-22 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子
US20220209067A1 (en) * 2020-12-24 2022-06-30 Nichia Corporation Nitride semiconductor light emitting element and method of manufacturing same
JP2023008449A (ja) * 2021-07-06 2023-01-19 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子
JP7288937B2 (ja) 2021-09-21 2023-06-08 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子
CN117175353A (zh) * 2023-08-21 2023-12-05 安徽格恩半导体有限公司 一种半导体蓝光激光器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5998810A (en) * 1994-12-19 1999-12-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting diode having a p-type semiconductor layer formed on a light-emitting layer
US7078735B2 (en) * 2003-03-27 2006-07-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-emitting device and illuminator
US20100078625A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-01 Ta-Cheng Hsu Opto-electronic device
TW201135967A (en) * 2009-12-16 2011-10-16 Cree Inc Semiconductor device structures with modulated doping and related methods
TW201234657A (en) * 2011-02-15 2012-08-16 Advanced Optoelectronic Tech Ultra violet LED of group III nitride based semiconductor
TW201712891A (zh) * 2015-07-13 2017-04-01 卡亞奈米公司 裝置

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277868A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
JP3438648B2 (ja) * 1999-05-17 2003-08-18 松下電器産業株式会社 窒化物半導体素子
JP3719047B2 (ja) * 1999-06-07 2005-11-24 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP3460641B2 (ja) * 1999-09-28 2003-10-27 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US6630692B2 (en) * 2001-05-29 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Nitride light emitting devices with low driving voltage
TWI234915B (en) * 2002-11-18 2005-06-21 Pioneer Corp Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same
KR100476567B1 (ko) * 2003-09-26 2005-03-17 삼성전기주식회사 질화물 반도체 소자
JP4884826B2 (ja) * 2006-04-28 2012-02-29 ローム株式会社 半導体発光素子
KR100961108B1 (ko) * 2007-11-27 2010-06-07 삼성엘이디 주식회사 분극 현상을 방지한 질화물 반도체 발광 소자
KR101459763B1 (ko) * 2008-01-15 2014-11-12 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5191843B2 (ja) 2008-09-09 2013-05-08 株式会社東芝 半導体発光素子及びウェーハ
JP5641173B2 (ja) 2009-02-27 2014-12-17 独立行政法人理化学研究所 光半導体素子及びその製造方法
WO2011027417A1 (ja) * 2009-09-01 2011-03-10 株式会社 東芝 半導体発光素子
JP5409210B2 (ja) * 2009-09-01 2014-02-05 学校法人金沢工業大学 半導体発光素子
US8536615B1 (en) 2009-12-16 2013-09-17 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods
JP5709899B2 (ja) * 2010-01-05 2015-04-30 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 発光ダイオード及びその製造方法
JP5143171B2 (ja) * 2010-03-17 2013-02-13 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
US9112115B2 (en) 2011-04-21 2015-08-18 Soko Kagaku Co., Ltd. Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element
JP6005346B2 (ja) * 2011-08-12 2016-10-12 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP5653327B2 (ja) * 2011-09-15 2015-01-14 株式会社東芝 半導体発光素子、ウェーハ、半導体発光素子の製造方法及びウェーハの製造方法
JP5468709B2 (ja) * 2012-03-05 2014-04-09 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光素子、光源及びその製造方法
JP5948698B2 (ja) * 2012-04-13 2016-07-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 紫外発光素子およびその製造方法
JP2014003121A (ja) * 2012-06-18 2014-01-09 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子
KR101954205B1 (ko) * 2013-02-04 2019-05-31 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US20160005919A1 (en) * 2013-02-05 2016-01-07 Tokuyama Corporation Nitride semiconductor light emitting device
US9324908B2 (en) * 2013-04-30 2016-04-26 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light-emitting element
CN103337573B (zh) * 2013-07-05 2016-12-28 华灿光电股份有限公司 半导体发光二极管的外延片及其制造方法
DE102015100029A1 (de) 2015-01-05 2016-07-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP5953447B1 (ja) * 2015-02-05 2016-07-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR102604739B1 (ko) * 2017-01-05 2023-11-22 삼성전자주식회사 반도체 발광 장치
JP6674394B2 (ja) * 2017-02-01 2020-04-01 日機装株式会社 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
JP6392960B1 (ja) * 2017-09-12 2018-09-19 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
JP6379265B1 (ja) 2017-09-12 2018-08-22 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
JP6641335B2 (ja) * 2017-10-27 2020-02-05 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
JP7194720B2 (ja) * 2020-10-30 2022-12-22 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5998810A (en) * 1994-12-19 1999-12-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting diode having a p-type semiconductor layer formed on a light-emitting layer
US7078735B2 (en) * 2003-03-27 2006-07-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-emitting device and illuminator
US20100078625A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-01 Ta-Cheng Hsu Opto-electronic device
TW201135967A (en) * 2009-12-16 2011-10-16 Cree Inc Semiconductor device structures with modulated doping and related methods
TW201234657A (en) * 2011-02-15 2012-08-16 Advanced Optoelectronic Tech Ultra violet LED of group III nitride based semiconductor
TW201712891A (zh) * 2015-07-13 2017-04-01 卡亞奈米公司 裝置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112054101B (zh) 2023-12-29
US11476391B2 (en) 2022-10-18
TW202046513A (zh) 2020-12-16
CN112054101A (zh) 2020-12-08
US20200388725A1 (en) 2020-12-10
JP2020202214A (ja) 2020-12-17
JP6968122B2 (ja) 2021-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI757747B (zh) 氮化物半導體發光元件
TWI760809B (zh) 氮化物半導體發光元件
TWI778402B (zh) 氮化物半導體發光元件
TWI693727B (zh) 氮化物半導體發光元件及氮化物半導體發光元件的製造方法
TWI680590B (zh) 氮化物半導體發光元件及氮化物半導體發光元件的製造方法
JP7194720B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
JP7141425B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
JP2010040692A (ja) 窒化物系半導体素子及びその製造方法
TWI804370B (zh) 氮化物半導體發光元件
TW202320363A (zh) 氮化物半導體發光元件
TWI704699B (zh) 氮化物半導體發光元件及其製造方法
JP2021166308A (ja) 窒化物半導体発光素子の製造方法
US20230378393A1 (en) Nitride semiconductor light-emitting element
US20230387351A1 (en) Nitride semiconductor light-emitting element
JP2021170668A (ja) 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
TW202437564A (zh) 氮化物半導體發光元件
TW202437563A (zh) 氮化物半導體發光元件