JP6641335B2 - 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態について、図1及び図2を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明を実施する上での好適な具体例として示すものであり、技術的に好ましい種々の技術的事項を具体的に例示している部分もあるが、本発明の技術的範囲は、この具体的態様に限定されるものではない。また、各図面における各構成要素の寸法比は、必ずしも実際の窒化物半導体発光素子の寸法比と一致するものではない。
以上説明したように、本発明の実施の形態に係る発光素子1では、電子ブロック層50とp型クラッド層70との間に所定の添加濃度のSiを含む中間層60が設けられている。これにより、発光素子1の深紫外光の発光強度を向上させることが可能となる。
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
[2]前記中間層(60)は、少なくともAl及びGaのいずれか、及び窒素(N)をさらに含む、前記[1]に記載の窒化物半導体発光素子(1)。
[3]前記中間層(60)の前記所定の添加濃度は、1.0×1017cm−3以上である、前記[1]又は[2]に記載の窒化物半導体発光素子(1)。
[4]前記中間層(60)の厚みは、100nm以下である、前記[1]から[3]のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子(1)。
[5]p型AlGaNを有するp型クラッド層(70)への電子の流出を抑制し、所定の添加濃度のSiを含む電子ブロック層(50)を形成する工程と、前記p型クラッド層(70)を形成する工程とを備える窒化物半導体発光素子(1)の製造方法であって、前記電子ブロック層(50)と前記p型クラッド層(70)との間に所定の添加濃度のSiを含む中間層(60)を形成する工程をさらに備え、前記電子ブロック層(50)と前記中間層(60)との領域におけるSi濃度分布には、前記窒化物半導体発光素子の厚さ方向において、極大値及び極小値がともに存在する、窒化物半導体発光素子(1)の製造方法。
[6]前記中間層(60)を形成する工程は、前記電子ブロック層(50)を形成する工程と前記p型クラッド層(70)を形成する工程との間に設けられた、前記電子ブロック層(50)と前記p型クラッド層(70)との間の連続的な成長を所定の時間中断する工程を含む、[5]に記載の窒化物半導体発光素子(1)の製造方法。
2…下地構造部
10…基板
20…バッファ層
22…AlN層
24…u−AlpGa1−pN層
30…n型クラッド層
30a…露出面
40…活性層
42,42a,42b,42c…障壁層
44,44a,44b,44c…井戸層
50…電子ブロック層
60…中間層
70…p型クラッド層
80…p型コンタクト層
90…n側電極
92…p側電極
Claims (6)
- p型AlGaNによって形成されたp型クラッド層と、前記p型クラッド層への電子の流出を抑制し、所定の添加濃度のSiを含む電子ブロック層とを含む窒化物半導体発光素子であって、
前記電子ブロック層と前記p型クラッド層との間に所定の添加濃度のSiを含む中間層をさらに備え、
前記電子ブロック層と前記中間層との領域におけるSi濃度分布には、前記窒化物半導体発光素子の厚さ方向において、極大値及び極小値がともに存在する、
窒化物半導体発光素子。 - 前記中間層は、少なくともAl及びGaのいずれか、及び窒素(N)をさらに含む、
請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。 - 前記中間層の前記所定の添加濃度は、1.0×1017cm−3以上である、
請求項1又は2に記載の窒化物半導体発光素子。 - 前記中間層の厚みは、100nm以下である、
請求項1から3のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。 - p型AlGaNを有するp型クラッド層への電子の流出を抑制し、所定の添加濃度のSiを含む電子ブロック層を形成する工程と、前記p型クラッド層を形成する工程とを備える窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
前記電子ブロック層と前記p型クラッド層との間に所定の添加濃度のSiを含む中間層を形成する工程をさらに備え、
前記電子ブロック層と前記中間層との領域におけるSi濃度分布には、前記窒化物半導体発光素子の厚さ方向において、極大値及び極小値がともに存在する、
窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記中間層を形成する工程は、前記電子ブロック層を形成する工程と前記p型クラッド層を形成する工程との間に設けられた、前記電子ブロック層と前記p型クラッド層との間の連続的な成長を所定の時間中断する工程を含む、
請求項5に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
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