WO2020067215A1 - Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents

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康弘 渡邉
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    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen

Definitions

  • the present invention relates to a group III nitride semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a group III nitride semiconductor light emitting device excellent in both reliability and light emission output and a method of manufacturing the same.
  • a group III nitride semiconductor made of a compound of a group III element such as Al, Ga, and In and N has been used as a material for a light emitting element emitting blue light to deep ultraviolet light.
  • a group III nitride semiconductor made of AlGaN having a high Al composition is used for a deep ultraviolet light emitting device (DUV-LED) having an emission wavelength of 200 to 350 nm.
  • DUV-LED deep ultraviolet light emitting device
  • the p-type contact layer (p-type AlGaN layer, Al composition is 0 or more and less than 10%) absorbs ultraviolet light emitted from the active layer.
  • Patent Document 1 discloses a group III nitride semiconductor light emitting device having an emission wavelength of 355 nm, which has an opening for exposing a p-type cladding layer by partially removing a p-type contact layer. Is described.
  • the thickness of the p-type contact layer in Patent Document 1 is 20 nm in the conventional technique without partial removal, and is 200 nm in the embodiment with partial removal.
  • the p-type contact layer that absorbs ultraviolet light emitted from the active layer is desirably thin from the adverse effect of the light absorption, and the p-type contact layer has a thickness of 200 nm or less. That was normal.
  • Patent Document 2 a group III nitride semiconductor light emitting device having excellent reliability which can suppress a change in light emission output with time by including a Si-doped impurity-doped region layer in an electron block layer and has excellent reliability. is suggesting.
  • the inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and have studied the effect of the thickness of the p-type contact layer when the co-doped region layer is formed in the electron blocking layer and when it is not formed.
  • the thickness of the p-type contact layer is deliberately increased, contrary to the knowledge of the prior art, to obtain an excellent light emission output while suppressing a temporal change of the light emission output. And found that the present invention was completed.
  • the gist configuration of the present invention is as follows. (1) In a group III nitride semiconductor light emitting device having an emission wavelength of 200 nm to 350 nm, An n-type layer, a light-emitting layer, an electron block layer, and a p-type contact layer are provided in this order, The electron blocking layer has a co-doped region layer, The p-type contact layer is p-type Al x Ga 1 -xN (0 ⁇ x ⁇ 0.1); A group III nitride semiconductor light emitting device, wherein the thickness of the p-type contact layer is 300 nm or more.
  • the co-doped region layer contains p-type impurities at 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 to 1 ⁇ 10 20 atoms / cm 3 and n-type impurities at 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 to 1 ⁇ 10 20 atoms. / cm including 3, wherein (1) III-nitride semiconductor light emitting device according to any one of - (3).
  • the step of forming the electron block layer includes a step of forming a co-doped region layer in the electron block layer,
  • the p-type contact layer is p-type Al x Ga 1-x N (0 ⁇ x ⁇ 0.1), and the thickness of the p-type contact layer is 300 nm or more.
  • the present invention it is possible to provide a group III nitride semiconductor light emitting device capable of suppressing a change in light emission output with time and having a light emission output superior to the related art.
  • 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a group III nitride semiconductor light emitting device according to one embodiment of the present invention.
  • 4 is a graph showing a correspondence between a thickness of a p-type contact layer and a light emission output in an example.
  • the thickness of each layer can be measured using a light interference type film thickness measuring device.
  • the thickness of each layer can also be calculated from cross-sectional observation of the grown layer by a transmission electron microscope.
  • the boundary and the thickness of the layers having the same or almost the same Al composition ratio (for example, less than 0.01) but different impurity concentrations are described below.
  • the measurement is based on a measurement based on TEM-EDS.
  • the thickness and the Al composition of each layer are measured by using a TEM-EDS in cross-sectional observation of each layer by a transmission electron microscope. it can.
  • the Al composition of the target layer can be confirmed from the emission wavelength (band gap energy) obtained by photoluminescence measurement.
  • the group III nitride semiconductor light emitting device 100 includes the n-type layer 30, the light-emitting layer 40, the electron block layer 60, and the p-type contact layer 70 in this order.
  • the light emitting layer 40 alternately stacks the barrier layers 40b and the well layers 40w having a smaller band gap than the barrier layers 40b.
  • the n-type layer 30 of the group III nitride semiconductor light emitting device 100 can be provided on an AlN template substrate in which the AlN layer 20 is provided on the surface of the substrate 10.
  • the group III nitride semiconductor light emitting device 100 a part of the light emitting layer 40, the AlN guide layer 50, the electron block layer 60, and a part of the p-type contact layer 70 are removed by etching or the like, and the exposed n-type layer 30 is removed. May be provided, and a p-type electrode 90 formed on the p-type contact layer 70 may be provided.
  • the above-described substrate 10, AlN layer 20, n-type electrode 80 and p-type electrode 90 can have a general configuration, and the specific configuration is not limited at all.
  • a buffer layer selected from one or more of an AlGaN layer, a composition gradient layer, and a superlattice layer may be provided between the AlN layer 20 and the n-type layer 30.
  • the n-type layer 30 can be a group III nitride semiconductor layer containing at least Al, and is made of, for example, an AlGaN material, and contains In in an amount of 5% or less of Al and Ga as group III elements. You may go out.
  • the n-type layer 30 is doped with an n-type impurity (dopant). Examples of such n-type impurities include Si, Ge, Sn, S, O, Ti, and Zr.
  • the impurity concentration is not particularly limited as long as it can function as an n-type impurity, and can be, for example, 1.0 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 to 1.0 ⁇ 10 20 atoms / cm 3 .
  • the Al content of the n-type layer 30 is not particularly limited, and can be in a general range.
  • the n-type layer 30 may be composed of a single layer or a plurality of layers.
  • the light emitting layer 40 is provided following the n-type layer 30.
  • the light emitting layer 40 can be formed by alternately stacking the barrier layers 40b and the well layers 40w having a smaller band gap than the barrier layers 40b.
  • AlGaN materials having different Al compositions can be used as the barrier layer 40b and the well layer 40w.
  • the barrier layer 40b and the well layer 40w may be made of an AlGaInN material or the like by introducing a group III element such as In at a composition ratio of 5% or less as necessary, but use only Al and Ga as the group III element. It is more preferable to use a ternary AlGaN material.
  • Each layer of the light emitting layer 40 may be either n-type or i-type, but the barrier layer 40b is preferably n-type. This is because the electron concentration increases and there is an effect of compensating for crystal defects in the well layer.
  • the light-emitting layer 40 may have a general MQW (Multiple Quantum Well) structure in which a barrier layer and a well layer are repeatedly formed and sandwiched between barrier layers, or the last barrier layer on the p-layer side may be used.
  • MQW Multiple Quantum Well
  • a structure in which the barrier layers 40b and the well layers 40w are alternately stacked by N layers (where N is an integer) may be adopted.
  • the Al composition b of the barrier layer 40b is, for example, preferably 0.51 to 0.95, more preferably. Can be set to 0.53 to 0.85, and the Al composition w of the well layer 40w can be set to, for example, 0.30 to 0.80 (where w ⁇ b). Further, the number of each of the barrier layer 40b and the well layer 40w can be, for example, a positive integer of 1 to 10. Further, the thickness of the barrier layer 40b can be set to 3 nm to 30 nm, and the thickness of the well layer 40w can be set to 0.5 nm to 5 nm.
  • the center wavelength of the emitted light can be substantially adjusted by the Al composition of the well layer 40w.
  • the Al composition w of the well layer 40w in the light emitting layer 40 is 0.35 or more, the light emitted from the light emitting layer 40 can be adjusted. Is 300 nm or less.
  • n-type guide layer between the light-emitting layer 40 and the n-type layer 30.
  • the n-type guide layer is preferably made of an AlGaN material, and its Al composition is preferably equal to or greater than the Al composition of the n-type layer 30 and equal to or less than the Al composition b of the barrier layer 40b. Its thickness can be between 3 nm and 30 nm.
  • the n-type guide layer is preferably doped with an n-type impurity (dopant) as in the case of the n-type layer, but the amount of the impurity is preferably lower than that of the n-type layer.
  • an AlN guide layer 50 may be provided on the light emitting layer 40.
  • the AlN guide layer 50 is most preferably a nitride semiconductor layer made of AlN formed with a group III element having an Al composition ratio of 100%. However, in consideration of the case where other group III elements (Ga and the like) are unavoidably mixed during the manufacturing process, the gas generated at the time of alteration and the progress of alteration, as a result, the Al composition ratio is 96% to 100%. If present, it is included in the AlN guide layer 50.
  • the thickness of the AlN guide layer 50 is preferably 0.5 nm or more and 2.0 nm or less, more preferably 0.7 nm or more and 1.7 nm or less.
  • the AlN guide layer 50 is preferably undoped, but p-type impurities such as Mg and n-type impurities such as Si may be added. Further, the impurity concentration in the AlN guide layer 50 does not need to be uniform. For example, the impurity concentration may be different between the light emitting layer 40 side and the electron block layer 60 side. When an impurity is added, not only the i-type, but also a part or the whole may be made p-type or n-type as a result.
  • i-type means a layer to which a specific impurity is not intentionally added (also referred to as an undoped layer).
  • a semiconductor containing no impurities is preferably used.
  • a semiconductor which does not electrically function as either a p-type or an n-type may be used, and a semiconductor having a low carrier density (for example, 5 ⁇ 10 16 atoms) / Cm 3 ) can be referred to as i-type.
  • a p-type or n-type impurity diffuses from an adjacent semiconductor layer, it does not mean that a specific impurity is intentionally added.
  • the group III nitride semiconductor light emitting device 100 has a band gap equal to or larger than the barrier layer 40b between the AlN guide layer 50 and the N-th well layer 40w on the AlN guide layer 50 side in the light emitting layer 40. It is also preferred to have a final barrier layer less than layer 50. In this case, it is preferable to provide the final barrier layer with a very small thickness of 0.1 nm or more and 1.0 nm or less.
  • the electron block layer 60 is provided on the light emitting layer 40.
  • an electron block layer 60 is provided adjacent to the AlN guide layer 50.
  • the electron blocking layer 60 is generally provided between a multiple quantum well (MQW) structure functioning as a light emitting layer and a p-type layer (p-type cladding layer or p-type contact layer) to supply electrons.
  • MQW multiple quantum well
  • the barrier is used to inject electrons into the light emitting layer (well layer in the case of MQW) to be used as a layer for increasing the electron injection efficiency.
  • the electron block layer 60 provided adjacent to the AlN guide layer 50 can similarly prevent the flow of electrons to the p-type contact layer 70 side, and increase the electron injection efficiency. it can.
  • the Al composition of the electron block layer 60 is preferably Al z Ga 1-z N (0.5 ⁇ z ⁇ 0.8).
  • the thickness of the entire electron block layer can be 5 nm or more and 40 nm or less, and more preferably 10 nm or more and 30 nm or less.
  • the electron block layer 60 of the present invention has at least a p-type impurity (Mg, Zn, Ca, Be, Mn, etc.) doped into the electron block layer, and among these, the most preferable p-type impurity is Mg. And, it has a co-doped region layer 60c containing an n-type impurity represented by Si together with a p-type impurity.
  • Mg p-type impurity
  • the amount of p-type impurities in the electron block layer 60 can be measured by SIMS analysis, and is preferably, for example, 1.0 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 to 5.0 ⁇ 10 20 atoms / cm 3 on average.
  • the n-type impurity amount can also be measured by SIMS analysis, and the electron block layer 60 has a co-doped region layer 60c containing at least 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 of p-type impurities and n-type impurities. is there.
  • the p-type (eg, Mg) impurity concentration is preferably set to 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 to 1 ⁇ 10 20 atoms / cm 3, and the n-type (eg, Si) impurity concentration is set.
  • the concentration is preferably 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 to 1 ⁇ 10 20 atoms / cm 3, and the total impurity concentration of both p-type and n-type is 2 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 to 2 ⁇ 10 It is preferably set to 20 atoms / cm 3 . All can be measured by SIMS analysis.
  • the p-type impurity concentration may be higher or lower than the n-type impurity concentration, and the p-type and n-type impurity concentrations may be substantially the same (p-type impurity concentration
  • the n-type impurity concentration may be about 0.8 to 1.2 as 1).
  • FIG. 1 shows an example in which a co-doped region layer 60 c is provided on the p-type contact layer 70 side of the electron block layer 60.
  • the co-doped region layer 60c is not limited to this example.
  • the entire electron blocking layer 60 may be a co-doped region layer, or only a part of the electron blocking layer 60 may be a co-doped region layer, and the other may be a region containing only p-type impurities.
  • the thickness of the co-doped region layer is preferably 1 nm or more.
  • TEM-EDS is used for the measurement of the thickness of the co-doped region layer.
  • the thickness of the co-doped region layer is preferably 10 nm or less, more preferably 5 nm or less. If the thickness exceeds 10 nm, the forward voltage may increase due to the increase in resistance.
  • the electron block layer 60 has a region between the AlN guide layer 50 and the co-doped region layer 60c, in which the n-type impurity is not doped and only the p-type impurity is doped.
  • the electron blocking layer 60 has the co-doped region layer 60c, for example, the hole injection efficiency is increased by doping Mg, and the light emitting output is maintained and the forward voltage is reduced. It is considered that diffusion of Mg from the layer into the light emitting layer can be suppressed, and deterioration of the life can be suppressed.
  • a p-type contact layer 70 is provided.
  • the p-type contact layer 70 is Al x Ga 1 -xN (0 ⁇ x ⁇ 0.1).
  • Examples of the p-type impurity doped into the p-type contact layer 70 include Mg, Zn, Ca, Be, and Mn.
  • the average impurity concentration of the entire p-type contact layer 70 is not particularly limited as long as it is an impurity concentration capable of functioning as a p-type, and is, for example, 1.0 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 to 5.0 ⁇ 10 21. atoms / cm 3 .
  • the p-type contact layer 70 preferably has a high-concentration region having a Mg concentration of 3 ⁇ 10 20 atoms / cm 3 or more on the side in contact with the p-type electrode 80, and the Mg concentration in this high-concentration region is 5 ⁇ 10 20. It is more preferably at least atoms / cm 3 .
  • the thickness of the high concentration region is usually 15 nm or less.
  • the Mg concentration outside the high-concentration region and in the high-concentration region is an average concentration measured by SIMS.
  • the thickness of the p-type contact layer 70 is usually 200 nm or less. This is because the p-type contact layer absorbs light from the light-emitting layer 40 and is usually thinner to suppress the absorption, and it has been considered that there is no particular advantage in increasing the thickness.
  • the thickness of the p-type contact layer 70 be 300 nm or more to increase the light emission output. Has been found to be more preferable.
  • the electron blocking layer 60 does not have the co-doped region layer 60c, electrons are more diffused than in the p-type contact layer 70.
  • the advantage is that the current flows to the block layer 60.
  • the thickness of the p-type contact layer 70 should be 200 nm or less.
  • the electron blocking layer 60 has the co-doped region layer 60c, it is presumed that the diffusion of the current in the p-type contact layer 70 is superior to the current flowing to the co-doped region layer 60c of the electron blocking layer 60. Is done. Therefore, when the thickness of the p-type contact layer 70 is 200 nm or less, the contribution of the improvement of the luminous efficiency by the diffusion of the current is small. Is expected to improve the final light emission output.
  • the group III nitride semiconductor light-emitting device has the co-doped region layer 60c and the p-type contact layer 70 having a thickness of 300 nm or more. It can have excellent light emission output.
  • the substrate 10, the AlN layer 20, the n-type electrode 80, and the p-type electrode 90 shown in FIG. 1 will be described by way of example, but these can be variously modified.
  • the sapphire substrate 10, the AlN layer 20, the n-type electrode 80, and the p-type electrode 90 shown in FIG. 1 do not limit the present invention at all.
  • a sapphire substrate can be used as the substrate 10 of the group III nitride semiconductor light emitting device 100.
  • An AlN template substrate provided with an AlN layer 20 epitaxially grown on the surface of a sapphire substrate may be used.
  • any sapphire substrate can be used, and the presence or absence of an off angle is arbitrary. When the off angle is provided, the crystal axis orientation in the tilt direction is either the m-axis direction or the a-axis direction. May be.
  • the main surface of the sapphire substrate may be a surface in which the C plane is inclined at an off angle ⁇ of 0.5 degrees.
  • an AlN template substrate it is preferable that the AlN layer on the sapphire substrate has excellent crystallinity. It is also preferable that an undoped AlGaN layer is provided on the surface of the AlN template substrate. Further, an AlN single crystal substrate may be used as the substrate 10.
  • the n-type electrode 80 can be, for example, a metal composite film having a Ti-containing film and an Al-containing film formed on the Ti-containing film, and the thickness, shape and size of the n-type electrode 80 depend on the shape and size of the light emitting element. Can be selected appropriately.
  • the p-type electrode 90 can also be, for example, a metal composite film having a Ni-containing film and an Au-containing film formed on the Ni-containing film. It can be appropriately selected according to the size.
  • the present manufacturing method includes a step of forming the n-type layer 30, a step of forming the light emitting layer 40, a step of forming the electron block layer 60, and a step of forming the p-type contact layer 70 in this order.
  • the step of forming the electron block layer 60 includes a step of forming a co-doped region layer 60c in the electron block layer 60.
  • the p-type contact layer 70 is set to p-type Al x Ga 1 -xN (0 ⁇ x ⁇ 0.1) and the thickness of the p-type contact layer 70 is reduced.
  • the thickness is set to 300 nm or more.
  • a sapphire substrate is generally prepared as the substrate 10. It is preferable to form an AlN template substrate having an AlN layer formed on the surface 10A of the substrate 10, and a commercially available AlN template substrate may be used.
  • the AlN layer 20 may be formed by a known thin-film growth method such as a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a molecular beam epitaxy (MBE) method, or a sputtering method. Can be.
  • trimethyl aluminum (TMA) can be used as an Al source of the AlN layer 20.
  • N source ammonia (NH 3 ) gas can be used as the N source.
  • the AlN layer 20 can be formed by using hydrogen gas as a carrier gas for these source gases.
  • the growth temperature of the AlN layer 20 is not particularly limited, but is preferably from 1270 ° C. to 1350 ° C., and more preferably from 1290 ° C. to 1330 ° C. Within this temperature range, the crystallinity of the AlN layer 20 can be improved when a heat treatment step is subsequently performed.
  • the growth pressure in the chamber can be, for example, 5 Torr to 20 Torr. More preferably, it is 8 Torr to 15 Torr.
  • the molar ratio of the group V element to the group III element calculated based on the growth gas flow rate of the group V element gas such as NH 3 gas and the group III element gas such as TMA gas (hereinafter referred to as V / III ratio) )
  • V / III ratio the group V element gas
  • TMA gas the group III element gas
  • the AlN layer 20 on the sapphire substrate 10 obtained as described above is subjected to a heat treatment at a temperature higher than the growth temperature of the AlN layer 20.
  • This heat treatment step can be performed using a known heat treatment furnace. By performing such a heat treatment, the half value width of the X-ray rocking curve of the (10-12) plane of the AlN layer 20 can be reduced to 400 seconds or less, and high crystallinity can be realized.
  • an undoped AlGaN layer on the AlN layer 20.
  • TMA trimethylgallium
  • NH 3 gas as an N source
  • a layer made of an AlGaN material can be formed, which means that the n-type layers 30 and n described below are used.
  • These source gases are supplied into the chamber using hydrogen gas or nitrogen gas or a mixed gas of both as carrier gas.
  • the V / III ratio calculated based on the growth gas flow rates of the group V element gas such as NH 3 gas and the group III element gas such as TMA gas can be, for example, 100 or more and 100,000 or less. More preferably, it is 300 or more and 30,000 or less. Since an optimum V / III ratio exists depending on the growth temperature and the growth pressure, it is preferable to appropriately set the flow rate of the growth gas as in the case of forming the AlN layer 20.
  • the n-type layer 30 can be formed on the AlN layer 20, and is preferably formed on an undoped AlGaN layer.
  • the n-type impurities are as described above.
  • the growth temperature is preferably set to 1000 ° C. or more and 1400 ° C. or less, more preferably 1050 ° C. or more and 1350 ° C. or less.
  • the AlN guide layer 50 is epitaxially grown directly on the light emitting layer 40 using a source gas composed of a trimethyl aluminum gas (TMA gas) and an ammonia gas (NH 3 gas).
  • TMA gas trimethyl aluminum gas
  • NH 3 gas ammonia gas
  • the carrier gas a carrier gas containing nitrogen as a main component is preferably used, and more preferably a nitrogen gas is used.
  • the growth temperature is preferably from 1000 ° C to 1400 ° C, more preferably from 1050 ° C to 1350 ° C.
  • the thickness of the AlN guide layer 50 can be set to 0.5 nm or more and 2.0 nm or less.
  • a step of forming an electron block layer 60 on the AlN guide layer 50 is performed, and then a step of forming a p-type contact layer 70 on the p-type electron block layer 60 is performed.
  • the electron blocking layer 60 includes the co-doped region layer 60c.
  • impurities for forming the co-doped region layer 60c for example, Si and Mg can be used.
  • Monosilane (SiH 4 ) or the like can be used as the Si source, and cyclopentadienyl magnesium (CP 2 Mg) can be used as the Mg source.
  • CP 2 Mg cyclopentadienyl magnesium
  • a mixed gas of both may be supplied to the chamber.
  • Mg or Zn can be appropriately selected and used, and as a Mg source, cyclopentadienyl magnesium (CP 2 Mg) can be used. ZnCl 2 can be used as a Zn source.
  • a mixed gas of an impurity source may be supplied to the chamber.
  • the p-type impurity may be doped at a high concentration on the side of the p-type contact layer that contacts the p-type electrode.
  • the supply of the group III source gas is stopped after the growth of the p-type contact layer or the flow rate is set to 1 / or less of the growth rate, and only the Mg source gas and the group V source gas are used for the p-type contact layer. It is preferable that the time for supplying to the surface is 1 minute to 20 minutes.
  • the case of forming the electron blocking layer 60 in the Al z Ga 1-z N materials, the formation of p-type electron block layer 60 it is possible to use a gas mainly composed of hydrogen as a carrier gas.
  • the source gases are TMA, TMG, and NH 3 gas as described above, and an impurity source gas is appropriately selected and used.
  • the AlN guide layer 50 is formed using nitrogen gas as the carrier gas and the electron block layer 60 is formed using hydrogen as the carrier gas, it is necessary to switch the carrier gas.
  • the supply of the TMA gas is interrupted, the carrier gas is switched from nitrogen to hydrogen, and after about 20 seconds to 1 minute, the TMA gas and the TMG gas are supplied to supply the electron block layer.
  • the group III nitride semiconductor light emitting device 100 can be manufactured.
  • Example 1 A sapphire substrate (diameter: 2 inches, thickness: 430 ⁇ m, plane orientation: (0001), m-axis direction off angle ⁇ : 0.5 degree) was prepared. Next, an AlN layer having a center film thickness of 0.60 ⁇ m (average film thickness 0.61 ⁇ m) was grown on the sapphire substrate by MOCVD to obtain an AlN template substrate. At that time, the growth temperature of the AlN layer was 1300 ° C., the growth pressure in the chamber was 10 Torr, and the growth gas flow rates of the ammonia gas and the TMA gas were set such that the V / III ratio was 163.
  • the flow rate of the group V element gas (NH 3 ) is 200 sccm, and the flow rate of the group III element gas (TMA) is 53 sccm.
  • the film thickness of the AlN layer was measured using a light interference type film thickness measuring device (Nanospec M6100A; manufactured by Nanometrics) at a total of 25 films including the center in the wafer plane and distributed at equal intervals. The thickness was measured.
  • the AlN template substrate was introduced into a heat treatment furnace, and after reducing the pressure to 10 Pa and purging nitrogen gas to a normal pressure, the inside of the furnace was set to a nitrogen gas atmosphere. A heat treatment was applied to this. At that time, the heating temperature was 1650 ° C., and the heating time was 4 hours.
  • the Si concentration of the n-type layer was 1.0 ⁇ 10 19 atoms / cm 3 .
  • n-type guide layer made of Al 0.65 Ga 0.35 N and doped with Si is formed on the n-type layer, and a 4 nm-thick Al 0.65 Ga 0.3 . to form a 35 N.
  • a 3-nm-thick well layer made of Al 0.45 Ga 0.55 N and a barrier layer made of Al 0.65 Ga 0.35 N having a thickness of 4 nm are alternately formed two by two .
  • a well layer of 45 Ga 0.55 N having a thickness of 3 nm was formed.
  • Si was doped.
  • an undoped AlN guide layer was formed on the third well layer using nitrogen gas as a carrier gas.
  • the thickness of the AlN guide layer was 1 nm.
  • the supply of TMA gas is stopped, the supply of hydrogen is stopped by stopping the nitrogen of the carrier gas while the supply of ammonia gas is continued, and the carrier gas is changed to hydrogen.
  • the gas and the TMG gas were supplied again to form an electron blocking layer of Al 0.68 Ga 0.32 N and doped with Mg and having a thickness of 18 nm.
  • a 2 nm-thick electron block layer (co-doped region layer) made of Al 0.68 Ga 0.32 N and doped with Mg and Si was formed to obtain a total of 20 nm.
  • a SiH4 gas was supplied at 8 sccm and a Cp2Mg gas was supplied at 250 sccm in the chamber.
  • the Si concentration in the region of the electron block layer doped with Mg and Si was 2.0 ⁇ 10 19 atoms / cm 3
  • the Mg concentration was 2.0 ⁇ 10 19 atoms / cm 3 .
  • a p-type contact layer made of GaN and doped with Mg and having a thickness of 300 nm was formed.
  • a layer having a high Mg concentration was obtained by reducing the flow rate of the TMG gas to increase the probability of the existence of Mg and decreasing the growth rate.
  • the Mg concentration in the p-type layer on the p-type electron block layer side was 3.0 ⁇ 10 19 atoms / cm 3 on average, and the Mg concentration in the high Mg concentration portion was 1.2 ⁇ M on average. It was 10 20 atoms / cm 3 .
  • a mask was formed on the p-type contact layer, and mesa etching was performed by dry etching to expose a part of the n-type layer.
  • a p-type electrode made of Ni / Au was formed on the p-type contact layer, and an n-type electrode made of Ti / Al was formed on the exposed n-type layer.
  • the thickness of Ni is 50 ° and the thickness of Au is 1500 °.
  • the thickness of Ti is 200 ° and the thickness of Al is 1500 °.
  • contact annealing (RTA) was performed at 550 ° C. to form an electrode.
  • Table 1 shows the configuration of each layer of the group III nitride semiconductor light-emitting device manufactured as described above.
  • Example 2 A Group III nitride semiconductor light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the p-type contact layer was changed to 600 nm.
  • Example 3 A Group III nitride semiconductor light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the p-type contact layer was changed to 900 nm.
  • Example 4 A Group III nitride semiconductor light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the p-type contact layer was 1200 nm.
  • Example 5 Except that the thickness of the p-type contact layer is 600 nm, the total thickness of the p-type electron block layer is 30 nm, and of this 30 nm, the thickness of only Mg is 28 nm and the thickness of the co-doped region layer is 2 nm.
  • a Group III nitride semiconductor light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1.
  • Example 6 Except that the thickness of the p-type contact layer was 900 nm, the thickness of the p-type block layer was 30 nm, and of this 30 nm, the thickness of only Mg was 28 nm and the thickness of the co-doped region layer was 2 nm. In the same manner as in Example 1, a group III nitride semiconductor light emitting device was manufactured.
  • Example 7 Except that the thickness of the p-type contact layer was 900 nm, the thickness of the p-type block layer was 25 nm, and of this 25 nm, only the thickness of Mg was 23 nm and the thickness of the co-doped region layer was 2 nm. In the same manner as in Example 1, a group III nitride semiconductor light emitting device was manufactured.
  • Example 1 A Group III nitride semiconductor light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the p-type contact layer was changed to 150 nm.
  • Comparative Example 6 A Group III nitride semiconductor light-emitting device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that the p-type electron block layer was not doped with Si, and the thickness of the p-type block layer was changed to 40 nm.
  • Example 7 A Group III nitride semiconductor light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 3, except that the p-type electron block layer was not doped with Si, and the thickness of the p-type electron block layer was set to 40 nm.
  • Table 2 shows the evaluation results of the group III nitride semiconductor light emitting devices according to Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 7.
  • FIG. 2 is a graph showing the correspondence between the thickness of the p-type contact layer and the light emission output in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5 in which the thickness of the electron block layer is 20 nm in common.
  • Examples 1 to 7 show that when Si is doped into the electron block layer, the change with time of the light emission output can be reduced, and the light emission output is smaller than that of Comparative Example 1. It can be seen from FIG. 2 that there is a range where the light emission output is largest when the thickness of the p-type contact layer is thicker than the conventional one as in Example 2 (see also FIG. 2). In addition, comparison of Examples 2 and 5 and Examples 3, 6, and 7 also confirms that the electron blocking layer is preferably thinner.
  • the present invention it is useful because a group III nitride semiconductor light emitting device which can suppress a change in light emission output with time and has a light emission output superior to the conventional one can be provided.
  • Substrate 10A Main surface of substrate 20 AlN layer 30 n-type layer 40 light-emitting layer 40b barrier layer 40w well layer 50 AlN guide layer 60 electron block layer 70 p-type contact layer 80 n-type electrode 90 p-type electrode 100 Group III nitride semiconductor element

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Abstract

発光出力の経時変化の抑制ができ、かつ、従来よりも優れた発光出力を有するIII族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。本発明のIII族窒化物半導体発光素子１００は、発光波長が２００ｎｍ～３５０ｎｍであり、ｎ型層３０と、発光層４０と、電子ブロック層６０と、ｐ型コンタクト層７０とをこの順に備え、電子ブロック層６０がコドープ領域層６０ｃを有しており、ｐ型コンタクト層６０はｐ型ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ≦０．１）であり、ｐ型コンタクト層６０の厚さが３００ｎｍ以上である。

Description

ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
　本発明は、III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法に関し、特に、信頼性及び発光出力に共に優れたIII族窒化物半導体発光素子およびその製造方法に関する。
　従来、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等のIII族元素とＮとの化合物からなるIII族窒化物半導体は、青色光から深紫外光の発光素子の材料として用いられている。中でも、高Ａｌ組成のＡｌＧａＮからなるIII族窒化物半導体は、発光波長２００～３５０ｎｍの深紫外光発光素子（ＤＵＶ－ＬＥＤ）に用いられている。
　一般に、III族窒化物半導体を用いた深紫外光発光素子の発光効率は極めて低く、高出力化の実現は困難と言われてきたが、小型かつ高出力な深紫外発光素子を実現するために、内部量子効率の向上のほか高い光取出効率や低抵抗特性などを実現するための試みが種々行われてきた。
　ここで、ｐ型コンタクト層（ｐ型ＡｌＧａＮ層、Ａｌ組成は０以上１０％未満）は、活性層から発光される紫外光を吸収する。そこで特許文献１では、発光波長３５５ｎｍのIII族窒化物半導体発光素子においては、ｐ型コンタクト層を部分的に除去してｐ型クラッド層を露出する開口部を有したIII族窒化物半導体発光素子が記載されている。特許文献１におけるｐ型コンタクト層の厚さは、部分除去のない従来技術では２０ｎｍとされ、部分除去がある実施形態では２００ｎｍとされる。
　特許文献１のみならず、活性層から発光される紫外光を吸収するｐ型コンタクト層は、その光吸収の悪影響から薄いことが望ましいとされており、ｐ型コンタクト層は２００nm以下の厚さとすることが通常であった。
　また、本発明者は、特許文献２において、電子ブロック層にＳｉ含有不純物ドープ領域層を含ませることにより、発光出力の経時変化を抑制でき、信頼性に優れたIII族窒化物半導体発光素子を提案している。
特開２０１６－２１３４４８号公報 特開２０１６－１４９５４４号公報
　これまで種々の試みがなされてきたものの、発光出力の経時変化の抑制ができ、かつ、更に優れた発光出力を有するIII族窒化物半導体発光素子の実現が求められる。
　そこで本発明は、発光出力の経時変化の抑制ができ、かつ、より優れた発光出力を有するIII族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明者は上記諸課題を解決すべく鋭意検討し、電子ブロック層にコドープ領域層を形成する場合としない場合とでｐ型コンタクト層の厚みの影響を検討した。そして、コドープ領域層を形成する場合には、ｐ型コンタクト層の厚さを従来技術の知見に反し、敢えて大きくすることで、発光出力の経時変化を抑制できつつ、優れた発光出力を得ることができることを知見し、本発明を完成するに至った。
　すなわち、本発明の要旨構成は以下の通りである。
（１）発光波長が２００ｎｍ～３５０ｎｍのIII族窒化物半導体発光素子において、
　ｎ型層と、発光層と、電子ブロック層と、ｐ型コンタクト層とをこの順に備え、
　前記電子ブロック層がコドープ領域層を有しており、
　前記ｐ型コンタクト層はｐ型ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ≦０．１）であり、
　前記ｐ型コンタクト層の厚さが３００ｎｍ以上であること
を特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
（２）前記ｐ型コンタクト層の厚さが５００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下である、前記（１）に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
（３）前記電子ブロック層の厚みが１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である、前記（１）または（２）に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
（４）前記コドープ領域層が、ｐ型不純物を１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３～１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３含み、ｎ型不純物を１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３～１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３含む、前記（１）～（３）のいずれかに記載のIII族窒化物半導体発光素子。
（５）前記コドープ領域層のｐ型不純物がＭｇであり、ｎ型不純物がＳｉである、前記（４）に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
（６）発光波長が２００ｎｍ～３５０ｎｍのIII族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
　ｎ型層を形成する工程と、発光層を形成する工程と、電子ブロック層を形成する工程と、ｐ型コンタクト層を形成する工程と、をこの順に備え、
　前記電子ブロック層を形成する工程は、前記電子ブロック層にコドープ領域層を形成する工程を含み、
　前記ｐ型コンタクト層を形成する工程において、前記ｐ型コンタクト層をｐ型ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ≦０．１）とし、かつ、前記ｐ型コンタクト層の厚さを３００ｎｍ以上とすること
を特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
　本発明によれば、発光出力の経時変化の抑制ができ、かつ、従来よりも優れた発光出力を有するIII族窒化物半導体発光素子を提供することができる。
本発明の一実施形態に従うIII族窒化物半導体発光素子を説明する模式断面図である。 実施例におけるｐ型コンタクト層の厚さと発光出力との対応関係を示すグラフである。
　実施形態の説明に先立ち、エピタキシャル成長により形成される各層の厚さ及びＡｌ組成の測定手法を説明する。各層の厚さは、光干渉式膜厚測定器を用いて測定できる。さらに、各層の厚さのそれぞれは、隣接する各層の組成が十分異なる場合（例えばＡｌ組成比が、０．０１以上異なる場合）、透過型電子顕微鏡による成長層の断面観察からも算出できる。また、隣接する層のうち、Ａｌ組成比が同一であるか、または、ほぼ等しい（例えば０．０１未満）ものの、不純物濃度の異なる層の境界および厚さについては、両者の境界ならびに各層の厚さは、ＴＥＭ－ＥＤＳに基づく測定によるものとする。また、障壁層や電子ブロック層を含め各層の厚さが数ｎｍ～数十ｎｍと薄い層は、透過型電子顕微鏡による各層の断面観察でのＴＥＭ－ＥＤＳを用いて各層厚さとＡｌ組成を測定できる。また、厚さが十分厚い層（例えば１μｍ以上）については、フォトルミネッセンス測定による発光波長（バンドギャップエネルギー）から対象とする層のＡｌ組成を確認できる。
（III族窒化物半導体発光素子）
　以下、図１を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。なお、同一の構成要素には原則として同一の参照番号を付して、説明を省略する。また、各図において、説明の便宜上、基板および各層の縦横の比率を実際の比率から誇張して示している。
　本発明の一実施形態に従うIII族窒化物半導体発光素子１００は、ｎ型層３０と、発光層４０と、電子ブロック層６０と、ｐ型コンタクト層７０と、をこの順に有する。図１に示すように、発光層４０が障壁層４０ｂおよび、障壁層４０ｂよりもバンドギャップの小さい井戸層４０ｗを交互に積層することは好ましい態様の一つである。また、同図に示すように、発光層４０と、電子ブロック層６０との間にＡｌＮガイド層５０を設けることも好ましい態様である。
　図１に示すように、III族窒化物半導体発光素子１００のｎ型層３０を、基板１０の表面にＡｌＮ層２０が設けられたＡｌＮテンプレート基板上に設けることができる。また、III族窒化物半導体発光素子１００には、発光層４０、ＡｌＮガイド層５０、電子ブロック層６０、およびｐ型コンタクト層７０の一部をエッチング等により除去し、露出したｎ型層３０上に形成したｎ型電極８０と、ｐ型コンタクト層７０上に形成したｐ型電極９０とが設けられてもよい。上記の基板１０、ＡｌＮ層２０、ｎ型電極８０およびｐ型電極９０は一般的な構成とすることができ、具体的な構成は何ら限定されるものではない。また、図示しないが、ＡｌＮ層２０とｎ型層３０の間には、ＡｌＧａＮ層、組成傾斜層、超格子層の１つ以上から選ばれるバッファ層を備えていてもよい。
＜ｎ型層＞
　ｎ型層３０は、少なくともＡｌを含むIII族窒化物半導体層とすることができ、例えばＡｌＧａＮ材料からなり、また、III族元素としてのＡｌとＧａに対して５％以内の量のＩｎを含んでいてもよい。ｎ型層３０には、ｎ型の不純物（ドーパント）がドープされる。こうしたｎ型不純物としては、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓ，Ｏ，Ｔｉ，Ｚｒ等を例示することができる。不純物濃度は、ｎ型として機能することのできる不純物濃度であれば特に限定されず、例えば１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３～１．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とすることができる。また、ｎ型層３０のＡｌ含有率は、特に制限はなく、一般的な範囲とすることができる。ｎ型層３０を単層または複数層から構成することもできる。
＜発光層＞
　III族窒化物半導体発光素子１００において、発光層４０がｎ型層３０に続いて設けられる。発光層４０を、障壁層４０ｂおよび、障壁層４０ｂよりもバンドギャップの小さい井戸層４０ｗを交互に積層することで形成することができる。例えば、障壁層４０ｂおよび井戸層４０ｗとして、Ａｌ組成の異なるＡｌＧａＮ材料を用いることができる。障壁層４０ｂおよび井戸層４０ｗは、必要に応じて、Ｉｎ等のIII族元素を５％以内の組成比で導入し、ＡｌＧａＩｎＮ材料等としてもよいが、III族元素としてはＡｌおよびＧａのみを用いた三元系のＡｌＧａＮ材料とすることがより好ましい。発光層４０の各層は、ｎ型およびｉ型のいずれとしてもよいが、障壁層４０ｂはｎ型とすることが好ましい。電子濃度が増え、井戸層内の結晶欠陥を補償する効果があるためである。なお、発光層４０は、障壁層および井戸層を繰り返し形成し、障壁層で挟み込んだ一般的な多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）構造としてもよいし、ｐ層側の最後の障壁層を取り除き、障壁層４０ｂ及び井戸層４０ｗを交互にＮ層ずつ（但し、Ｎは整数である）積層した構造としてもよい。
　障壁層４０ｂとしてＡｌｂＧａ１－ｂＮ材料を用い、井戸層４０ｗとしてＡｌｗＧａ１－ｗＮ材料を用いる場合、障壁層４０ｂのＡｌ組成ｂを例えば０．５１～０．９５、より好ましくは０．５３～０．８５とすることができ、井戸層４０ｗのＡｌ組成ｗを、例えば０．３０～０．８０（但し、ｗ＜ｂ）とすることができる。また、障壁層４０ｂおよび井戸層４０ｗのそれぞれの層数を、例えば１～１０の正の整数とすることができる。さらに、障壁層４０ｂの厚みを３ｎｍ～３０ｎｍとすることができ、井戸層４０ｗの厚みを０．５ｎｍ～５ｎｍとすることができる。
　井戸層４０ｗのＡｌ組成によって発光する光の中心波長を概ね調整することができ、例えば、発光層４０における井戸層４０ｗのＡｌ組成ｗを０．３５以上とすると、発光層４０から放射される光の中心波長が３００ｎｍ以下となる。
＜ｎ型ガイド層＞
　また、図１には図示しないが、発光層４０とｎ型層３０との間に、ｎ型ガイド層を設けてることも好ましい。ｎ型ガイド層はＡｌＧａＮ材料を用いることが好ましく、そのＡｌ組成は、前記のｎ型層３０のＡｌ組成以上、かつ、障壁層４０ｂのＡｌ組成ｂ以下とすることが好ましい。その厚さは３ｎｍ～３０ｎｍとすることができる。また、ｎ型ガイド層には、ｎ型層と同様にｎ型の不純物（ドーパント）がドープされることが好ましいが、その不純物量はｎ型層よりも低いことが好ましい。
＜ＡｌＮガイド層＞
　発光層４０に続き、ＡｌＮガイド層５０を発光層４０上に設けてもよい。ＡｌＮガイド層５０は、最も好ましくはIII族元素のＡｌ組成比を１００％として形成したＡｌＮからなる窒化物半導体層である。ただし、他のIII族元素（Ｇａ等）が製造工程中に不可避に混入した場合や、変質時に発生するガスや変質の進行状況を考慮して、結果としてＡｌ組成比が９６％～１００％であれば、ＡｌＮガイド層５０に含まれるものとする。ＡｌＮガイド層５０の厚みは０．５ｎｍ以上２．０ｎｍ以下が好ましく、０．７ｎｍ以上１．７ｎｍ以下がより好ましい。ＡｌＮガイド層５０は、アンドープであることが好ましいが、Ｍｇなどのｐ型不純物やＳｉなどのｎ型不純物を添加しても構わない。また、ＡｌＮガイド層５０中の不純物濃度が均一である必要はなく、例えば、発光層４０側と電子ブロック層６０側との間で、不純物濃度が異なっていてもよい。不純物を添加した際にはｉ型だけでなく、結果として一部もしくは全体がｐ型化、またはｎ型化してもよい。
　なお、「ｉ型」であるとは、特定の不純物を意図的には添加していない層（アンドープ層ともいう）のことをいう。理想的には、不純物を全く含まない半導体とするのが好ましいが、電気的にｐ型またはｎ型のいずれとしても機能しない半導体であればよく、キャリア密度が小さいもの（例えば５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満のもの）はｉ型と称することができる。また、隣接する半導体層よりｐ型またはｎ型の不純物の拡散があったとしても、特定の不純物を意図的に添加したことにはならない。
　また、III族窒化物半導体発光素子１００は、発光層４０におけるＡｌＮガイド層５０側のＮ層目の井戸層４０ｗと、ＡｌＮガイド層５０との間に、バンドギャップが障壁層４０ｂ以上かつＡｌＮガイド層５０未満のファイナルバリア層を更に有することも好ましい。この場合、ファイナルバリア層の厚みを０．１ｎｍ以上１．０ｎｍ以下と非常に薄くして設けることが好ましい。
＜電子ブロック層＞
　続いて、電子ブロック層６０が発光層４０上に設けられる。図１に示す実施形態では、電子ブロック層６０がＡｌＮガイド層５０上に隣接して設けられる。電子ブロック層６０は一般的に、発光層として機能する多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）構造とｐ型層（ｐ型クラッド層またはｐ型コンタクト層）との間に設けることにより、電子を堰止めして、電子を発光層（ＭＱＷの場合には井戸層）内に注入して、電子の注入効率を高めるための層として用いられる。これは、発光層のＡｌ組成が高い場合には、ｐ型コンタクト層７０のホール濃度が低いため、ホールを発光層に注入しにくく、一部の電子がｐ型コンタクト層７０側に流れてしまうが、電子ブロック層６０を設けることにより、こうした電子の流れを防止することができるからである。本実施形態でも、ＡｌＮガイド層５０に隣接して設けられた電子ブロック層６０は、同様にｐ型コンタクト層７０側への電子の流れを防止することができ、電子の注入効率を高めることができる。
　電子ブロック層６０のＡｌ組成はＡｌｚＧａ１－ｚＮ（０．５≦ｚ≦０．８）であることが好ましい。電子ブロック層全体の厚みは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下とすることができ、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることがより好ましい。
　本発明における電子ブロック層６０においては、電子ブロック層にドープするｐ型不純物（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｍｎ等）を少なくとも有し、これらの中でも最も好ましいｐ型不純物はＭｇである。そして、ｐ型不純物と共にＳｉに代表されるｎ型不純物が含まれるコドープ領域層６０ｃを有する。
　電子ブロック層６０のｐ型不純物量は、ＳＩMS分析により測定することができ、平均で例えば１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3～５．０×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3とすることが好ましい。ｎ型不純物量もＳＩMS分析により測定することができ、電子ブロック層６０は、ｐ型不純物とｎ型不純物とが共に１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上含まれたコドープ領域層６０ｃを有するものである。コドープ領域層６０ｃにおいては、ｐ型（例えばＭｇ）の不純物濃度を１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3～１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3とすることが好ましく、ｎ型（例えばＳｉ）の不純物濃度を１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3～１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3とすることが好ましく、また、ｐ型とｎ型の両者の不純物濃度の合計を２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3～２×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3とすることが好ましい。いずれもＳＩＭＳ分析により測定することができる。電子ブロック層のＳＩＭＳ分析において、ｐ型とｎ型の不純物濃度が上記範囲となる領域があれば、その領域にコドープ領域層があると考えられる。コドープ領域層６０ｃにおいて、ｐ型の不純物濃度がｎ型の不純物濃度より大きくてもよいし、小さくてもよいし、ｐ型及びｎ型のそれぞれの不純物濃度を同程度（ｐ型の不純物濃度を１としてｎ型の不純物濃度を０．８～１．２程度）としてもよい。
　なお、図１では、電子ブロック層６０のうち、ｐ型コンタクト層７０の側にコドープ領域層６０ｃを設けた例を図示している。しかしながら、コドープ領域層６０ｃはこの例に限定されない。電子ブロック層６０の全体がコドープ領域層であってもよく、また、電子ブロック層６０の一部のみがコドープ領域層であり、他はｐ型不純物のみの領域があってもよい。コドープ領域層の厚さは、１ｎｍ以上とすることが好ましい。コドープ領域層の厚さの測定については、TEM－EDSを用いるものとする。さらに、コドープ領域層の厚さは、１０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以下であることがより好ましい。１０ｎｍを超えて厚いと、高抵抗化することにより順方向電圧が大きくなる恐れがあるためである。
　なお、電子ブロック層６０は、ＡｌＮガイド層５０とコドープ領域層６０ｃとの間に、ｎ型不純物がドーピングされずｐ型不純物のみがドーピングされた領域を有することがより好ましい。
　電子ブロック層６０がコドープ領域層６０ｃを有することにより、例えばＭｇをドープすることでホール注入効率を高めて、発光出力を維持しまた順方向電圧を低減しつつ、Ｓｉをドープすることでｐコンタクト層からのＭｇの発光層への拡散を抑制し、寿命の悪化を抑制することができると考えられる。
＜ｐ型コンタクト層＞
　電子ブロック層６０に続きｐ型コンタクト層７０が設けられる。ｐ型コンタクト層７０は、ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ≦０．１）である。ｐ型コンタクト層７０にドープするｐ型不純物としては、Ｍｇ，Ｚｎ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｍｎ等を例示することができる。また、ｐ型コンタクト層７０全体の平均不純物濃度は、ｐ型として機能することのできる不純物濃度であれば特に限定されず、例えば１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３～５．０×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とすることができる。
　ｐ型コンタクト層７０は、ｐ型電極８０と接する側に、Ｍｇ濃度が３×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上の高濃度領域を有することが好ましく、この高濃度領域におけるＭｇ濃度が５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることがより好ましい。高濃度領域の厚さは、通常１５ｎｍ以下である。なお、高濃度領域以外と高濃度領域におけるＭｇ濃度は、ＳＩＭＳ測定による平均濃度である。
　さて、従来、ｐ型コンタクト層７０の厚みは、２００ｎｍ以下であることが通常であった。ｐ型コンタクト層は、発光層４０からの光を吸収するため、その吸収を抑制するために薄くすることが通常であり、また、厚くするメリットは特にないと考えられてきたからである。しかしながら、本発明では、電子ブロック層６０においてコドープ領域層６０ｃがある場合には、ｐ型コンタクト層７０の厚みを３００ｎｍ以上とした方が発光出力増大のために好ましく、さらに、５００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下とすることがより好ましいことを見出した。
　ｐ型コンタクト層において電流が拡散するにはある程度の厚さが必要であるものの、電子ブロック層６０がコドープ領域層６０ｃを有しない場合には、ｐ型コンタクト層７０において電流が拡散するよりも電子ブロック層６０へ電流が進む方が優位である。そのため、従来技術ではｐ型コンタクト層７０が厚いほど発光効率が下がり、ｐ型コンタクト層の厚さを２００ｎｍ以下とすべきと考えられていたと予想される。しかしながら、電子ブロック層６０がコドープ領域層６０ｃを有する場合には、電子ブロック層６０のコドープ領域層６０ｃへ電流が進む方よりも、ｐ型コンタクト層７０において電流が拡散する方が優位になると推察される。そのため、ｐ型コンタクト層７０の厚さが２００ｎｍ以下では電流の拡散による発光効率向上の寄与が小さいところ、厚みを３００ｎｍ以上とすれば、光吸収の悪影響よりも電流の拡散による発光効率向上の寄与が上回って、最終的な発光出力が向上すると予想される。
　以上のように、本発明に従うIII族窒化物半導体発光素子は、コドープ領域層６０ｃ及び厚さ３００ｎｍ以上のｐ型コンタクト層７０を有するので、発光出力の経時変化を抑制でき、かつ、従来よりも優れた発光出力を有することができる。
　以下に、図１に示した基板１０、ＡｌＮ層２０、ｎ型電極８０およびｐ型電極９０についてそれらの具体的な態様を例示的に説明するが、これらは種々の変形が可能である。既述のとおり、本発明に従う実施形態において、図１に示したサファイアの基板１０、ＡｌＮ層２０、ｎ型電極８０およびｐ型電極９０は、本発明を何ら限定するものではない。
　III族窒化物半導体発光素子１００の基板１０として、サファイア基板を用いることができる。サファイア基板の表面にエピタキシャル成長させたＡｌＮ層２０が設けられたＡｌＮテンプレート基板を用いてもよい。サファイア基板としては、任意のサファイア基板を用いることができ、オフ角の有無は任意であり、オフ角が設けられている場合の傾斜方向の結晶軸方位は、ｍ軸方向またはａ軸方向のいずれでもよい。例えば、サファイア基板の主面を、Ｃ面が０．５度のオフ角θで傾斜した面とすることができる。ＡｌＮテンプレート基板を用いる場合、サファイア基板表面のＡｌＮ層の結晶性が優れていることが好ましい。また、ＡｌＮテンプレート基板の表面に、アンドープのＡｌＧａＮ層が設けられていることも好ましい。また、基板１０としてＡｌＮ単結晶基板を用いてもよい。
　ｎ型電極８０は、例えばＴｉ含有膜およびこのＴｉ含有膜上に形成されたＡｌ含有膜を有する金属複合膜とすることができ、その厚み、形状およびサイズは、発光素子の形状およびサイズに応じて適宜選択することができる。また、ｐ型電極９０についても、例えばＮｉ含有膜およびこのＮｉ含有膜上に形成されたＡｕ含有膜を有する金属複合膜とすることができ、その厚み、形状およびサイズは、発光素子の形状およびサイズに応じて適宜選択することができる。
（III族窒化物半導体発光素子の製造方法）
　次に、上述したIII族窒化物半導体発光素子１００を製造する方法の実施形態を説明する。本製造方法は、ｎ型層３０を形成する工程と、発光層４０を形成する工程と、電子ブロック層６０を形成する工程とｐ型コンタクト層７０を形成する工程と、をこの順に備える。そして、電子ブロック層６０を形成する工程は、電子ブロック層６０にコドープ領域層６０ｃを形成する工程を含む。さらに、ｐ型コンタクト層７０を形成する工程において、ｐ型コンタクト層７０をｐ型ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ≦０．１）とし、かつ、ｐ型コンタクト層７０の厚さを３００ｎｍ以上とする。以下、好適な態様を含め、各工程を順次説明する。ただし、前述したIII族窒化物半導体発光素子１００の実施形態と重複する構成については同じ参照符号を付して、重複する説明を省略する。
　まず、基板１０としてサファイア基板を用意するのが一般的である。基板１０の表面１０ＡにＡｌＮ層を形成したＡｌＮテンプレート基板を形成することが好ましく、市販のＡｌＮテンプレート基板を用いてもよい。なお、ＡｌＮ層２０は、例えば、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Depoｓｉtion）法や分子線エピタキシ（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）法、スパッタ法などの公知の薄膜成長方法により形成することができる。
　ＡｌＮ層２０のＡｌ源としては、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を用いることができる。また、Ｎ源としては、アンモニア（ＮＨ３）ガスを用いることができる。これらの原料ガスを、キャリアガスとして水素ガスを用いることにより、ＡｌＮ層２０を形成することができる。
　なお、ＡｌＮ層２０の成長温度は特に限定されないが、１２７０℃以上１３５０℃以下が好ましく、１２９０℃以上１３３０℃以下がより好ましい。この温度範囲であれば、続いて熱処理工程を行う場合にＡｌＮ層２０の結晶性を向上することができる。また、チャンバ内の成長圧力については、例えば５Ｔｏｒｒ～２０Ｔｏｒｒとすることができる。より好ましくは、８Ｔｏｒｒ～１５Ｔｏｒｒである。
　また、ＮＨ３ガスなどのV族元素ガスと、ＴＭＡガスなどのIII族元素ガスの成長ガス流量を元に計算されるIII族元素に対するV族元素のモル比（以降、V/III比と記載する）については、例えば１３０以上１９０以下とすることができる。より好ましくは１４０以上１８０以下である。なお、成長温度および成長圧力に応じて最適なV/III比が存在するため、成長ガス流量を適宜設定することが好ましい。
　続いて、上述のようにして得られた、サファイアの基板１０上のＡｌＮ層２０に対して、このＡｌＮ層２０の成長温度よりも高温で熱処理を施すことが好ましい。この熱処理工程は、公知の熱処理炉を用いて行うことができる。かかる熱処理を行うことにより、ＡｌＮ層２０の（１０－１２）面のＸ線ロッキングカーブの半値幅を４００秒以下とし、高い結晶性を実現することができる。
　その後、ＡｌＮ層２０上に、アンドープのＡｌＧａＮ層を形成することも好ましい。Ａｌ源としてＴＭＡ、Ｇａ源としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、Ｎ源としてＮＨ３ガスを用いることで、ＡｌＧａＮ材料からなる層を形成することができ、このことは以下に説明するｎ型層３０、ｎ型ガイド層、発光層４０、ファイナルバリア層、ＡｌＮガイド層５０、電子ブロック層６０およびｐ型コンタクト層７０の形成においても同様である。これらの原料ガスを、キャリアガスとして水素ガスもしくは窒素ガスまたは両者の混合ガスを用いてチャンバ内に供給する。また、ＮＨ３ガスなどのV族元素ガスと、ＴＭＡガスなどのIII族元素ガスの成長ガス流量を元に計算されるV/III比については、例えば１００以上１０００００以下とすることができる。より好ましくは３００以上３００００以下である。成長温度および成長圧力に応じて最適なV/III比が存在するため、成長ガス流量を適宜設定することが好ましいのはＡｌＮ層２０を形成する場合と同様である。
　次に、ｎ型層３０を形成する工程を行う。ｎ型層３０は、ＡｌＮ層２０上に形成することができ、アンドープのＡｌＧａＮ層上に形成することが好ましい。ｎ型不純物については既述のとおりである。
　続いて、発光層４０を形成する工程を行う。井戸層４０ｗおよび障壁層４０ｂを形成する際のＡｌ組成比の調整にあたっては、Ａｌ源の流量とＧａ源の流量の比を適宜変更すればよい。発光層４０をＡｌＧａＮ材料で形成する場合、成長温度を１０００℃以上１４００℃以下とすることが好ましく、１０５０℃以上１３５０℃以下とすることがより好ましい。
　次いで、発光層４０上にＡｌＮガイド層５０を形成することも好ましい。この場合、トリメチルアルミニウムガス（ＴＭＡガス）およびアンモニアガス（ＮＨ３ガス）からなる原料ガスを用いて発光層４０上に直接、ＡｌＮガイド層５０をエピタキシャル成長させることが好ましい。Ｇａ等の他のIII族元素の混入を意図的に排除するため、原料ガスはトリメチルアルミニウムガス（ＴＭＡガス）およびアンモニアガス（ＮＨ３ガス）のみからなることが特に好ましい。キャリアガスとしては、窒素を主成分とするキャリアガスを用いることが好ましく、窒素ガスを用いることがより好ましい。また、成長温度を１０００℃以上１４００℃以下とすることが好ましく、１０５０℃以上１３５０℃以下とすることがより好ましい。成長時間を適宜選択することで、ＡｌＮガイド層５０の厚さを０．５ｎｍ以上２．０ｎｍ以下とすることができる。
　次に、ＡｌＮガイド層５０の上に電子ブロック層６０を形成する工程を行う、次いで、ｐ型電子ブロック層６０上にｐ型コンタクト層７０を形成する工程を行う。
　上述のように、電子ブロック層６０は、コドープ領域層６０ｃを含む。コドープ領域層６０ｃを形成するための不純物としては、例えばＳｉおよびＭｇとすることができる。Ｓｉ源としては、モノシラン（ＳｉＨ４）などを用いることができ、Ｍｇ源としては、シクロペンタジニエルマグネシウム（ＣＰ２Ｍｇ）を用いることができる。ＳｉおよびＭｇを混合してドープするには、両者の混合ガスをチャンバに供給すればよい。
　ｐ型コンタクト層７０を形成するための不純物としては、例えばＭｇまたはＺｎなどから適宜選択して用いることができ、Ｍｇ源としては、シクロペンタジニエルマグネシウム（ＣＰ２Ｍｇ）を用いることができ、Ｚｎ源としては、ＺｎＣｌ２を用いることができる。複数の不純物を混合してドープする場合には、不純物源の混合ガスをチャンバに供給すればよい。
　また、ｐ型コンタクト層のｐ型電極と接する側において、ｐ型不純物を高濃度でドーピングしてもよい。高濃度でドーピングするために、ｐ型コンタクト層を成長後にＩＩＩ族源ガスの供給を停止または成長時の１／４以下の流量とし、Ｍｇ源ガスおよびＶ族源ガスのみをｐ型コンタクト層の表面に供給する時間を１分～２０分設けることが好ましい。
　ここで、電子ブロック層６０をＡｌｚＧａ１－ｚＮ材料で形成する場合、ｐ型電子ブロック層６０の形成は、キャリアガスとして水素を主成分とするガスを用いることができる。原料ガスは既述のとおりＴＭＡ、ＴＭＧおよびＮＨ３ガスであり、さらに不純物源のガスを適宜選択して用いる。なお、キャリアガスとして窒素ガスを用いてＡｌＮガイド層５０の形成し、キャリアガスとして水素を用いて電子ブロック層６０を形成する場合、キャリアガスの切り替えが必要となる。この場合、ＡｌＮガイド層５０を形成後、ＴＭＡガスの供給を中断し、キャリアガスを窒素から水素に切り替えて２０秒～１分程度経過した後に、ＴＭＡガスおよびＴＭＧガスを供給して電子ブロック層６０を形成する。
　最後に、発光層４０、ＡｌＮガイド層５０、電子ブロック層６０およびｐ型コンタクト層７０の一部をエッチング等により除去し、露出したｎ型層３０上にｎ型電極８０を、ｐ型コンタクト層７０上にｐ型電極９０をそれぞれ形成することができる。こうして、III族窒化物半導体発光素子１００を作製することができる。
　以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
［実施例１］
　サファイア基板（直径２インチ、厚さ：４３０μｍ、面方位：（０００１）、ｍ軸方向オフ角θ：０．５度）を用意した。次いで、ＭＯＣＶＤ法により、上記サファイア基板上に中心膜厚０．６０μｍ（平均膜厚０．６１μｍ）のＡｌＮ層を成長させ、ＡｌＮテンプレート基板とした。その際、ＡｌＮ層の成長温度は１３００℃、チャンバ内の成長圧力は１０Ｔｏｒｒであり、V/III比が１６３となるようにアンモニアガスとＴＭＡガスの成長ガス流量を設定した。V族元素ガス（ＮＨ３）の流量は２００ｓｃｃｍ、III族元素ガス（ＴＭＡ）の流量は５３ｓｃｃｍである。なお、ＡｌＮ層の膜厚については、光干渉式膜厚測定機（ナノスペックM6100A；ナノメトリックス社製）を用いて、ウェーハ面内の中心を含む、等間隔に分散させた計２５箇所の膜厚を測定した。
　次いで、上記ＡｌＮテンプレート基板を熱処理炉に導入し、１０Ｐａまで減圧後に窒素ガスを常圧までパージすることにより炉内を窒素ガス雰囲気とした後に、炉内の温度を昇温してＡｌＮテンプレート基板に対して熱処理を施した。その際、加熱温度は１６５０℃、加熱時間は４時間とした。
　続いて、ＭＯＣＶＤ法により、アンドープのＡｌＧａＮ層として、Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ｎからなる厚さ１μｍのアンドープＡｌ０．７Ｇａ０．３Ｎ層を形成した。次に、ｎ型層として、Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎからなり、Ｓｉドープした厚さ２μｍのｎ型層を形成した。なお、ＳＩＭＳ分析の結果、ｎ型層のＳｉ濃度は１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
　続いて、ｎ型層上に、Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５ＮからなりＳｉドープした厚さ２０ｎｍのｎ型ガイド層を形成し、さらに障壁層として厚さ４ｎｍのＡｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎを形成した。次いで、Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる厚さ３ｎｍの井戸層および厚さ４ｎｍのＡｌ０．６５Ｇａ０．３５Ｎからなる障壁層を交互に２層ずつ形成し、さらにＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎからなる厚さ３ｎｍの井戸層を形成した。なお、障壁層の形成においてはＳｉをドープした。
　その後、３層目の井戸層上に、窒素ガスをキャリアガスとし、アンドープのＡｌＮガイド層を形成した。ＡｌＮガイド層の厚さは１ｎｍとした。
　次に、ＴＭＡガスの供給を停止しつつ、アンモニアガスを供給し続けたままキャリアガスの窒素を止めて水素を供給し、キャリアガスを水素に変更した後に、III族元素の原料ガスであるＴＭＡガスおよびＴＭＧガスを再び供給して、Ａｌ０．６８Ｇａ０．３２Ｎからなり、Ｍｇをドープした層さ１８ｎｍの電子ブロック層を形成した。次いで、Ａｌ０．６８Ｇａ０．３２Ｎからなり、ＭｇおよびＳｉをドープした厚さ２ｎｍの電子ブロック層（コドープ領域層）を形成し、合計２０ｎｍの電子ブロック層とした。
　なお、コドープ領域層を形成するためにＭｇおよびＳｉをドープするにあたり、ＳｉＨ４ガスを８ｓｃｃｍで、Ｃｐ２Ｍｇガスを２５０ｓｃｃｍでチャンバ内に供給した。ＳＩＭＳ分析によると電子ブロック層のＭｇおよびＳｉがドープされた領域におけるＳｉ濃度は、２．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、Ｍｇ濃度は２．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
　続いて、キャリアガスを窒素ガスに切り替えた後、ＧａＮからなり、Ｍｇドープした厚さ３００ｎｍのｐ型コンタクト層を形成した。なお、厚さ３００ｎｍの内の、電極に接する厚さ２５ｎｍの領域においては、ＴＭＧガスの流量を減らしてＭｇの存在確率を上げ、かつ、成長速度を落とすことにより高Ｍｇ濃度の層とした。ＳＩＭＳ分析の結果、ｐ型電子ブロック層側のｐ型層のＭｇ濃度は平均で３．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、高Ｍｇ濃度とした部分のＭｇ濃度は平均で１．２×１０２０ａｔｏｍ／ｃｍ３であった。
　その後、ｐ型コンタクト層の上にマスクを形成してドライエッチングによるメサエッチングを行い、ｎ型層の一部を露出させた。次いで、ｐ型コンタクト層上に、Ｎｉ／Ａｕからなるｐ型電極を形成し、露出したｎ型層上には、Ｔｉ／Ａｌからなるｎ型電極を形成した。なお、ｐ型電極のうち、Ｎｉの厚みは５０Åであり、Ａｕの厚みは１５００Åである。また、ｎ型電極のうち、Ｔｉの厚みは２００Åであり、Ａｌの厚みは１５００Åである。最後に５５０℃でコンタクトアニール（ＲＴＡ）を行って、電極を形成した。
　以上のとおりにして作製したIII族窒化物半導体発光素子の、各層の構成を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
［実施例２］
　ｐ型コンタクト層の厚さを６００ｎｍとした以外は、実施例１と同様にしてIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
［実施例３］
　ｐ型コンタクト層の厚さを９００ｎｍとした以外は、実施例１と同様にしてIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
［実施例４］
　ｐ型コンタクト層の厚さを１２００ｎｍとした以外は、実施例１と同様にしてIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
［実施例５］
　ｐ型コンタクト層の厚さを６００ｎｍとし、ｐ型電子ブロック層の全体の厚さを３０ｎｍとしつつ、この３０ｎｍのうちＭｇのみの厚さを２８ｎｍとしてコドープ領域層の厚さを２ｎｍとした以外は、実施例１と同様にしてIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
［実施例６］
　ｐ型コンタクト層の厚さを９００ｎｍとし、ｐ型ブロック層の厚さを３０ｎｍとしつつ、この３０ｎｍのうちＭｇのみの厚さを２８ｎｍとしてコドープ領域層の厚さを２ｎｍとした以外は、実施例１と同様にしてIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
［実施例７］
　ｐ型コンタクト層の厚さを９００ｎｍとし、ｐ型ブロック層の厚さを２５ｎｍとしつつ、この２５ｎｍのうちＭｇのみの厚さを２３ｎｍとしてコドープ領域層の厚さを２ｎｍとした以外は、実施例１と同様にしてIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
［比較例１］
　ｐ型コンタクト層の厚さを１５０ｎｍとした以外は、実施例１と同様にしてIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
［比較例２～５］
　ｐ型電子ブロック層にＳｉをドーピングしなかった以外は、それぞれ比較例１、実施例１～３と同様にしてIII窒化物半導体発光素子を作製した。
［比較例６］
　ｐ型電子ブロック層にＳｉをドーピングせず、ｐ型ブロック層の厚さを４０ｎｍとした以外は、比較例１と同様にしてIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
［比較例７］
　ｐ型電子ブロック層にＳｉをドーピングせず、ｐ型電子ブロック層の厚さを４０ｎｍとした以外は、実施例３と同様にしてIII族窒化物半導体発光素子を作製した。
（評価１：各層の厚さとＡｌ組成の評価）
　エピタキシャル成長により形成される各層の厚さを、光干渉式膜厚測定器及び透過型電子顕微鏡を用いて測定した。また、障壁層及び電子ブロック層を含め各層の厚さが数ｎｍ～数十ｎｍと薄い層は、透過型電子顕微鏡による各層の断面観察でのＴＥＭ－ＥＤＳを用いて各層厚さとＡｌ組成を測定した。厚さが十分厚い層（１μｍ以上）については、フォトルミネッセンス測定による発光波長（バンドギャップエネルギー）から対象とする層のAl組成を確認した。
（評価２：発光出力と発光波長）
　Ｓｉフォトダイオード（S1227-1010BQ、浜松ホトニクス社製）を用いて、Ｉｎボールを介して電流１０ｍＡで通電したときの発光出力を測定した。また、ファイバ光学分光器(USB2000+、Ocean Photonics社製)を用いて電流10ｍＡでの発光波長も測定した。
（評価３：発光出力の経時変化）
　発光素子をAlN製サブマウントに実装し、電流３５０ｍＡを連続通電した場合の発光出力の経時変化を測定した。発光素子を連続通電１６５時間後の、初期発光出力に対する発光出力の割合が、７０％以上を〇とし、７０％未満を×とした。さらに、電流６００ｍＡを連続通電した場合の発光出力の経時変化を測定した。発光素子を連続通電５００時間後の、初期発光出力に対する発光出力の割合について、表２に測定値を併せて記載する。
　実施例１～７および比較例１～７に係るIII族窒化物半導体発光素子の評価結果を表２に示す。さらに、電子ブロック層の厚さが２０ｎｍで共通する実施例１～４、比較例１～５におけるｐ型コンタクト層の厚みと発光出力との対応関係を図２のグラフに示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　まず、表２より、比較例６と７から、電子ブロック層にＳｉをドーピングしない場合は、電子ブロック層の厚さが４０ｎｍでは発光出力の経時変化は小さいものの、発光出力も低いことが分かる。そして、比較例２～５の結果から、電子ブロック層の厚さを２０ｎｍまで薄くすると、発光出力の経時変化が悪化（評価：×）し、ｐ型コンタクト層の厚さが厚いほど発光出力が小さくなる傾向であることが分かる。比較例２～５におけるｐ型コンタクト層の厚み増大に伴う発光出力の低減傾向は従来技術に示唆されるとおりである。一方、これらの比較例に対して、実施例１～７の結果より、電子ブロック層にＳｉをドーピングした場合には、発光出力の経時変化を小さくでき、かつ、発光出力を比較例１に比べて大きくできたことが確認でき、実施例２のようにｐ型コンタクト層の厚さが従来よりも厚いところで、最も発光出力が大きくなる範囲があることが分かる（図２も参照）。また、実施例２，５及び実施例３，６，７の比較から、電子ブロック層は薄い方が好ましいことも確認できる。
　本発明によれば、発光出力の経時変化の抑制ができ、かつ、従来よりも優れた発光出力を有するIII族窒化物半導体発光素子を提供することができるため、有用である。
１０　　基板
１０Ａ　基板の主面
２０　　ＡｌＮ層
３０　　ｎ型層
４０　　発光層
４０ｂ　障壁層
４０ｗ　井戸層
５０　　ＡｌＮガイド層
６０　　電子ブロック層
７０　　ｐ型コンタクト層
８０　　ｎ型電極
９０　　ｐ型電極
１００　III族窒化物半導体素子

Claims (6)

  1. 　発光波長が２００ｎｍ～３５０ｎｍのIII族窒化物半導体発光素子において、
    　ｎ型層と、発光層と、電子ブロック層と、ｐ型コンタクト層とをこの順に備え、
    　前記電子ブロック層がコドープ領域層を有しており、
    　前記ｐ型コンタクト層はｐ型ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ≦０．１）であり、
    　前記ｐ型コンタクト層の厚さが３００ｎｍ以上であること
    を特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
  2. 　前記ｐ型コンタクト層の厚さが５００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下である、請求項１に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
  3. 　前記電子ブロック層の厚みが１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である、請求項１または２に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
  4. 　前記コドープ領域層が、ｐ型不純物を１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３～１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３含み、ｎ型不純物を１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３～１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
  5. 　前記コドープ領域層のｐ型不純物がＭｇであり、ｎ型不純物がＳｉである、請求項４に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
  6. 　発光波長が２００ｎｍ～３５０ｎｍのIII族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
    　ｎ型層を形成する工程と、発光層を形成する工程と、電子ブロック層を形成する工程と、ｐ型コンタクト層を形成する工程と、をこの順に備え、
    　前記電子ブロック層を形成する工程は、前記電子ブロック層にコドープ領域層を形成する工程を含み、
    　前記ｐ型コンタクト層を形成する工程において、前記ｐ型コンタクト層をｐ型ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０≦ｘ≦０．１）とし、かつ、前記ｐ型コンタクト層の厚さを３００ｎｍ以上とすること
    を特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
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