JP2020177965A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
(窒化物半導体発光素子の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る窒化物半導体発光素子の構成の一例を概略的に示す断面図である。窒化物半導体発光素子1(以下、単に「発光素子1」ともいう)には、例えば、レーザダイオードや発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)が含まれる。本実施の形態では、発光素子1として、中心波長が250nm〜360nm(好ましくは、295nm〜360nm)の紫外光を発する発光ダイオード(LED)を例に挙げて説明する。
(1)基板層10の構成
基板層10は、例えば、サファイア(Al2O3)により形成されたサファイア基板11と、このサファイア基板11上に形成されたバッファ層12とを含んで構成されている。なお、基板層10は、窒化アルミニウム(AlN)により形成されたAlN単結晶基板でもよい。この場合、バッファ層12は、必ずしも含まなくてもよい。
サファイア基板11には、表面上の点が(0001)面に対応する基準面に対して直交する方向に変位する現象、すなわち「反り」が生じている。図2は、サファイア基板11の厚みとサファイア基板11の反りの量との関係を調べた測定結果の一例を示すグラフ図である。なお、図2に示すデータは、後述する半導体層100の厚みが約4μmの場合のサファイア基板11の厚みとサファイア基板11の反りの量との関係である。ここでは、反りの量(μm)は、サファイア基板11の表面の中心部が上述の基準面に対して基準面に直交する方向に変位した量として求めた。また、発明者らは、2つのサファイア基板11をサンプルとして用意してそれぞれ厚みと反りの量とを測定した。
バッファ層12は、AlNにより形成されている。換言すれば、基板層10の半導体層100側の表面、より具体的にはn型クラッド層30側の表面(以下、「最表面」ともいう)は、AlNで形成されている。バッファ層12の最表面の粗さは、2Åよりも大きく、好ましくは、10Å以上50Å以下である。また、バッファ層12は、1.0μmから4.5μmの厚みを有する。バッファ層12は、単層でも多層構造でもよい。
半導体層100を構成する半導体には、例えば、AlxGa1−xN(0≦x≦1)にて表される2元系又は3元系のIII族窒化物半導体を用いることができる。また、窒素(N)の一部をリン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)等で置き換えてもよい。
n型クラッド層30は、基板層10上に形成されている。n型クラッド層30は、n型のAlGaN(以下、単に「n型AlGaN」又は「n−AlGaN」ともいう)により形成された層であり、例えば、n型の不純物としてシリコン(Si)がドープされたAlGaN層である。なお、n型の不純物としては、ゲルマニウム(Ge)、セレン(Se)、テルル(Te)、炭素(C)等を用いてもよい。
活性層50は、n型クラッド層30上に形成されている。活性層50は、n型クラッド層30側に位置する1つの障壁層51、及び後述する電子ブロック層60側(すなわち、厚み方向におけるn型クラッド層30の反対側)に位置する1つの井戸層52により構成された単一の量子井戸構造50Aを含んで構成されている。また、活性層50は、波長360nm以下の紫外光を出力するためにバンドギャップが3.4eV以上となるように構成されている。障壁層51は、例えば、5nm〜50nmの範囲の厚みを有する。また、井戸層52は、例えば、1nm〜5nmの範囲の厚みを有する。
電子ブロック層60は、活性層50上に形成されている。電子ブロック層60は、p型のAlGaN(以下、単に「p型AlGaN」又は「p−AlGaN」ともいう)により形成された層である。電子ブロック層60は、1nm〜30nm程度の厚みを有している。なお、電子ブロック層60は、AlNにより形成された層を含んでもよい。また、電子ブロック層60は、必ずしもp型の半導体層に限られず、アンドープの半導体層でもよい。
p型クラッド層70は、電子ブロック層60上に形成されている。p型クラッド層70は、p型AlGaNにより形成される層であり、例えば、p型の不純物としてマグネシウム(Mg)がドープされたAlGaNクラッド層である。なお、p型の不純物としては、亜鉛(Zn)、ベリリウム(Be)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)等を用いてもよい。p型クラッド層70は、10nm〜1000nm程度の厚みを有し、例えば、50nm〜800nm程度の厚みを有する。
p型コンタクト層80は、p型クラッド層70上に形成されている。p型コンタクト層80は、例えば、Mg等の不純物が高濃度にドープされたp型のGaN層である。
(1)n側電極90
n側電極90は、n型クラッド層30の一部の領域上に形成されている。n側電極90は、例えば、n型クラッド層30の上に順にチタン(Ti)/アルミニウム(Al)/Ti/金(Au)が順に積層された多層膜で形成される。
p側電極92は、p型コンタクト層80の上に形成されている。p側電極92は、例えば、p型コンタクト層80の上に順に積層されるニッケル(Ni)/金(Au)の多層膜で形成される。
なお、バッファ層12の上にアンドープのu−AlGaN層がさらに設けてもよい。また、基板層10には、AlN基板の他に、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)基板を用いてもよい。
次に、発光素子1の製造方法について説明する。まず、サファイア基板11上にバッファ層12を高温成長させて最表面がAlNである基板層10を作製する。次に、この基板層10上にn型クラッド層30、活性層50、電子ブロック層60、及びp型クラッド層70を積層して、所定の直径(例えば、50mm)の円盤状の形状を有する窒化物半導体積層体(「ウエハ」又は「ウェハ」ともいう)を形成する。
図3は、本発明の第2の実施の形態に係る発光素子1の構成の一例を概略的に示す断面図である。第2の実施の形態に係る発光素子1は、第1の実施の形態に係る発光素子1の単一の量子井戸構造50Aに代えて、多重量子井戸層を有する点で第1の実施の形態の発光素子1と相違する。以下、第1の実施の形態と異なる点を中心に説明する。
以上説明したように、本発明の第1の実施の形態及び第2の実施の形態に係る発光素子1では、n型クラッド層30からp型コンタクト層80までの半導体層100の厚みを一定未満(例えば、8μm未満)とした構成において、サファイア基板11の厚みを一定以上(例えば、450μm以上)とすることにより、サファイア基板11の反りの量を一定以下(例えば、150μm以下)に抑制することができる。これにより、例えば、上述した特許文献1に記載の割溝を形成する工程を得ずにサファイア基板11の反りの量を一定以下に抑制することができる。すなわち、製造工程を複雑にすることなく、サファイア基板11の反りの量を一定以下に抑制することができる。このようにすることで、ウエハを加工してチップ化する工程を煩雑化せず、発光素子1の生産性を向上させることができる。
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
[2]前記半導体層(100)は、2μm以上6μm以下の厚さを有する、前記[1]に記載の窒化物半導体発光素子(1)。
[3]前記基板層(10)は、反りの量が一定以下に抑えられたサファイア基板(11)を含む、前記[1]又は[2]に記載の窒化物半導体発光素子(1)。
[4]前記サファイア基板の反りの量は、180μm以下に抑えられている、前記[3]に記載の窒化物半導体発光素子(1)。
[5]前記n型AlGaNのAl組成比は、25%以上55%以下であり、中心波長が295nmから360nmの紫外線を発光する、前記[1]〜[4]のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子(1)。
[6]前記基板層(10)は、前記n型クラッド層(30)側に位置して、AlNで形成された表面を有するバッファ層(12)をさらに備える、前記[1]から[5]のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子(1)。
[7]前記バッファ層(12)の前記n型クラッド層(30)側の前記表面の表面粗さは、2Åよりも大きい、前記[6]に記載の窒化物半導体発光素子(1)。
10…基板層
11…サファイア基板
12…バッファ層
100…半導体層
30…n型クラッド層
30a…露出面
50…活性層
50A…量子井戸構造
51,52a,52b,52c…障壁層
52,54a,54b,54c…井戸層
60…電子ブロック層
70…p型クラッド層
80…p型コンタクト層
90…n側電極
92…p側電極
Claims (7)
- 400μm以上の厚さを有する基板層上に位置するn型AlGaNにより形成されたn型クラッド層と、AlGaNにより形成された障壁層及び井戸層とを含む活性層と、電子ブロック層と、p型AlGaNにより形成されたp型クラッド層及びp型コンタクト層と、がこの順に積層され、8μm未満の厚さを有する半導体層を備える、
窒化物半導体発光素子。 - 前記半導体層は、2μm以上6μm以下の厚さを有する、
請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。 - 前記基板層は、反りの量が一定以下に抑えられたサファイア基板を含む、
請求項1又は2に記載の窒化物半導体発光素子。 - 前記サファイア基板の反りの量は、180μm以下に抑えられている、
請求項3に記載の窒化物半導体発光素子。 - 前記n型AlGaNのAl組成比は、25%以上55%以下であり、
中心波長が295nmから360nmの紫外線を発光する、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。 - 前記基板層は、前記n型クラッド層側に位置して、AlNで形成された表面を有するバッファ層をさらに備える、
請求項1から5のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。 - 前記バッファ層の前記n型クラッド層側の前記表面の表面粗さは、2Åよりも大きい、
請求項6に記載の窒化物半導体発光素子。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021166308A (ja) * | 2019-04-16 | 2021-10-14 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006156454A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Sony Corp | 結晶成長方法及び窒化ガリウム系化合物薄膜の製造方法 |
JP2016171127A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2017028076A (ja) * | 2015-07-22 | 2017-02-02 | 株式会社トクヤマ | Iii族窒化物発光素子の製造方法 |
US20180047866A1 (en) * | 2015-02-23 | 2018-02-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting device and light unit comprising same |
JP2018121028A (ja) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
WO2018151157A1 (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 深紫外発光素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2780691B2 (ja) * | 1994-12-02 | 1998-07-30 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
US7198671B2 (en) * | 2001-07-11 | 2007-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Layered substrates for epitaxial processing, and device |
JP2003063897A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体発光素子の製造方法ならびに半導体装置の製造方法 |
JP4528489B2 (ja) * | 2003-01-27 | 2010-08-18 | 独立行政法人理化学研究所 | p型半導体を用いた紫外発光素子 |
JP5383974B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2014-01-08 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体基板および半導体装置 |
KR20120032329A (ko) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
JP5698321B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2015-04-08 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物半導体エピタキシャル基板およびiii族窒化物半導体発光素子ならびにこれらの製造方法 |
US11049999B2 (en) * | 2017-05-26 | 2021-06-29 | Soko Kagaku Co., Ltd. | Template, nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element, and method of manufacturing template |
JP6438542B1 (ja) * | 2017-07-27 | 2018-12-12 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子 |
JP6920962B2 (ja) * | 2017-10-20 | 2021-08-18 | タテホ化学工業株式会社 | Al4SiC4粉末及び酸化防止剤 |
CN108269903B (zh) * | 2018-02-12 | 2024-04-02 | 厦门三安光电有限公司 | 紫外发光二极管及其制作方法 |
JP2020177965A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
-
2019
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-
2021
- 2021-07-13 JP JP2021115906A patent/JP2021166308A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006156454A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Sony Corp | 結晶成長方法及び窒化ガリウム系化合物薄膜の製造方法 |
US20180047866A1 (en) * | 2015-02-23 | 2018-02-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting device and light unit comprising same |
JP2016171127A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2017028076A (ja) * | 2015-07-22 | 2017-02-02 | 株式会社トクヤマ | Iii族窒化物発光素子の製造方法 |
JP2018121028A (ja) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
WO2018151157A1 (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 深紫外発光素子およびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021166308A (ja) * | 2019-04-16 | 2021-10-14 | 日機装株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
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