JP2007073734A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板10の上面に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層12、p型窒化ガリウム系化合物半導体層14及び窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層13を含んで成る半導体層が形成された発光素子において、基板10は、上下面を貫通して半導体層に達する貫通孔17が形成されている。
【選択図】 図2
Description
11:バッファ層
12:n型窒化ガリウム系化合物半導体層
13:発光層
14:p型窒化ガリウム系化合物半導体層
15,16:電極
17:貫通孔
18:透光性部材
19:反射性部材
Claims (6)
- 基板の上面に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層、p型窒化ガリウム系化合物半導体層及び窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層を含んで成る半導体層が形成された発光素子において、前記基板は、上下面を貫通して前記半導体層に達する貫通孔が形成されていることを特徴とする発光素子。
- 前記半導体層は、前記基板の上面に接する面のうち前記貫通孔に対向する部位のみが粗面化されていることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記貫通孔は、空気の屈折率と前記窒化ガリウム系化合物半導体の屈折率との間の屈折率を有する透光性部材が充填されていることを特徴とする請求項1または2記載の発光素子。
- 前記貫通孔は、側面または前記基板の上面側端部に前記発光層で発した光を反射する反射性部材が設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の発光素子。
- 前記反射性部材は、アルミニウム,銀,ロジウム及びパラジウムの少なくとも1種からなることを特徴とする請求項4記載の発光素子。
- 前記基板は、化学式XB2(ただし、XはTi及びZrのうち少なくとも1種を含む。)で表される二硼化物単結晶から成ることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか記載の発光素子。
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