CN1556914A - 利用二维反射计测量多层薄膜的厚度轮廓和折射率分布的装置及其测量方法 - Google Patents

利用二维反射计测量多层薄膜的厚度轮廓和折射率分布的装置及其测量方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1556914A
CN1556914A CNA028184084A CN02818408A CN1556914A CN 1556914 A CN1556914 A CN 1556914A CN A028184084 A CNA028184084 A CN A028184084A CN 02818408 A CN02818408 A CN 02818408A CN 1556914 A CN1556914 A CN 1556914A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thickness
film
refractive index
filter
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA028184084A
Other languages
English (en)
Inventor
金荣烈
朴智徖
金镇庸
李仲焕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KMAC
Original Assignee
KMAC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KMAC filed Critical KMAC
Priority claimed from KR10-2002-0057581A external-priority patent/KR100490325B1/ko
Publication of CN1556914A publication Critical patent/CN1556914A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0625Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明涉及利用反射计的原理测量单层或多层薄膜的厚度轮廓和折射率分布的非接触的、非破坏型的测量装置。根据本发明,通过采用多于一个的窄带通滤光器和一个二维矩阵的CCD传感器,并且通过利用迭代数字计算方法得到所述单层或多层薄膜的厚度和对应的折射率之间非线性函数关系的最佳解,所述装置可以同时测量衬底上所述单层或多层薄膜其中的局部区域的厚度轮廓和折射率分布。

Description

利用二维反射计测量多层薄膜的 厚度轮廓和折射率分布的装置及其测量方法
技术领域
本发明涉及利用二维反射计测量多层薄膜的厚度轮廓和折射率分布的技术。
背景技术
测量衬底上的多层薄膜的厚度轮廓和相关折射率分布的过程作为制造半导体、诸如LCD之类的显示器等的薄膜涂层过程的一部分,在通过提高质量和经过精确和一致的观察在生产周期的早期阶段筛选掉有缺陷的产品并且监视薄膜在衬底的形成过程中,对降低处理成本起着重要作用。
在半导体工业中广泛使用的测量薄膜厚度和折射率的装置是基于反射计的测量工具。广义上讲,被称为“薄膜层测量系统”的反射计是能够测量多层薄膜的特性,并且还能够不需要在测量前对目标样本进行特殊预备处理就可以直接测量的非接触的、非破坏型的测量装置。
图1a和1b示出了通常使用的反射计的结构原理图。参见图1a和1b,从光源100产生的光由分光器102反射,然后穿过物镜104直接到达样本衬底108上的样本薄膜110。样本衬底108由衬底106和在所述衬底106上形成的样本薄膜110构成。入射到样本薄膜110上的光在所述样本薄膜110的表面112,即在样本薄膜110和空气之间的交界处112上的点116被部分反射。其余的入射光穿透入所述样本薄膜110,然后在所述衬底106的表面114,即在样本薄膜110和所述衬底106的交界处114被反射。该反射光经过所述物镜104、所述分光器102,并且通过反射镜118上的孔120最终到达分光镜130。此后,检测并分析进入的反射光以发现作为波长函数的反射光的强度。由数字转换器132和信息处理器134处理这些结果以计算薄膜的厚度和其中对应的折射率。
在上面参考图1a的例子中,一部分入射光在样本薄膜110的表面112(或交界处112)的入射点116被反射,其余部分穿过交界处112并折射或穿透进样本薄膜110,并且该反射光的一部分又在样本薄膜110和衬底106的交界处114反射,而其余部分的反射光折射或穿透到衬底106。
在图2中,考虑两个不同的薄膜层进行说明。参见图2,穿过图1a中物镜104的入射光210的一部分在第一交界处207的点217被反射,然后反射光222沿着222的方向传播,入射光210的其余部分折射进第一薄膜层202,如212所示。该反射光212在第二交界处208的点218又被反射,并且该反射光穿过第一层202,然后沿着224的方向进入空气中,光214的其余部分在第二交界处208的点218折射到第二薄膜层204中,如214所示。同样,在点218的折射光214在第三交界处209上的点219被反射,然后经过两层薄膜204和202,沿着226的方向传播到空气中。最后,反射光214的其余部分沿着216的方向折射或穿透进衬底206。
如图2所示,就反射光传播的绝对点而言,来自样本衬底230的反射光222、224和226在光程中以微小的差异在空气中平行地播。换句话说,在从光交界处207、208和209反射后,从空气中的参照起始线228看去,这些反射光222、224和226在空气中是平行传播的。因此会发生干扰现象。在此,三个反射光222、224和226之间的这些微小的光程差作为反射光波长的函数产生。根据波长的结果,路径差别可以引起干扰相互加强或干扰相互抵消。
由于上述干扰现象,作为反射光波长函数的反射率的曲线采用图3所示的图形的典型形式,横坐标是波长,纵坐标是定义为反射光强度和入射光强度之比的反射率。
参见图1a,来自所述样本衬底108的反射光是很多波长的叠加波,因此需要得到作为波长函数的反射率,并且在分光镜130进行这种波长分离。物理上,棱镜是分光镜的最简单的形式,但是通常利用衍射光栅产生单色波长来执行这种波长分离。因此,使用配备了转动型衍射光栅的单色仪和固定型衍射光栅上的单光检测器和阵列型光检测器来检测作为波长函数的反射光强度,此后,在经数字转换器132将检测到的反射强度信息变换为数字后,由信息处理器134计算每个波长的反射率。
如图3所示的反射率图形根据薄膜厚度和薄膜及衬底的折射率分布的特征而具有唯一的形状或形式。如果是单层薄膜,给定的反射率理论上是闭合形的。但是,如果是多层薄膜,可以利用由特征矩阵的乘积表示的电场和磁场之间的关系计算每个薄膜层的反射率。因此,得到的特征矩阵将薄膜的所有层表示为“系统”。与单层薄膜的情况不同,折射率、薄膜厚度和反射率这三个参数是相互作用和制约的,对于多层薄膜的所述得到的特征矩阵可以重新排列为非线性函数,这种多变量的非线性函数在很多情况下可以利用按迭代试凑法找“最佳”或“最优”解的方法来实际“求解”。更具体地说,当给定一个如图3所示的反射率图形时,对于波长的每个点,通过选择薄膜厚度作为变量、选择它的初始值、用该初始值作为起点,利用所述非线性函数方程求出计算的反射率、得到计算和测量到的反射率值之间的误差,然后利用薄膜厚度的不同值反复重复这个过程,直到可以确定使薄膜厚度的误差值最小的薄膜厚度的值,该值是对厚度的“最佳”估算。在此,利用已知的样本衬底和光源来确定用来计算反射率值的入射光强度。
从反射率和上述获得的相关信息计算折射率。这种方法被认为是一类“基于型号的测量方法”。利用反射计的原理,通过上述迭代试凑法寻找“最佳”方案来得到薄膜的厚度或折射率。
为了得到给定薄膜的一致性,用通常并广泛使用的反射计在产品衬底被选中的“点”测量薄膜的厚度。为了进行测量,在图1a和1b中,通过位于反射计118中心直径为200μm的光检测孔120,只有一小部分反射光在投影图象122之外,即,只用通过光检测孔120的反射光来测量薄膜厚度。
根据所用的分光镜,使用图4所示的直径为200μm的玻璃纤维424收集用来测量薄膜厚度的反射光。即,为了容纳直径为200μm的玻璃纤维,在上板423上形成200μm的孔,并且如图1b所示,在整个投影图象122之外只使用直径为200μm大小的图象来进行测量。
另一方面,在US5,333,049中由A.M.Ledger揭示了在大面积下测量厚度轮廓的方法和装置。根据Ledger的发明,已经利用白光源和干涉测量原理实现了测量100mm大的硅片的厚度轮廓的装置,测量方法是将整个晶片分割成400个小区。在每个小区,测量反射率并且与已经准备好的标准反射率对厚度的表进行比较,以确定所选小区的厚度值,利用校准晶片预先准备好所述标准反射率对厚度的表,并且将厚度刻度分成500份。
换句话说,在测量反射率的值后,从查阅表中读取厚度值。该方法的优点在于加快了测量速度并且能够观察到整个衬底区域,它的缺点是潜在地向产品衬底传播任何可能嵌入为校准衬底而生成的反射率对厚度的表中的误差或错误,它的缺点还包括利用摄像机中通常使用的CCD传感器不能获得足够的分辨率来覆盖直径超过100μm的整个产品衬底的表面。在此,由于有必要观察和检查薄膜厚度和包含高电路密度的晶片表面的轮廓状态,因此当在半导体晶片处理高电路密度期间检查衬底上的电路指定部分时,会产生分辨率的问题。另外,Ledger的发明的另一个缺点是只要晶片工艺一改变就会在原处产生新校准衬底的新反射率对薄膜厚度的表的数据库。另外,前述Ledger的专利的另一个缺点是在测量到的产品衬底的反射率值中包含的噪音会影响薄膜厚度值的确定,于是校准衬底上错误的薄膜厚度值被传播给产品衬底。为了克服这些缺陷,在另一份美国专利US5,365,340中,Ledger揭示了通过自规范产品衬底的反射率测量值,并且将这些自规范值与校准衬底的数据库值比较来测量薄膜厚度的方法,通过最小化指标函数(merit function)的计算值执行反射率测量值的自规范。但是,前述专利US5,333,049中所伴随的所有其它缺陷在US5,365,340中仍存在。
前述US5,333,049和US5,365,340专利中共有的共同和严重的缺陷在于因为薄膜厚度值是通过比较所测量的厚度值与利用校准衬底预备的数据库确定的,所以薄膜厚度的测量结果值受校准晶片数据库值的影响太大。换句话说,校准衬底的反射率对薄膜厚度的数据库只是简单代表反射率和薄膜厚度之间对应关系的表,该表是通过平均和排列整个校准衬底值而生成的,因此,当所测量的厚度和校准衬底以及产品衬底的反射率存在合理的均匀度时,可以保证它的精确度。但是,当由于衬底不平的表面条件使得反射率和薄膜厚度之间出现不规则的关系时,就降低了薄膜厚度的精确度。
为了克服上述一些缺陷,Paul J.Clapis和Keith E.Daniell在US5,555,472中揭示了通过最小化在产品衬底表面上许多点测量到的反射率值和理论特征之间的误差来优化确定薄膜厚度值的方法,理论特征来自通过利用相同特征的理论数字表达式计算象反射率这样的特征值所构造的库文件。该方法用来测量假设至少一层是适度均匀的两层薄膜的厚度。
上述三个现有技术是关于测量整个衬底的装置。因此,测量整个衬底区域薄膜厚度的CCD摄像机只有有限的分辨率,特别是,在有限区域内对薄膜厚度轮廓的详细测量成为难题,以及在测量装置中引入了前述的“噪音”并且这种噪音被传播到产品衬底。
另一方面,例如,US4,999,014、US4,999,508和US4,999,509揭示了通过测量产品衬底上薄膜的反射率的“光点”来确定薄膜厚度值的方法。这些装置是利用现有分光镜的典型的薄膜厚度测量装置,它们测量在指定点上薄膜的厚度和折射率。但是,通常仅利用一点上的薄膜厚度和对应的折射率这样的测量信息不足以评估薄膜的特征和质量。而如果可以在扩展区域测量薄膜厚度轮廓和折射率分布,那么这些信息在评估薄膜特征和质量上可以比利用在一个时间测量一个点得到的信息获得更多有意义的结果。另外,当前存在的分光镜不适合测量相对大面积的薄膜厚度轮廓或在相同时间许多相邻点上测量薄膜厚度分布。当然,很可能在逐步地在四个X-Y方向上移动样本衬底的同时通过重复测量厚度来测量薄膜厚度分布,但是这种操作需要精细的微型机械手并且非常耗时。此外,为了获得薄膜厚度分布,应该使用精确的衬底移动平台并且能够以好于0.1微米的同步分辨率移动,因此,整个测量装置在功能和结构上变得非常复杂并且非常昂贵。在这种情况下,可以采用更贵的超级微型机械手,但是从经济观点看是不实际的。
发明内容
如前所述,实际上使用常规反射计不可能执行薄膜的厚度轮廓和折射率的同时测量,并且制造用来逐步测量薄膜上给定区域的厚度轮廓的装置的成本也非常高,并且该过程需要时间去执行测量。为了克服这些缺陷,本发明揭示了用来测量薄膜厚度轮廓和折射率的新装置和方法。
本发明的主要目的是揭示一种装置,它不仅能够在样本衬底上给定区域的许多点与薄膜折射率一起测量厚度轮廓,从而在短时间内一起测量厚度轮廓和折射率,而且由于使用了用于反射计的通用原理使得新装置的结构简单。因此,折射率通常从反射率计算,而在本发明中根据下面部分描述的光学原理通过局部最小化所测量的反射率和利用与薄膜厚度和折射率有关的非线性函数表达式迭代计算的反射率之间的误差来优化地确定反射率。
具体实施方式
图5是根据本发明用来测量薄膜厚度轮廓和折射率的新装置的示意图。参见图5,作为根据本发明的实例,用来测量薄膜厚度轮廓和折射率分布的装置包括5个模块,即,光学单元,衬底载体,图片图像采集处理器,图像处理器548,信息处理器550,系统控制器552,和信息显示单元。
光学单元包括光产生光源500,聚光透镜502,虹膜(iris)504、准值透镜506(第一准值透镜),分光镜508,物镜510(第二准值透镜),辅助透镜530(第三准值透镜),和配备了多个窄带通滤光器538的滤光轮534。通常使用可见光源作为用于测量薄膜厚度的光源500。从该光源产生的光穿过聚光透镜502,用来调节投影在样本衬底514的表面上的光区域的虹膜504,以及另一个准值透镜506,然后到达分光器508,并且从分光器508反射,并重新定向到样本衬底,穿过物镜510,然后进入,例如,样本薄膜518,在这里,光在样本衬底顶面的交界处I 520和底面的交界处II 522反射。来自样本衬底的反射光穿过物镜510,分光器508和作为聚焦反射光的准值透镜的辅助透镜530,使得反射光穿过窄带通滤光器538,然后最终聚焦在光检测器542上配备的二维矩阵型的CCD(电荷耦合器件)传感器。穿过窄带通滤光器538的反射光具有与给定滤光轮位置相关联的指定波长,投影到二维矩阵CCD型的光检测器542上。
图片图像采集处理器包括二维CCD数组型的光检测器542和帧捕捉器546。从样本衬底514的薄膜层518的交界处I 520和交界处II 522反射的光穿过由物镜510、分光器508、辅助透镜530和窄带通滤光器538组成的光径,然后被投影到二维CCD光检测器542上,而投影到二维CCD光检测器542上的图片图像由基于CCD的光检测器感应,然后这些感应信息被转换为像素级的光强度信息。该二维图片帧的图像被帧捕捉器546捕获,然后存储在帧存储器中(未示出)。更具体地说,在二维光检测器542的内部,CCD以二维矩阵的形式排列。在只有对应所使用的所述窄带通滤光器波长的光被投影在二维矩阵型的CCD 542上后,在样本薄膜层518的交界处I520和交界处II 522的反射光穿过窄带通滤光器538,这里由所述CCD光检测器542感应和检测到的像素信息形成二维像素组。由所述CCD检测器542检测到的该组像素再被帧捕捉器546捕获,然后存储在帧存储器中(未示出)。
衬底载体平台装配单元由衬底载体平台524,衬底载体平台驱动器526,和衬底载体平台控制器528组成。衬底载体平台524主要是支持衬底514的场所并且能够上下左右运动,这些运动由一套电机或平台驱动器526控制,并且由系统控制器552控制的衬底载体平台控制器528控制所述衬底载体平台驱动器526,所述系统控制器552与输入/输出单元558接口。
图像处理器548通过从由帧捕捉器546捕获的图像信息中提取作为波长函数的反射光强度来产生用来生成如图7所示的反射率图形的数据。这里,反射率定义为反射光强度与入射光强度之比,其中入射光强度利用已知的样本衬底测量。
信息处理器550在功能上是一类参数值的操作器-计算器,主要以如图7所示的反射图形开始来计算二维的薄膜的薄膜厚度、厚度轮廓和折射率值。根据人们的设计,图像处理器548和信息处理器550可以包含在一个控制器中,于是只需要一个控制器。另外,可以将图像处理器548、信息处理器550、系统控制器552和平台控制器528设计在一起,使得可以由一个主控制器或一台计算机控制。
根据由帧捕捉器546获得的像素信息,图像识别器554和监视器556显示由图像处理器548和信息处理器550处理和提取的信息,于是所述装置的用户可以很容易和方便地操作测量装置。特别地,所述监视器556显示包括薄膜厚度轮廓和折射率等必要的参数,这些参数是由图像处理器548和信息处理器550提取或获取的。
根据本发明,系统控制器552控制和管理包括监视器556在内的整个测量装置。
下面,参考图5详细描述根据本发明的用来测量薄膜厚度和折射率分布的所述装置的操作原理。
从光源500入射的光穿过由聚光透镜502,虹膜504,准值透镜506,分光镜508,和物镜510按所提到的顺序组成的光径,然后投影到样本衬底514。这里,参考图2和5作为例子,衬底516上要测量的薄膜被假设为所述衬底516上放置的两层薄膜202、204来制造所述衬底514。参见图2,产品衬底230的结构是在产品衬底206上带有两层薄膜202、204,形成第一薄层204和第二薄层202。在这种情况下,每层薄膜的诸如折射率之类的光特征彼此不同,并且还出现三个交界处;交界处I 207定义为第二薄膜层202和空气200之间的界面,交界处II 208定义为第二薄膜层202和第一薄膜层204之间的界面,交界处III 209定义为第一薄膜层204和衬底206之间的界面。薄膜层之间的光交界处具有不同的光特征,会发生反射、折射和透射现象。如图2所示,从整个样本衬底230反射的反射光是具有210→222、210→212→224、210→212→214→226的光径差的反射光的反射光222、224、226的叠加光。通常,要测量的薄膜样本的厚度变化从十几埃()到几微米。因此,前述从薄膜反射的反射光有光径异,这些光径差比光的相干长度短,于是反射光的叠加光产生光学中广泛熟知的干扰现象。另外,即使两条光径相同,当波长彼此不同时,它们的光径差也不同,结果会产生不同的干扰。因此,在某个波长会发生破坏性的干扰,而在不同波长发生构造性的干扰,其中,不同波长的反射光强度具有不同值。另外,根据给定窄带通区域内的波长,入射光和反射光的强度不同。前述随介质层光特征和由于样本薄膜厚度变化引起的光径差而变化的折射率的不同会产生干扰现象。由于反射率的定义为反射光强度和入射光强度之比,因此,当利用标准的校准衬底测量入射光强度时,可以获得如图3所示的反射率图形作为反射光波长的函数。
根据本发明,可以获得有关薄膜厚度,表示薄膜特征的反射率和和折射率之间的非线性函数关系,并且由本发明揭示的所述方法测量所述反射率,然后按迭代试凑法,利用查找最佳解的方法计算薄膜厚度和折射率。
根据本发明,为了描述寻找给定薄膜的厚度和折射率最佳值的算法,将主要参考2002年第四版的Eugene Hecht的“光学”作为理论背景材料。另外,下面描述的是通过最小化计算和测量的反射率值之间误差来得到给定薄膜厚度轮廓和折射率的方法,其中该方法采用迭代试凑法来最小化反射率误差。
如果给定薄膜是单层的情况,当薄膜厚度或折射率已知时,那么给定用来得到反射率的理论表达式为相对简单的“闭合形”。
但是,在多层薄膜的情况下,用来得到多层薄膜的厚度和折射率的算法的推导从代表可利用由特征矩阵的乘积给定的函数表达式导出的可数字计算的理论传送率的图形开始,每个给定的薄膜层一个,特征矩阵从薄膜层的电磁场的边界条件获得。
根据本发明,从光源发出的光通过光学单元投影到与入射光线几乎垂直的样本衬底(入射光面)的表面上,首先考虑入射光的介质是空气-薄膜-衬底时样本衬底上单层薄膜的情况。在这种情况下,参见图5,作为复数的反射系数r1由下面表达式[1]按闭合形式给定,另外具有能量含义的绝对反射率R给定为复数数量r的平方值,如下面表达式[2]所示;
r = r 01 + r 1 s e - j 2 β 1 + r 01 r 1 s e - j 2 β - - - - - [ 1 ]
R=r·r*                                       [2]
其中r01和r1s分别是在空气和薄膜顶面之间交界处I 520和薄膜和衬底顶面之间交界处II 522的Fresnel反射系数,β是由代表在通过薄膜的入射光通路转换期间发生相移的 β = 2 πηd λ 给定的相移。这里,η是折射率,d是给定薄膜的厚度,λ是波长,而*代表复共轭。
这里应该注意的是,可以在二者都作为波长λ的函数的相移β和折射率η分别被给定时计算薄膜的厚度。专利US5,042,949就是利用这种关系得到薄膜厚度的一个实例。
在多层薄膜的情况下,不象用于单层薄膜的表达式[1]和表达式[2]那样,在第i层薄膜顶部和底部边界的光的电场和磁场具有下面表达式[3]给定的函数关系;
Ei Hi = m i , 11 m i 12 m i , 21 m i , 22 E i + 1 H i + 1 = M i E i + 1 H i + 1 - - - - - [ 3 ]
其中i=1,2,3,…,p,并且矩阵 M i = m i , 11 m i , 12 m i , 21 m i , 22 是与第i层薄膜顶部和底部边界的电场和磁场有关的第i层薄膜的特征矩阵,对于第i层及对应波长,每个元素mi,11、mi,12 mi,21和mi,22是复合折射率和厚度的函数。从表达式[3]中,薄膜的所有p级层的顶部和底部边界的电磁场都与通过下面的表达式[4]所示的函数关系有关,其中顶面交界处是空气和薄膜第p层顶面之间交界处,而底面交界处是薄膜第1层和衬底之间的交界处;
E l H l = M 1 M 2 · · · M p E p + 1 H p + 1 = M E p + 1 H p + 1
= m 11 m 12 m 21 m 22 E p + 1 H p + 1 - - - - [ 4 ]
其中特征矩阵 M = m 11 m 12 m 21 m 22 是使矢量
Figure A0281840800146
与矢量 相结合的函数关系。第i级薄膜最上面的交界处和最下面的交界处的电磁场的边界条件产生下面的矩阵方程式;
E iI + E rI ( E iI - E rI ) γ o = M E iII E iII γ s
并且通过一个元素一个元素地平衡上面的矩阵表达式,重新排列各项,得到下面的函数关系;
1+r=m11t+m12γst
(1-r)γo=m21t+m22γst          [5]
其中 r = E rl E il , t = E tII E iI , γ o = ϵ o μ o n o cos θ iI , γ s = ϵ o μ o n s cos θ iII r=反射振幅系数,t=透射振幅系数。解出上述表达式[5]的反射振幅系数r,得出下面的结果;
r = γ o m 11 + γ o γ s m 12 - m 21 - γ s m 22 γ o m 11 + γ o γ s m 12 + m 21 - γ s m 22 - - - - - [ 6 ]
其中γo和γs分别是空气和样本衬底的复合折射率,m11、m12 m21和m22是特征矩阵M的元素。可以通过表达式[4]所示的M1M2…Mp相乘得到m11、m12m21和m22,并且这些元素是厚度d、反射光角度、和绝对折射率η的函数。另外,可以利用表达式[2]或R=r·r*得到绝对反射率R,其中*代表复共轭。
根据本发明,可以如上所述从表达式[6]中获得给定反射率的理论表达式,因此,在通过测量获得反射率对波长的图形后,可以通过最小化利用表达式[6]所示的理论表达式计算的反射率和从前述反射率对波长图形测量到的反射率之间的误差来确定厚度和反射率。更具体地说,在上述表达式[6]中,由于反射率r是薄膜厚度的非线性函数,因此通过给厚度d指定一个值作为初始起点,并且利用理论表达式[6]得到反射率r的对应值,可以通过给定r得到薄膜厚度d的测量值,然后通过利用新的厚度值d反复重复这一过程,可以最小化测量到的反射率值和理论计算值之间的误差。理论上,如果测量到的反射率值完全匹配,那么误差变成零。而实际上,即使上面得到的薄膜厚度的“最佳”值是真值,通常在测量到的反射率值和计算值之间也存在误差。在这种情况下,通过利用作为“独立”变量的厚度值,并且通过将厚度的初始值设置为起点,可以利用表达式[6]计算反射率。然后,反射率结果值与测量值比较,计算误差,之后厚度值增量变化获得新的误差。用这种方式,通过正向或反向反复增量改变厚度值直到得到最小误差值可以使误差最小化。通过利用迭代试凑法这种最小化误差的过程,可以确定厚度的“最佳”值。根据本发明,由于反射率随波长变化,因此前述的最小化误差的过程并不简单,并且在这种情况下,应该通过最小化所有波长的误差和来执行最小化。对于这种情况,可以使用非线性最小化方法,使得误差之和最小。作为例子,可以使用最小化误差平方和的Lavenberg-Marquradt方法。
如前面所述,当相应的反射率已知时很容易获得折射率,反之亦然。但是,根据本发明,在薄膜折射率未知的情况下,可以利用象Cauchy模型或Lorentz振荡器模型的特定数学模型来得到作为波长函数的薄膜的折射率分布。假设,在用数学模型表示薄膜的折射率时的情况下,根据选择的所述模型的理论反射率值和计算出的反射率值之间的误差被表示为所选模型的模型系数的函数。因此,为了找到最合适的模型系数值,利用前述迭代试凑法同样计算出折射率值和测量到的折射率值之间的最小误差。作为使用迭代试凑法的结果确定的模型系数值是所使用的模型的最佳值。换句话说,确定最佳的折射率,以使折射率误差最小。因此,与测量薄膜厚度的情况类似,可以在选择了所选折射率模型的系数作为独立变量后,通过对反射率误差采用前述“优化”方法获得作为波长函数的折射率的期望值。应该再次注意的是,可以很容易地从给定的反射率导出折射率,反之亦然。非线性误差最小化方法可以等同地用作上述的优化方法。
如上所述,根据本发明,为了“测量”二维矩阵型光检测器上每个像素区域的薄膜厚度和相应的折射率,对于每个所测量到的薄膜厚度和折射率的值,确定在衬底上对应所测量的厚度和折射率值的物理位置,从而获得衬底上给定像素区域的厚度轮廓和折射率分布。因此,将有关厚度轮廓和折射率值的信息与衬底上所述像素区域的对应物理位置一起以二维或模拟三维显示。特别地,在用模拟三维表示的情况下,可以很容易和高效地查看和理解衬底厚度轮廓的测量结果,另外,类似地,还可以很容易和高效地查看和理解衬底折射率的分布信息。
如上所述,根据本发明,当使用由二维排列矩阵型CCD传感器构造的光检测器时,只要衬底上要测量的目标区域位于光检测器的视线内,可测量衬底上光检测器的视线范围内任何位置的薄膜厚度。因此,与现有技术不同,它足够移动衬底载体一次,使得目标测量区域位于光检测器的视线范围内。就是说,只要目标测量区域在视线范围内,通过衬底载体驱动的设计就可以确定视线范围内目标测量区域的确切位置。因此,要作的一步就是在那个位置测量。因此,不象上述现有技术那样需要微机械手。
为了有效地执行测量,有时需要在衬底上的指定区域或沿给定图形测量薄膜的厚度和折射率。根据本发明,在这种情况下,通过改变软件可以很容易地执行必要的测量。换句话说,通过映射从二维矩阵型光检测器获得的薄膜的厚度和折射率,可以很容易地获得对应于衬底上的目标测量区域的厚度和折射率的期望值。另外,可以利用软件程序执行前述过程。
在本发明中揭示了利用二维反射计的原理和使用图5中用来区分反射光波长的滤光轮534的测量方法测量薄膜的厚度轮廓和折射率的装置。根据本发明,可以使用图8中所示的线性可变滤光器或可以使用如图9中所示构造的局部圆形可变滤光器替代滤光轮,其中线性可变滤光器或局部圆形可变滤光器可以构造成与前述滤光轮类似的连续可变波长型或离散可变波长型。局部圆形可变滤光器可以构造成整圆型的可变滤光器或半圆型达到滤光器。另外这些滤光器特征可以是连续可变波长型的可变滤光器或离散同步可变型的滤光器组。根据本发明,在图5中,滤光轮534相对于转动轴536旋转,并且由象系统控制单元552或信息处理单元550这样的控制功能中的功能模块(未示出)控制这个旋转运动。
另外,根据本发明,参见图5,可以使用象液晶可调滤光器或声光可调滤光器这样的可调滤光器(虚线表示的模块)来代替光滤光轮538。例如,Chrien.T和Chovit.C揭示了液晶可调滤光器的原理和它的典型结构(由Jet Propulsion实验室的Tom Chrien和Chris Chovit以及剑桥研究与仪器公司的Peter Miller于1993年4月编写的“利用液晶可调滤光器的图像光谱测定法”)。美国Brimrose公司提出了声光可调谐滤光器的原理和它的功能结构[由美国Brimrose公司出版的“声光介绍”以及AOTF(声光可调滤光器)光谱学出版]。
参见图5,穿过代替滤光轮的可调滤光器539的入射光由作为窄带通过滤组的可调滤光器539“过滤”,其中在由信息处理单元550或系统控制单元552控制的所述可调滤光器内区分穿过可调滤光器539的光,并且在过滤过程中,与滤光轮类似,只选择或过滤一组指定波长。在功能上,可调滤光器的工作方式与滤光轮相同。但是,如果是可调滤光器,滤光器以电动方式工作来代替滤光轮的机械工作,因此滤光工作以毫秒(ms)级实时完成。这样,在生产线检查期间可以极大降低测量所需时间。
参见图5,测量装置具有从要测量的样本衬底上光交界处520反射的反射光穿过窄带通滤光轮534、可变滤光器或可调滤光器539,然后投影到二维矩阵型CCD光检测器542的功能结构。根据本发明,由于可调滤光器539是电子滤光器,因此可以不需要二维光检测器542,另外,过滤功能和信号检测功能可以集成,于是功能结构可以设计和构造的更加高效。
如前所述,因为折射率被表示为薄膜厚度的非线性函数,因此薄膜的折射率和厚度具有非线性函数关系,实际的测量方法是利用迭代试凑法得到最佳厚度值。但是,例如,由于实际上可能存在一个以上的最小值,使得在要测量的薄膜厚度范围内为折射率误差寻找局部最小值存在困难。在这种情况下,所述装置的用户可以根据个人经验选择对应最佳合理最小值的厚度值。在这种情况下,根据本发明,可以使用紫外光源和红外光源。例如,如果要测量的薄膜厚度变薄,那么图3中的反射率图形趋向变“平”并且反射率值有变低的趋势。更具体地说,当使用可见光时,要测量的薄膜厚度的最小值限制在100~200范围内。另一方面,在紫外光的范围内,反射率图形向原点移动。因此当使用紫外光源时,测量到的薄膜厚度可以低到几十埃。与此相比,当只使用普通光源时,在薄膜的厚度很薄的情况下,图3中的反射率图形具有向原点方向移动的趋势,即在图3中出现很多波峰和波谷,于是可能出现许多反射率误差的局部最小值。因此,当使用象非线性函数的误差最小化方法这样的优化过程时,其结果可能具有收敛到全局最小化的不太好的趋势。但是,当使用具有几微米范围波长的红外光源时,图3中反射率图形具有进一步扩展的趋势,于是很容易找到局部最小值并且误差易于收敛,这样,可以很容易地测量到几十微米的薄膜厚度。
本发明前面所述的结构和它的工作只是解释了本发明的原理和实质,而不限于该原理和基本思想。本领域技术人员可以很容易理解本发明前面详细描述的内容并且很容易得出它们的变化。另外,与本领域有关的技术人员应该能够理解该原理和潜在的基本思想,并且通过上面呈现的本发明的详细描述经过广开思路后获得它们的扩展。
附图说明
图1A是解释现有反射计原理的现有技术的原理图。
图1B是位于图1A中的反射计使用的视屏中心上的小视孔的详细示意图。
图2是解释由于光入射到两层薄膜顶面而导致衬底上的多层薄膜交界处的各种光径的示意图。
图3是典型的反射图。
图4是使用用来收集和透射反射光的玻璃滤光管的现有技术的反射计的示意图。
图5是根据本发明用来测量厚度轮廓和折射率分布的装置的示意图。
图6是配备了多个滤光器的滤光轮的示例。
图7是表示利用滤光轮测量到的作为波长函数的反射率值的典型反射图。
图8是线性可变滤光器的原理图。
图9是局部圆形可变滤光器的原理图。
图10是利用滤光轮测量薄膜厚度和折射率的步骤的流程图。
具体实施方式
下面参考图5描述本发明的示例实施例。根据本发明用来测量厚度轮廓和折射率分布的装置具有图5所示的原理结构,并且主要包括光学单元,衬底载体平台524、526、528,图像采集和处理单元542、546,图像处理单元548,图像显示单元554、556,信息处理单元550,和系统控制单元552。
光学单元具有光源500,聚光透镜502,虹膜504,准值透镜506(第一准值透镜),分光镜508,物镜510(第二准值透镜),辅助透镜530(第三准值透镜)和配备了多个窄带通滤光器538的滤光轮534。衬底载体平台524、526、528由三部分组成:衬底载体524,衬底载体驱动526,和衬底载体控制器528。图像采集和处理单元542、546具有二维矩阵型光检测器542和帧捕捉器546。图像显示单元554、556具有图像识别单元554和监视器556。该装置还具有图像处理单元548和信息处理单元550。最后,该装置具有控制整个“系统”的系统控制器552和处理象打印机、记录装置、和信息发送和接收功能这样的输入和输出装置的输入和输出接口单元558。
如发明内容部分详细描述的,这里呈现的装置是在衬底上以面代“点”的范围内能够测量薄膜厚度轮廓和折射率的通用目标测量设备。可以使用可见光、紫外光或红外光作为光源。在这里描述的最佳模式中使用的是可见光源。
这里揭示的利用可见光源的装置的最广泛的应用是测量象用于制造半导体元件的光阻材料(PR)的薄膜的厚度。光阻材料膜的厚度通常在0.3微米到3.0微米。使用涂有光阻材料膜的硅衬底作为样本衬底,并且使用具有已知反射率的光阻材料膜的标准衬底作为校准衬底。
光学单元与典型的显微镜具有非常相似的结构。作为光源,例如,可以使用广泛使用的钨卤素灯。反射光强度投影到光检测器542内安装的二维矩阵型CCD传感器,该反射光是从放置在衬底载体524上的具有已知反射率的标准衬底上的薄膜反射的,并且穿过窄带通滤光器538,然后投影到光检测器542。
接下来,样本硅衬底放置在衬底载体524上,与上述标准衬底载体的情况相似,并且利用具有光检测器542内安装的二维矩阵型CCD传感器的光检测器542测量反射光的强度。在这个过程中,入射到CCD光检测器542上的反射光穿过安装在窄带通滤光轮534上的窄带通滤光器538,于是反射光被过滤。因此,由实际使用的滤光器538确定用于测量的样本衬底所选区域的反射光强度,并且作为波长的函数给出。图6示出了该实施例使用的窄带通滤光轮534的原理图。参见图6,该最佳模式中使用的窄带通滤光轮634包括28个滤光器638,并且滤光器638的带通波长范围覆盖从400毫微米到最大800毫微米。在该滤光轮的中心放置了中心转动轴636。在图5中,该中心转动轴的编号为536。滤光轮634或534相对于该轴636转动,并且由系统控制单元552控制旋转运动。但是,可以由图像处理单元548或信息处理单元550执行控制功能。通常由软件执行窄带通滤光轮634的这种旋转运动,并且继续同步这种旋转运动直到完成了所有波长在样本薄膜520所选区域的反射率强度的测量。反射率是给定样本衬底的反射光强度和利用标准校准衬底测量到的入射光强度之比,即,反射率=反射光强度/入射光强度,并且反射率是波长的函数。图7示出了从测量到的反射光强度获得的反射率波形。
根据本发明,可以用图8中所示的线性可变滤光器800或图9所示的局部圆形可变滤光器900代替窄带通滤光轮534。当然,分别需要使这些滤光器运动的适当的驱动机制。即,如果是线性可变滤光器800,那么线性过滤器按线性运动,并且测量作为波长函数的投影到二维矩阵型光检测器542的反射光。如果是局部圆形可变滤光器900,以与滤光轮534或634相似方式转动局部圆形过滤器900。
另外,根据本发明,可以使用所图5中虚线块所示的液晶可调滤光器539或声光可调滤光器539。与滤光器不同,其中光直接穿过滤光器,可调滤光器539是间接电子滤光器并且可以用来代替图5所示的滤光轮534。可调滤光器的原理如下。入射到可调滤光器539的入射光被电子化地“过滤”,只有符合信息处理单元550或系统控制器单元552预置需求的入射光的指定波长成分才能被电子化地选定或区分,而在功能方式上,可调滤光器除了电子操作外与滤光器的工作方式相同。如果是可调滤光器,由于滤光功能是没有任何机械运动的电动工作,所以滤光过程只需几毫秒就可以完成。因此,与滤光器相比极大地降低了测量时间,因为滤光器为了覆盖波长的整个范围要花费很长时间来操作滤光轮。另外,根据本发明,带CCD传感器554的光检测器的功能可以很容易地与可调滤光器539集成。
对于滤光器或可调滤光器的物理位置,为了提高过滤器效率,过滤器可以放置在光源500和聚焦入射光的光检测器542之间光径上的任何位置。例如,光源500的前面,虹膜504的前面或虹膜504的后面,衬底上的焦点512之上,以及图5中放置过滤轮的过滤器的当前位置。在上述可能的位置中,最期望的位置是直接放在光源500的前面,因为这里的光噪音最小,因此过滤器产生“干净”信号,从而使过滤器高效率工作。另一方面,前述放置过滤器的可能位置在理论上可以是光源500和光检测器542之间光径上的任何位置。但是,从实际观点看,光源500和聚光的光检测器542之间的光径上的任何位置根据它的大小、结构和功能都是放置滤光器组的有效位置。
对于上述所有情况,穿过每个窄带通滤光器的反射光波长不是单波长,而是覆盖穿过它的光的窄带通范围的相当多的波长。因此,在光检测器542检测到的信号是使用的指定过滤器的窄带通范围内具有很多波长的反射光的平均强度。另外,由用于滤光器组的自动驱动单元自动控制线性可变滤光器或局部圆形可变滤光器的前述运动,于是可以测量反射光的强度。一旦测量到作为波长函数的从标准校准衬底和样本衬底反射的反射光的强度,通过用来自标准校准衬底的反射光强度去除来自样本衬底的反射光强度可以获得相对反射率。即,反射率=来自样本衬底的反射光强度/来自标准校准衬底的反射光强度。结果,获得了如图7所示的反射率对波长的图形。
根据本发明,本实施例中使用的所述装置的光学单元与典型的光显微镜的结构类似,并且根据需要和使用可以选择使用可见光、紫外光和红外光作为光源。对于这个最佳模式,使用可见光源测量厚度和折射率。物镜510具有用来选择倍数的可调整设置,并且对于这种最佳模式使用50X的设置。从样本衬底捕获的图像具有覆盖大约60μm×80μm样本衬底区域的测量目标区域512。从该测量目标区域512返回的反射光穿过物镜510、分光器508、辅助物镜530和窄带通滤光器538,然后投影到感应和测量反射光强度的光检测器542内部安装的二维矩阵型CCD传感器上。如前所示,CCD矩阵传感器的面积等于样本衬底上大约60μm×80μm的面积,并且在该区域内感应到反射光640×480像素的分辨率。在CCD传感器542产生的电信号由帧捕捉器546捕获,并且存储在帧存储器(未示出)中。图像处理单元548分析帧存储器(未示出)中存储的图像,并且提取反射光的强度。
更具体地说,基本像素组单元定义为(3×3)个像素,称为基本图像处理单元,然后图像元素也定义为(32×32)个像素大小,因此每个图像元素包括大约121(11×11=121)个基本像素组单元。利用该(32×32)个像素大小的图像元素对整个CCD传感器区域分区,此后,为每个图像区域计算在(32×32)个像素的图像区域上的反射光的平均强度,然后是CCD传感器区域的整个范围。对滤光轮534上的每个窄带通滤光器538重复反射光强度的感应、捕获和计算过程来获得CCD传感器区域整个范围内的作为波长函数的反射光强度值。为了归一化样本衬底的反射光强度,对每个波长以及在CCD传感器区域的整个范围利用标准校准衬底预先测量到的标准反射光强度分割这些反射光强度,于是获得图7所示的反射率波形。在执行这里显示的本发明的最佳模式中,为了计算总共640×480个像素的CCD传感器的整个范围和所用的过滤轮534中所有28个窄带通过滤器538的反射光强度,用(35×35)个像素大小的基本像素组单元对整个(640×480)的CCD传感器分区,所以执行的计算总数为[(640×480)/(35×35)]×28,总数为7022次计算。因此,对于每个图片帧,对每个波长执行(640×480)/(35×35)次的反射光强度的计算,大约为每帧251次计算。在图像处理单元548中执行这些计算步骤。
如本发明详细描述部分所描述的,利用误差最小化方法测量衬底上光阻材料膜的厚度,并且由信息处理单元550执行必要的计算。根据本发明,作为替换,也可以用图像处理单元548来执行这些计算。并且如前所述,绘制来自样本衬底上光阻材料膜的反射光强度与作为波长函数的来自标准校准衬底上的光阻材料膜的反射光强度的比例从而获得如图7所示的反射率波形。反射率的值临时存储在存储器(未示出)用于后面计算所述光阻材料膜的厚度。根据本发明,也可以不用临时存储的反射率数据执行厚度的计算。对于这种最佳模式,临时存储测量到的反射率数据然后在图像处理单元548中执行厚度计算。
根据本发明,在本发明详细描述部分中,表达式[2]表示为单层薄膜情况下的反射率的平方。即,反射率是 | r | = R = r · r * , 其中r是表达式[1]中复数的复数反射率,并且该复数反射率r是薄膜厚度d的函数,另外R是绝对反射率。在薄膜厚度的实际计算中,测量到的反射率和计算出的反射率分别被称为rm r c = R , r e = | r c - r m | = | R - r m | 得出反射率误差,其中R、rm、rc和re都是实数。结果是,在为d1选择一个值以初始化该迭代计算过程,并且利用表达式[2]计算第一个计算的反射率rc1后,从re1=|rc1-rm1|的关系获得第一误差re1。接下来,厚度被递增地改变,即,d2=d1+Δd,其中Δd是增量值,以及计算出第二个计算的反射率rc1后,接着计算第二反射误差re2。这里,如果反射率误差re2小于re1,那么厚度值d会进一步增加,继续该过程,直到反射率误差最小。另一方面,在所述迭代计算过程中,如果反射率的误差增加,那么厚度值减小,继续迭代计算过程,其中选择较小的Δd。同时,对于为d1所选的初始值,如果第二反射率误差re2大于第一反射率误差re1,那么厚度值递减并且继续该迭代误差计算过程。在这个迭代误差计算过程中,如果反射率误差增加,那么与上述计算相似,厚度值递增。重复该迭代计算过程直到得到反射率误差的最小值,于是就能确定光阻材料膜的厚度。在执行这种迭代试凑法中,通过利用前述(3×3)大小的基本像素组单元作为例子,计算对应该基本像素组单元的所述光阻材料膜的厚度,并且通过进一步对所有28个滤光器在整个CCD传感器区域内所有基本像素组单元执行所有计算,获得光检测器542整个范围内样本衬底上光阻材料膜的厚度轮廓测量所需的值作为波长的函数。结果作为二维图像显示在监视器556上,也可以是模拟的三维图像。
如图7所示,反射率是反射光的波长的函数,并且迭代薄膜厚度“测量”过程重复次数等于所用滤光器的个数。例如,在本发明的最佳模式中使用了28个滤光器。因此,要执行28次计算,并且最终将28个结果相加来确定衬底上光阻材料膜的最终厚度值。
如前所述,利用范围在100到200的可见光源可以测量薄膜的最小厚度。因此,如果要测量的薄膜厚度小于100,那么最好用紫外光源测量厚度。即,薄膜厚度越薄,要使用的光源的波长越短。较薄薄膜的结果以“密集”波形出现在靠近图7中的原点。当使用紫外光源时,窄带通滤光器的波长必须变短。例如,在本发明的最佳模式中,滤光轮534上安装的28个滤光器538的波长的“带”必须变为短波长,即必须用另一组波长较短的滤光器代替滤光器组538。另一方面,如果要测量的薄膜厚度变厚,即,例如,如果它的范围从5μm到10μm,那么如果用红外光源代替可见光,则厚度测量变得容易,并且在这种情况下,图7中的反射率波形从原点展开。在这种情况下,必须用具有较长波长的一组新的窄带通滤光器代替滤光轮534上安装的滤光器组538。其余的图像处理部分无论是使用紫外光源或是红外光源都与使用可见光源的情况相同。
由图像处理单元548通过帧捕捉器546接收到的衬底的图像信息是由光检测器542上安装的二维矩阵型CCD传感器感应到的光强度,其中基本像素组单元的大小是(3×3)个像素并且该(3×3)个像素大小的基本像素组单元的实际位置被定义为该像素组的位置。由滤光轮534上的窄带通滤光器538的物理位置确定对应前述基本像素组单元的有关波长的信息,并且该有关波长的信息被直接从滤光轮534经图像处理单元548和系统控制单元552之间的链路发送到图像处理单元548和系统控制单元552。在执行这里呈现的本发明的最佳模式中,由于系统控制单元552控制滤光轮534,所以由系统控制单元552确定波长信息。在上述帧捕捉器546中的图像捕获过程期间,(3×3)个像素的基本像素组单元的光强度信息和对应的波长信息彼此同步。
在利用具有光强度测量值的表达式[2]迭代计算反射率 r c = R 时,还需要每个(3×3)个像素大小的基本像素组单元的相应物理位置和波长以及为光阻材料膜的厚度选定的初始值。特别地,表达式[2]包含大量常数和系数以及正弦和余弦函数。另外,迭代计算rc的值直到反射率误差re=|rc-rm|最小,因此需要重复计算表达式[2]很多次。根据本发明,为了减少计算次数,计算表达式[2]在整个重复和迭代计算过程中不变的部分,结果值事先存储在存储器中,然后以“查表”的形式使用,这样可以加快重复和迭代计算的过程。这里,表达式[2]为了这个目的的分区方式取决于这里呈现的所述装置的功能设计者的技术和经验,但是对装置的这种分区可以设计为用户可选和菜单驱动的特征。
前述被称作平均反射率误差“最小化的计算过程”相当复杂,因为这个过程包括计算整个波长范围内作为波长函数的反射率误差的步骤和最小化所计算反射率误差平均值的步骤,其中为每个(3×3)个像素大小的基本像素组单元计算反射率误差需要3×3=9次的像素操作并且在(640×480)个像素大小的整个CCD传感器区域上,该过程重复28次来覆盖滤光轮534上的整组滤光器538。另外,在给定基本像素组单元的位置,对应的反射率误差re是未测量的反射光厚度和波长的非线性函数,因此需要迭代和重复采用被称作非线性误差最小化的过程。根据本发明,作为例子,可以使用Levenberg-Marquardt的平方非线性误差最小化的方法作为非线性误差最小化过程的方法。即,迭代最小化re 2=|rc-rm|2的值。然而,也可以使用类似的误差最小化方法代替。
在这里呈现的最佳模式中,因为已知光阻材料膜给定层的反射率已经被测量,所以给定样本衬底上的薄膜的折射率是已知的。但是,有时给定薄膜的折射率是未知的。在这种情况下,揭示了利用Cauchy模型或Lorentz震荡器模型来取得折射率的方法。(H.G.Tompkins和W.A.McGahan,John Wiley于1999年发表的“分光镜的椭圆偏光法和反射计”)。当利用上述指定模型模仿给定薄膜的折射率时,理论反射率(或折射率)和所测量的反射率之间的误差表示为所选模型的模型系数的函数,并且当具有给定模型系数的所选模型的值最接近实际折射率值时,反射率误差最小。在这种情况下,通过在将模型系数设置为独立变量后对反射率误差应用最小化方法来获得作为波长函数的折射率。对于优化方法,与前述方法类似,可以使用非线性的误差最小化方法。
上述相当复杂的计算过程是由图像处理单元548以及信息处理单元550执行的,其中功能包括提取计算反射率误差所需的测量到的反射率值,计算反射率误差,优化反射率、误差以及当折射率未知时计算折射率。但是,图像处理单元548和信息处理单元550之间的功能划分通常根据系统设计者设计的软件程序来实现,另外图像处理单元548和信息处理单元550可以根据所述装置的设计需求和需要通过设计合并成一个处理单元。对于这里呈现的最佳模式,图像处理单元548和信息处理单元550表示为图5中所示的两个独立功能模块。为了更有效地利用所述查阅表,通常希望计算系统有这种方式的结构,即,图像处理单元548和信息处理单元550紧密合作来执行各自功能。
在本发明的另一个方面中,如前所述由帧捕捉器546提取对应给定基本像素组单元的信号,然后发送到图像识别单元554,处理衬底表面上所选区域的图像,即,穿过图5中窄带通滤光器538的衬底表面的图像信号,然后由图像重组器554重新构造原始图像,并且通过监视器556的屏幕显示。装置使用者在监视器屏幕上指定希望测量的区域和为指定测量所需的计算。在这个阶段,为了缩短测量时间,用户可以指定样本衬底上薄膜表面有限的区域来测量,并且可以只显示穿过窄带通滤光器538的由光投影到整个测量区域的图像。监视器屏幕556显示的图像信息包括衬底的表面图像条件,薄膜的厚度轮廓,折射率分布,反射率分布,样本衬底表面上有兴趣测量的点的X-Y坐标,有关窄带通过滤轮534的信息,和其中所选测量区域的图像的乘法因数。
为了在衬底上的多个测量范围内测量薄膜的厚度轮廓和折射率分布,根据本发明,对光单元中的物镜510采用自动对焦的特征,图5中物镜510和衬底514之间的相对位置在X-Y-Z轴的三个方向上移动,并且由通过衬底载体平台控制器528控制的衬底载体驱动单元526驱动在其上面装载衬底的衬底载体524。
根据本发明,由系统控制器552执行测量薄膜厚度轮廓和折射率分布的前述装置的总控制,系统控制器552基本上包括微处理器(未示出)或微电脑(未示出)或微控制器(未示出)和一组支撑特征和功能以及各种存储器(未示出)和I/O单元(输入和输出)。系统控制器552被主要划分为一组硬件和一组软件。硬件通常包括微处理器、主存储器集、硬盘、I/O接口单元、象打印机、显示器的I/O设备和通信设备。软件主要包括,例如,初始化程序和主控制程序。系统控制器单元552通常控制和管理计算薄膜厚度和折射率分布的多个不同部分和函数。如图5所示,作为典型的例子,本发明的装置包括光学单元,衬底载体平台控制器528,窄带通滤光轮534,光检测器542上安装的二维矩阵型CCD传感器,帧捕捉器546,信息处理单元550,图像处理单元548,图像识别单元554,显示监视器556,并且所述测量装置还控制和管理所有机械运动、复杂的计算以及信息处理功能。
上述执行本发明的最佳模式只是说明这里揭示的本发明基本原理和工作的例子,并不限制本发明基本原理和构思的范围。本领域技术人员可以通过这里呈现的执行本发明的最佳模式开阔思路,很容易理解和扩展本发明的根本原理和基本想法。
工业实用性
根据这里呈现的本发明测量薄膜厚度轮廓和折射率分布的装置和方法测量所选区域范围的所述厚度轮廓和折射率,用户可以从更开阔的视野看到薄膜的状态和特征,来代替在选定的“点”测量厚度和折射率,即点测量。因此,由于本发明的装置测量衬底上大范围测量区域的厚度轮廓和折射率,所以根据本发明在这里呈现的装置和方法与点测量装置相比提供了更可靠的数据,并且与点测量相比提供了更准确和有用的信息。另外,本发明的显示监视器显示用二维或三维显示所选测量区域的图像。根据本发明,作为可见光源以外的光源,可以很容易地使用具有合适窄带通可变过滤器组的紫外光源和红外光源来测量薄膜的薄厚来代替利用可见光源测量薄膜的厚度。另外,因为根据本发明一个方面的窄带通滤光轮与利用单独的滤光器相比工作更快,所以与常规装置相比,测量厚度和折射率的测量速度更快。另外,根据本发明,测量的分辨率更高,因此对每个像素组在整个测量范围内通过在原处执行厚度轮廓和折射率分布的计算,可以测量和检查到薄膜表面状态的局部变化。根据本发明的另一个方面,因为厚度和折射率的测量结果用二维或三维图像显示在监视器上,所以可以检查和评估表面条件、厚度轮廓和折射率变化,于是用户可以对要测量的薄膜状态和特征做可靠和坚实的判断。因此,根据本发明,利用二维矩阵型CCD传感器对厚度轮廓和反射率分布的二维测量和表示与常规点测量装置相比更可靠而且包含更多的信息。

Claims (20)

1.一种用来测量单层或多层薄膜的厚度和折射率的装置,所述装置包括:
支撑衬底的衬底载体;
提供用于所述测量的光源和来自所述衬底的反射光的光学单元;
滤光器组,用于按不同波长对所述反射光滤光;
二维矩阵型电荷耦合器件(CCD)传感器;
图像捕捉器,用于捕获由所述CCD传感器产生的图像;
数据处理单元,利用由所述图像捕捉器捕获的所述图像数据,通过重复和迭代使用非线性误差最小化方法,按至少(3×3)个像素的像素组计算和产生薄膜的厚度,厚度轮廓或折射率的一个或多个测量数据;
计算反射率或折射率的理论值的装置;
通过迭代和重复使用非线性误差最小化方法得到计算的和测量的反射率或折射率值之间的最小误差的装置;
系统控制器单元,包括用来处理所述图像数据的图像处理,信息处理和系统控制功能。
2.根据权利要求1所述的装置,其中还包括图像识别功能和有选择地显示有关所述厚度,厚度轮廓,折射率,或折射率分布的所述信息的显示监视器。
3.根据权利要求1所述的装置,其中还包括能够在衬底上选定的多达200μm×200μm的大测量范围内测量薄膜的厚度轮廓和折射率分布的功能。
4.根据权利要求1所述的装置,其中还包括用来逐步或连续移动所述衬底载体,以便可以在衬底上更大的区域内执行所述测量的驱动单元。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述光学单元包括可见光源。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述光学单元包括紫外光源。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述光学单元包括红外光源。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述滤光器组构造为窄带通滤光轮。
9.根据权利要求1所述的装置,其中所述滤光器组由线性可变滤光器组构成。
10.根据权利要求1所述的装置,其中所述滤光器组由局部圆形可变滤光器组构成。
11.根据权利要求1所述的装置,其中所述滤光器组由线性窄带通滤光器构成。
12.根据权利要求1所述的装置,其中所述滤光器组由局部圆形窄带通滤光器组构成。
13.根据权利要求1所述的装置,其中所述滤光器组由可调滤光器组构成。
14.根据权利要求13所述的装置,其中所述可调滤光器组由液晶可调滤光器组构成。
15.根据权利要求13所述的装置,其中所述可调滤光器组由声光可调滤光器组构成。
16.根据权利要求1所述的装置,其中所述数据处理单元包括至少一个用来处理迭代和重复使用的变量,系数,数学表达式或分区表达式模块的查询表,以通过避免不必要的重复计算来加速所述计算。
17.根据权利要求2所述的装置,其中所述显示监视器用二维图像显示有关至少一层薄膜的表面轮廓的信息。
18.根据权利要求2所述的装置,其中所述显示监视器用三维图像显示有关至少一层薄膜的表面轮廓的信息。
19.根据权利要求2所述的装置,其中所述显示监视器用二维或三维人造彩色图像有选择地显示单层或多层薄膜的所述厚度,或厚度轮廓,或折射率分布,或表面轮廓,或这些信息的任何组合,以便增强视觉效果,从而更好和更容易地检查和评估薄膜的状态和特征。
20.一种测量单层或多层薄膜的厚度和折射率的方法,所述方法包括下列过程:
利用二维矩阵的电荷耦合器件(CCD)传感器捕获二维图像;
利用窄带通滤光器组区分入射到所述CCD传感器的所述光;
通过按组划分所述CCD传感器以外的像素,在二维中测量所述厚度,以便维护测量值的稳定性;
通过按至少(3×3)个像素的组划分所述像素,在二维中测量作为衬底表面上的所述像素的位置的函数的所述折射率分布,以便维护测量值的稳定性;
利用有关通过所述二维矩阵型CCD传感器捕获的所述反射光的所述数据,通过迭代和反复使用非线性误差最小化方法得到厚度轮廓或折射率分布或两者的测量值;
通过处理投影到所述CCD传感器上的所述光的强度作为波长函数,在所述显示器上显示测量单层或多层薄膜的厚度,或厚度轮廓,或折射率分布,或这些信息的任何组合的结果,还可以任选有选择地以二维或三维表示来显示表面轮廓。
CNA028184084A 2001-09-21 2002-09-23 利用二维反射计测量多层薄膜的厚度轮廓和折射率分布的装置及其测量方法 Pending CN1556914A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR200158535 2001-09-21
KR20010058535 2001-09-21
KR200257581 2002-09-23
KR10-2002-0057581A KR100490325B1 (ko) 2001-09-21 2002-09-23 2차원형 검출기를 이용한 박막 특성 측정 장치 및 그 측정 방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006100064494A Division CN1808056B (zh) 2001-09-21 2002-09-23 利用二维检测器测量薄膜特性的装置及测量方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1556914A true CN1556914A (zh) 2004-12-22

Family

ID=26639354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA028184084A Pending CN1556914A (zh) 2001-09-21 2002-09-23 利用二维反射计测量多层薄膜的厚度轮廓和折射率分布的装置及其测量方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7286242B2 (zh)
EP (1) EP1430270A4 (zh)
JP (1) JP4242767B2 (zh)
CN (1) CN1556914A (zh)
WO (1) WO2003025497A1 (zh)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101846498A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 Hoya株式会社 膜厚测定方法及玻璃光学元件的制造方法
CN101995224A (zh) * 2009-08-07 2011-03-30 株式会社堀场制作所 干涉膜厚仪及反射率测量方法
CN102362146A (zh) * 2009-03-23 2012-02-22 Snu精度株式会社 反射度分布曲线的建模方法及应用该方法的厚度检测方法以及厚度检测反射仪
CN102564327A (zh) * 2010-11-08 2012-07-11 株式会社迪思科 测定方法及测定装置
CN102607436A (zh) * 2012-03-30 2012-07-25 中国科学院工程热物理研究所 一种测量固体壁面波动液膜层平均厚度的方法
US8310560B2 (en) 2008-07-24 2012-11-13 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional imaging using a single camera
CN103325937A (zh) * 2012-03-22 2013-09-25 日立电线株式会社 带压电体膜的基板、压电体膜元件及其制造方法
CN103808268A (zh) * 2012-11-12 2014-05-21 中国航空工业第六一八研究所 一种白光干涉传感器解调信号处理方法
US8845526B2 (en) 2008-07-24 2014-09-30 Massachusetts Institute Of Technology Integrated otoscope and three dimensional scanning system
US9140649B2 (en) 2008-07-24 2015-09-22 Massachusetts Institute Of Technology Inflatable membrane having non-uniform inflation characteristic
US9170199B2 (en) 2008-07-24 2015-10-27 Massachusetts Institute Of Technology Enhanced sensors in three dimensional scanning system
US9170200B2 (en) 2008-07-24 2015-10-27 Massachusetts Institute Of Technology Inflatable membrane with hazard mitigation
US9291565B2 (en) 2008-07-24 2016-03-22 Massachusetts Institute Of Technology Three dimensional scanning using membrane with optical features
CN105937882A (zh) * 2015-03-06 2016-09-14 Snu精密股份有限公司 用于使用彩色摄像机测量厚度的方法和装置
CN106128978A (zh) * 2016-07-21 2016-11-16 无锡宏纳科技有限公司 可查看集成电路制造过程的装置
CN106471332A (zh) * 2014-06-27 2017-03-01 株式会社基恩士 多波长光电测量装置、共焦测量装置、干涉测量装置和颜色测量装置
CN108072613A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 台湾积体电路制造股份有限公司 光学检测装置及其检测方法
CN109405752A (zh) * 2017-06-05 2019-03-01 大塚电子株式会社 光学测量装置及光学测量方法
CN111023960A (zh) * 2019-12-31 2020-04-17 新余学院 一种基于透明导电薄膜电极材料的非接触式漆膜厚度无损检测系统及检测方法
CN111965854A (zh) * 2020-08-28 2020-11-20 济南晶正电子科技有限公司 电光晶体薄膜及其制备方法,及电光调制器
CN112556584A (zh) * 2020-11-10 2021-03-26 中国工程物理研究院材料研究所 一种薄膜厚度微区成像的检测装置及方法
CN112697080A (zh) * 2020-12-16 2021-04-23 长江存储科技有限责任公司 薄膜层厚度的测量方法
US20210134570A1 (en) * 2019-11-01 2021-05-06 Tokyo Electron Limited Information processing device, information processing method, and semiconductor manufacturing device
CN113030038A (zh) * 2021-02-23 2021-06-25 北京理工大学 多波长荧光检测装置及方法
CN114659451A (zh) * 2020-12-22 2022-06-24 松山湖材料实验室 膜厚测量方法及测量装置
CN114858066A (zh) * 2022-04-29 2022-08-05 中国科学院微电子研究所 一种过硅孔钝化层的厚度测量装置
CN114858059A (zh) * 2022-07-06 2022-08-05 北京航空航天大学 降低沿视线积分测量位置系统误差的装置、方法和系统

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100490325B1 (ko) * 2001-09-21 2005-05-17 케이맥(주) 2차원형 검출기를 이용한 박막 특성 측정 장치 및 그 측정 방법
US7139081B2 (en) 2002-09-09 2006-11-21 Zygo Corporation Interferometry method for ellipsometry, reflectometry, and scatterometry measurements, including characterization of thin film structures
US7869057B2 (en) 2002-09-09 2011-01-11 Zygo Corporation Multiple-angle multiple-wavelength interferometer using high-NA imaging and spectral analysis
US7306696B2 (en) * 2002-11-01 2007-12-11 Applied Materials, Inc. Interferometric endpoint determination in a substrate etching process
KR100393522B1 (en) * 2003-01-11 2003-08-02 Ellipso Technology Co Ltd Device and method for measuring film thickness, making use of improved fast fourier transformation
US7324214B2 (en) 2003-03-06 2008-01-29 Zygo Corporation Interferometer and method for measuring characteristics of optically unresolved surface features
JP4144389B2 (ja) * 2003-03-14 2008-09-03 オムロン株式会社 光学式膜計測装置
KR100947228B1 (ko) 2003-06-20 2010-03-11 엘지전자 주식회사 광디스크의 두께 측정 방법
US7295330B2 (en) * 2003-07-11 2007-11-13 Chow Peter P Film mapping system
JP5340539B2 (ja) 2003-09-15 2013-11-13 ザイゴ コーポレーション 表面の干渉分析のための方法およびシステムならびに関連する応用例
US7099018B2 (en) 2004-01-12 2006-08-29 Infineon Technologies Ag Measurement of optical properties of radiation sensitive materials
US7233878B2 (en) * 2004-01-30 2007-06-19 Tokyo Electron Limited Method and system for monitoring component consumption
WO2005086582A2 (en) * 2004-03-11 2005-09-22 Nano-Or Technologies (Israel) Ltd. Methods and apparatus for wavefront manipulations and improved 3-d measurements
US7355726B2 (en) * 2004-04-15 2008-04-08 Davidson Instruments Inc. Linear variable reflector sensor and signal processor
TW200604695A (en) * 2004-05-18 2006-02-01 Zygo Corp Methods and systems for determining optical properties using low-coherence interference signals
US7385693B2 (en) * 2004-06-21 2008-06-10 Olympus Corporation Microscope apparatus
JP2006113022A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Toppan Printing Co Ltd 反射防止フィルムの欠陥検出装置および方法
JP4654003B2 (ja) * 2004-11-09 2011-03-16 株式会社栃木ニコン 測定装置
US7321425B2 (en) * 2004-12-20 2008-01-22 Honeywell International Inc. Sensor and methods for measuring select components in sheetmaking systems
US7705995B1 (en) * 2004-12-20 2010-04-27 J.A. Woollam Co., Inc. Method of determining substrate etch depth
US7884947B2 (en) 2005-01-20 2011-02-08 Zygo Corporation Interferometry for determining characteristics of an object surface, with spatially coherent illumination
KR101006423B1 (ko) 2005-01-20 2011-01-06 지고 코포레이션 객체 표면의 특성을 결정하기 위한 간섭계
US8017927B2 (en) 2005-12-16 2011-09-13 Honeywell International Inc. Apparatus, system, and method for print quality measurements using multiple adjustable sensors
US7688447B2 (en) * 2005-12-29 2010-03-30 Honeywell International Inc. Color sensor
FR2901883B1 (fr) * 2006-05-30 2008-09-19 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede de mesure de caracterisation par reflectometrie
CZ299672B6 (cs) * 2006-05-30 2008-10-08 Fakulta chemicko-technologická Zpusob merení tlouštky nestacionárních tenkých vrstev a optický tlouštkomer
WO2008080127A2 (en) 2006-12-22 2008-07-03 Zygo Corporation Apparatus and method for measuring characteristics of surface features
US7880156B2 (en) * 2006-12-27 2011-02-01 Honeywell International Inc. System and method for z-structure measurements using simultaneous multi-band tomography
US7889355B2 (en) 2007-01-31 2011-02-15 Zygo Corporation Interferometry for lateral metrology
US8072611B2 (en) 2007-10-12 2011-12-06 Zygo Corporation Interferometric analysis of under-resolved features
JP5222954B2 (ja) 2007-11-13 2013-06-26 ザイゴ コーポレーション 偏光スキャンを利用した干渉計
WO2009079334A2 (en) 2007-12-14 2009-06-25 Zygo Corporation Analyzing surface structure using scanning interferometry
US8022372B2 (en) * 2008-02-15 2011-09-20 Veeco Instruments Inc. Apparatus and method for batch non-contact material characterization
DE102008016714A1 (de) * 2008-03-31 2009-10-08 Intego Gmbh Verfahren sowie Vorrichtung zur Bestimmung des Wertes eines Schichtparameters einer Beschichtung eines Objekts, insbesondere einer Antireflexionsbeschichtung eines Wafers
JP5473265B2 (ja) * 2008-07-09 2014-04-16 キヤノン株式会社 多層構造計測方法および多層構造計測装置
US8384916B2 (en) 2008-07-24 2013-02-26 Massachusetts Institute Of Technology Dynamic three-dimensional imaging of ear canals
US7990536B2 (en) * 2008-08-07 2011-08-02 Gwangju Institute Of Science And Technology System and method for measuring reflectance of object
US7969568B2 (en) * 2008-10-24 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Spectrographic metrology of patterned wafers
US8120781B2 (en) 2008-11-26 2012-02-21 Zygo Corporation Interferometric systems and methods featuring spectral analysis of unevenly sampled data
JP4796161B2 (ja) * 2009-02-27 2011-10-19 三菱重工業株式会社 薄膜検査装置及びその方法
US7985188B2 (en) 2009-05-13 2011-07-26 Cv Holdings Llc Vessel, coating, inspection and processing apparatus
WO2013170052A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
PL2251453T3 (pl) 2009-05-13 2014-05-30 Sio2 Medical Products Inc Uchwyt na pojemnik
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
KR100983288B1 (ko) * 2009-07-28 2010-09-24 엘지전자 주식회사 광디스크의 두께 측정 방법
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US8401809B2 (en) 2010-07-12 2013-03-19 Honeywell International Inc. System and method for adjusting an on-line appearance sensor system
GB2483638A (en) 2010-09-10 2012-03-21 Innovia Films Sarl Authentication of articles having a polymeric film by measuring thickness of film or layer within film by white light interferometry and/or by birefringence
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
TWI426258B (zh) * 2010-12-06 2014-02-11 Univ Nat Central Real - time Monitoring of Film Growth by Dynamic Interferometer
TWI547683B (zh) * 2010-12-06 2016-09-01 Univ Nat Central Multi - wavelength optical measurement method for thin film elements
CN103354915B (zh) * 2011-02-11 2016-08-10 哈利伯顿能源服务公司 多元光学元件的制造方法
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
US8618929B2 (en) 2011-05-09 2013-12-31 Honeywell International Inc. Wireless conveyor belt condition monitoring system and related apparatus and method
US9653340B2 (en) 2011-05-31 2017-05-16 Veeco Instruments Inc. Heated wafer carrier profiling
JP5891006B2 (ja) * 2011-11-01 2016-03-22 東京エレクトロン株式会社 光干渉システム、基板処理装置及び計測方法
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
US9554968B2 (en) 2013-03-11 2017-01-31 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging
EP2776603B1 (en) 2011-11-11 2019-03-06 SiO2 Medical Products, Inc. PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS
US8895941B2 (en) * 2012-02-29 2014-11-25 Corning Incorporated Laminated glass sheet depth profile determination
US9109879B2 (en) 2012-02-29 2015-08-18 Corning Incorporated Systems for and methods of characterizing the thickness profile of laminated glass structures
CN104854257B (zh) 2012-11-01 2018-04-13 Sio2医药产品公司 涂层检查方法
US9903782B2 (en) 2012-11-16 2018-02-27 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
BR112015012470B1 (pt) 2012-11-30 2022-08-02 Sio2 Medical Products, Inc Método de produção de um tambor médico para um cartucho ou seringa médica
US20170314914A1 (en) * 2016-04-28 2017-11-02 Scott A. Chalmers Optical profilometer
US20180252518A1 (en) * 2013-01-16 2018-09-06 Scott A. Chalmers Optical profilometer
US11099068B2 (en) * 2016-03-04 2021-08-24 Filmetrics, Inc. Optical instrumentation including a spatially variable filter
US9662450B2 (en) 2013-03-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
EP2976624A1 (en) * 2013-03-21 2016-01-27 The Technical University of Denmark Refractive index based measurements
US9855698B2 (en) * 2013-08-07 2018-01-02 Massachusetts Institute Of Technology Automatic process control of additive manufacturing device
DE102013219781A1 (de) 2013-09-30 2015-04-02 Carl Zeiss Ag Messanordnung und Verfahren zur Messung einer Schichtdicke
JP6213662B2 (ja) * 2014-03-07 2017-10-18 新日鐵住金株式会社 表面性状指標化装置、表面性状指標化方法及びプログラム
JP6282911B2 (ja) * 2014-03-20 2018-02-21 株式会社東光高岳 膜厚測定装置および膜厚測定方法
EP3693493A1 (en) 2014-03-28 2020-08-12 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
TWI700473B (zh) 2014-06-04 2020-08-01 美商康寧公司 用於量測玻璃物品厚度的方法及系統
KR20180048694A (ko) 2015-08-18 2018-05-10 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. 산소 전달률이 낮은, 의약품 및 다른 제품의 포장용기
DE102015116568A1 (de) 2015-09-30 2017-03-30 Sick Ag Verfahren zur Analyse eines Objektes mit einer Bildaufnahmeeinheit in einer Fabrik- oder Prozessautomation sowie eine Bildaufnahmeeinrichtung zur Analyse eines Objektes in der Fabrik- oder Prozessautomation
WO2017153130A1 (en) * 2016-03-07 2017-09-14 Asml Netherlands B.V. Illumination system and metrology system
JP6733231B2 (ja) * 2016-03-15 2020-07-29 三菱ケミカル株式会社 分光反射率設計方法、分光反射率設計装置および分光反射率設計プログラム
JP6568041B2 (ja) * 2016-10-25 2019-08-28 株式会社ブルービジョン 光源装置及び撮像システム
DE102019134142A1 (de) * 2018-12-12 2020-06-18 Analog Devices, Inc. Eingebaute kalibrierung von laufzeittiefenbildgebungssystemen
US11423572B2 (en) * 2018-12-12 2022-08-23 Analog Devices, Inc. Built-in calibration of time-of-flight depth imaging systems
JP7481090B2 (ja) * 2019-01-09 2024-05-10 株式会社ディスコ 厚み計測装置、及び厚み計測装置を備えた加工装置
US10816464B2 (en) 2019-01-23 2020-10-27 Applied Materials, Inc. Imaging reflectometer
DE102019109832B3 (de) * 2019-04-12 2020-04-23 Leica Microsystems Cms Gmbh Lichtblattmikroskop und Verfahren zum Erfassen einer Messgröße
JP2022533246A (ja) * 2019-05-23 2022-07-21 東京エレクトロン株式会社 ハイパースペクトルイメージングを使用する半導体プロセスの光学的診断
US11150078B1 (en) * 2020-03-26 2021-10-19 Applied Materials, Inc. High sensitivity image-based reflectometry
US11156566B2 (en) * 2020-03-26 2021-10-26 Applied Materials, Inc. High sensitivity image-based reflectometry
EP3889580A1 (en) * 2020-04-05 2021-10-06 TGTW Group B.V. System and method of measuring contaminants in a substantially translucent material, such as water
US11417010B2 (en) * 2020-05-19 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Image based metrology of surface deformations
US20230175834A1 (en) 2020-06-01 2023-06-08 Lg Electronics Inc. Thin film characteristic measuring apparatus
CN114235752B (zh) * 2021-12-17 2024-02-09 江南大学 一种识别二维三维材料异质结中二维材料层数的光学方法
WO2024150498A1 (ja) * 2023-01-10 2024-07-18 浜松ホトニクス株式会社 膜厚測定装置及び膜厚測定方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3804532A (en) * 1972-08-03 1974-04-16 Us Navy Transparent film uniformity gauge
US4308586A (en) * 1980-05-02 1981-12-29 Nanometrics, Incorporated Method for the precise determination of photoresist exposure time
JPS6424202A (en) * 1987-07-21 1989-01-26 Brother Ind Ltd Color separation device
JPH0731050B2 (ja) * 1988-12-29 1995-04-10 オリンパス光学工業株式会社 光学式膜厚測定装置
US5042949A (en) * 1989-03-17 1991-08-27 Greenberg Jeffrey S Optical profiler for films and substrates
JP2637820B2 (ja) * 1989-03-27 1997-08-06 オリンパス光学工業株式会社 光学式膜厚測定装置
US4999014A (en) * 1989-05-04 1991-03-12 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for measuring thickness of thin films
DE69021813T2 (de) * 1989-09-25 1996-05-23 Jasco Corp Apparat und Verfahren für die Ausmessung von dünnen mehrschichtigen Lagen.
JP2547864B2 (ja) * 1989-10-11 1996-10-23 富士写真フイルム株式会社 露光制御装置
US5129724A (en) * 1991-01-29 1992-07-14 Wyko Corporation Apparatus and method for simultaneous measurement of film thickness and surface height variation for film-substrate sample
US5291269A (en) * 1991-12-06 1994-03-01 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for performing thin film layer thickness metrology on a thin film layer having shape deformations and local slope variations
US5333049A (en) * 1991-12-06 1994-07-26 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for interferometrically measuring the thickness of thin films using full aperture irradiation
US5410411A (en) * 1992-01-17 1995-04-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of and apparatus for forming multi-layer film
DE4204916A1 (de) * 1992-02-19 1993-08-26 Renolit Werke Gmbh Verfahren und vorrichtung zur qualitaetskontrolle von auf kalander- oder extrudermaschinen hergestellten folienrollen
US5365340A (en) * 1992-12-10 1994-11-15 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for measuring the thickness of thin films
US5386119A (en) * 1993-03-25 1995-01-31 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for thick wafer measurement
US5450205A (en) * 1993-05-28 1995-09-12 Massachusetts Institute Of Technology Apparatus and method for real-time measurement of thin film layer thickness and changes thereof
JPH074922A (ja) * 1993-06-21 1995-01-10 Jasco Corp 半導体多層薄膜膜厚測定装置およびその測定方法
JP2866559B2 (ja) 1993-09-20 1999-03-08 大日本スクリーン製造株式会社 膜厚測定方法
US5555472A (en) * 1993-12-22 1996-09-10 Integrated Process Equipment Corp. Method and apparatus for measuring film thickness in multilayer thin film stack by comparison to a reference library of theoretical signatures
CN1144906A (zh) 1995-09-06 1997-03-12 东南大学 薄膜厚度和折射率的成像检测法及其设备
US5805290A (en) * 1996-05-02 1998-09-08 International Business Machines Corporation Method of optical metrology of unresolved pattern arrays
US5852498A (en) * 1997-04-04 1998-12-22 Kairos Scientific Inc. Optical instrument having a variable optical filter
JPH11242116A (ja) * 1998-02-25 1999-09-07 Nec Eng Ltd 波長可変光フィルタ及びこれを組合わせた光増幅器
JP2950813B1 (ja) * 1998-06-17 1999-09-20 サンテック株式会社 波長可変型レーザ光源装置
US6057925A (en) * 1998-08-28 2000-05-02 Optical Coating Laboratory, Inc. Compact spectrometer device
JP2000310512A (ja) * 1999-04-28 2000-11-07 Hitachi Ltd 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いた薄膜デバイスの製造方法及びその装置
JP4427767B2 (ja) * 1999-07-02 2010-03-10 株式会社ニコン 測定方法
JP2001041713A (ja) * 1999-07-30 2001-02-16 Ulvac Japan Ltd 微少領域測定装置
JP3723392B2 (ja) * 1999-11-29 2005-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 膜厚測定装置および膜厚測定方法
US6639674B2 (en) * 2000-03-28 2003-10-28 Board Of Regents, The University Of Texas System Methods and apparatus for polarized reflectance spectroscopy
JP2002090295A (ja) 2000-09-19 2002-03-27 Mitsubishi Chemicals Corp 材料の識別装置及び材料の識別方法

Cited By (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9140649B2 (en) 2008-07-24 2015-09-22 Massachusetts Institute Of Technology Inflatable membrane having non-uniform inflation characteristic
CN102105780B (zh) * 2008-07-24 2015-09-23 麻省理工学院 用于使用吸收来成像的系统和方法
US9291565B2 (en) 2008-07-24 2016-03-22 Massachusetts Institute Of Technology Three dimensional scanning using membrane with optical features
US9170200B2 (en) 2008-07-24 2015-10-27 Massachusetts Institute Of Technology Inflatable membrane with hazard mitigation
US9170199B2 (en) 2008-07-24 2015-10-27 Massachusetts Institute Of Technology Enhanced sensors in three dimensional scanning system
US8310560B2 (en) 2008-07-24 2012-11-13 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional imaging using a single camera
US8319184B2 (en) 2008-07-24 2012-11-27 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional imaging using a fluorescent medium
US8845526B2 (en) 2008-07-24 2014-09-30 Massachusetts Institute Of Technology Integrated otoscope and three dimensional scanning system
US9504546B2 (en) 2008-07-24 2016-11-29 Massachusetts Institute Of Technology Layered medium for three-dimensional imaging
US9097512B2 (en) 2008-07-24 2015-08-04 Massachusetts Institute Of Technology Layered medium for three-dimensional imaging
US8619154B2 (en) 2008-07-24 2013-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional imaging using a single camera
US8976263B2 (en) 2008-07-24 2015-03-10 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional imaging using a single camera
CN102362146A (zh) * 2009-03-23 2012-02-22 Snu精度株式会社 反射度分布曲线的建模方法及应用该方法的厚度检测方法以及厚度检测反射仪
CN102362146B (zh) * 2009-03-23 2013-10-16 Snu精度株式会社 反射度分布曲线的建模方法及应用该方法的厚度检测方法以及厚度检测反射仪
CN101846498A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 Hoya株式会社 膜厚测定方法及玻璃光学元件的制造方法
CN101846498B (zh) * 2009-03-27 2013-01-30 Hoya株式会社 膜厚测定方法及玻璃光学元件的制造方法
CN101995224B (zh) * 2009-08-07 2015-01-14 株式会社堀场制作所 干涉膜厚仪及反射率测量方法
US8825448B2 (en) 2009-08-07 2014-09-02 Horiba, Ltd. Spectroscopic reflectometer
CN101995224A (zh) * 2009-08-07 2011-03-30 株式会社堀场制作所 干涉膜厚仪及反射率测量方法
CN102564327A (zh) * 2010-11-08 2012-07-11 株式会社迪思科 测定方法及测定装置
CN102564327B (zh) * 2010-11-08 2016-09-14 株式会社迪思科 测定方法及测定装置
CN103325937A (zh) * 2012-03-22 2013-09-25 日立电线株式会社 带压电体膜的基板、压电体膜元件及其制造方法
CN103325937B (zh) * 2012-03-22 2017-03-01 住友化学株式会社 带压电体膜的基板、压电体膜元件及其制造方法
CN102607436B (zh) * 2012-03-30 2014-05-14 中国科学院工程热物理研究所 一种测量固体壁面波动液膜层平均厚度的方法
CN102607436A (zh) * 2012-03-30 2012-07-25 中国科学院工程热物理研究所 一种测量固体壁面波动液膜层平均厚度的方法
CN103808268A (zh) * 2012-11-12 2014-05-21 中国航空工业第六一八研究所 一种白光干涉传感器解调信号处理方法
US11060917B2 (en) 2014-06-27 2021-07-13 Keyence Corporation Confocal displacement measurement device and a confocal thickness measurement device
CN106471332A (zh) * 2014-06-27 2017-03-01 株式会社基恩士 多波长光电测量装置、共焦测量装置、干涉测量装置和颜色测量装置
US10180355B2 (en) 2014-06-27 2019-01-15 Keyence Corporation Confocal measurement device
CN105937882A (zh) * 2015-03-06 2016-09-14 Snu精密股份有限公司 用于使用彩色摄像机测量厚度的方法和装置
CN105937882B (zh) * 2015-03-06 2019-11-15 Snu精密股份有限公司 用于使用彩色摄像机测量厚度的方法和装置
CN106128978A (zh) * 2016-07-21 2016-11-16 无锡宏纳科技有限公司 可查看集成电路制造过程的装置
CN108072613A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 台湾积体电路制造股份有限公司 光学检测装置及其检测方法
CN109405752B (zh) * 2017-06-05 2021-08-27 大塚电子株式会社 光学测量装置及光学测量方法
CN109405752A (zh) * 2017-06-05 2019-03-01 大塚电子株式会社 光学测量装置及光学测量方法
US20210134570A1 (en) * 2019-11-01 2021-05-06 Tokyo Electron Limited Information processing device, information processing method, and semiconductor manufacturing device
US12020914B2 (en) * 2019-11-01 2024-06-25 Tokyo Electron Limited Optimizing plasma resources for targeted film
CN111023960A (zh) * 2019-12-31 2020-04-17 新余学院 一种基于透明导电薄膜电极材料的非接触式漆膜厚度无损检测系统及检测方法
CN111023960B (zh) * 2019-12-31 2021-04-27 新余学院 一种基于透明导电薄膜电极材料的非接触式漆膜厚度无损检测系统及检测方法
CN111965854A (zh) * 2020-08-28 2020-11-20 济南晶正电子科技有限公司 电光晶体薄膜及其制备方法,及电光调制器
CN111965854B (zh) * 2020-08-28 2023-07-21 济南晶正电子科技有限公司 电光晶体薄膜及其制备方法,及电光调制器
CN112556584A (zh) * 2020-11-10 2021-03-26 中国工程物理研究院材料研究所 一种薄膜厚度微区成像的检测装置及方法
CN112697080A (zh) * 2020-12-16 2021-04-23 长江存储科技有限责任公司 薄膜层厚度的测量方法
CN114659451A (zh) * 2020-12-22 2022-06-24 松山湖材料实验室 膜厚测量方法及测量装置
CN113030038A (zh) * 2021-02-23 2021-06-25 北京理工大学 多波长荧光检测装置及方法
CN114858066A (zh) * 2022-04-29 2022-08-05 中国科学院微电子研究所 一种过硅孔钝化层的厚度测量装置
CN114858066B (zh) * 2022-04-29 2024-03-29 中国科学院微电子研究所 一种过硅孔钝化层的厚度测量装置
CN114858059A (zh) * 2022-07-06 2022-08-05 北京航空航天大学 降低沿视线积分测量位置系统误差的装置、方法和系统

Also Published As

Publication number Publication date
JP4242767B2 (ja) 2009-03-25
EP1430270A4 (en) 2006-10-25
EP1430270A1 (en) 2004-06-23
JP2005503547A (ja) 2005-02-03
US20040246493A1 (en) 2004-12-09
WO2003025497A1 (en) 2003-03-27
US7286242B2 (en) 2007-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1556914A (zh) 利用二维反射计测量多层薄膜的厚度轮廓和折射率分布的装置及其测量方法
CN1808056B (zh) 利用二维检测器测量薄膜特性的装置及测量方法
CN109357630B (zh) 一种多类型工件批量视觉测量系统及方法
CN106705897B (zh) 曲面电子显示屏用弧形玻璃面板缺陷检测方法
CN104062233B (zh) 精密表面缺陷散射三维显微成像装置
CN102110628B (zh) 用于基板定位和检测的偏移校正方法和装置
US20190318469A1 (en) Defect detection using coherent light illumination and artificial neural network analysis of speckle patterns
CN103097879B (zh) 透明基质的光学质量分析方法和装置
CN104279978B (zh) 三维图形检测装置及测量方法
CN107957425A (zh) 透明材料缺陷检测系统及方法
CN103644852B (zh) 镜片膜厚度自动检测系统
WO2008030297A1 (en) Apparatus and methods for two-dimensional and three-dimensional inspection of a workpiece
CN109141224A (zh) 一种基于结构光的干涉反射式光学薄膜显微测量方法
CN102412170A (zh) 多方向上反射的光源的采集系统和方法
JP2011163852A (ja) 外観検査装置
US6509967B1 (en) Method for detecting optical errors in large surface panels
TWI407078B (zh) Micro - lens array surface profile detection system and its detection method
CN103528803A (zh) 测试摄像模组是否合格的装置及方法
CN103837325B (zh) 透射型光学元件分层相位成像的装置和方法
CN206638598U (zh) 一种基于单摄像机全方位主动视觉的电连接器壳体缺陷检测装置
CN110411376B (zh) 一种用于相位偏折测量的透明元件前后表面相位分离方法
CN205192728U (zh) 星敏感器光学系统倍率色差测试设备
JPH09133517A (ja) 分布測定装置
CN116147543A (zh) 基于3d扫描技术的隧洞衬砌壁面粗糙度计算方法
Bogdanov et al. A BIDIRECTIONAL SCATTERING FUNCTION RECONSTRUCTION METHOD BASED ON OPTIMIZATION OF THE DISTRIBUTION OF MICRORELIEF NORMALS.

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication