JP2001041713A - 微少領域測定装置 - Google Patents
微少領域測定装置Info
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- JP2001041713A JP2001041713A JP11217316A JP21731699A JP2001041713A JP 2001041713 A JP2001041713 A JP 2001041713A JP 11217316 A JP11217316 A JP 11217316A JP 21731699 A JP21731699 A JP 21731699A JP 2001041713 A JP2001041713 A JP 2001041713A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】再現性が良く短時間に測定できる微少領域測定
装置を提供すること。 【解決手段】薄膜を形成した基板１の表面の微少領域に
光源２からの光を照射し、その反射光を受光部４で受光
して該薄膜の厚さや屈折率などを測定する装置に於い
て、該光源の光径を該微少領域よりも大きい面積の光径
とし、該受光部にＣＣＤカメラ４ａを設け、該光が照射
された該表面の領域の各部からの反射光量を該ＣＣＤカ
メラの電荷結合素子の各電極で夫々測定する。光源の前
方にモノクロメーター３を設けるか或いはＣＣＤカメラ
の前方に音響光学分光フィルター５を設けて分光エリプ
ソメーターに構成し、更には該光源から上記基板を経由
して該ＣＣＤカメラへの光路に該基板への入射光及び反
射光が透過するハーフミラー６を介在させて干渉膜厚計
に構成する。
装置を提供すること。 【解決手段】薄膜を形成した基板１の表面の微少領域に
光源２からの光を照射し、その反射光を受光部４で受光
して該薄膜の厚さや屈折率などを測定する装置に於い
て、該光源の光径を該微少領域よりも大きい面積の光径
とし、該受光部にＣＣＤカメラ４ａを設け、該光が照射
された該表面の領域の各部からの反射光量を該ＣＣＤカ
メラの電荷結合素子の各電極で夫々測定する。光源の前
方にモノクロメーター３を設けるか或いはＣＣＤカメラ
の前方に音響光学分光フィルター５を設けて分光エリプ
ソメーターに構成し、更には該光源から上記基板を経由
して該ＣＣＤカメラへの光路に該基板への入射光及び反
射光が透過するハーフミラー６を介在させて干渉膜厚計
に構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン等の基板
の表面に形成された薄膜に光を照射して該薄膜の厚さや
屈折率などを測定するために使用される微少領域測定装
置に関する。
の表面に形成された薄膜に光を照射して該薄膜の厚さや
屈折率などを測定するために使用される微少領域測定装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造ラインやフラットディ
スプレイパネルの製造ラインでは、基板に形成された膜
の厚さや屈折率の測定が必要であり、その測定装置とし
て分光エリプソメーターや干渉膜厚計が使用されてい
る。これらの装置では、基板にスポット光を当て、その
反射光を受光して測定を行なっており、分光エリプソメ
ーターによる測定の場合、図１、図２に示したように、
光源ａの光をモノクロメーターｂで分光し、特定波長の
光をマイクロスポット用レンズｃやミラーｇの集光手段
により直径２５〜１００μｍに絞って基板ｄに当て、そ
の反射光をＳｉフォトディテクタやフォトマルチプライ
ヤーの受光部ｅに於いて受光し、その照射領域の反射光
量により偏光成分を測定する。該受光部ｅは演算器に接
続され、測定された光の入射角と、波長とから屈折率や
膜厚が算出される。干渉膜厚計による測定の場合は、図
３や図４に示したように、ハーフミラーｆで反射させた
光源ａからの光をマイクロスポット用レンズｃを介して
基板ｄに垂直に集光して当て、その反射光をハーフミラ
ーｆを透して受光部ｅで受光することにより膜厚を算出
している。該光源ａの光をモノクロメーターｂで制限し
たときは、受光部ｂにＳｉフォトディテクタやフォトマ
ルチプライヤーが使用され、スペクトルの制限がないと
きは受光部ｂに分光器ｈが用いられる。
スプレイパネルの製造ラインでは、基板に形成された膜
の厚さや屈折率の測定が必要であり、その測定装置とし
て分光エリプソメーターや干渉膜厚計が使用されてい
る。これらの装置では、基板にスポット光を当て、その
反射光を受光して測定を行なっており、分光エリプソメ
ーターによる測定の場合、図１、図２に示したように、
光源ａの光をモノクロメーターｂで分光し、特定波長の
光をマイクロスポット用レンズｃやミラーｇの集光手段
により直径２５〜１００μｍに絞って基板ｄに当て、そ
の反射光をＳｉフォトディテクタやフォトマルチプライ
ヤーの受光部ｅに於いて受光し、その照射領域の反射光
量により偏光成分を測定する。該受光部ｅは演算器に接
続され、測定された光の入射角と、波長とから屈折率や
膜厚が算出される。干渉膜厚計による測定の場合は、図
３や図４に示したように、ハーフミラーｆで反射させた
光源ａからの光をマイクロスポット用レンズｃを介して
基板ｄに垂直に集光して当て、その反射光をハーフミラ
ーｆを透して受光部ｅで受光することにより膜厚を算出
している。該光源ａの光をモノクロメーターｂで制限し
たときは、受光部ｂにＳｉフォトディテクタやフォトマ
ルチプライヤーが使用され、スペクトルの制限がないと
きは受光部ｂに分光器ｈが用いられる。
【０００３】基板ｄに照射されるスポット径は２５〜１
００μｍ程度と小さいのに対し測定領域として必要な面
積は少なくとも５０〜２００μｍ角であり、測定のため
に光学系全体を基板ｄの表面に沿ってスライドさせて測
定領域をスポット光で走査し、測定領域全体の平均の測
定値を得て膜厚を算出している。
００μｍ程度と小さいのに対し測定領域として必要な面
積は少なくとも５０〜２００μｍ角であり、測定のため
に光学系全体を基板ｄの表面に沿ってスライドさせて測
定領域をスポット光で走査し、測定領域全体の平均の測
定値を得て膜厚を算出している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の測
定装置では、スポット径が小さいため、光学系全体をス
ライドさせて測定領域を光で走査するが、再現性良く光
のビームを当てるには、光学系を搭載してスライドする
精度の良いステージが必要で、パターンを認識するため
の機能を具備しなければならず、光を絞る手段を設ける
必要もある。また、１回の測定で測定されるのは１つの
測定領域であり、スライドやパターンの認識のために時
間が掛かるから測定時間が長くなる不都合があった。
定装置では、スポット径が小さいため、光学系全体をス
ライドさせて測定領域を光で走査するが、再現性良く光
のビームを当てるには、光学系を搭載してスライドする
精度の良いステージが必要で、パターンを認識するため
の機能を具備しなければならず、光を絞る手段を設ける
必要もある。また、１回の測定で測定されるのは１つの
測定領域であり、スライドやパターンの認識のために時
間が掛かるから測定時間が長くなる不都合があった。
【０００５】本発明は、再現性が良く短時間に測定でき
る微少領域測定装置を提供することを目的とするもので
ある。
る微少領域測定装置を提供することを目的とするもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、薄膜を形成
した基板の表面の微少領域に光源からの光を照射し、そ
の反射光を受光部で受光して該薄膜の厚さや屈折率など
を測定する装置に於いて、該光源の光径を該微少領域よ
りも大きい面積の光径とし、該受光部にＣＣＤカメラを
設け、該光が照射された該表面の領域の各部からの反射
光量を該ＣＣＤカメラの電荷結合素子の各電極で夫々測
定することにより、上記の目的を達成するようにした。
該光源の前方にモノクロメーターを設けるか或いは該Ｃ
ＣＤカメラの前方に音響光学フィルターを設けて分光エ
リプソメーターに構成することが可能であり、これに加
えて該光源から上記基板を経由して該ＣＣＤカメラへの
光路に該基板への入射光及び反射光が透過するハーフミ
ラーを介在させることで干渉膜厚計に構成することがで
きる。
した基板の表面の微少領域に光源からの光を照射し、そ
の反射光を受光部で受光して該薄膜の厚さや屈折率など
を測定する装置に於いて、該光源の光径を該微少領域よ
りも大きい面積の光径とし、該受光部にＣＣＤカメラを
設け、該光が照射された該表面の領域の各部からの反射
光量を該ＣＣＤカメラの電荷結合素子の各電極で夫々測
定することにより、上記の目的を達成するようにした。
該光源の前方にモノクロメーターを設けるか或いは該Ｃ
ＣＤカメラの前方に音響光学フィルターを設けて分光エ
リプソメーターに構成することが可能であり、これに加
えて該光源から上記基板を経由して該ＣＣＤカメラへの
光路に該基板への入射光及び反射光が透過するハーフミ
ラーを介在させることで干渉膜厚計に構成することがで
きる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
き説明すると、図５は分光エリプソメーターに構成した
微少領域測定装置の実施例であり、同図に於いて、符号
１はスパッタリング等の薄膜形成手段により表面に薄膜
が形成された半導体デバイスのシリコン基板やフラット
ディスプレイパネルのガラス基板などの基板を示す。該
基板１の表面の微少な測定領域に、光源２からの光をモ
ノクロメーター３により特定の波長の光を選別して斜め
に入射させ、その反射光を受光部４に於いて受光する。
き説明すると、図５は分光エリプソメーターに構成した
微少領域測定装置の実施例であり、同図に於いて、符号
１はスパッタリング等の薄膜形成手段により表面に薄膜
が形成された半導体デバイスのシリコン基板やフラット
ディスプレイパネルのガラス基板などの基板を示す。該
基板１の表面の微少な測定領域に、光源２からの光をモ
ノクロメーター３により特定の波長の光を選別して斜め
に入射させ、その反射光を受光部４に於いて受光する。
【０００８】本発明のものは該光源から放射される光径
を該測定領域の面積よりも大きい光径とし、該受光部４
を例えば５０万画素のＣＣＤカメラ４ａにて構成したも
ので、これにより該カメラ４ａの電荷結合素子の各電極
で該基板１の微少測定領域からの反射光を一挙に受光
し、１回の照射により膜厚を算出することができる。
を該測定領域の面積よりも大きい光径とし、該受光部４
を例えば５０万画素のＣＣＤカメラ４ａにて構成したも
ので、これにより該カメラ４ａの電荷結合素子の各電極
で該基板１の微少測定領域からの反射光を一挙に受光
し、１回の照射により膜厚を算出することができる。
【０００９】該光源２にはキセノンランプなどの輝度の
高い光源が使用される。また、該モノクロメーター３に
は公知のものが使用され、該メーター３において、その
光を該メーター３が備える出射スリットにより該測定領
域をカバーできる光径として該基板１に向けて照射す
る。該光径が測定領域をカバーする以上の大きい面積で
あるから、該光源２から受光部４に至る光学系は、従来
のように移動させる必要がない。また、ＣＣＤカメラ４
ａが例えば５０万画素であると、その各電極で基板１の
表面の１０μｍ程度の微少単位の光量を受光することが
できるから、分光エリプソメーターの測定に最低限必要
な５０〜２００μｍ角以上の測定領域を微細に分析して
膜厚や屈折率を測定できる。また、該受光部４をＣＣＤ
カメラ４ａとすることにより、微少な単位面積からの反
射光を区分して受光することができ、該光源２からの光
は、レンズなどで絞る必要がなくスリットなどで平行光
線として測定領域を照射すればよいから、光学系を簡素
にできる。
高い光源が使用される。また、該モノクロメーター３に
は公知のものが使用され、該メーター３において、その
光を該メーター３が備える出射スリットにより該測定領
域をカバーできる光径として該基板１に向けて照射す
る。該光径が測定領域をカバーする以上の大きい面積で
あるから、該光源２から受光部４に至る光学系は、従来
のように移動させる必要がない。また、ＣＣＤカメラ４
ａが例えば５０万画素であると、その各電極で基板１の
表面の１０μｍ程度の微少単位の光量を受光することが
できるから、分光エリプソメーターの測定に最低限必要
な５０〜２００μｍ角以上の測定領域を微細に分析して
膜厚や屈折率を測定できる。また、該受光部４をＣＣＤ
カメラ４ａとすることにより、微少な単位面積からの反
射光を区分して受光することができ、該光源２からの光
は、レンズなどで絞る必要がなくスリットなどで平行光
線として測定領域を照射すればよいから、光学系を簡素
にできる。
【００１０】尚、モノクロメーター３を設ける代わり
に、図６に示したように、公知の音響光学分光フィルタ
ー５を受光部４のＣＣＤカメラ４ａの前方に設け、該フ
ィルター５が備える超音波が加えられた水晶等の透明な
物質を通過させることにより反射光を分光して該カメラ
４ａに特定波長の光が入射するように構成してもよい。
に、図６に示したように、公知の音響光学分光フィルタ
ー５を受光部４のＣＣＤカメラ４ａの前方に設け、該フ
ィルター５が備える超音波が加えられた水晶等の透明な
物質を通過させることにより反射光を分光して該カメラ
４ａに特定波長の光が入射するように構成してもよい。
【００１１】図７及び図８に示した実施例は、干渉膜厚
計に適用した例であり、光源２からの光をハーフミラー
６で反射して基板１の表面の測定領域に入射させ、その
反射光を該ハーフミラー６を通過させて受光部４で受光
し、該受光部４に於いて測定される干渉縞により膜厚を
算出することは従来のものと同様であるが、この場合も
該光源２からの光を絞ることなく基板１の測定領域に当
て、ＣＣＤカメラ４ａで構成した受光部４で受光するこ
とにより、測定領域からの反射光を一挙に測定し、測定
した干渉縞の間隔により膜厚を算出する。この場合も、
ＣＣＤカメラ４ａの各画素を構成する電極が測定領域の
各微細単位からの反射光を受光するので、光学系を移動
させる必要がなく、光源２からの光を絞る必要もないか
ら、装置が簡単になり再現性も向上し、測定時間も短縮
できる。尚、図７の例は光源２の前方にモノクロメータ
ー３を設けて分光したもので、図８は受光部４の前方に
音響光学分光フィルター５を設けた例である。
計に適用した例であり、光源２からの光をハーフミラー
６で反射して基板１の表面の測定領域に入射させ、その
反射光を該ハーフミラー６を通過させて受光部４で受光
し、該受光部４に於いて測定される干渉縞により膜厚を
算出することは従来のものと同様であるが、この場合も
該光源２からの光を絞ることなく基板１の測定領域に当
て、ＣＣＤカメラ４ａで構成した受光部４で受光するこ
とにより、測定領域からの反射光を一挙に測定し、測定
した干渉縞の間隔により膜厚を算出する。この場合も、
ＣＣＤカメラ４ａの各画素を構成する電極が測定領域の
各微細単位からの反射光を受光するので、光学系を移動
させる必要がなく、光源２からの光を絞る必要もないか
ら、装置が簡単になり再現性も向上し、測定時間も短縮
できる。尚、図７の例は光源２の前方にモノクロメータ
ー３を設けて分光したもので、図８は受光部４の前方に
音響光学分光フィルター５を設けた例である。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明によるときは、薄膜
を形成した基板の表面の微少領域を照射する光源の口径
を該微少領域よりも大きい面積の光径とし、その反射光
を受ける受光部にＣＣＤカメラを設け、該光が照射され
た該表面の領域の各部からの反射光量を該ＣＣＤカメラ
の電荷結合素子の各電極で夫々測定するので、光学系を
スライドさせず光を絞ることなく測定できるから装置を
簡単且つ安価に製作でき、１回の光の照射で短時間に微
少領域に形成された薄膜の膜厚を測定できる効果があ
り、該光源の前方にモノクロメーターを設けるか或いは
上記ＣＣＤカメラの前方に音響光学フィルターを設けて
分光エリプソメーターに構成し、或いは、該光源から基
板を経由して該ＣＣＤカメラへの光路に該基板への入射
光及び反射光が透過するハーフミラーを介在させて干渉
膜厚計に構成することができる。
を形成した基板の表面の微少領域を照射する光源の口径
を該微少領域よりも大きい面積の光径とし、その反射光
を受ける受光部にＣＣＤカメラを設け、該光が照射され
た該表面の領域の各部からの反射光量を該ＣＣＤカメラ
の電荷結合素子の各電極で夫々測定するので、光学系を
スライドさせず光を絞ることなく測定できるから装置を
簡単且つ安価に製作でき、１回の光の照射で短時間に微
少領域に形成された薄膜の膜厚を測定できる効果があ
り、該光源の前方にモノクロメーターを設けるか或いは
上記ＣＣＤカメラの前方に音響光学フィルターを設けて
分光エリプソメーターに構成し、或いは、該光源から基
板を経由して該ＣＣＤカメラへの光路に該基板への入射
光及び反射光が透過するハーフミラーを介在させて干渉
膜厚計に構成することができる。
【図１】従来の集光式の分光エリプソメーターの説明図
【図２】従来の反射式の分光エリプソメーターの説明図
【図３】従来のモノクロメーター式の干渉膜厚計の説明
図
図
【図４】従来の分光器式の干渉膜厚計の説明図
【図５】本発明をモノクロメーター式の分光エリプソメ
ーターに適用した実施例の説明図
ーターに適用した実施例の説明図
【図６】本発明を音響光学分光フィルター式の分光エリ
プソメーターに適用した実施例の説明図
プソメーターに適用した実施例の説明図
【図７】本発明をモノクロメーター式の干渉膜厚計に適
用した実施例の説明図
用した実施例の説明図
【図８】本発明を音響光学分光フィルター式の干渉膜厚
計に適用した実施例の説明図
計に適用した実施例の説明図
１ 基板、２ 光源、３ モノクロメーター、４ 受光
部、４ａ ＣＣＤカメラ、５ 音響光学分光フィルタ
ー、６ ハーフミラー、
部、４ａ ＣＣＤカメラ、５ 音響光学分光フィルタ
ー、６ ハーフミラー、
Claims (3)
- 【請求項１】薄膜を形成した基板の表面の微少領域に光
源からの光を照射し、その反射光を受光部で受光して該
薄膜の厚さや屈折率などを測定する装置に於いて、該光
源の光径を該微少領域よりも大きい面積の光径とし、該
受光部にＣＣＤカメラを設け、該光が照射された該表面
の領域の各部からの反射光量を該ＣＣＤカメラの電荷結
合素子の各電極で夫々測定することを特徴とする微少領
域測定装置。 - 【請求項２】上記光源の前方にモノクロメーターを設け
るか或いは上記ＣＣＤカメラの前方に音響光学分光フィ
ルターを設けて分光エリプソメーターに構成したことを
特徴とする請求項１に記載の微少領域測定装置。 - 【請求項３】上記光源の前方にモノクロメーターを設け
るか或いは上記ＣＣＤカメラの前方に音響光学分光フィ
ルターを設け、該光源から上記基板を経由して該ＣＣＤ
カメラへの光路に該基板への入射光及び反射光が透過す
るハーフミラーを介在させて干渉膜厚計に構成したこと
を特徴とする請求項１に記載の微少領域測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11217316A JP2001041713A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 微少領域測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11217316A JP2001041713A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 微少領域測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001041713A true JP2001041713A (ja) | 2001-02-16 |
Family
ID=16702267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11217316A Pending JP2001041713A (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 微少領域測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001041713A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7286242B2 (en) * | 2001-09-21 | 2007-10-23 | Kmac | Apparatus for measuring characteristics of thin film by means of two-dimensional detector and method of measuring the same |
| KR101207684B1 (ko) | 2010-12-27 | 2012-12-03 | 주식회사 포스코 | 박막 두께 측정장치 및 박막 두께 측정방법 |
| CN111380472A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 株式会社迪思科 | 厚度测量装置 |
| TWI808288B (zh) * | 2018-12-26 | 2023-07-11 | 日商迪思科股份有限公司 | 厚度量測裝置 |
-
1999
- 1999-07-30 JP JP11217316A patent/JP2001041713A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7286242B2 (en) * | 2001-09-21 | 2007-10-23 | Kmac | Apparatus for measuring characteristics of thin film by means of two-dimensional detector and method of measuring the same |
| KR101207684B1 (ko) | 2010-12-27 | 2012-12-03 | 주식회사 포스코 | 박막 두께 측정장치 및 박막 두께 측정방법 |
| TWI808288B (zh) * | 2018-12-26 | 2023-07-11 | 日商迪思科股份有限公司 | 厚度量測裝置 |
| CN111380472A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 株式会社迪思科 | 厚度测量装置 |
| JP2020106374A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 株式会社ディスコ | 厚み計測装置、及び厚み計測装置を備えた加工装置 |
| TWI820278B (zh) * | 2018-12-27 | 2023-11-01 | 日商迪思科股份有限公司 | 厚度量測裝置 |
| CN111380472B (zh) * | 2018-12-27 | 2023-12-15 | 株式会社迪思科 | 厚度测量装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051013 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070518 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070518 |
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