JP4654003B2 - 測定装置 - Google Patents
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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Description
2 ビームスプリッタ
3 テラヘルツ光発生器
4 可動鏡
6 テラヘルツ光検出器
7 制御・演算処理部
8 光路長可変用ステージ
9,12 放物面鏡
10,11 集光レンズ
13 ステージ(位置調整機構)
Claims (9)
- テラヘルツパルス光を発生するテラヘルツ光発生器と、テラヘルツパルス光を検出するテラヘルツ光検出器と、前記テラヘルツ光発生器から発生したテラヘルツパルス光を集光させる第1の集光光学系と、前記第1の集光光学系により集光された後に発散するテラヘルツパルス光を前記テラヘルツ光検出器に集光させる第2の集光光学系と、を備え、試料が前記第1の集光光学系による前記テラヘルツパルス光の集光位置付近に配置されて、前記試料を透過したテラヘルツパルス光が前記テラヘルツ光検出器により検出される測定装置であって、
前記第1及び第2の集光光学系のうちの少なくとも一方の集光光学系は、放物面鏡と少なくとも1つのレンズにより構成されており、前記少なくとも1つのレンズは正の屈折力を有し、
前記少なくとも1つのレンズの光軸方向位置を調整する位置調整機構と、前記試料を透過したテラヘルツパルス光が前記テラヘルツ光検出器に合焦する方向に前記位置調整機構を制御する制御部とを備え、
前記第1の集光光学系が、前記テラヘルツ光発生器から出射されたテラヘルツパルス光を平行光束に変換した後に該平行光束を集光し、前記第2の集光光学系が、前記発散するテラヘルツパルス光を平行光束に変換した後に該平行光束を前記テラヘルツ検出器に集光するように、前記制御部に制御された前記位置調整機構によって光軸方向位置が調整される前記少なくとも1つのレンズが、前記第1の集光光学系において前記平行光束を集光するもの、または前記第2の集光光学系において前記発散するテラヘルツパルス光を平行光束に変換するものとされていることを特徴とする測定装置。 - 前記テラヘルツ光発生器は、自身に入射されるポンプパルス光に応答してテラヘルツパルス光を発生し、
前記テラヘルツ光検出器は、自身に入射されるプローブパルス光に応答してテラヘルツパルス光を検出し、
前記ポンプパルス光の光路の光路長と前記プローブパルス光の光路の光路長とを相対的に変え得るようにする光路長可変部を、備えたことを特徴とする請求項1記載の測定装置。 - テラヘルツパルス光を発生するテラヘルツ光発生器と、テラヘルツパルス光を検出するテラヘルツ光検出器と、前記テラヘルツ光発生器から発生したテラヘルツパルス光を集光させる第1の集光光学系と、前記第1の集光光学系により集光された後に発散するテラヘルツパルス光を前記テラヘルツ光検出器に集光させる第2の集光光学系と、を備え、試料が前記第1の集光光学系による前記テラヘルツパルス光の集光位置付近に配置されて、前記試料を透過したテラヘルツパルス光が前記テラヘルツ光検出器により検出される測定装置であって、
前記第1及び第2の集光光学系のうちの少なくとも一方の集光光学系が、正又は負の屈折力を有する少なくとも1つの光学素子を含み、
前記テラヘルツ光発生器は、自身に入射されるポンプパルス光に応答してテラヘルツパルス光を発生し、
前記テラヘルツ光検出器は、自身に入射されるプローブパルス光に応答してテラヘルツパルス光を検出し、
前記少なくとも1つの光学素子の光軸方向位置を調整する位置調整機構と、
前記試料を透過したテラヘルツパルス光が前記テラヘルツ光検出器に合焦する方向に前記位置調整機構を制御する制御部と、
前記ポンプパルス光の光路の光路長と前記プローブパルス光の光路の光路長とを相対的に変え得るようにする光路長可変部と、
前記試料がない状態で、前記光路長可変部により前記ポンプパルス光の前記光路の光路長と前記プローブパルス光の光路の光路長とを相対的に変えながら得られる前記テラヘルツ光検出器からの検出信号に基づいて、前記テラヘルツ光検出器に入射するテラヘルツパルス光の電場強度の時系列波形を得る第1の時系列波形取得手段と、
前記試料が前記第1の集光光学系による前記テラヘルツパルス光の集光位置付近に配置された状態で、前記光路長可変部により前記ポンプパルス光の前記光路の光路長と前記プローブパルス光の光路の光路長とを相対的に変えながら得られる前記テラヘルツ光検出器からの検出信号に基づいて、前記テラヘルツ光検出器に入射するテラヘルツパルス光の電場強度の時系列波形を得る第2の時系列波形取得手段と、
前記第1の時系列波形取得手段により得られた時系列波形のピークと前記第2の時系列波形取得手段により得られた時系列波形のピークとの間の時間差に基づいて、前記少なくとも1つの光学素子の移動量を演算する演算手段と、
を備え、
前記制御部は、前記演算手段により得られた移動量に従って前記位置調整機構を制御することを特徴とする測定装置。 - テラヘルツパルス光を発生するテラヘルツ光発生器と、テラヘルツパルス光を検出するテラヘルツ光検出器と、前記テラヘルツ光発生器から発生したテラヘルツパルス光を集光させる第1の集光光学系と、前記第1の集光光学系により集光された後に発散するテラヘルツパルス光を前記テラヘルツ光検出器に集光させる第2の集光光学系と、を備え、試料が前記第1の集光光学系による前記テラヘルツパルス光の集光位置付近に配置されて、前記試料を透過したテラヘルツパルス光が前記テラヘルツ光検出器により検出される測定装置であって、
前記第1及び第2の集光光学系のうちの少なくとも一方の集光光学系が、正又は負の屈折力を有する少なくとも1つの光学素子を含み、
前記テラヘルツ光発生器は、自身に入射されるポンプパルス光に応答してテラヘルツパルス光を発生し、
前記テラヘルツ光検出器は、自身に入射されるプローブパルス光に応答してテラヘルツパルス光を検出し、
前記少なくとも1つの光学素子の光軸方向位置を調整する位置調整機構と、
前記試料を透過したテラヘルツパルス光が前記テラヘルツ光検出器に合焦する方向に前記位置調整機構を制御する制御部と、
前記ポンプパルス光の光路の光路長と前記プローブパルス光の光路の光路長とを相対的に変え得るようにする光路長可変部と、
前記試料の代わりに参照用試料が前記第1の集光光学系による前記テラヘルツパルス光の集光位置付近に配置された状態で、前記光路長可変部により前記ポンプパルス光の前記光路の光路長と前記プローブパルス光の光路の光路長とを相対的に変えながら得られる前記テラヘルツ光検出器からの検出信号に基づいて、前記テラヘルツ光検出器に入射するテラヘルツパルス光の電場強度の時系列波形を得る第1の時系列波形取得手段と、
前記試料が前記第1の集光光学系による前記テラヘルツパルス光の集光位置付近に配置された状態で、前記光路長可変部により前記ポンプパルス光の前記光路の光路長と前記プローブパルス光の光路の光路長とを相対的に変えながら得られる前記テラヘルツ光検出器からの検出信号に基づいて、前記テラヘルツ光検出器に入射するテラヘルツパルス光の電場強度の時系列波形を得る第2の時系列波形取得手段と、
前記第1の時系列波形取得手段により得られた時系列波形のピークと前記第2の時系列波形取得手段により得られた時系列波形のピークとの間の時間差に基づいて、前記少なくとも1つの光学素子の移動量を演算する演算手段と、
を備え、
前記制御部は、前記演算手段により得られた移動量に従って前記位置調整機構を制御することを特徴とする測定装置。 - テラヘルツパルス光を発生するテラヘルツ光発生器と、テラヘルツパルス光を検出するテラヘルツ光検出器と、前記テラヘルツ光発生器から発生したテラヘルツパルス光を集光させる第1の集光光学系と、前記第1の集光光学系により集光された後に発散するテラヘルツパルス光を前記テラヘルツ光検出器に集光させる第2の集光光学系と、を備え、試料が前記第1の集光光学系による前記テラヘルツパルス光の集光位置付近に配置されて、前記試料を透過したテラヘルツパルス光が前記テラヘルツ光検出器により検出される測定装置であって、
前記第1及び第2の集光光学系のうちの少なくとも一方の集光光学系が、正又は負の屈折力を有する少なくとも1つの光学素子を含み、
前記テラヘルツ光発生器は、自身に入射されるポンプパルス光に応答してテラヘルツパルス光を発生し、
前記テラヘルツ光検出器は、自身に入射されるプローブパルス光に応答してテラヘルツパルス光を検出し、
前記少なくとも1つの光学素子の光軸方向位置を調整する位置調整機構と、
前記試料を透過したテラヘルツパルス光が前記テラヘルツ光検出器に合焦する方向に前記位置調整機構を制御する制御部と、
前記ポンプパルス光の光路の光路長と前記プローブパルス光の光路の光路長とを相対的に変え得るようにする光路長可変部と、
を備え、
前記制御部は、(i)前記試料が前記第1の集光光学系による前記テラヘルツパルス光の集光位置付近に配置された状態で、前記光路長可変部により前記ポンプパルス光の前記光路の光路長と前記プローブパルス光の光路の光路長とを相対的に変えながら得られる前記テラヘルツ光検出器からの検出信号をモニタし、そのモニタ結果に基づいて、前記光路長可変部により前記各光路の光路長を当該検出信号が最大となるような光路長に固定し、(ii)この固定状態において、前記位置調整機構により前記光学素子を移動させながら得られる前記テラヘルツ光検出器からの検出信号をモニタし、そのモニタ結果に基づいて、当該検出信号が最大となるような位置に前記光学素子が位置するように前記位置調整機構を制御することを特徴とする測定装置。 - 前記少なくとも1つの光学素子は、ポリエチレン、ポリメチルペンテン、石英、サファイア、シリコン、ガリウム砒素、MgO、Ge及びダイヤモンドのうちのいずれかの材料で構成されたことを特徴とする請求項3乃至5のいずれかに記載の測定装置。
- テラヘルツパルス光を発生するテラヘルツ光発生器と、テラヘルツパルス光を検出するテラヘルツ光検出器と、前記テラヘルツ光発生器から発生したテラヘルツパルス光を集光させる第1の集光光学系と、前記第1の集光光学系により集光された後に発散するテラヘルツパルス光を前記テラヘルツ光検出器に集光させる第2の集光光学系と、を備え、試料が前記第1の集光光学系による前記テラヘルツパルス光の集光位置付近に配置されて、前記試料を透過したテラヘルツパルス光が前記テラヘルツ光検出器により検出される測定装置であって、
前記第1及び第2の集光光学系のうちの少なくとも一方の集光光学系は、放物面鏡と少なくとも1つのレンズにより構成されており、前記少なくとも1つのレンズは正の屈折力を有し、
前記第1の集光光学系は、前記テラヘルツ光発生器から出射されたテラヘルツパルス光を平行光束に変換した後に集光し、前記第2の集光光学系は、前記発散するテラヘルツパルス光を平行光束に変換した後に前記テラヘルツ検出器に集光し、
前記少なくとも1つのレンズの光軸方向位置を調整する位置調整機構と、前記試料を透過したテラヘルツパルス光が前記テラヘルツ光検出器に合焦する方向に前記位置調整機構を制御する制御部とを、備え、
前記制御部は、前記試料の厚みと屈折率とに応じて前記位置調整機構を制御することを特徴とする測定装置。 - テラヘルツパルス光を発生するテラヘルツ光発生器と、テラヘルツパルス光を検出するテラヘルツ光検出器と、前記テラヘルツ光発生器から発生したテラヘルツパルス光を集光させる第1の集光光学系と、前記第1の集光光学系により集光された後に発散するテラヘルツパルス光を前記テラヘルツ光検出器に集光させる第2の集光光学系と、を備え、試料が前記第1の集光光学系による前記テラヘルツパルス光の集光位置付近に配置されて、前記試料を透過したテラヘルツパルス光が前記テラヘルツ光検出器により検出される測定装置であって、
前記第1及び第2の集光光学系のうちの少なくとも一方の集光光学系は、放物面鏡と少なくとも1つのレンズにより構成されており、前記少なくとも1つのレンズは正の屈折力を有し、
前記第1の集光光学系は、前記テラヘルツ光発生器から出射されたテラヘルツパルス光を平行光束に変換した後に集光し、前記第2の集光光学系は、前記発散するテラヘルツパルス光を平行光束に変換した後に前記テラヘルツ検出器に集光し、
前記少なくとも1つのレンズの光軸方向位置を調整する位置調整機構と、前記試料を透過したテラヘルツパルス光が前記テラヘルツ光検出器に合焦する方向に前記位置調整機構を制御する制御部とを、備え、
前記制御部は、前記試料を透過したテラヘルツパルス光の前記テラヘルツ光検出器に対する合焦状態が、前記試料がない場合の前記テラヘルツ光検出器に対するテラヘルツパルス光の合焦状態と同じになるように、前記位置調整機構を制御することを特徴とする測定装置。 - 前記少なくとも1つのレンズは、ポリエチレン、ポリメチルペンテン、石英、サファイア、シリコン、ガリウム砒素、MgO、Ge及びダイヤモンドのうちのいずれかの材料で構成されたことを特徴とする請求項1又は2記載の測定装置。
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JP2013007740A (ja) * | 2011-05-23 | 2013-01-10 | Canon Inc | 波面測定装置及び波面測定方法、物体測定装置 |
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JP2013217909A (ja) * | 2012-03-11 | 2013-10-24 | Canon Inc | 屈折率算出方法及び装置、屈折率算出用物質、及びトモグラフィ装置 |
JP5510851B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-06-04 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 | テラヘルツ測定法 |
CN103105376B (zh) * | 2013-01-25 | 2015-06-17 | 大连理工大学 | 一种原位分析聚变装置第一镜表面杂质的方法 |
JP6238058B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2017-11-29 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | テラヘルツ分光システム |
JP6330703B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2018-05-30 | ソニー株式会社 | テラヘルツ波顕微鏡および焦点制御方法 |
JP6887751B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2021-06-16 | 大塚電子株式会社 | 光学特性測定装置 |
CN106338498A (zh) * | 2016-11-11 | 2017-01-18 | 华讯方舟科技有限公司 | 水含量分布检测装置及其应用 |
JP2019007802A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 株式会社東芝 | 光学検査装置及び光学検査方法 |
JP7256047B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2023-04-11 | グローリー株式会社 | 電磁波検出装置、媒体処理装置及び電磁波検出方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000079248A1 (fr) * | 1999-06-21 | 2000-12-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spectrometre a ondes terahertz |
JP2001050908A (ja) * | 1999-08-13 | 2001-02-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ミリ波イメージングシステム |
JP2002098634A (ja) * | 2000-03-27 | 2002-04-05 | Tochigi Nikon Corp | 半導体の電気特性評価装置および電気特性評価方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002005828A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-09 | Tochigi Nikon Corp | 半導体の不純物濃度検査装置及び検査方法 |
JP5495218B2 (ja) | 2001-09-06 | 2014-05-21 | 独立行政法人情報通信研究機構 | テラヘルツ光検出方法、テラヘルツ光装置及びイメージ化装置 |
US7335883B2 (en) | 2001-09-12 | 2008-02-26 | Teraview Limited | Imaging apparatus and method |
EP1430270A4 (en) * | 2001-09-21 | 2006-10-25 | Kmac | METHOD AND DEVICE FOR MEASURING THE THICK PROFILE AND THE DISTRIBUTION OF THIN FILM MULTI-LAYER REFRACTIVE INDICES BY TWO-DIMENSIONAL REFLECTOMETRY |
US20050087690A1 (en) * | 2001-12-28 | 2005-04-28 | Mamoru Usami | Spectral measurnig device |
US6977379B2 (en) * | 2002-05-10 | 2005-12-20 | Rensselaer Polytechnic Institute | T-ray Microscope |
JP2004212110A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Tochigi Nikon Corp | 分光装置 |
-
2004
- 2004-11-09 JP JP2004325264A patent/JP4654003B2/ja active Active
-
2005
- 2005-11-01 US US11/666,078 patent/US7847931B2/en active Active
- 2005-11-01 EP EP05805481.8A patent/EP1826553B1/en active Active
- 2005-11-01 WO PCT/JP2005/020124 patent/WO2006051728A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000079248A1 (fr) * | 1999-06-21 | 2000-12-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spectrometre a ondes terahertz |
JP2001050908A (ja) * | 1999-08-13 | 2001-02-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ミリ波イメージングシステム |
JP2002098634A (ja) * | 2000-03-27 | 2002-04-05 | Tochigi Nikon Corp | 半導体の電気特性評価装置および電気特性評価方法 |
Also Published As
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