CN106128978A - 可查看集成电路制造过程的装置 - Google Patents

可查看集成电路制造过程的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106128978A
CN106128978A CN201610578385.9A CN201610578385A CN106128978A CN 106128978 A CN106128978 A CN 106128978A CN 201610578385 A CN201610578385 A CN 201610578385A CN 106128978 A CN106128978 A CN 106128978A
Authority
CN
China
Prior art keywords
reaction warehouse
finder
reaction
manufacturing process
air pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN201610578385.9A
Other languages
English (en)
Inventor
吕耀安
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WUXI HI-NANO TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
WUXI HI-NANO TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WUXI HI-NANO TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical WUXI HI-NANO TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201610578385.9A priority Critical patent/CN106128978A/zh
Publication of CN106128978A publication Critical patent/CN106128978A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种可查看集成电路制造过程的装置，包括反应仓；所述反应仓中设置有水平状的晶圆载台；所述晶圆载台之下设置有气压控制管道；所述气压控制管道通过反应仓的底部开口伸出；所述反应仓的顶部开设有透明窗口；还包括观察装置；所述观察装置的最下端安装有窄带通滤光器；所述观察装置之中、窄带通滤光器的光入射方安装有透镜组件；所述观察装置之还连接有CCD阵列。本发明可以在集成电路制造过程中，对反应仓中进行观察而不影响反应过程。有助于科研人员对反应过程进行全面的把握。且本装置适用于多种集成电路的制造过程，例如化学气相沉积，刻蚀等，有很大的实用性。

Description

可查看集成电路制造过程的装置
技术领域
本发明涉及集成电路制造，具体涉及一种可查看集成电路制造过程的装置。
背景技术
集成电路制造的过程大多是封闭的，是因为制造流程必须在一些相对封闭的装置中才能完整进行，例如，在高温环境中，在真空环境中，在特定的气压下等等，所以这种生产过程如何发生，是无法直观观察和记录的，这样无法对反应过程进行完全的掌握。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明公开了一种可查看集成电路制造过程的装置。
本发明的技术方案如下：
一种可查看集成电路制造过程的装置，包括反应仓；所述反应仓中设置有水平状的晶圆载台；所述晶圆载台之下设置有气压控制管道；所述气压控制管道通过反应仓的底部开口伸出；所述反应仓的顶部开设有透明窗口；还包括观察装置；所述观察装置的最下端安装有窄带通滤光器；所述观察装置之中、窄带通滤光器的光入射方安装有透镜组件；所述观察装置之还连接有CCD阵列。
本发明的有益技术效果是：
本发明可以在集成电路制造过程中，对反应仓中进行观察而不影响反应过程。有助于科研人员对反应过程进行全面的把握。且本装置适用于多种集成电路的制造过程，例如化学气相沉积，刻蚀等，有很大的实用性。
附图说明
图1是本发明的装置图。
具体实施方式
图1是本发明的装置图。如图1所示，本发明包括反应仓1；反应仓1中设置有水平状的晶圆载台4；晶圆载台4之下设置有气压控制管道6；气压控制管道6通过反应仓1的底部开口5伸出；反应仓1的顶部开设有透明窗口2；还包括观察装置9；观察装置9的最下端安装有窄带通滤光器9；观察装置9之中、窄带通滤光器9的光入射方安装有透镜组件10；观察装置9之还连接有CCD阵列7。
在使用时，晶圆3放置于晶圆载台4之上，而观察装置9和透明窗口2的位置可以根据需要进行调整，例如，如果是进行化学气相沉积的制造过程，则可直接使用本装置，如果进行离子注入或者光刻等过程，则可将观察装置9和透明窗口2的位置挪向反应仓1的侧面。
如果进行化学气相沉积过程的话，等离子体所发出的光被窄带通滤光器9收集，再经过透镜组件10被CCD阵列7所接收，可通过CCD镜头7进行监控，则可以在制造过程的任意时刻，测量反应速率等参数。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，本发明不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本发明的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种可查看集成电路制造过程的装置，其特征在于，包括反应仓(1)；所述反应仓(1)中设置有水平状的晶圆载台(4)；所述晶圆载台(4)之下设置有气压控制管道(6)；所述气压控制管道(6)通过反应仓(1)的底部开口(5)伸出；所述反应仓(1)的顶部开设有透明窗口(2)；还包括观察装置(9)；所述观察装置(9)的最下端安装有窄带通滤光器(9)；所述观察装置(9)之中、窄带通滤光器(9)的光入射方安装有透镜组件(10)；所述观察装置(9)之还连接有CCD阵列(7)。
CN201610578385.9A 2016-07-21 2016-07-21 可查看集成电路制造过程的装置 Withdrawn CN106128978A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610578385.9A CN106128978A (zh) 2016-07-21 2016-07-21 可查看集成电路制造过程的装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610578385.9A CN106128978A (zh) 2016-07-21 2016-07-21 可查看集成电路制造过程的装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106128978A true CN106128978A (zh) 2016-11-16

Family

ID=57290421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610578385.9A Withdrawn CN106128978A (zh) 2016-07-21 2016-07-21 可查看集成电路制造过程的装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106128978A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010006530A1 (en) * 1998-02-20 2001-07-05 Applied Materials, Inc. Sensor for measuring a substrate temperature
CN1556914A (zh) * 2001-09-21 2004-12-22 Kmac株式会社 利用二维反射计测量多层薄膜的厚度轮廓和折射率分布的装置及其测量方法
CN101473060A (zh) * 2006-05-03 2009-07-01 应用材料股份有限公司 适合于蚀刻高纵横比结构的真空处理室
CN102938369A (zh) * 2012-11-23 2013-02-20 清华大学 外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔
CN104697666A (zh) * 2013-12-06 2015-06-10 北京智朗芯光科技有限公司 一种mocvd反应腔测温方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010006530A1 (en) * 1998-02-20 2001-07-05 Applied Materials, Inc. Sensor for measuring a substrate temperature
CN1556914A (zh) * 2001-09-21 2004-12-22 Kmac株式会社 利用二维反射计测量多层薄膜的厚度轮廓和折射率分布的装置及其测量方法
CN101473060A (zh) * 2006-05-03 2009-07-01 应用材料股份有限公司 适合于蚀刻高纵横比结构的真空处理室
CN102938369A (zh) * 2012-11-23 2013-02-20 清华大学 外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔
CN104697666A (zh) * 2013-12-06 2015-06-10 北京智朗芯光科技有限公司 一种mocvd反应腔测温方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Azad et al. Sensitivity optimization of ZnO clad-modified optical fiber humidity sensor by means of tuning the optical fiber waist diameter
US10948470B2 (en) System and method for in-line monitoring of airborne contamination and process health
CN102838079B (zh) 用于传感器芯片的开放式封装结构及其制造方法
EP4102586A3 (en) Optoelectronic device
CN102853926B (zh) 一种mems温度传感器的封装结构及其制造方法
CN106835073A (zh) 一种单层二硫化钼的制备方法
CN103293142A (zh) 一种柔性的表面增强拉曼光谱基底及其制备方法
US20150210532A1 (en) Mems gas sensing device
CN104157741B (zh) 一种光电探测器的制备方法
CN107154372A (zh) 一种真空腔体漏率监测方法
CN110218970A (zh) 一种二硒化锡薄膜的制备方法
CN106128978A (zh) 可查看集成电路制造过程的装置
CN108807570A (zh) 嵌入柔性衬底的ZnO微米线阵列紫外探测器的制备方法
DE102008041674A1 (de) Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
CN102539405A (zh) 一种卷烟烟气中重（类）金属高效捕集分析方法及其装置
CN105353401A (zh) 单片CR-39两次蚀刻法同步测量222Rn、220Rn浓度的方法
Shi et al. InOx doped SnO2 nanostructure deposited on MEMS device by PE-ALD process for detection of NO2
CN202988702U (zh) 用于传感器芯片的开放式封装结构
Mao et al. Fabrication of nanopillar forests with high infrared absorptance based on rough poly-Si and spacer technology
CN104465851A (zh) 一种热释电红外探测器敏感单元及其制造方法
CN104947089B (zh) 一种可实时监控应力的mocvd设备
CN109216492A (zh) 一种制造热释电红外探测器敏感单元的方法
CN204741006U (zh) 一种圆片级封装的mems芯片的开盖装置
CN109030574A (zh) 一种基于电荷转移的丙酮气体检测仪及其检测方法
CN203519375U (zh) 一种气流式易燃液体样品提取装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20161116