JP2866559B2 - 膜厚測定方法 - Google Patents
膜厚測定方法Info
- Publication number
- JP2866559B2 JP2866559B2 JP5257853A JP25785393A JP2866559B2 JP 2866559 B2 JP2866559 B2 JP 2866559B2 JP 5257853 A JP5257853 A JP 5257853A JP 25785393 A JP25785393 A JP 25785393A JP 2866559 B2 JP2866559 B2 JP 2866559B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- film thickness
- wavelength
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
つ以上の透光膜が積層形成された被測定試料(以下、単
に「試料」という)の前記透光膜の膜厚を非接触・非破
壊で測定する膜厚測定方法に関する。
透光膜が形成された試料の前記透光膜の膜厚を測定する
方法としては、分光反射率測定を用いる方法が知られて
いる。この膜厚測定方法(以下の説明の便宜から、「第
1従来例」と称する)は、試料に一定の観測波長域の光
を照射し、その分光反射率を実測して、干渉波形を求め
た後、干渉波形からピーク・ヴァレイの個数とそのピー
ク・ヴァレイに関連する波長を求め、それらのデータに
基づき、膜厚dを演算するものである。具体的には、
する波長 λ2 :長波長側のピーク・ヴァレイに関連する波長 n1 :波長λ1 での透光膜の屈折率 n2 :波長λ2 での透光膜の屈折率 m:観測波長域でのピーク・ヴァレイの総数 にしたがって演算する。
層形成された試料の各透光膜の膜厚を、上記第1従来例
を用いて測定することは不可能である。というのも、多
層膜構造の試料に光を照射し、分光反射率を実測した場
合、各透光膜内での干渉および各透光膜間での干渉が混
合されたものとして分光反射率が観測されるからであ
る。
れた多層膜構造を有する試料の各透光膜の膜厚を測定す
る技術が研究・報告されている。例えば、特開平2−2
51711号公報では、各透光膜での膜厚範囲を予め入
力しておき、大域最適化手段と局所最適化手段により各
透光膜の膜厚を求める方法(以下の説明の便宜から、
「第2従来例」と称する)技術が開示されており、この
第2従来例を用いることにより、多層膜構造を有する試
料における各透光膜の膜厚を測定することができる。
された試料については上記第1従来例を適用することに
より、また複数の透光膜が積層形成された試料について
は上記第2従来例を適用することにより、各透光膜の膜
厚を測定することができる。
来例では、干渉波形に2以上のピーク・ヴァレイが存在
することが膜厚測定の前提条件となっており、例えば透
光膜の膜厚が比較的薄く、干渉波形にピーク・ヴァレイ
が存在しない、あるいは存在してもピーク・ヴァレイの
個数が1個である場合には、透光膜の膜厚を求めること
はできない。
に各透光膜の膜厚の範囲を予め入力しておく必要があ
り、入力操作が必要である点で、利用者にとっては使い
づらいものとなっていた。その問題を解消するために、
例えば、広めに指定した膜厚範囲を入力しておくことが
考えられるが、範囲の拡大により計算ステップが増大
し、これに伴って計算時間が著しく長くなる。さらに、
最適化で求めた値が、最適化の開始点(各透光膜の膜厚
値)や他の最適化パラメータをどのように設定するかに
よって、大きく異なるため、設定条件によっては、測定
再現精度が大幅に低下するという問題がある。
合わせることにより、基板上に少なくとも1つ以上の透
光膜が積層形成された試料の前記透光膜の膜厚を求める
ことが可能となるが、透光膜の数に応じて膜厚測定方法
を切り換える必要があり、膜厚測定処理が煩雑となると
いう問題がある。
解決するためになされたものであり、基板上に少なくと
も1つ以上の透光膜が積層形成された被測定試料の前記
透光膜の膜厚を、計算ステップを増大させることなく、
しかも余分な入力操作を行うことなく、透光膜の数にか
かわらず所定の膜厚測定処理により求めることのできる
膜厚測定方法を提供することを目的とするものである。
上に少なくとも1つ以上の透光膜が積層形成された被測
定試料の前記透光膜の膜厚を求める膜厚測定方法であっ
て、上記目的を達成するため、(a) 前記基板上に形成さ
れた透光膜の数および各透光層の光学定数を入力する工
程と、(b) 前記被測定試料に所定の観測波長域の光を照
射し、分光反射率を実測して、干渉波形を求める工程
と、(c) 前記干渉波形からピーク・ヴァレイの総数を求
め、ピーク・ヴァレイ数,前記観測波長域内の短波長側
の第1の波長および長波長側の第2の波長に基づき、各
透光膜のとりうる膜厚範囲を特定する工程と、(d) 前記
膜厚範囲内で、各透光膜の膜厚設定値を一定の膜厚ピッ
チで変化させながら、各透光膜の膜厚が前記膜厚設定値
であると仮定したときの理論分光反射率と前記実測分光
反射率との偏差量を演算し、その偏差量が最小となる膜
厚の組み合わせを求める工程と、を備えている。
1) 前記干渉波形からピーク・ヴァレイの個数を求める
工程と、(c-2) 前記ピーク・ヴァレイ数が2以上である
か、2未満であるかを判別する工程と、(c-3) 前記ピー
ク・ヴァレイ数が2以上であるとき、前記干渉波形から
短波長側のピーク・ヴァレイに関連する波長を前記第1
の波長として求める一方、長波長側のピーク・ヴァレイ
に関連する波長を前記第2の波長として求め、前記ピー
ク・ヴァレイ数,前記第1および第2の波長に基づき各
透光膜のとりうる膜厚範囲を特定する工程と、(c-4) 前
記ピーク・ヴァレイ数が2未満であるとき、前記観測波
長域の最短波長側および最長波長側の波長と、各透光膜
の前記光学定数とから、前記観測波長域で観測され得る
ピーク・ヴァレイ概算値を前記ピーク・ヴァレイ数とし
て演算し、前記観測波長域の最短波長側の波長を前記第
1の波長とする一方、最長波長側の波長を前記第2の波
長とし、前記ピーク・ヴァレイ概算値,前記第1および
第2の波長に基づき各透光膜のとりうる膜厚範囲を特定
する工程と、を備えるようにしている。
記第1および第2の波長および前記(c-1) 工程で求めら
れたピーク・ヴァレイ数に基づき各透光膜の光学的厚さ
の総和を求め、その総和を中心値として一定の割合の範
囲を第1の膜厚組み合わせ条件とする工程を含み、前記
(c-4) 工程が、前記ピーク・ヴァレイ概算値を中心値と
して一定の割合の範囲を第2の膜厚組み合わせ条件とす
る工程を含み、前記(d) 工程が、前記膜厚設定値での理
論分光反射率と前記実測分光反射率との偏差量を演算す
るのに先立って、各透光膜の膜厚が前記膜厚設定値であ
ると仮定したときに前記第1および第2の膜厚組み合わ
せ条件が満足されているか否かを判別する工程を含み、
前記第1および第2の膜厚組み合わせ条件が満足されて
いる場合にのみ偏差量の演算を行うようにしている。
て、前記膜厚設定値の変化により前記干渉波形でのピー
ク・ヴァレイの個数が1個変化するのに十分な膜厚変化
量よりも小さくなるように、各透光膜ごとに前記膜厚ピ
ッチを設定する工程と、前記(d) 工程で求めた膜厚に対
し、非線形最適化法を適用して、各透光膜の膜厚を求め
る工程と、をさらに備えている。
波長域の光が照射され、分光反射率が実測されて、干渉
波形が求められる。そして、その干渉波形からピーク・
ヴァレイの総数が求められ、ピーク・ヴァレイ数,前記
観測波長域内の短波長側の第1の波長および長波長側の
第2の波長に基づき、各透光膜のとりうる膜厚範囲が特
定される。このため、膜厚測定に先立って、膜厚範囲を
入力する必要がなく、しかも全体の計算ステップが少な
くなり、計算時間が大幅に短縮される。また、透光膜の
数に関係なく、所定の膜厚測定処理により、各透光膜の
膜厚が測定される。
・ヴァレイの個数が求められ、ピーク・ヴァレイ数が2
以上であるか、2未満であるかが判別される。そして、
その判別結果に応じて、各透光膜のとりうる膜厚範囲が
求められる。したがって、膜厚範囲が正確に特定され、
その結果、膜厚計算の信頼性が向上する。
取りうる組み合わせ、つまり第1および第2の膜厚組み
合わせ条件が求められる。そして、膜厚設定値での理論
分光反射率と実測分光反射率との偏差量を演算するのに
先立って、各透光膜が前記膜厚設定値であると仮定した
ときに前記第1および第2の膜厚組み合わせ条件が満足
されているか否かが判別され、前記第1および第2の膜
厚組み合わせ条件が満足されている場合にのみ偏差量の
演算が行われる。そのため、膜厚組み合わせ条件が満足
されない場合、つまり膜厚の組み合わせが明らかに妥当
でない場合には、偏差量の計算が省略され、計算時間が
さらに短縮される。
厚に対し、非線形最適化法が適用されて、各透光膜の膜
厚がより正確に求められる。
用可能な膜厚測定装置を示す図である。この膜厚測定装
置は、照明光学系20と結像光学系30を備えている。
この照明光学系20には、ハロゲンランプからなる光源
21が設けられており、一定の観察波長域(例えば40
0nm〜800nm)の光が出射されるようになってい
る。この光源21からの光はコンデンサーレンズ22,
視野絞り23およびコンデンサーレンズ24を介して結
像光学系30に入射される。
スプリッタ32およびチューブレンズ33からなり、照
明光学系20からの照明光はビームスプリッタ32によ
って反射され、対物レンズ31を介して所定の照明位置
ILに照射される。
ジ40が配置されている。このXYステージ40は、基
板上に少なくとも1つ以上の透光膜(例えば、シリコン
酸化膜やシリコン窒化膜など)が積層形成された試料O
Bを搭載しながら、XYステージ駆動回路(図示省略)
からの制御信号に応じてX,Y方向に移動し、試料OB
表面の任意の領域を照明位置ILに位置させる。なお、
図面への図示を省略するが、このXYステージ40に
は、その位置(X,Y座標)を検出して、その位置情報
を装置全体を制御する制御ユニット50に与えられるよ
うになっている。
域(膜厚測定領域)で反射された光は、対物レンズ3
1,ビームスプリッタ32およびチューブレンズ33を
介して光軸上の所定位置に集光される。この集光位置の
近傍には、中心部にピンホール61を有するプレート6
2が配置されており、反射光のうちピンホール61を通
過した光が分光ユニット70に入射されるようになって
いる。
面回折格子71と、凹面回折格子71により回折された
回折光の分光スペクトルを検出する光検出器72とで構
成されている。光検出器72は、例えばフォトダイオー
ドアレイやCCDなどにより構成されており、ピンホー
ル61と共役な関係に配置されている。このため、分光
ユニット70に取り込まれた光は凹面回折格子71によ
り分光され、各分光スペクトルのエネルギーに対応した
スペクトル信号が光検出器72から制御ユニット50に
与えられる。この制御ユニット50では、そのスペクト
ル信号に基づき後述する方法により試料OBに形成され
た透光膜の膜厚を求め、その結果をCRT51に出力す
る。
論理演算を実行する周知のCPU52を備えており、図
示を省略する入出力ポートを介してCRT51およびキ
ーボード53との間で信号の授受を行う。
定方法の一実施例を示すフローチャートである。以下、
図2および図3を参照しつつ、基板にL層(L≧1)の
透光膜が積層形成された試料OBの各膜厚d1,d2,,,d
L を測定する膜厚測定方法について説明する。
介して透光膜の数Lと、試料OBを構成する各層の波長
ごとの屈折率・吸収係数n0 (λ),k0 (λ),n1
(λ),k1 (λ),,,,nL (λ),kL (λ)などの
光学定数とを入力する(ステップS1)。これらの入力
データは、制御ユニット50のメモリ(図示省略)に格
納され、後で説明する計算処理において必要に応じて適
宜読み出される。
(例えば、波長400nmから800nmまでの範囲)
内でのキャリブレーションウエハ(シリコン基板)に対
する試料OBの反射比率Rm (λ)を実測する。具体的
には、図4に示すように、以下の手順で行う。
成するハロゲンランプを点灯する。そして、ステップS
102で、オペレータがキャリブレーションウエハをX
Yステージ40にセットすると、キャリブレーションウ
エハで反射された光が、対物レンズ31,ビームスプリ
ッタ32およびチューブレンズ33を介して光軸上の所
定位置に集光され、さらにプレート62のピンホール6
1を通過した光が分光ユニット70に入射されて、波長
400nm〜800nmの範囲で分光される(ステップ
S103)。そして、ステップS104で、光検出器7
2に入射された光は光電変換され、各スペクトル信号が
制御ユニット50に与えられ、分光データC(λ)とし
て制御ユニット50のメモリに格納される。
40からキャリブレーションウエハを取り除いた後、測
定対象の試料OBをXYステージ40に載置する(ステ
ップS105)と、上記と同様にして、試料OBで反射
された光が分光ユニット70に入射されて、波長400
nm〜800nmの範囲で分光された(ステップS10
6)後、分光データM(λ)として制御ユニット50の
メモリに格納される(ステップS107)。
り返して、波長400nm〜800nmの範囲におい
て、適当なピッチ、例えば1nmピッチでメモリから分
光データC(λ),M(λ)を読み出し、
を求め、それに関するデータ(以下「分光反射比率デー
タ」という)をメモリに格納する(ステップS10
9)。
0nmでの試料OBの反射比率を求め、各波長λに対す
る反射比率Rm (λ)をプロットすると、干渉波形が得
られる。
のようにして求められた干渉波形から観測波長域におけ
るピーク・ヴァレイを検出して、ピーク・ヴァレイの総
数mを求める。それに続いて、ステップS4で、ピーク
・ヴァレイの総数mが2以上であるか否かを判別する。
ここで、”YES”と判別されたときには次に説明する
ステップS5〜S7を実行することにより、また”N
O”と判別されたときには次に説明するステップS8〜
S9を実行することにより、各透光膜の膜厚d1,d2,,,
dL がとりうる組み合わせ条件と、各膜厚d1,d2,,,d
L のとりうる膜厚範囲とを求める。
別された場合には、ステップS5で、次式
ODを求める。なお、数3において、符号λ1 は観測波
長域内の短波長側の第1の波長であり、このように観測
波長域内でのピーク・ヴァレイの総数mが2以上の場合
には、最も短波長側に現われるピーク・ヴァレイに対応
する波長となる。また、符号λ2 は観測波長域内の長波
長側の第2の波長であり、当該の場合(m≧2)には最
も長波長側に現われるピーク・ヴァレイに対応する波長
となる。
と、考えられる膜厚d1,d2,,,dLの組み合わせが限定
される。つまり、その組み合わせ(d1,d2,,,dL )を
考えるにあたっては、次の不等式
層目の透光膜の膜厚 < ni> :波長λでの第i層目の透光膜の屈折率平均
値 γ :安全係数(後述する) を考慮し、数4を満足する膜厚d1,d2,,,dL の組み合
わせを求めればよい。そこで、この実施例では、ステッ
プS6で、数4を求め、後述する計算処理において数4
が満足される否かを判別して計算ステップの数を少なく
している(これについては、後で詳説する)。なお、数
4において、安全係数γは0以上1未満の数値で、実測
値と計算値の差(対物レンズのNAや屈折率,ノイズな
どに起因する)による係数であり、この実施例では、
0.2としている。
学的厚さの総和ODが求まると、数4から各透光膜のと
りうる膜厚範囲を求めることができる。つまり、ステッ
プS7で、次式
厚範囲を求める。この数5からわかるように、透光膜の
とりうる膜厚の最小値はゼロであり、最大値dimaxは
判別されたときには、ステップS5〜S7を実行して、
各透光膜の膜厚d1,d2,,,dL がとりうる組み合わせ条
件(数4)と、各膜厚d1,d2,,,dL のとりうる膜厚範
囲(数5)とを求めている。
別されたときには、ピーク・ヴァレイの総数mが2未満
であり、各透光膜での光学的厚さの総和ODを直接求め
ることができない。そこで、この実施例では、ステップ
S8により各透光膜の膜厚d1,d2,,,dL がとりうる組
み合わせ条件を求めるとともに、ステップS9により各
膜厚d1,d2,,,dL のとりうる膜厚範囲を求めている。
なお、これらのステップS8,S9により組み合わせ条
件および膜厚範囲がそれぞれ求まる理由は以下の通りで
ある。
現れるかについては、観測波長域の最短波長の波長λs
を第1の波長とし、最長波長の波長λe を第2の波長と
すると、
たがって、次の不等式
1)を考慮すると、
膜の膜厚d1,d2,,,dL がとりうる組み合わせ条件とな
る。なお、この組み合わせ条件は、上記ステップS6で
求められた組み合わせ条件と同様に、後述する計算ステ
ップの数を少なくするという効果があり、後述する計算
処理に先立って数9が満足される否かを判別している。
と、さらに数9から、各透光膜の膜厚の最大値dimax
は、
光膜のとりうる膜厚はゼロから最大値dimaxとなり、各
膜厚d1,d2,,,dL のとりうる膜厚範囲が求まる。
透光膜の膜厚ピッチを求める。この実施例では、後述す
る計算処理のより求まる膜厚値に対して非線形最適化を
適用するため、最適化計算がローカルミニマムに陥るこ
とのない程度に膜厚ピッチを大きくするのが、計算時間
の短縮化の観点から望ましい。そこで、この実施例で
は、後のステップS11(図3)での膜厚計算に先立っ
て、次式
チΔdi を求めている。ここで、膜厚ピッチΔdi とし
たのは、次の理由からである。すなわち、基板上にある
透光膜(ここでは、第i層目の透光膜)のみが形成され
た試料に観測波長域(波長λs〜波長λe )の光を照射
したときに得られる干渉波形においては、ピーク・ヴァ
レイの総数mi は、次式
12からわかるように、総数mは膜厚di に応じて変化
するので、膜厚ピッチΔdi を大きく設定し、総数mが
変化すると、後述する処理(ステップS11)において
偏差量の最小点を見つけることができなくなってしまう
ことがある。そのため、膜厚ピッチΔdi を、総数mが
1個変わるに要する膜厚変化量よりも小さな値、例えば
膜厚変化量をさらに10等分した膜厚とすることが望ま
しい。そこで、この実施例では、膜厚ピッチΔdi を数
12に示す値としている。
800nmの場合、SiO2 の膜厚ピッチΔdi を、
チΔdi を、
に、透光膜の屈折率が大きいほど、また観測波長域が短
くなるほど膜厚ピッチΔdi は小さくなる。
透光膜の膜厚(d1,d2,,,dL )をそれぞれゼロから前
記最大値(d1max,,, dLmax)までの間で、上記ステッ
プS10で求めた膜厚ピッチΔdi で変化させながら、
膜厚(d1,d2,,,dL )での理論分光反射比率と実測分
光反射比率との偏差量を演算し、その偏差量が最小とな
る膜厚の組み合わせ(d1,d2,,,dL )を求める。以
下、基板上に3つの透光膜が形成された場合を例に挙
げ、図5を参照しつつステップS11の処理内容につい
て詳細に説明する。
わせ(d1 ,d2 ,d3 )を求めるための計算ステップ
を示すフローチャートである。
適当な値Emin を設定する。ここで、偏差量Eとは、実
測分光反射比率Rm (λ)と理論反射比率Rc (λ)と
の相対的な差の大きさを評価するための偏差であり、波
長範囲をλs からλe とし、各透光膜の膜厚をそれぞれ
d1,d2,,,dL としたとき、偏差量Eは、
(λ)は重み関数であり、例えば、実際の受光量に比例
した重み関数を適用することができる。また、理論反射
比率Rc(λ)は、試料OBを構成する各透光膜の波長
ごとの屈折率・吸収係数などの光学定数と、波長λと、
各透光膜の設定膜厚とが与えられると、従来より周知の
計算式に基づき得られる。
OBについて実測を行い、適当な値を設定するのが望ま
しいが、十分大きな値を設定するのみでも、実用上問題
はない。
了すると、ステップS202で膜厚d1 をゼロから最大
値d1maxまでの範囲で膜厚ピッチΔd1 ずつ変化させ、
ステップS203で膜厚d2 をゼロから最大値d2maxま
での範囲で膜厚ピッチΔd2ずつ変化させるとともに、
ステップS204で膜厚d3 をゼロから最大値d3maxま
での範囲で膜厚ピッチΔd3 ずつ変化させる。
とき、上記ステップS6,S8(図2)で設定した膜厚
の組み合わせ条件が満足されているか否かをステップS
205で判別する。ここで、”YES”と判別されたと
きには、次のステップS206に進み、膜厚d1 ,d2
,d3 と仮定したときの理論分光反射比率と実測分光
反射比率との偏差量Eを演算した後、その偏差量Eが偏
差量Emin よりも小さいかどうかを判別し、”YES”
と判別されたときには、ステップS207を実行して、
この偏差量Eを偏差量Emin に、また仮定した膜厚d1
,d2 ,d3 をそれぞれ膜厚d1min,d2min,d3min
に置換する。すなわち、偏差量が前回のものより小さい
場合に、偏差量E及び仮定した膜厚d1 ,d2 ,d3 を
残す。
された場合には、上記ステップS206を実行すること
なく、ステップS204に戻り、膜厚d3 を膜厚ピッチ
Δd3 だけ変化させる。
を、ステップS208〜S210で計算ループ完了と判
別されるまで繰り返して行う。こうして、偏差量Eが最
小となる膜厚の組み合わせ(d1min,d2min,d3min)
が求まる。
2min,d3minをそれぞれ膜厚d1 ,d2 ,d3 に置換す
る。
205で、各透光膜の膜厚が膜厚設定値d1 ,d2 ,d
3 であると仮定したときに、組み合わせ条件が満足され
ているか否かを判別し、満足されている場合にのみ、偏
差量Eを演算するようにしているので、無駄な計算が省
略され、計算の高速化を図ることができる。
記のようにして求められた膜厚の組み合わせ(d1,d
2,,,dL )に対し、非線形最適化法(例えば、ガウス・
ニュートン法)を用いて、より正確な透光膜の組み合わ
せ(d1,d2,,,dL )を求める。なお、ガウス・ニュー
トン法については、従来より公知であるため、ここで
は、その説明を省略する。
小二乗法によるL元2次超曲面近似を行い、得られた関
数から偏差量Eが最小となる膜厚の組み合わせ(d1,d
2,,,dL )を求める。具体的には、以下のようにして求
める。
膜の膜厚の組み合わせに対し、各膜厚をそれぞれ微小量
(例えば膜厚2nm)だけ変化させ、少なくとも次式
えば、2層膜では6点以上、3層膜では10点以上、4
層膜では15点以上の偏差量Eを求める必要がある。
対して最小二乗法によりL元2次超曲面近似を行い、
ら、偏差量Eが最小となる膜厚の組み合わせ(d1,d
2,,,dL )を求める。具体的には、偏差量Eの極小値を
求めることになるから、偏差量Eを膜厚d1,d2,,,dL
でそれぞれ偏微分したものがゼロになる膜厚d1,d2,,,
dL が、極小値をとる解になる。例えば、基板上に1つ
の透光膜が形成された場合(L=1:単層膜)、2つの
透光膜が積層形成された場合(L=2:2層膜)、3つ
の透光膜が積層形成された場合(L=3:3層膜)およ
び4つの透光膜が積層形成された場合(L=4:4層
膜)について、それぞれの関数型および極値条件を以下
に示す。
(例えば、数19,数21,数23,数25)を解く
と、最小な偏差量Eをもつ膜厚d1,d2,,,dL を求める
ことができる。これにより、膜厚の測定精度をより向上
させることができる。
された干渉波形からピーク・ヴァレイの総数mを求め
(ステップS3)、ピーク・ヴァレイ数,観測波長域内
の2つの波長(短波長側の第1の波長および長波長側の
第2の波長)に基づき、各透光膜のとりうる膜厚範囲を
特定している(ステップS7,9)。したがって、膜厚
測定に先立って、膜厚範囲を入力する必要がなく、しか
も全体の計算ステップが少なくなり、計算時間が大幅に
短縮される。また、この実施例によれば、透光膜の数に
関係なく、所定の膜厚測定処理(図2および図3)によ
り、各透光膜の膜厚を測定することができる。
数mを求め(ステップS3)、ピーク・ヴァレイ数mが
2以上であるか、2未満であるかを判別し、その判別結
果に応じて、各透光膜のとりうる膜厚範囲を求めている
ので、膜厚範囲をより正確に特定することができ、その
結果、膜厚計算の信頼性を向上させることができる。
わせ、つまり膜厚組み合わせ条件を求め(ステップS
6,S8)、ステップS206の偏差量の演算に先立っ
て、各透光膜が前記膜厚設定値であると仮定したときに
膜厚組み合わせ条件が満足されているか否かを判別し、
膜厚組み合わせ条件が満足されている場合にのみ偏差量
の演算を行っている。つまり、膜厚組み合わせ条件が満
足されない場合(つまり、膜厚の組み合わせが明らかに
妥当でない場合)には、偏差量の計算を省略するように
しているので、計算時間を短縮することができる。ただ
し、膜厚組み合わせ条件の設定(ステップS6,S8)
および膜厚組み合わせ条件が満足されているか否かの判
別(ステップS205)は必須というものではない。
膜厚の組み合わせを求めているが、この実施例では、そ
の組み合わせに非線形最適化法を適用している(ステッ
プS12)ので、各透光膜の膜厚をより正確に求めるこ
とができる。それに加え、ステップS13の処理を実行
して、さらに膜厚の測定精度を向上させることができ
る。ただし、これらステップS12,S13の処理は必
須というものではない。
光スペクトルのエネルギーと、キャリブレーションウエ
ハ(シリコン基板)からの分光スペクトルのエネルギー
との比、つまり分光反射比率を求めているが、分光反射
率を用いてもよい。
所定の観測波長域の光を照射し、分光反射率を実測し
て、干渉波形を求めた後、その干渉波形からピーク・ヴ
ァレイの総数を求め、さらにピーク・ヴァレイ数,前記
観測波長域内の短波長側の第1の波長および長波長側の
第2の波長に基づき、各透光膜のとりうる膜厚範囲を特
定しているので、膜厚測定に先立って、膜厚範囲を入力
する必要がなく、しかも全体の計算ステップが少なくな
り、計算時間を大幅に短縮することができる。また、透
光膜の数に関係なく、所定の膜厚測定処理により、各透
光膜の膜厚を測定することができる。
ーク・ヴァレイの総数を求め、ピーク・ヴァレイ数が2
以上であるか、2未満であるかが判別し、その判別結果
に応じて、各透光膜のとりうる膜厚範囲を求めているの
で、膜厚範囲をより正確に特定することができ、膜厚計
算の信頼性の向上を図ることができる。
の膜厚組み合わせ条件を求め、膜厚設定値での理論分光
反射率と実測分光反射率との偏差量を演算するのに先立
って、各透光膜が前記膜厚設定値であると仮定したとき
に前記第1および第2の膜厚組み合わせ条件が満足され
ているか否かを判別し、前記第1および第2の膜厚組み
合わせ条件が満足されている場合にのみ偏差量の演をが
行うようにしているので、膜厚組み合わせ条件が満足さ
れない場合(つまり、膜厚の組み合わせが明らかに妥当
でない場合)には、偏差量の計算が省略され、計算時間
をさらに短縮することができる。
た膜厚に対し、非線形最適化法を適用しているので、各
透光膜の膜厚をより正確に求めることができる。
厚測定装置を示す図である。
すフローチャートである。
すフローチャートである。
ーチャートである。
ための計算ステップを示すフローチャートである。
Claims (4)
- 【請求項1】 基板上に少なくとも1つ以上の透光膜が
積層形成された被測定試料の前記透光膜の膜厚を求める
膜厚測定方法であって、 (a) 前記基板上に形成された透光膜の数および各透光層
の光学定数を入力する工程と、 (b) 前記被測定試料に所定の観測波長域の光を照射し、
分光反射率を実測して、干渉波形を求める工程と、 (c) 前記干渉波形からピーク・ヴァレイの総数を求め、
ピーク・ヴァレイ数,前記観測波長域内の短波長側の第
1の波長および長波長側の第2の波長に基づき、各透光
膜のとりうる膜厚範囲を特定する工程と、 (d) 前記膜厚範囲内で、各透光膜の膜厚設定値を一定の
膜厚ピッチで変化させながら、各透光膜の膜厚が前記膜
厚設定値であると仮定したときの理論分光反射率と前記
実測分光反射率との偏差量を演算し、その偏差量が最小
となる膜厚の組み合わせを求める工程と、を備えたこと
を特徴とする膜厚測定方法。 - 【請求項2】 前記(c) 工程が、 (c-1) 前記干渉波形からピーク・ヴァレイの個数を求め
る工程と、 (c-2) 前記ピーク・ヴァレイ数が2以上であるか、2未
満であるかを判別する工程と、 (c-3) 前記ピーク・ヴァレイ数が2以上であるとき、前
記干渉波形から短波長側のピーク・ヴァレイに関連する
波長を前記第1の波長として求める一方、長波長側のピ
ーク・ヴァレイに関連する波長を前記第2の波長として
求め、前記ピーク・ヴァレイ数,前記第1および第2の
波長に基づき各透光膜のとりうる膜厚範囲を特定する工
程と、 (c-4) 前記ピーク・ヴァレイ数が2未満であるとき、前
記観測波長域の最短波長側および最長波長側の波長と、
各透光膜の前記光学定数とから、前記観測波長域で観測
され得るピーク・ヴァレイ概算値を前記ピーク・ヴァレ
イ数として演算し、前記観測波長域の最短波長側の波長
を前記第1の波長とする一方、最長波長側の波長を前記
第2の波長とし、前記ピーク・ヴァレイ概算値,前記第
1および第2の波長に基づき各透光膜のとりうる膜厚範
囲を特定する工程と、を備えた請求項1記載の膜厚測定
方法。 - 【請求項3】 前記(c-3) 工程は、前記第1および第2
の波長および前記(c-1) 工程で求められたピーク・ヴァ
レイ数に基づき各透光膜の光学的厚さの総和を求め、そ
の総和を中心値として一定の割合の範囲を第1の膜厚組
み合わせ条件とする工程を含み、 前記(c-4) 工程は、前記ピーク・ヴァレイ概算値を中心
値として一定の割合の範囲を第2の膜厚組み合わせ条件
とする工程を含み、 前記(d) 工程は、前記膜厚設定値での理論分光反射率と
前記実測分光反射率との偏差量を演算するのに先立っ
て、各透光膜の膜厚が前記膜厚設定値であると仮定した
ときに前記第1および第2の膜厚組み合わせ条件が満足
されているか否かを判別する工程を含み、前記第1およ
び第2の膜厚組み合わせ条件が満足されている場合にの
み偏差量の演算を行う請求項2記載の膜厚測定方法。 - 【請求項4】 前記(d) 工程に先立って、前記膜厚設定
値の変化により前記干渉波形でのピーク・ヴァレイの個
数が1個変化するのに十分な膜厚変化量よりも小さくな
るように、各透光膜ごとに前記膜厚ピッチを設定する工
程と、 前記(d) 工程で求めた膜厚に対し、非線形最適化法を適
用して、各透光膜の膜厚を求める工程と、をさらに備え
た請求項3記載の膜厚測定方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5257853A JP2866559B2 (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 膜厚測定方法 |
DE69414950T DE69414950T2 (de) | 1993-09-20 | 1994-09-07 | Dünnschichtdickenmessverfahren |
EP94114058A EP0644399B1 (en) | 1993-09-20 | 1994-09-07 | A method of measuring film thicknesses |
KR1019940022816A KR100227225B1 (ko) | 1993-09-20 | 1994-09-10 | 막두께 측정방법 |
US08/309,164 US5493401A (en) | 1993-09-20 | 1994-09-20 | Method of measuring film thicknesses |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5257853A JP2866559B2 (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 膜厚測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0791921A JPH0791921A (ja) | 1995-04-07 |
JP2866559B2 true JP2866559B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=17312077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5257853A Expired - Lifetime JP2866559B2 (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 膜厚測定方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5493401A (ja) |
EP (1) | EP0644399B1 (ja) |
JP (1) | JP2866559B2 (ja) |
KR (1) | KR100227225B1 (ja) |
DE (1) | DE69414950T2 (ja) |
Families Citing this family (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2301884A (en) * | 1995-06-06 | 1996-12-18 | Holtronic Technologies Ltd | Characterising multilayer thin film systems by interferometry |
US5772861A (en) * | 1995-10-16 | 1998-06-30 | Viratec Thin Films, Inc. | System for evaluating thin film coatings |
DE19545249A1 (de) * | 1995-11-23 | 1997-05-28 | Wissenschaftlich Tech Optikzen | Verfahren, Vorrichtung sowie deren Verwendung für die Bestimmung der Dicke transparenter Schichten |
US5864633A (en) * | 1996-05-17 | 1999-01-26 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for optical data analysis |
US5883720A (en) * | 1996-06-26 | 1999-03-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of measuring a film thickness of multilayer thin film |
JP3764794B2 (ja) * | 1997-03-06 | 2006-04-12 | 松下電器産業株式会社 | 多層薄膜の膜厚測定方法と光学情報記録媒体の製造方法及び製造装置 |
GB9616853D0 (en) * | 1996-08-10 | 1996-09-25 | Vorgem Limited | An improved thickness monitor |
US6366861B1 (en) * | 1997-04-25 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Method of determining a wafer characteristic using a film thickness monitor |
US6038525A (en) * | 1997-04-30 | 2000-03-14 | Southwest Research Institute | Process control for pulsed laser deposition using raman spectroscopy |
US6453264B1 (en) | 1997-04-30 | 2002-09-17 | Southwest Research Institute | Surface flaw detection using spatial raman-based imaging |
JPH11325840A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | メタル残膜判定方法およびメタル残膜判定装置 |
US6172756B1 (en) | 1998-12-11 | 2001-01-09 | Filmetrics, Inc. | Rapid and accurate end point detection in a noisy environment |
US6204922B1 (en) | 1998-12-11 | 2001-03-20 | Filmetrics, Inc. | Rapid and accurate thin film measurement of individual layers in a multi-layered or patterned sample |
US6392756B1 (en) * | 1999-06-18 | 2002-05-21 | N&K Technology, Inc. | Method and apparatus for optically determining physical parameters of thin films deposited on a complex substrate |
EP1098166B1 (en) * | 1999-11-08 | 2008-12-03 | Leica Microsystems CMS GmbH | Method and apparatus for thickness measurement on transparent films |
JP3782629B2 (ja) * | 1999-12-13 | 2006-06-07 | 株式会社荏原製作所 | 膜厚測定方法及び膜厚測定装置 |
US6532076B1 (en) * | 2000-04-04 | 2003-03-11 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for multidomain data analysis |
US7095511B2 (en) | 2000-07-06 | 2006-08-22 | Filmetrics, Inc. | Method and apparatus for high-speed thickness mapping of patterned thin films |
US6954275B2 (en) * | 2000-08-01 | 2005-10-11 | Boards Of Regents, The University Of Texas System | Methods for high-precision gap and orientation sensing between a transparent template and substrate for imprint lithography |
US6633391B1 (en) | 2000-11-07 | 2003-10-14 | Applied Materials, Inc | Monitoring of film characteristics during plasma-based semi-conductor processing using optical emission spectroscopy |
US6603538B1 (en) | 2000-11-21 | 2003-08-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus employing optical emission spectroscopy to detect a fault in process conditions of a semiconductor processing system |
US6570650B1 (en) * | 2001-06-21 | 2003-05-27 | Kla-Tenor Corporation | Apparatus and methods for reducing thin film color variation in optical inspection of semiconductor devices and other surfaces |
WO2003025497A1 (en) * | 2001-09-21 | 2003-03-27 | Kmac | Apparatus for measuring thickness profile and refractive index distribution of multiple layers of thin films by means of two-dimensional reflectometry and method of measuring the same |
DE10204943B4 (de) * | 2002-02-07 | 2005-04-21 | Leica Microsystems Jena Gmbh | Verfahren zur Bestimmung von Schichtdicken |
DE10227376B4 (de) * | 2002-06-20 | 2005-03-31 | Leica Microsystems Jena Gmbh | Verfahren zur Bestimmung von Schichtdickenbereichen |
US8349241B2 (en) * | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
US20080246951A1 (en) * | 2007-04-09 | 2008-10-09 | Phillip Walsh | Method and system for using reflectometry below deep ultra-violet (DUV) wavelengths for measuring properties of diffracting or scattering structures on substrate work-pieces |
US7126131B2 (en) * | 2003-01-16 | 2006-10-24 | Metrosol, Inc. | Broad band referencing reflectometer |
US8564780B2 (en) * | 2003-01-16 | 2013-10-22 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Method and system for using reflectometry below deep ultra-violet (DUV) wavelengths for measuring properties of diffracting or scattering structures on substrate work pieces |
KR100947228B1 (ko) * | 2003-06-20 | 2010-03-11 | 엘지전자 주식회사 | 광디스크의 두께 측정 방법 |
US7088456B2 (en) * | 2004-04-24 | 2006-08-08 | Honeywell International Inc. | Thin film thickness measurement using multichannel infrared sensor |
US7785526B2 (en) * | 2004-07-20 | 2010-08-31 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint alignment method, system, and template |
US7663097B2 (en) * | 2004-08-11 | 2010-02-16 | Metrosol, Inc. | Method and apparatus for accurate calibration of a reflectometer by using a relative reflectance measurement |
US7804059B2 (en) * | 2004-08-11 | 2010-09-28 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Method and apparatus for accurate calibration of VUV reflectometer |
US7282703B2 (en) * | 2004-08-11 | 2007-10-16 | Metrosol, Inc. | Method and apparatus for accurate calibration of a reflectometer by using a relative reflectance measurement |
US7511265B2 (en) * | 2004-08-11 | 2009-03-31 | Metrosol, Inc. | Method and apparatus for accurate calibration of a reflectometer by using a relative reflectance measurement |
US7399975B2 (en) * | 2004-08-11 | 2008-07-15 | Metrosol, Inc. | Method and apparatus for performing highly accurate thin film measurements |
ATE374924T1 (de) | 2004-09-07 | 2007-10-15 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Verfahren zur bestimmung von physikalischen eigenschaften einer optischen schicht oder eines schichtsystems |
US7630067B2 (en) | 2004-11-30 | 2009-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices |
US20070231421A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Enhanced Multi Channel Alignment |
CN1330926C (zh) * | 2004-11-30 | 2007-08-08 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 用衍射仪测量等周期多层膜膜厚随机变化量的方法 |
DE102005050432A1 (de) * | 2005-10-21 | 2007-05-03 | Rap.Id Particle Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Charakterisierung von Gleitmittel und Hydrophobierungsfilmen in pharmazeutischen Behältnissen bezüglich Dicke und Homogenität |
US20080129986A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Phillip Walsh | Method and apparatus for optically measuring periodic structures using orthogonal azimuthal sample orientations |
JP5172203B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2013-03-27 | 大塚電子株式会社 | 光学特性測定装置および測定方法 |
US20090219537A1 (en) | 2008-02-28 | 2009-09-03 | Phillip Walsh | Method and apparatus for using multiple relative reflectance measurements to determine properties of a sample using vacuum ultra violet wavelengths |
JP5472675B2 (ja) * | 2009-02-03 | 2014-04-16 | アイシン精機株式会社 | 非接触膜厚測定装置 |
US8153987B2 (en) * | 2009-05-22 | 2012-04-10 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Automated calibration methodology for VUV metrology system |
JP4911437B2 (ja) * | 2009-10-30 | 2012-04-04 | 横河電機株式会社 | 多層膜の膜厚測定装置 |
US8867041B2 (en) | 2011-01-18 | 2014-10-21 | Jordan Valley Semiconductor Ltd | Optical vacuum ultra-violet wavelength nanoimprint metrology |
US8565379B2 (en) | 2011-03-14 | 2013-10-22 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Combining X-ray and VUV analysis of thin film layers |
KR101423122B1 (ko) * | 2012-02-17 | 2014-07-25 | 주식회사 미르기술 | 반투명 형광체를 포함하는 엘이디 부품의 검사장치 및 검사방법 |
US9927366B2 (en) | 2015-03-24 | 2018-03-27 | Honeywell Limited | Spectroscopic sensor for thickness or weight measurement of thin plastic films |
WO2017020943A1 (en) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | Hewlett-Packard Indigo B.V. | Calculation of layer thickness |
JP6487579B1 (ja) * | 2018-01-09 | 2019-03-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 膜厚計測装置、膜厚計測方法、膜厚計測プログラム、及び膜厚計測プログラムを記録する記録媒体 |
CN113137930B (zh) * | 2021-04-25 | 2022-02-01 | 西南石油大学 | 一种泡沫液膜薄化的可视化与定量测定方法 |
CN117928400B (zh) * | 2024-03-25 | 2024-06-04 | 北京特思迪半导体设备有限公司 | 液体膜厚度测量、减薄厚度确定和控制方法及设备 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59168310A (ja) * | 1983-03-02 | 1984-09-22 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 薄膜の厚みを測定する方法及び装置 |
JPS6176904A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Oak Seisakusho:Kk | 膜厚測定方法 |
JPH0731050B2 (ja) * | 1988-12-29 | 1995-04-10 | オリンパス光学工業株式会社 | 光学式膜厚測定装置 |
JP2637820B2 (ja) * | 1989-03-27 | 1997-08-06 | オリンパス光学工業株式会社 | 光学式膜厚測定装置 |
JP2883192B2 (ja) * | 1990-11-05 | 1999-04-19 | オリンパス光学工業株式会社 | 光学式膜厚測定装置 |
JP2840181B2 (ja) * | 1993-08-20 | 1998-12-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 多層膜試料の膜厚測定方法 |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP5257853A patent/JP2866559B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-09-07 DE DE69414950T patent/DE69414950T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-07 EP EP94114058A patent/EP0644399B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-10 KR KR1019940022816A patent/KR100227225B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-09-20 US US08/309,164 patent/US5493401A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69414950D1 (de) | 1999-01-14 |
EP0644399A2 (en) | 1995-03-22 |
KR950009219A (ko) | 1995-04-21 |
KR100227225B1 (ko) | 1999-12-01 |
EP0644399B1 (en) | 1998-12-02 |
DE69414950T2 (de) | 1999-08-12 |
EP0644399A3 (en) | 1996-10-16 |
US5493401A (en) | 1996-02-20 |
JPH0791921A (ja) | 1995-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2866559B2 (ja) | 膜厚測定方法 | |
JP2840181B2 (ja) | 多層膜試料の膜厚測定方法 | |
US5101111A (en) | Method of measuring thickness of film with a reference sample having a known reflectance | |
US5045704A (en) | Method for determining absolute reflectance of a material in the ultraviolet range | |
US10365163B2 (en) | Optical critical dimension metrology | |
US8947673B2 (en) | Estimating thickness based on number of peaks between two peaks in scanning white light interferometry | |
KR930010908B1 (ko) | 막두께 측정방법 및 장치 | |
JP2637820B2 (ja) | 光学式膜厚測定装置 | |
TW200532164A (en) | Film thickness measuring method and apparatus | |
US5526117A (en) | Method for the determination of characteristic values of transparent layers with the aid of ellipsometry | |
JPH0352885B2 (ja) | ||
WO2019138614A1 (ja) | 膜厚計測装置、膜厚計測方法、膜厚計測プログラム、及び膜厚計測プログラムを記録する記録媒体 | |
US20040105101A1 (en) | Method of and apparatus for measuring thickness of thin film or thin layer | |
US6826511B2 (en) | Method and apparatus for the determination of layer thicknesses | |
US20040027580A1 (en) | Method for automatic determination of optical parameters of a layer stack and computer program | |
TW202146841A (zh) | 光學測量系統、多層膜製造裝置、以及光學測量方法 | |
JPH10122824A (ja) | 膜厚測定方法 | |
Meng et al. | The adoption of machine learning in the measurement of copper contact on the main chip in advanced 3D NAND technology nodes | |
JPH0654217B2 (ja) | 干渉膜厚測定方法 | |
JPS61246607A (ja) | 膜厚測定方法 | |
JPH1194525A (ja) | 膜厚測定方法及び膜厚測定装置 | |
JP2850660B2 (ja) | 膜厚測定方法 | |
JPH0346502A (ja) | 膜厚測定方法 | |
JPH0771923A (ja) | 膜厚測定方法 | |
JP2001133227A (ja) | 膜厚測定装置及び膜厚測定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071218 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081218 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081218 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091218 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091218 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091218 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101218 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101218 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111218 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111218 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131218 Year of fee payment: 15 |