JPH0352885B2 - - Google Patents
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- JPH0352885B2 JPH0352885B2 JP60059162A JP5916285A JPH0352885B2 JP H0352885 B2 JPH0352885 B2 JP H0352885B2 JP 60059162 A JP60059162 A JP 60059162A JP 5916285 A JP5916285 A JP 5916285A JP H0352885 B2 JPH0352885 B2 JP H0352885B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
<産業上の利用分野>
この発明は膜厚測定装置に関し、さらに詳しく
は、例えば集積回路(以下単にICと称する)製
作用のフオトマスク基板やウエハの上に形成され
た透明な薄膜の膜厚を測定するのに用いられる膜
厚測定装置に関する。
は、例えば集積回路(以下単にICと称する)製
作用のフオトマスク基板やウエハの上に形成され
た透明な薄膜の膜厚を測定するのに用いられる膜
厚測定装置に関する。
<従来技術>
マスクやウエハ等の基板上に形成される、例え
ばフオトレジスト膜や、シリコン酸化膜等は、一
般に極めて薄い透明な膜で形成され、この膜厚は
およそ400Åないし30000Åであり、この薄膜に露
光、現像、エツチング等、所定の処理を施こして
得られるICパターンの線幅はおよそ、0.3μmない
し100μm程度である。
ばフオトレジスト膜や、シリコン酸化膜等は、一
般に極めて薄い透明な膜で形成され、この膜厚は
およそ400Åないし30000Åであり、この薄膜に露
光、現像、エツチング等、所定の処理を施こして
得られるICパターンの線幅はおよそ、0.3μmない
し100μm程度である。
この膜厚及びパターンの線幅が規定された通り
に製造されているか否かによつてICの良否が決
せられる。
に製造されているか否かによつてICの良否が決
せられる。
従つて、ICの製造管理上、この膜厚を高い再
現精度をもつて測定することができる膜厚測定装
置が要請されている。
現精度をもつて測定することができる膜厚測定装
置が要請されている。
ところで、上記のような透明な薄膜の膜厚測定
においては、あらかじめ、膜厚の値が既知である
多数の標準試料の分光反射スペクトルを測定し
て、これらの測定値をマイクロコンピユータ等の
信号処理装置内の記憶部に記憶しておき、次いで
被測定試料の分光反射スペクトルを測定し、標準
試料とのスペクトル光強度の比をもつて、当該被
測定試料の膜厚を求めるという手法が一般に用い
られる。
においては、あらかじめ、膜厚の値が既知である
多数の標準試料の分光反射スペクトルを測定し
て、これらの測定値をマイクロコンピユータ等の
信号処理装置内の記憶部に記憶しておき、次いで
被測定試料の分光反射スペクトルを測定し、標準
試料とのスペクトル光強度の比をもつて、当該被
測定試料の膜厚を求めるという手法が一般に用い
られる。
このような膜厚測定装置としては、従来より第
7図に示すものが知られている。この図におい
て、符号1は顕微鏡、2は試料台3にセツトされ
た被測定試料、4は対物レンズ、5は対物レンズ
4を介して被測定試料2を照射する白色光源、6
は当該試料2の表面の観察及び焦点調整のための
接眼レンズ、7は試料2からの反射光を通過させ
る入射アパーチヤ、8は反射光の分光スペクトル
を発生する凹面回折格子、9はステツピングモー
タ10により、凹面回折格子8を矢印A方向へ回
動させて所定の波長範囲(例えば、400〜800n
m)を掃引する掃引装置、9aは波長カウンタ、
11はスリツト、12は光電子増倍管、13は増
幅器を内蔵した電流−電圧変換器、14はステツ
ピングモータ10を駆動制御し、かつ電流−電圧
変換器13からの光強度信号Kを受けて、この信
号Kを統計演算処理し、膜厚を演算して結果を必
要に応じて、表示装置(CRT)15aあるいは
プリンタ15bの出力装置15に出力するマイク
ロコンピユータ、14aはコンピユータ14の操
作キイである。
7図に示すものが知られている。この図におい
て、符号1は顕微鏡、2は試料台3にセツトされ
た被測定試料、4は対物レンズ、5は対物レンズ
4を介して被測定試料2を照射する白色光源、6
は当該試料2の表面の観察及び焦点調整のための
接眼レンズ、7は試料2からの反射光を通過させ
る入射アパーチヤ、8は反射光の分光スペクトル
を発生する凹面回折格子、9はステツピングモー
タ10により、凹面回折格子8を矢印A方向へ回
動させて所定の波長範囲(例えば、400〜800n
m)を掃引する掃引装置、9aは波長カウンタ、
11はスリツト、12は光電子増倍管、13は増
幅器を内蔵した電流−電圧変換器、14はステツ
ピングモータ10を駆動制御し、かつ電流−電圧
変換器13からの光強度信号Kを受けて、この信
号Kを統計演算処理し、膜厚を演算して結果を必
要に応じて、表示装置(CRT)15aあるいは
プリンタ15bの出力装置15に出力するマイク
ロコンピユータ、14aはコンピユータ14の操
作キイである。
この膜厚測定装置は次のようにして膜厚を測定
することができる。
することができる。
被測定試料2を顕微鏡1の試料台3に載置して
接眼レンズ6を見ながら、第6図のように当該被
測定試料2の被測定点Pに標線の交点を位置合せ
し、測定装置をスタートさせる。
接眼レンズ6を見ながら、第6図のように当該被
測定試料2の被測定点Pに標線の交点を位置合せ
し、測定装置をスタートさせる。
当該試料2からの反射光は、顕微鏡1の前記光
学系を介して凹面回折格子8に入射される。この
凹面回折格子はステツピングモータ10で作動す
る前記掃引装置9によつて回動されつつ、例えば
400nmないし800nmの光波長に対応する分光ス
ペクトルを発生する。この分光スペクトルはスリ
ツト11を介して、固定された光電子増倍管12
に入射し、凹面回折格子8の掃引作動と同期し
て、時系列的に分光スペクトル信号Iを発生す
る。次いで電流−電圧変換器13によつて増幅さ
れた分光反射スペクトルに対応する光強度信号K
を得る。
学系を介して凹面回折格子8に入射される。この
凹面回折格子はステツピングモータ10で作動す
る前記掃引装置9によつて回動されつつ、例えば
400nmないし800nmの光波長に対応する分光ス
ペクトルを発生する。この分光スペクトルはスリ
ツト11を介して、固定された光電子増倍管12
に入射し、凹面回折格子8の掃引作動と同期し
て、時系列的に分光スペクトル信号Iを発生す
る。次いで電流−電圧変換器13によつて増幅さ
れた分光反射スペクトルに対応する光強度信号K
を得る。
この光強度信号Kは更にマイクロコンピユータ
14によつて後述する如き、所要の演算処理がな
され、膜厚が演算され、その結果は出力装置15
で表示あるいは印字される。
14によつて後述する如き、所要の演算処理がな
され、膜厚が演算され、その結果は出力装置15
で表示あるいは印字される。
なお、被測定試料2の測定に先立つて、あらか
じめ膜厚のわかつている多数の標準試料の分光反
射スペクトル強度の測定がなされ、そのデータが
マイクロコンピユータ14に入力されていること
は前述の通りである。
じめ膜厚のわかつている多数の標準試料の分光反
射スペクトル強度の測定がなされ、そのデータが
マイクロコンピユータ14に入力されていること
は前述の通りである。
<発明が解決しようとする問題点>
しかるに、凹面回折格子を掃引作動させて、こ
の掃引作動と同期して光電子増倍管から時系列的
に分光スペクトル信号を取り出す従来技術におい
ては、掃引作動中に順次分光スペクトル信号を出
力するものであるため測定時間の短縮には限度が
あり、殊に測定精度を向上させるために複数回掃
引させて測定データを多く得る場合にはなおさら
である。
の掃引作動と同期して光電子増倍管から時系列的
に分光スペクトル信号を取り出す従来技術におい
ては、掃引作動中に順次分光スペクトル信号を出
力するものであるため測定時間の短縮には限度が
あり、殊に測定精度を向上させるために複数回掃
引させて測定データを多く得る場合にはなおさら
である。
その上掃引作動中に、照射用光源の輝度の変
化、機械振動に伴なう当該光源の光量変動等より
成る外乱変動の影響を受け易く、測定精度をさら
に向上させる場合の妨げとなつていた。
化、機械振動に伴なう当該光源の光量変動等より
成る外乱変動の影響を受け易く、測定精度をさら
に向上させる場合の妨げとなつていた。
本発明は、このような難点を解消した膜厚測定
装置を提供することをその目的とする。
装置を提供することをその目的とする。
<問題点を解決するための手段>
本発明は上記目的を達成するために、次のよう
に構成したものである。
に構成したものである。
すなわち、試料に白色光を照射し、その反射光
を拡大光学系を介して固定の回折格子に投影し、
分光反射スペクトルを得、そのスペクトルを光電
変換し、光電変換された信号をA/D変換手段に
よりデジタル信号に変換し、さらにデジタル変換
した信号をマイクロコンピユータ等の信号処理装
置で演算処理して膜厚を得るようにした膜厚測定
装置において、光電変換手段を、複数の光電変換
素子が1次元配列された1次元イメージセンサア
レイで構成するとともに、この各光電変換素子が
有するそれぞれ固有の感度情報を予め記憶する感
度情報記憶手段と、この感度情報記憶手段からの
感度情報に基づき、それぞれ対応する前記A/D
変換手段からのデジタル信号を補正するスペクト
ル補正手段とを設けたものである。
を拡大光学系を介して固定の回折格子に投影し、
分光反射スペクトルを得、そのスペクトルを光電
変換し、光電変換された信号をA/D変換手段に
よりデジタル信号に変換し、さらにデジタル変換
した信号をマイクロコンピユータ等の信号処理装
置で演算処理して膜厚を得るようにした膜厚測定
装置において、光電変換手段を、複数の光電変換
素子が1次元配列された1次元イメージセンサア
レイで構成するとともに、この各光電変換素子が
有するそれぞれ固有の感度情報を予め記憶する感
度情報記憶手段と、この感度情報記憶手段からの
感度情報に基づき、それぞれ対応する前記A/D
変換手段からのデジタル信号を補正するスペクト
ル補正手段とを設けたものである。
<作用>
複数の光電変換素子からなる1次元イメージセ
ンサアレイにより、回折格子で分光された分光ス
ペクトルから一瞬にして所定波長範囲のスペクト
ル信号を得ることができる。
ンサアレイにより、回折格子で分光された分光ス
ペクトルから一瞬にして所定波長範囲のスペクト
ル信号を得ることができる。
しかも、各光電変換素子の間に感度のバラツキ
があつても、各素子から出力されるスペクトル信
号はスペクトル補正手段により各光電変換素子間
の感度のバラツキが補正されるので、正確な信号
値としてこれを得ることができる。
があつても、各素子から出力されるスペクトル信
号はスペクトル補正手段により各光電変換素子間
の感度のバラツキが補正されるので、正確な信号
値としてこれを得ることができる。
<実施例>
本発明は、光電子増倍管に代えて1次元イメー
ジセンサアレイを使用しても、光電子増倍管に劣
らない十分なダイナミツクレンジ及び十分なS/
N比を確保し得る方法を見出してそれを膜厚測定
装置に適用することによりなされたもので、以
下、本発明に係る実施例を示す図面に基づいて説
明する。
ジセンサアレイを使用しても、光電子増倍管に劣
らない十分なダイナミツクレンジ及び十分なS/
N比を確保し得る方法を見出してそれを膜厚測定
装置に適用することによりなされたもので、以
下、本発明に係る実施例を示す図面に基づいて説
明する。
第1図は本発明に係る膜厚測定装置の構成の1
実施例を示すブロツク図であり、第7図で説明し
た符号と同一の符号は同一部材を示すものとす
る。
実施例を示すブロツク図であり、第7図で説明し
た符号と同一の符号は同一部材を示すものとす
る。
第1図において、符号8は顕微鏡1の結像面に
配置したアパーチヤー7を通つて来た試料2から
の反射光を、分光スペクトルとして平面状に結像
させる凹面回折格子で例えばフラツトフイールド
型のホログラフイツク回折格子を用いることもで
きる。
配置したアパーチヤー7を通つて来た試料2から
の反射光を、分光スペクトルとして平面状に結像
させる凹面回折格子で例えばフラツトフイールド
型のホログラフイツク回折格子を用いることもで
きる。
符号16は、凹面回折格子8の分光スペクトル
結像面に所定のピツチで多数配列されたCCD
(Charge Cupled Device)より成る1次元イメ
ージセンサアレイ、17は1次元イメージセンサ
アレイ16によつて光電変換され、並列的に出力
された画像信号Iを増幅して時系列的に出力させ
るP/S変換回路、18は例えば10ビツトの分解
能を有するA/D変換器、19はタイミングパル
ス発生回路であり、P/S変換回路17・A/D
変換器18及び後述するマイクロコンピユータ等
の信号処理装置20のアドレス指定手段21に対
するタイミングパルス信号を出力する。
結像面に所定のピツチで多数配列されたCCD
(Charge Cupled Device)より成る1次元イメ
ージセンサアレイ、17は1次元イメージセンサ
アレイ16によつて光電変換され、並列的に出力
された画像信号Iを増幅して時系列的に出力させ
るP/S変換回路、18は例えば10ビツトの分解
能を有するA/D変換器、19はタイミングパル
ス発生回路であり、P/S変換回路17・A/D
変換器18及び後述するマイクロコンピユータ等
の信号処理装置20のアドレス指定手段21に対
するタイミングパルス信号を出力する。
上記1次元イメージセンサアレイ16は、例え
ば1素子の大きさが15μm×15μm程度のものを
直線状に2048個配列して構成され、この場合には
凹面回折格子8によつて分光されたスペクトルの
波長400nmないし800nmについて1度に光電変
換して出力させることができる。
ば1素子の大きさが15μm×15μm程度のものを
直線状に2048個配列して構成され、この場合には
凹面回折格子8によつて分光されたスペクトルの
波長400nmないし800nmについて1度に光電変
換して出力させることができる。
なお、かかる1次元イメージセンサアレイ16
はCCDに代えてPDA(Photo Diode Array)を
用いることもできる。
はCCDに代えてPDA(Photo Diode Array)を
用いることもできる。
A/D変換器18として210の分解能を有する
ものを使用した場合には、P/S変換回路17に
より増幅されて時系列的に出力された信号Jは、
1024階調の信号レベルのデジタル信号Kに変換さ
れる。
ものを使用した場合には、P/S変換回路17に
より増幅されて時系列的に出力された信号Jは、
1024階調の信号レベルのデジタル信号Kに変換さ
れる。
なお、実験によると、A/D変換器18に212
の分解能のものを使用して、4096階調までの信号
レベルについても、その再現性を確保できること
が判明した。次に、デジタル信号Kは、信号処理
装置20の内部メモリ(記憶部)22のスペクト
ル情報記憶部22aにアドレス指定手段21を介
して、例えば上記2048素子のイメージセンサアレ
イを用いる場合2048個の異なるアドレスに記憶さ
れる。
の分解能のものを使用して、4096階調までの信号
レベルについても、その再現性を確保できること
が判明した。次に、デジタル信号Kは、信号処理
装置20の内部メモリ(記憶部)22のスペクト
ル情報記憶部22aにアドレス指定手段21を介
して、例えば上記2048素子のイメージセンサアレ
イを用いる場合2048個の異なるアドレスに記憶さ
れる。
この信号処理装置20は中央制御部(以下単に
CPUと称する)23と、アドレス指定手段21
と、感度情報、スペクトル情報等の情報を記憶す
る記憶部22と、スペクトル情報補正手段24
と、平均化処理手段25と標準試料、データとの
比較手段26と、膜厚演算手段27とから構成さ
れ、第2図に示すフローチヤートに基づいて薄膜
の膜厚を出力装置15に出力するように構成され
ている。
CPUと称する)23と、アドレス指定手段21
と、感度情報、スペクトル情報等の情報を記憶す
る記憶部22と、スペクトル情報補正手段24
と、平均化処理手段25と標準試料、データとの
比較手段26と、膜厚演算手段27とから構成さ
れ、第2図に示すフローチヤートに基づいて薄膜
の膜厚を出力装置15に出力するように構成され
ている。
ところで、前記1次元イメージセンサアレイ1
6が光電変換した出力には、各素子の感度のバラ
ツキが最大±10%程度見込まれ、さらに各素子が
受光しない時にもわずかに暗電流を発生するた
め、測定精度を向上させるためにはスペクトル情
報記憶部22aに記憶された2048個のスペクトル
情報を補正して、真の値に近づける必要がある。
そこで、本発明に係る膜厚測定装置においては1
次元イメージセンサアレイ16の各素子固有の暗
電流の大きさDi(i=1〜2024)及び感度Si(i
=1〜2024)を、あらかじめ感度情報として感度
情報記憶部22bに記憶し、スペクトル情報記憶
部22aから読み出された各スペクトル情報Xi
(i=1〜2024)に対応させて感度情報Di、Siを
感度情報記憶部22bから読み出し、スペクトル
情報補正手段24で、 例えばXi−Di/Si−Diなる補正演算を行ない、スペクト ル情報たるデジタル信号Kの信号レベルを真の値
に近づけ、その補正されたスペクトル情報に平均
化処理・標準試料データとの比較処理等の統計処
理を行なつた上で、膜厚を演算するように構成さ
れている。
6が光電変換した出力には、各素子の感度のバラ
ツキが最大±10%程度見込まれ、さらに各素子が
受光しない時にもわずかに暗電流を発生するた
め、測定精度を向上させるためにはスペクトル情
報記憶部22aに記憶された2048個のスペクトル
情報を補正して、真の値に近づける必要がある。
そこで、本発明に係る膜厚測定装置においては1
次元イメージセンサアレイ16の各素子固有の暗
電流の大きさDi(i=1〜2024)及び感度Si(i
=1〜2024)を、あらかじめ感度情報として感度
情報記憶部22bに記憶し、スペクトル情報記憶
部22aから読み出された各スペクトル情報Xi
(i=1〜2024)に対応させて感度情報Di、Siを
感度情報記憶部22bから読み出し、スペクトル
情報補正手段24で、 例えばXi−Di/Si−Diなる補正演算を行ない、スペクト ル情報たるデジタル信号Kの信号レベルを真の値
に近づけ、その補正されたスペクトル情報に平均
化処理・標準試料データとの比較処理等の統計処
理を行なつた上で、膜厚を演算するように構成さ
れている。
かかる平均化処理は、デジタル画像処理分野等
においては、既に公知と思われるが、ここでは1
次元イメージセンサアレイを構成する各素子につ
いて、例えば域る素子を中心として想定される両
隣りの素子2個ずつ、計4個を加えた5個の素子
の出力平均を算出し、この算出平均値を当該素子
の出力値とする演算処理を行ない、かかる演算処
理を例えば3回繰返すことにより平均化処理を行
なつている。
においては、既に公知と思われるが、ここでは1
次元イメージセンサアレイを構成する各素子につ
いて、例えば域る素子を中心として想定される両
隣りの素子2個ずつ、計4個を加えた5個の素子
の出力平均を算出し、この算出平均値を当該素子
の出力値とする演算処理を行ない、かかる演算処
理を例えば3回繰返すことにより平均化処理を行
なつている。
かくのごとくして平均化処理されたスペクトル
情報は、次に比較手段26において所定の膜厚範
囲ごとに分類された標準試料データと比較され、
そのプロフイールが、例えば第4図にその1例を
示す如く、(a)単調増加の場合、(b)極小点が1個の
場合、(c)極大点が1個の場合、(d)極小点、極大点
が1個以上の場合とに判別される。しかる後、膜
厚演算手段27で前記各場合について、そのスペ
クトル情報に対応した膜厚が算出される。すなわ
ち、被測定試料のスペクトル情報のプロフイール
が第4図aのような場合、まず或る特定の波長
λAに対するスペクトル光量値RAを求め、該スペ
クトル光量値RAをあらかじめ記憶部22cに書
込まれた多数の標準試料のスペクトル光量値と比
較し、前記特定の波長λAに対するスペクトル光
量値RAと一致する標準試料を検索し、一致すれ
ばその標準試料の膜厚を当該被測定試料の膜厚と
する。一方、一致する標準試料がなく、近似した
標準試料しかない場合には、被測定試料と近似し
た標準試料とで補間演算を行ない、その膜厚を算
出する。
情報は、次に比較手段26において所定の膜厚範
囲ごとに分類された標準試料データと比較され、
そのプロフイールが、例えば第4図にその1例を
示す如く、(a)単調増加の場合、(b)極小点が1個の
場合、(c)極大点が1個の場合、(d)極小点、極大点
が1個以上の場合とに判別される。しかる後、膜
厚演算手段27で前記各場合について、そのスペ
クトル情報に対応した膜厚が算出される。すなわ
ち、被測定試料のスペクトル情報のプロフイール
が第4図aのような場合、まず或る特定の波長
λAに対するスペクトル光量値RAを求め、該スペ
クトル光量値RAをあらかじめ記憶部22cに書
込まれた多数の標準試料のスペクトル光量値と比
較し、前記特定の波長λAに対するスペクトル光
量値RAと一致する標準試料を検索し、一致すれ
ばその標準試料の膜厚を当該被測定試料の膜厚と
する。一方、一致する標準試料がなく、近似した
標準試料しかない場合には、被測定試料と近似し
た標準試料とで補間演算を行ない、その膜厚を算
出する。
なお、かかる手法は、測定器分野などにおい
て、「検量線方式」として多用されている。この
膜厚の算出方法は、第4図b,c,dの場合も同
様であり、この測定精度は、あらかじめ記憶部2
2cに書込まれる標準試料数を可能な限り多く、
かつ、各試料についてのデータ数を多くするとと
もに、比較すべきスペクトル光量値に対応する特
定波長の数を増加させることにより容易に向上さ
せることができる。
て、「検量線方式」として多用されている。この
膜厚の算出方法は、第4図b,c,dの場合も同
様であり、この測定精度は、あらかじめ記憶部2
2cに書込まれる標準試料数を可能な限り多く、
かつ、各試料についてのデータ数を多くするとと
もに、比較すべきスペクトル光量値に対応する特
定波長の数を増加させることにより容易に向上さ
せることができる。
なお、第3図は、第2図のフロートチヤートに
基づいてなされる信号処理の態様を模式的に示す
グラフであり、横軸は波長(nm)、縦軸は波長
に対応して時系列的に出力される信号の出力レベ
ルを示す。
基づいてなされる信号処理の態様を模式的に示す
グラフであり、横軸は波長(nm)、縦軸は波長
に対応して時系列的に出力される信号の出力レベ
ルを示す。
以下、第1図ないし第3図により、本実施例に
係る膜厚測定装置の機能を説明する。
係る膜厚測定装置の機能を説明する。
まず、信号処理装置20のキイ14aを操作し
て本発明に係る膜厚測定装置をスタートさせる
と、1次元イメージセンサアレイ16の各素子
は、あらかじめ設定された積分時間tの間、同時
に凹面回折格子8からの分光スペクトル光量を蓄
積する。
て本発明に係る膜厚測定装置をスタートさせる
と、1次元イメージセンサアレイ16の各素子
は、あらかじめ設定された積分時間tの間、同時
に凹面回折格子8からの分光スペクトル光量を蓄
積する。
次いで、P/S変換回路17及びA/D変換器
18を介して第3図Aに示すような信号レベルの
スペクトル情報Kが記憶部22のスペクトル情報
記憶部22aに記憶される。
18を介して第3図Aに示すような信号レベルの
スペクトル情報Kが記憶部22のスペクトル情報
記憶部22aに記憶される。
このスペクトル情報Kは前記のようにしてスペ
クトル情報補正手段24によつて真の値に近づけ
られ、第3図Bに示すような信号レベルに補正さ
れる。そして、平均比処理手段25によつて、第
3図Cに示すような滑らかな信号レベルに平均化
される。
クトル情報補正手段24によつて真の値に近づけ
られ、第3図Bに示すような信号レベルに補正さ
れる。そして、平均比処理手段25によつて、第
3図Cに示すような滑らかな信号レベルに平均化
される。
なお、第5図は第3図Cを拡大して示したもの
であり、例えば膜厚3392ÅのSiO2試料の分光反
射スペクトルをプリンター等の出力装置15で出
力したものに当相する。
であり、例えば膜厚3392ÅのSiO2試料の分光反
射スペクトルをプリンター等の出力装置15で出
力したものに当相する。
このようにして平均化処理されたスペクトル情
報は、一旦記憶部22cへ記憶されるが、あらか
じめ当該記憶部22cへ記憶されている標準試料
のデータとともに、比較手段26で比較され、次
いで膜厚演算手段27で膜厚が求められ、その結
果を、必要に応じて第5図に示す如きグラフとと
もにCRT又はプリンタよりなる出力装置15へ
出力される。
報は、一旦記憶部22cへ記憶されるが、あらか
じめ当該記憶部22cへ記憶されている標準試料
のデータとともに、比較手段26で比較され、次
いで膜厚演算手段27で膜厚が求められ、その結
果を、必要に応じて第5図に示す如きグラフとと
もにCRT又はプリンタよりなる出力装置15へ
出力される。
なお、第1図において符号5aは半導体レーザ
光源、5bはその半導体レーザ光源による単色光
で試料2を照射した反射光を光電変換するための
光電変換手段であり、特に300Å以下の薄膜の測
定精度を向上させたい場合に適用することができ
るように、前記膜厚測定装置に併設され、白色光
源5と切換えて使用することができるように構成
されている。
光源、5bはその半導体レーザ光源による単色光
で試料2を照射した反射光を光電変換するための
光電変換手段であり、特に300Å以下の薄膜の測
定精度を向上させたい場合に適用することができ
るように、前記膜厚測定装置に併設され、白色光
源5と切換えて使用することができるように構成
されている。
上記した説明においては、最終的に210以上の
分解能を有するスペクトル情報を得るため、例え
ば210以上の分解能を有するA/D変換器を使用
したが、本発明においては、かかるA/D変換器
に限定されるものではなく、A/D変換器として
は、例えば通常の28の分解能のものを使用し、以
後のデータ処理の段階で周知のデータ処理方法に
より210以上のデジタル信号にすることも可能で
ある。
分解能を有するスペクトル情報を得るため、例え
ば210以上の分解能を有するA/D変換器を使用
したが、本発明においては、かかるA/D変換器
に限定されるものではなく、A/D変換器として
は、例えば通常の28の分解能のものを使用し、以
後のデータ処理の段階で周知のデータ処理方法に
より210以上のデジタル信号にすることも可能で
ある。
<発明の効果>
本発明によると前記のように構成され作用する
から、次のような秀れた効果を奏する。
から、次のような秀れた効果を奏する。
イ 光電変換手段を1次元イメージセンサアレイ
を用いて一度に1掃引分の分光反射スペクトル
信号を得ることができるから、測定時間の大幅
な短縮を図ることができる。
を用いて一度に1掃引分の分光反射スペクトル
信号を得ることができるから、測定時間の大幅
な短縮を図ることができる。
ロ 掃引手段を必要としないので分光手段の構造
を極めて簡素化することができるとともに、掃
引作動を必要としないから、従来のように掃引
作動中に外乱変動の影響による測定誤差を無く
すことができ、測定精度をさらに向上させるこ
とができる。
を極めて簡素化することができるとともに、掃
引作動を必要としないから、従来のように掃引
作動中に外乱変動の影響による測定誤差を無く
すことができ、測定精度をさらに向上させるこ
とができる。
ハ 1次元イメージセンサアレイの各素子間の暗
電流及び感度のバラツキが補正されて、正確な
スペクトル信号値が得られるので、従来の、単
一の光電子倍増管を使用する装置と同等の信頼
性を確保でき、この結果、試料の膜厚を正確に
測定することができる。
電流及び感度のバラツキが補正されて、正確な
スペクトル信号値が得られるので、従来の、単
一の光電子倍増管を使用する装置と同等の信頼
性を確保でき、この結果、試料の膜厚を正確に
測定することができる。
第1図は本発明に係る膜厚測定装置の構成を示
すブロツク図、第2図はそのフローチヤート、第
3図は第2図のフローチヤートに基づいてなされ
る信号処理の態様を模式的に示すグラフ、第4図
は被測定試料のスペクトル情報の分布状態を示す
グラフ、第5図は第3図Cを拡大して示すグラ
フ、第6図は被測定試料の顕微鏡による拡大図、
第7図は従来技術に係る膜厚測定装置の概要を示
すブロツク図である。 1……拡大光学系(顕微鏡)、2……試料、8
……回折格子、16……1次元イメージセンサア
レイ、17……並列−直列変換回路(P/S変換
回路)、18……A/D変換器、19……タイミ
ングパルス発生回路、20……信号処理装置、2
2……記憶部、22a……スペクトル情報記憶
部、22b……感度情報記憶部、23……中央制
御部(CPU)、24……スペクトル情報補正手
段。
すブロツク図、第2図はそのフローチヤート、第
3図は第2図のフローチヤートに基づいてなされ
る信号処理の態様を模式的に示すグラフ、第4図
は被測定試料のスペクトル情報の分布状態を示す
グラフ、第5図は第3図Cを拡大して示すグラ
フ、第6図は被測定試料の顕微鏡による拡大図、
第7図は従来技術に係る膜厚測定装置の概要を示
すブロツク図である。 1……拡大光学系(顕微鏡)、2……試料、8
……回折格子、16……1次元イメージセンサア
レイ、17……並列−直列変換回路(P/S変換
回路)、18……A/D変換器、19……タイミ
ングパルス発生回路、20……信号処理装置、2
2……記憶部、22a……スペクトル情報記憶
部、22b……感度情報記憶部、23……中央制
御部(CPU)、24……スペクトル情報補正手
段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 所要の光源で照射された試料からの反射光を
拡大投影するための拡大光学系と、 拡大投影された反射光を分光するための回折格
子と、 該回折格子により分光された各分光スペクトル
に対応して分光スペクトル信号を順次出力する光
電変換手段と、 該光電変換手段から出力される前記分光スペク
トル信号をA/D変換するためのA/D変換手段
と、 該A/D変換手段からの出力信号に基づいて、
前記試料の膜厚を演算する信号処理手段とを有す
る膜厚測定装置において、 前記光電変換手段を、複数の光電変換素子が1
次元配列された1次元イメージセンサアレイで構
成するとともに、 この各光電変換素子が有するそれぞれ固有の感
度情報を予め記憶する感度情報記憶手段と、 この感度情報記憶手段からの感度情報に基づ
き、それぞれ対応する前記A/D変換手段からの
出力信号を補正するスペクトル補正手段とを設け
たことを特徴とする膜厚測定装置。 2 A/D変換手段を210以上の分解能を有する
A/D変換器で構成した特許請求の範囲第1項記
載の膜厚測定装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60059162A JPS61217705A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 膜厚測定装置 |
US06/801,788 US4676647A (en) | 1985-03-22 | 1985-11-26 | Film thickness measuring device and method |
EP85115616A EP0197199A1 (en) | 1985-03-22 | 1985-12-09 | Apparatus for and a method of measuring the thickness of a film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60059162A JPS61217705A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 膜厚測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61217705A JPS61217705A (ja) | 1986-09-27 |
JPH0352885B2 true JPH0352885B2 (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=13105402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60059162A Granted JPS61217705A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 膜厚測定装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4676647A (ja) |
EP (1) | EP0197199A1 (ja) |
JP (1) | JPS61217705A (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4787749A (en) * | 1985-11-28 | 1988-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for measuring the thickness of a thin film using the spectral reflection factor of the film |
GB8601176D0 (en) * | 1986-01-17 | 1986-02-19 | Infrared Eng Ltd | Sensing |
US4836682A (en) * | 1986-07-02 | 1989-06-06 | E. I. Dupont De Nemours And Company | Method and apparatus for calibrating optical sensors |
GB8618159D0 (en) * | 1986-07-25 | 1986-09-03 | Pa Consulting Services | Spectrometer based instruments |
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US4807994A (en) * | 1987-11-19 | 1989-02-28 | Varian Associates, Inc. | Method of mapping ion implant dose uniformity |
US4909631A (en) * | 1987-12-18 | 1990-03-20 | Tan Raul Y | Method for film thickness and refractive index determination |
US4844617A (en) * | 1988-01-20 | 1989-07-04 | Tencor Instruments | Confocal measuring microscope with automatic focusing |
JPH073365B2 (ja) * | 1988-06-08 | 1995-01-18 | 大日本クスリーン製造株式会社 | 顕微分光装置 |
JPH0252205A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 膜厚測定方法 |
JPH0731050B2 (ja) * | 1988-12-29 | 1995-04-10 | オリンパス光学工業株式会社 | 光学式膜厚測定装置 |
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US5241366A (en) * | 1992-03-04 | 1993-08-31 | Tencor Instruments | Thin film thickness monitor |
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TWI292030B (en) * | 2006-01-13 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | High density multi-channel detecting device |
DE102011014518A1 (de) * | 2011-03-18 | 2012-09-20 | Helmut Knorr | Verfahren und Vorrichtung zur Kalibrierung eines Sensors zur Materialdicken- bzw. flächengewichtsmessung |
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JPH111405A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Fuaimatetsuku:Kk | 農薬用無機粉体及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-03-22 JP JP60059162A patent/JPS61217705A/ja active Granted
- 1985-11-26 US US06/801,788 patent/US4676647A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-12-09 EP EP85115616A patent/EP0197199A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5432013A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-09 | Nec Corp | Picture element correction system for image sensor |
JPS56153207A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-27 | Ricoh Co Ltd | Measuring device for film thickness |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4676647A (en) | 1987-06-30 |
EP0197199A1 (en) | 1986-10-15 |
JPS61217705A (ja) | 1986-09-27 |
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