CN1531029A - 基板处理方法和基板处理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 245
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 119
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 86
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 186
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 42
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 29
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 22
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 17
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 17
- 230000008520 organization Effects 0.000 claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 39
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 15
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 abstract 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
Images
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-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B18/00—Surgical instruments, devices or methods for transferring non-mechanical forms of energy to or from the body
- A61B18/04—Surgical instruments, devices or methods for transferring non-mechanical forms of energy to or from the body by heating
- A61B18/06—Surgical instruments, devices or methods for transferring non-mechanical forms of energy to or from the body by heating caused by chemical reaction, e.g. moxaburners
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61H—PHYSICAL THERAPY APPARATUS, e.g. DEVICES FOR LOCATING OR STIMULATING REFLEX POINTS IN THE BODY; ARTIFICIAL RESPIRATION; MASSAGE; BATHING DEVICES FOR SPECIAL THERAPEUTIC OR HYGIENIC PURPOSES OR SPECIFIC PARTS OF THE BODY
- A61H39/00—Devices for locating or stimulating specific reflex points of the body for physical therapy, e.g. acupuncture
- A61H39/06—Devices for heating or cooling such points within cell-life limits
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61H—PHYSICAL THERAPY APPARATUS, e.g. DEVICES FOR LOCATING OR STIMULATING REFLEX POINTS IN THE BODY; ARTIFICIAL RESPIRATION; MASSAGE; BATHING DEVICES FOR SPECIAL THERAPEUTIC OR HYGIENIC PURPOSES OR SPECIFIC PARTS OF THE BODY
- A61H9/00—Pneumatic or hydraulic massage
- A61H9/005—Pneumatic massage
- A61H9/0057—Suction
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61M—DEVICES FOR INTRODUCING MEDIA INTO, OR ONTO, THE BODY; DEVICES FOR TRANSDUCING BODY MEDIA OR FOR TAKING MEDIA FROM THE BODY; DEVICES FOR PRODUCING OR ENDING SLEEP OR STUPOR
- A61M1/00—Suction or pumping devices for medical purposes; Devices for carrying-off, for treatment of, or for carrying-over, body-liquids; Drainage systems
- A61M1/08—Cupping glasses, i.e. for enhancing blood circulation
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Public Health (AREA)
- Rehabilitation Therapy (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Pain & Pain Management (AREA)
- Surgery (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Physical Education & Sports Medicine (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Otolaryngology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Vascular Medicine (AREA)
- Anesthesiology (AREA)
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
提供一种在把冲洗液供给到基板的表面而处理基板的场合，可以减少冲洗液(纯水)的使用量的方法。在基板(W)被向水洗处理部(10)的处理腔(12)内搬入的当初，从入口喷嘴(20)与上部喷雾嘴(22)向基板供给冲洗液，然后，在基板被从处理腔(12)内搬出之前，从上部喷雾嘴(22)与下部喷雾嘴(24)向基板供给冲洗液。
Description
技术领域
本发明涉及，把冲洗液供给到半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子体显示用玻璃基板、印制基板等的基板的表面而处理基板的基板处理方法和基板处理装置。
背景技术
为在半导体晶片等的基板的表面上，利用光刻技术用铜、铝、银等金属材料形成布线图形，首先，在基板的表面上形成铜、铝、银等的金属膜，在该金属膜上形成抗蚀剂膜后，对基板施行曝光、显影和蚀刻各项处理而制作所希望的布线图形，然后从基板表面剥离去除残留在基板上的抗蚀剂的被膜。这一系列的处理当中，在从基板上去除抗蚀剂被膜的工序中，使用例如含胺的有机剥离液。然后，剥离处理后的基板，使用纯水进行冲洗处理后，进行干燥处理。
这里，在使用含胺的有机剥离液剥离处理基板后，如果把纯水供给到附着有剥离液的基板的表面进行冲洗处理，则含胺剥离液与纯水混合生成强碱性溶液。结果，发生形成布线图形的金属膜被腐蚀或溶解这样的问题。因此，为了解决这种问题，提出了在剥离处理后的冲洗处理中，使用溶解了二氧化碳的纯水这样的方法。也就是说，提出了通过对附着有含胺剥离液的基板的表面大量地喷出溶解了二氧化碳的纯水，中和胺引起的碱性而防止生成强碱性的溶液这样的方法(例如，参照专利文献1)。
图3是表示备有把溶解了二氧化碳的纯水用作冲洗液的水洗处理部的历来的基板处理装置的概略构成之一例的示意的主视图。在此一基板处理装置中，在水洗处理部60的前级侧与水洗处理部60邻接地设有剥离处理部62。
剥离处理部62，虽然仅示出其一部分而未示出详细的构成，但是备有处理腔64，在处理腔64的内部，配置着支持基板W且向水平方向搬送的辊式输送机66。基板W靠辊式输送机66支持成水平姿势，或者，支持成在与基板搬送方向正交的方向上稍微倾斜的姿势而搬送。此一基板W是蚀刻处理后的基板，在其表面上附着有抗蚀剂被膜。此外，在基板搬送路上方，沿着基板搬送路设置着多个剥离液喷出喷嘴(未画出)。而且，在处理腔64内一边靠辊式输送机66搬送基板W，一边从剥离液喷出喷嘴向基板W的表面上供给剥离液，例如1-甲基-2-吡咯烷酮、异丙醇胺、乙醇胺等含胺有机剥离液。借此，溶解附着于基板W的表面上的抗蚀剂被膜而从基板W的表面去除之。
在剥离处理部62中进行剥离处理并从处理腔64的出口68搬出的基板W的表面上附着有剥离液1，基板W在其表面上附着有剥离液1的状态下向水洗处理部60搬送。水洗处理部60备有有入口侧开口72和出口侧开口74的处理腔70，在处理腔70的内部，配设着把基板W支持成水平姿势或稍微倾斜的姿势而向水平方向搬送的辊式输送机76。在处理腔70的入口侧开口72附近配设着向基板W的上面幕状地喷出冲洗液的入口喷嘴78。此外，夹着基板搬送路在其上方和下方，分别沿着基板搬送路连续设置上部喷雾嘴80和下部喷雾嘴82。分别连通连接于入口喷嘴78、上部喷雾嘴80和下部喷雾嘴82的各冲洗液供给配管84、86、88分别连通连接于配管90a，配管90a通过流路连接于泵92的输出口侧。泵92的吸入口侧，经由配管90b通过流路连接于贮存有纯水2的贮水槽94的底部。而且，在配管90a的中途，介插着气体溶解装置96，连接到气瓶等碳酸气供给源上的气体供给管98连接到气体溶解装置96上，通过配管90a使二氧化碳溶解于向冲洗液供给配管84、86、88所供给的纯水中。
在处理腔70的底部，连通连接着排液用配管100，通过排液用配管100来废弃使用过的冲洗液。此外，虽然未画出，但是在水洗处理部60的下游侧连续设置着多个水洗处理部。而且，在配置于下游侧的水洗处理部中用于基板的清洗的纯水，送到与该水洗处理部邻接的上游侧的水洗处理部的贮水槽内，从位于最下游侧的水洗处理部起依次送到位于上游侧的各水洗处理部的贮水槽内的使用过的纯水，通过送液配管102向水洗处理部60的贮水槽94内供给。
在图3中所示的构成的水洗处理部60中，通过入口侧开口72向处理腔70内所搬入的基板W，首先，靠从入口喷嘴78向基板W的上表面幕状地喷出的冲洗液，洗掉附着于表面上的剥离液1。进而，基板W一边靠辊式输送机76在处理腔70内搬送，一边通过从上部喷雾嘴80和下部喷雾嘴82分别向基板W的上·下两表面喷出冲洗液，洗掉附着于基板W的表面上的剥离液1。此时，虽然在基板W上生成含胺剥离液与冲洗液(纯水)混合的液体，但是由于冲洗液中溶解了二氧化碳，所以胺引起的碱性被中和而可以防止溶液成为强碱性。然后，在水洗处理部60中的冲洗处理结束的基板W通过出口侧开口74被从处理腔70内搬出，向邻接的水洗处理部搬送。
【专利文献1】
特开2002-141269号公报(第5～6页，图1)
在备有图3所示的构成的历来的基板处理装置中，在水洗处理部60中基板W的冲洗处理中所使用的冲洗液，从处理腔70的底部通过排液用配管100全部废弃。这是因为通过剥离液混合于冲洗液，在使用过的冲洗液中，作为腐蚀成分含有剥离液中所含有的胺的缘故。这样一来，因为使用过的冲洗液全部废弃，故靠从与水洗处理部60邻接的下游侧的水洗处理部通过送液配管102向贮水槽94内所供给的纯水的量，对于从入口喷嘴78、上部喷雾嘴80和下部喷雾嘴82分别向基板W所供给的冲洗液的量是不足的，有必要另外从纯水供给源向贮水槽94内供给纯水。因此，存在着纯水的使用量增多，此外，与此同时碳酸气的消耗量也增多这样的问题。
另一方面，如果想尽量减少纯水的使用量，而把从处理腔70的底部所排出的使用过的冲洗液的一部分返回贮水槽94，循环使用冲洗液，则在贮水槽94内的冲洗液中残存胺(腐蚀成分)，在以后冲洗处理的基板上产生问题。
发明内容
本发明是鉴于以上情况作成的，其目的在于提供一种在把冲洗液供给到基板的表面进行处理的场合、可以减少冲洗液(纯水)的使用量的基板处理方法，以及，提供一种可以最佳地实施该方法的基板处理装置。
根据技术方案1的基板处理方法，在处理腔内一边搬送基板，一边从配置于前述处理腔的入口附近向基板的上面幕状地喷出冲洗液的入口喷嘴，以及，夹着基板搬送路在其上方和下方分别沿着基板搬送路连续设置并向基板的上面和下面喷出冲洗液的上部喷雾嘴和下部喷雾嘴，分别对基板供给冲洗液而处理基板，其特征在于，其中备有：(a)在基板被搬入前述处理腔内的当初，从前述入口喷嘴与前述上部喷雾嘴向基板供给冲洗液的工序，(b)在前述(a)工序结束后，直到基板被从前述处理腔内搬出前，从前述上部喷雾嘴与前述下部喷雾嘴向基板供给冲洗液的工序，(c)在基板被搬入处理腔内以后到经过规定时间，废弃从前述处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液的工序，以及(d)在前述(c)工序结束后，直到基板被从处理腔内搬出前，向回收槽回收使用过的冲洗液而再使用的工序，向前述处理腔所搬送的基板，是剥离处理后的基板，并在上面附着有含胺剥离液，前述冲洗液是二氧化碳溶解于纯水中的冲洗液。
根据技术方案2的基板处理方法，在处理腔内一边搬送基板，一边从配置于前述处理腔的入口附近并向基板的上面幕状地喷出冲洗液的入口喷嘴，以及，夹着基板搬送路在其上方和下方分别沿着基板搬送路连续设置并向基板的上面和下面喷出冲洗液的上部喷雾嘴和下部喷雾嘴，分别对基板供给冲洗液而处理基板，其特征在于，其中备有：(a)在基板被搬入前述处理腔内的当初，从前述入口喷嘴与前述上部喷雾嘴向基板供给冲洗液的工序，(b)在前述(a)工序结束后，直到基板被从前述处理腔内搬出前，从前述上部喷雾嘴与前述下部喷雾嘴向基板供给冲洗液的工序，(c)连续地测量表示从前述处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液中所含胺的量的指示值，直到所测量的指示值成为满足规定的条件前，废弃使用过的冲洗液的工序，以及(d)在前述所测量的指示值成为满足前述规定的条件并且直到基板被从处理腔内搬出前，向回收槽回收使用过的冲洗液而再使用的工序，向前述处理腔所搬送的基板，是剥离处理后的基板并在上面附着有含胺的剥离液，前述冲洗液是二氧化碳溶解于纯水中的冲洗液。
根据技术方案3的基板处理方法，其特征在于，在技术方案2中所述的基板处理方法中，前述指示值是pH值，前述(c)工序，是直到所测量的pH值成为规定值以下之前废弃使用过的冲洗液的工序，前述(d)工序，是在所测量pH值成为规定值以下并且直到前述基板被从前述处理腔内搬出前，向回收槽回收使用过的冲洗液而再使用的工序。
根据技术方案4的基板处理装置，备有：进行基板的处理的处理腔，在处理腔内搬送基板的基板搬送机构，配置于前述处理腔的入口附近并向基板的上面幕状地喷出冲洗液的入口喷嘴，在前述处理腔内，夹着基板搬送路在其上方和下方分别沿着基板搬送路连续设置、并向基板的上面和下面喷出冲洗液的上部喷雾嘴和下部喷雾嘴，分别连通连接于前述入口喷嘴及前述上部喷雾嘴和下部喷雾嘴的第1至第3冲洗液供给配管，以及通过前述各冲洗液供给配管分别把冲洗液供给到前述入口喷嘴及前述上部喷雾嘴和下部喷雾嘴的冲洗液供给机构，其特征在于，其中还备有：分别介插于前述第1至第3冲洗液供给配管中的第1至第3开闭控制阀，废弃从前述处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液的排液用配管，介插于前述排液用配管中的第4开闭控制阀，用来回收使用过的冲洗液的回收用配管，介插于前述回收用配管中的第5开闭控制阀，回收从前述处理腔的底部通过前述回收用配管所排出的使用过的冲洗液的回收槽，以及控制前述第1至第5开闭控制阀的各自的开闭动作的控制机构，向前述处理腔所搬送的基板，是剥离处理后的基板并在上面附着有含胺的剥离液，前述冲洗液是二氧化碳溶解于纯水中的冲洗液，前述控制机构，分别控制第1动作和第2动作，第1动作是在基板被向前述处理腔内搬入的当初，打开前述第1开闭控制阀与前述第2开闭控制阀，然后，直到基板被从前述处理腔内搬出前，打开前述第2开闭控制阀与前述第3开闭控制阀；第2动作是，在基板被向前述处理腔内搬入以后并在经过规定时间前，打开前述第4开闭控制阀并且关闭前述第5开闭控制阀，然后，直到基板被从处理腔内搬出前，打开前述第5开闭控制阀并且关闭前述第4开闭控制阀。
根据技术方案5的基板处理装置，备有：进行基板的处理的处理腔，在处理腔内搬送基板的基板搬送机构，配置于前述处理腔的入口附近并向基板的上面幕状地喷出冲洗液的入口喷嘴，在前述处理腔内、夹着基板搬送路在其上方和下方分别沿着基板搬送路连续设置、向基板的上面和下面喷出冲洗液的上部喷雾嘴和下部喷雾嘴，分别连通连接于前述入口喷嘴及前述上部喷雾嘴和下部喷雾嘴的第1至第3冲洗液供给配管，以及通过前述各冲洗液供给配管分别把冲洗液供给到前述入口喷嘴及前述上部喷雾嘴和下部喷雾嘴的冲洗液供给机构，其特征在于，其中还备有：分别介插于前述第1至第3冲洗液供给配管中的第1至第3开闭控制阀，废弃从前述处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液的排液用配管，介插于前述排液用配管中的第4开闭控制阀，用来回收使用过的冲洗液的回收用配管，介插于前述回收用配管中的第5开闭控制阀，回收从前述处理腔的底部通过前述回收用配管所排出的使用过的冲洗液的回收槽，连续测量表示从前述处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液中所含有的胺的量的指示值的测量机构，以及控制前述第1至第5开闭控制阀的各自的开闭动作的控制机构，向前述处理腔所搬送的基板，是剥离处理后的基板，并在上面附着有含胺的剥离液，前述冲洗液是二氧化碳溶解于纯水中的冲洗液，前述控制机构，分别控制第1动作和第2动作，第1动作是，在基板被向前述处理腔内搬入的当初，打开前述第1开闭控制阀与前述第2开闭控制阀，然后，直到基板被从前述处理腔内搬出前，打开前述第2开闭控制阀与前述第3开闭控制阀；第2动作是，基于来自前述测量机构的测量信号，直到冲洗液中所含有的胺成为规定量以下所测量的指示值成为满足规定的条件前，打开前述第4开闭控制阀并且关闭前述第5开闭控制阀，在前述所测量的指示值成为满足前述规定的条件以后直到基板被从前述处理腔内搬出前，打开前述第5开闭控制阀并且关闭前述第4开闭控制阀。
根据技术方案6的基板处理装置，其特征在于，在技术方案5所述的基板处理装置中，前述指示值是pH值，前述第2动作，在所测量的pH值成为规定值以下之前，打开介插于前述排液用配管中的开闭控制阀并且关闭介插于前述回收用配管中的开闭控制阀，直到所测量的pH值成为规定值以下以后到基板被从前述处理腔内搬出前，打开介插于前述回收用配管中的开闭控制阀并且关闭介插于前述排液用配管中的开闭控制阀。
如果用根据技术方案1至技术方案3的发明的基板处理方法，此外，如果使用根据技术方案4至技术方案6的发明的基板处理装置，则由于在基板被向处理腔内搬入的当初，只从入口喷嘴与上部喷雾嘴向基板供给冲洗液，然后，直到基板被从处理腔内搬出前，只从上部喷雾嘴与下部喷雾嘴向基板供给冲洗液，所以与始终从入口喷嘴和上部喷雾嘴与下部喷雾嘴向基板供给冲洗液的场合相比，冲洗液的使用量减少。
在根据技术方案1的发明的基板处理方法中，此外，在根据技术方案4的发明的基板处理装置中，由于从处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液，在基板被向处理腔内搬入以后经过规定时间后，直到基板被从处理腔内搬出前，回收到回收槽内而再使用，所以作为冲洗液的纯水的使用量更加减少，此外，二氧化碳的消耗量减少。另一方面，基板被向处理腔内搬入以后直到经过规定时间前，从处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液被废弃。此外，由于在基板被向处理腔内搬入以后经过规定时间的时刻，附着于基板的上面的剥离液的大部分被洗掉，所以在基板被向处理腔内搬入以后经过规定时间后，从处理腔的底部排出的使用过的冲洗液中几乎不含胺。因此，即使向回收槽回收该使用过的冲洗液而再使用，回收槽内的冲洗液中胺(腐蚀成分)残存的可能性也很小。因而，在以后进行冲洗处理的基板中不产生问题。
在根据技术方案2的发明的基板处理方法中，此外，在根据技术方案5的发明的基板处理装置中，由于连续地测量表示从处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液中所含有的胺的量的指示值，如果冲洗液中所含有的胺成为规定量以下、所测量的指示值成为规定值以下或者以上，也就是说，如果从基板上几乎去除了含胺的剥离液，则从处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液，回收到回收槽内而再使用，所以作为冲洗液的纯水的使用量更加减少，此外，二氧化碳的消耗量减少。另一方面，由于直到冲洗液中所含有的胺成为规定量以下、所测量的指示值成为规定值以下或者以上之前，从处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液被废弃。此外，在冲洗液中所含有的胺成为规定量以下、所测量的指示值成为规定值以下或者规定值以上以后，从处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液中，几乎不含胺，所以即使向回收槽回收该使用过的冲洗液而再使用，回收槽内的冲洗液中胺(腐蚀成分)残存的可能性也很小。因而，在以后进行冲洗处理的基板中不产生问题。
在根据技术方案3的发明的基板处理方法中，此外，在根据技术方案6的发明的基板处理装置中，连续地测量从处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液的pH值，如果所测量的pH值成为规定值以下，则从处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液向回收槽回收而再使用。另一方面，直到所测量的pH值成为规定值以下之前，从处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液被废弃。
在根据技术方案1至技术方案3的各方案的基板处理方法中，此外在根据技术方案4至技术方案6的各方案的基板处理装置中，可以更加减少作为冲洗液的纯水的使用量，此外，可以减少二氧化碳的消耗量。而且，即使回收使用过的冲洗液而再使用，在下次冲洗处理的基板中也不产生问题。
附图说明
图1是表示本发明的实施形式之一例，是表示基板处理装置的概略构成的示意的主视剖面图。
图2是用来说明图1中所示的基板处理装置的水洗处理部中的处理动作之一例的时间分配图。
图3是表示备有以溶解了二氧化碳的纯水作为冲洗液使用的水洗处理部的历来的基板处理装置的概略构成之一例的示意的主视图。
具体实施方式
下面，参照图1和图2就本发明的最佳实施形式进行说明。
图1是表示本发明的实施形式之一例，是表示基板处理装置的概略构成的示意的主视剖面图。在此一图中，仅示出水洗处理部。虽然在水洗处理部10的前级侧，与水洗处理部10邻接地设有剥离处理部，但是由于关于剥离处理部上面说过了，所以这里，省略其说明。
水洗处理部10备有有入口侧开口14和出口侧开口16的处理腔12，在处理腔12的内部，配置着把基板W支持成水平姿势或者稍微倾斜的姿势向水平方向搬送的辊式输送机18。从剥离处理部向此水洗处理部10搬送表面上附着有剥离液1的状态的基板W。在处理腔12的入口侧开口14附近，配置着向基板W的上面幕状地喷出冲洗液的入口喷嘴20。此外，夹着基板搬送路在其上方和下方，分别沿着基板搬送路连续设置上部喷雾嘴22和下部喷雾嘴24。这些构成与上述的历来的装置是同样的。
冲洗液供给配管26、28、30分别连通连接于入口喷嘴20、上部喷雾嘴22和下部喷雾嘴24，在各冲洗液供给配管26、28、30中，分别介插着开闭控制阀V1、V2、V3。各冲洗液供给配管26、28、30分别连通连接于配管32a，32a流路连接于泵34的输出口侧。泵34的吸入口侧经由配管32b流路连接于贮存有纯水2的贮水槽36的底部。而且，在配管32a的中途，介插着气体溶解装置38，连接于气瓶等碳酸气供给源的气体供给管40连接于气体溶解装置38，使二氧化碳溶解于通过配管32a向冲洗液供给管26、28、30所供给的纯水中。再者，使二氧化碳溶解于纯水中的机构，不限于在配管32a的中途介插气体溶解装置38的构成，也可以是任何构成，例如，也可以使二氧化碳在贮存于箱中的纯水中冒泡，制造溶解了二氧化碳的纯水。
在处理腔12的底部，连通连接着液流出管42，液流出管42，分支成回收用配管44与排液用配管46。回收用配管44的前端流出口被引入到贮水槽36内。此外，使用过的冲洗液通过排液用配管46被废弃。在回收用配管44和排液用配管46上分别介插着开闭控制阀V4、V5。并且，在液流出管42上，介插着连续地测量流过其内部的使用过的冲洗液的pH值的pH计48。来自pH计48的测量信号被输入到控制器50中。此外，从控制器50向开闭控制阀V1～V5送出控制信号，靠该控制信号控制各开闭控制阀V1～V5的开闭动作。
此外，设有前端流出口被引入到贮水槽36内的纯水供给用配管52，纯水从纯水供给源通过纯水供给用配管52适当地向贮水槽36内供给。再者，关于图3如上所述，在水洗处理部10的下游侧连续设置多个水洗处理部的场合，可以构成为，将从位于最下游侧的水洗处理部依次向位于上游侧的各水洗处理部的贮水槽内送来的使用过的纯水向水洗处理部10的贮水槽36内供给。
接下来，就图1中所示的构成的水洗处理部10中的处理动作之一例，参照图1中所示的时间分配图进行说明。再者，在此一处理动作中，也可以不在液流出管42上附设pH计48。
从剥离处理部向水洗处理部10搬送表面上附着有剥离液1的状态的基板W，基板W通过入口侧开口14向水洗处理部10的处理腔12内搬入。此时，开闭控制阀V1、V2、V5打开，开闭控制阀V3、V4关闭。因而，仅从入口喷嘴20与上部喷雾嘴22分别喷出冲洗液，从下部喷雾嘴24不喷出冲洗液。于是，搬入处理腔12内的基板W，靠从入口喷嘴20幕状地喷出的冲洗液，洗掉附着在表面上的大部分剥离液1。此外，靠从上部喷雾嘴22向基板W的上面所喷出的冲洗液，残留于基板W的表面上的剥离液1被洗掉。此时，尽管在基板W上生成含胺剥离液与冲洗液(纯水)混合的溶液，但由于在冲洗液中溶解了二氧化碳，所以胺引起的碱性被中和而防止溶液成为强碱性。
靠辊式输送机18进一步搬送基板W，如果基板W通过入口喷嘴20的正下方位置结束，则以打开着开闭控制阀V2、V5、并且关闭着开闭控制阀V4的状态，关闭开闭控制阀V1，另一方面，打开开闭控制阀V3。因而仅从上部喷雾嘴22与下部喷雾嘴24分别喷出冲洗液，来自入口喷嘴20的冲洗液的喷出停止。然后，靠辊式输送机18在处理腔12内搬送的基板W，靠从上部喷雾嘴22所喷出的冲洗液，残存于基板W的表面上的剥离液1几乎被洗掉。此外，靠从下部喷雾嘴24向基板W的下面所喷出的冲洗液，蔓延到基板W的下面的剥离液1被洗掉。再者，不一定必须在关闭开闭控制阀V1的同时打开开闭控制阀V3，也可以先打开开闭控制阀V3，然后关闭开闭控制阀V1等。
由于从基板W被向处理腔12内搬入直到此时刻，开闭控制阀V5一直打开着，所以从入口喷嘴20、上部喷雾嘴22和下部喷雾嘴24分别向基板W喷出并从基板W上流下到处理腔12的底部的使用过的冲洗液，从处理腔12的底部向液流出管42内流出，从液流出管42通过排液用配管46被废弃。然后，在靠从上部喷雾嘴22和下部喷雾嘴24向基板W的上·下两面分别喷出的冲洗液，从基板W上几乎洗掉了剥离液1的时刻，以打开着开闭控制阀V2、V3、并且关闭着开闭控制阀V1的状态，关闭开闭控制阀V5，另一方面，打开开闭控制阀V4。借此，使用过的冲洗液从处理腔12的底部通过液流出管42和回收用配管44向贮水槽36内流入，与贮水槽36内的纯水2混合。在此一时刻，由于附着于基板W的上面上的剥离液1的大部分被冲洗液洗掉而通过排液用配管46被废弃，所以在使用过的冲洗液中几乎不含有胺。因此，即使把使用过的冲洗液向贮水槽36返回，在贮水槽36内的冲洗液(纯水2)中混入胺的可能性很小。因而，在下次进行冲洗处理的基板中不产生问题。
在通过上部喷雾嘴22与下部喷雾嘴24之间期间，靠从上部喷雾嘴22和下部喷雾嘴24分别喷出的冲洗液洗净并洗掉附着于表面的剥离液1的基板W，从水洗处理部10的处理腔12内通过出口侧开口16搬出，向邻接的水洗处理部等搬送。如果基板W被从处理腔12内搬出，则开闭控制阀V2继续原来打开的状态，开闭控制阀V3、V4关闭，另一方面，开闭控制阀V1、V5打开，回到最初的状态。然后，下次应冲洗处理的剥离处理后的基板W被向水洗处理部10搬送，重复上述的处理动作。
在上述处理动作中，虽然在从基板W被搬入处理腔12内以后经过规定时间、并认为剥离液1几乎从基板W上被洗掉的时刻，通过切换开闭控制阀V4、V5的开闭动作，把直到该时刻前通过排液用配管46废弃的使用过的冲洗液，通过回收用配管44向贮水槽36内回收，但是也可以根据从处理腔12的底部流出的使用过的冲洗液的pH值的变化来切换开闭控制阀V4、V5的开闭动作。也就是说，随着冲洗处理的进行，基板W上的剥离液1被洗掉而胺的量也减少，在剥离液1基本上从基板W上去除的时刻，使用过的冲洗液的pH值倾向于酸性侧。因此，靠介插于液流出管42中的pH计，连续地测量流过其内部的使用过的冲洗液的pH值，把其测量信号送到控制器50，在使用过的冲洗液的pH值倾向于酸性侧的时刻，从控制器50向开闭控制阀V4、V5发出控制信号，打开开闭控制阀V4并且关闭开闭控制阀V5。借此，把直到该时刻通过排液用配管46废弃的使用过的冲洗液，通过回收用配管44向贮水槽36内回收。
再者，虽然在上述实施形式中，把测量从处理腔12的底部所排出的使用过的冲洗液的pH值的pH计48介插于液流出管42，但是除了pH计以外，只要是可以测定使用过的冲洗液中所含有的胺的量的减少的测定器就能使用，例如也可以设置测定使用过的冲洗液的导电度或比电阻的测定器。而且，用这些测定器，使使用过的冲洗液废弃直到使用过的冲洗液中的胺的量成为规定值以下，并在胺的量成为规定值以下以后到基板被从处理腔内搬出前，使使用过的冲洗液向贮水槽(回收槽)回收而再使用。
此外，虽然在上述实施形式中，示出在剥离处理后的冲洗处理中运用本发明的例子，但是本发明也可以运用于蚀刻处理后或显影处理后等所进行的冲洗处理中。此外，在蚀刻处理后或显影处理后的冲洗处理中运用本发明的场合，由于使用过的冲洗液不产生因剥离液中的胺成为碱性而腐蚀·溶解金属膜这样的问题，所以不一定必须进行始终全开开闭控制阀V4、V5的一方而全闭另一方这样的控制。
Claims (6)
1.一种基板处理方法，在处理腔内一边搬送基板，一边从配置于前述处理腔的入口附近向基板的上面幕状地喷出冲洗液的入口喷嘴，以及，夹着基板搬送路在其上方和下方分别沿着基板搬送路连续设置并向基板的上面和下面喷出冲洗液的上部喷雾嘴和下部喷雾嘴，分别对基板供给冲洗液而处理基板，其特征在于，其中备有：
(a)在基板被搬入前述处理腔内的当初，从前述入口喷嘴与前述上部喷雾嘴向基板供给冲洗液的工序，
(b)在前述(a)工序结束后，直到基板被从前述处理腔内搬出前，从前述上部喷雾嘴与前述下部喷雾嘴向基板供给冲洗液的工序，
(c)在从基板被搬入处理腔内以后到经过规定时间前，废弃从前述处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液的工序，以及
(d)在前述(c)工序结束后，直到基板被从处理腔内搬出前，向回收槽回收使用过的冲洗液而再使用的工序，
向前述处理腔所搬送的基板，是剥离处理后的基板，并在上面附着有含胺剥离液，前述冲洗液是二氧化碳溶解于纯水中的冲洗液。
2.一种基板处理方法，在处理腔内一边搬送基板，一边从配置于前述处理腔的入口附近并向基板的上面幕状地喷出冲洗液的入口喷嘴，以及，夹着基板搬送路在其上方和下方分别沿着基板搬送路连续设置并向基板的上面和下面喷出冲洗液的上部喷雾嘴和下部喷雾嘴，分别对基板供给冲洗液而处理基板，其特征在于，其中备有：
(a)在基板被搬入前述处理腔内的当初，从前述入口喷嘴与前述上部喷雾嘴向基板供给冲洗液的工序，
(b)在前述(a)工序结束后，直到基板被从前述处理腔内搬出前，从前述上部喷雾嘴与前述下部喷雾嘴向基板供给冲洗液的工序，
(c)连续地测量表示从前述处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液中所含胺的量的指示值，直到所测量的指示值成为满足规定的条件前，废弃使用过的冲洗液的工序，以及
(d)在前述所测量的指示值成为满足前述规定的条件并且直到基板被从处理腔内搬出前，向回收槽回收使用过的冲洗液而再使用的工序，
向前述处理腔所搬送的基板，是剥离处理后的基板，并在上面附着有含胺剥离液，前述冲洗液是二氧化碳溶解于纯水中的冲洗液。
3.权利要求2中所述的基板处理方法，其特征在于，
前述指示值是pH值，
前述(c)工序，是直到所测量的pH值成为规定值以下之前废弃使用过的冲洗液的工序，
前述(d)工序，是在所测量的pH值成为规定值以下并且直到前述基板被从前述处理腔内搬出前，向回收槽回收使用过的冲洗液而再使用的工序。
4.一种基板处理装置，备有：
进行基板的处理的处理腔，
在处理腔内搬送基板的基板搬送机构，
配置于前述处理腔的入口附近并向基板的上面幕状地喷出冲洗液的入口喷嘴，
在前述处理腔内，夹着基板搬送路在其上方和下方分别沿着基板搬送路连续设置、并向基板的上面和下面喷出冲洗液的上部喷雾嘴和下部喷雾嘴，
分别连通连接于前述入口喷嘴及前述上部喷雾嘴和下部喷雾嘴的第1至第3冲洗液供给配管，以及
通过前述各冲洗液供给配管分别把冲洗液供给到前述入口喷嘴及前述上部喷雾嘴和下部喷雾嘴的冲洗液供给机构，其特征在于，其中还备有：
(a)分别介插于前述第1至第3冲洗液供给配管中的第1至第3开闭控制阀，
(b)废弃从前述处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液的排液用配管，
(c)介插于前述排液用配管中的第4开闭控制阀，
(d)用来回收使用过的冲洗液的回收用配管，
(e)介插于前述回收用配管中的第5开闭控制阀，
(f)回收从前述处理腔的底部通过前述回收用配管所排出来的使用过的冲洗液的回收槽，以及
(g)控制前述第1至第5开闭控制阀的各自的开闭动作的控制机构，
向前述处理腔所搬送的基板，是剥离处理后的基板，并在上面附着有含胺剥离液，前述冲洗液是二氧化碳溶解于纯水中的冲洗液，
前述控制机构，分别控制第1动作和第2动作，
第1动作是，在基板被向前述处理腔内搬入的当初，打开前述第1开闭控制阀与前述第2开闭控制阀，然后，直到基板被从前述处理腔内搬出前，打开前述第2开闭控制阀与前述第3开闭控制阀，
第2动作是，在基板被向前述处理腔内搬入以后直到经过规定时间前，打开前述第4开闭控制阀并且关闭前述第5开闭控制阀，然后，直到基板被从处理腔内搬出前，打开前述第5开闭控制阀并且关闭前述第4开闭控制阀。
5.一种基板处理装置，备有：
进行基板的处理的处理腔，
在处理腔内搬送基板的基板搬送机构，
配置于前述处理腔的入口附近并向基板的上面幕状地喷出冲洗液的入口喷嘴，
在前述处理腔内，夹着基板搬送路在其上方和下方分别沿着基板搬送路连续设置，向基板的上面和下面喷出冲洗液的上部喷雾嘴和下部喷雾嘴，
分别连通连接于前述入口喷嘴及前述上部喷雾嘴和下部喷雾嘴的第1至第3冲洗液供给配管，以及
通过前述各冲洗液供给配管分别把冲洗液供给到前述入口喷嘴及前述上部喷雾嘴和下部喷雾嘴的冲洗液供给机构，其特征在于，其中还备有：
(a)分别介插于前述第1至第3冲洗液供给配管中的第1至第3开闭控制阀，
(b)废弃从前述处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液的排液用配管，
(c)介插于前述排液用配管中的第4开闭控制阀，
(d)用来回收使用过的冲洗液的回收用配管，
(e)介插于前述回收用配管中的第5开闭控制阀，
(f)回收从前述处理腔的底部通过前述回收用配管所排出来的使用过的冲洗液的回收槽，
(g)连续测量表示从前述处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液中所含有的胺的量的指示值的测量机构，以及
(h)控制前述第1至第5开闭控制阀的各自的开闭动作的控制机构，
向前述处理腔所搬送的基板，是剥离处理后的基板，并在上面附着有含胺剥离液，前述冲洗液是二氧化碳溶解于纯水中的冲洗液，
前述控制机构，分别控制第1动作和第2动作，
第1动作是，在基板被向前述处理腔内搬入的当初，打开前述第1开闭控制阀，与前述第2开闭控制阀，然后，直到基板被从前述处理腔搬出前，打开前述第2开闭控制阀与前述第3开闭控制阀。
第2动作是，基于来自前述测量机构的测量信号，在冲洗液中所含有的胺成为规定量以下且直到所测量的指示值成为满足规定的条件前，打开前述第4开闭控制阀并且关闭前述第5开闭控制阀，在前述所测量的指示值成为满足前述规定的条件以后到基板被从前述处理腔内搬出前，打开前述第5开闭控制阀并且关闭前述第4开闭控制阀。
6.权利要求5中所述的基板处理装置，其特征在于，
前述指示值是pH值，
前述第2动作，在直到所测量的pH值成为规定值以下之前，打开前述第4开闭控制阀并且关闭前述第5开闭控制阀，在所测量的pH值成为规定值以下以后到基板被从前述处理腔内搬出前，打开前述第5开闭控制阀并且关闭前述第4开闭控制阀。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP66299/2003 | 2003-03-12 | ||
| JP2003066299A JP2004273984A (ja) | 2003-03-12 | 2003-03-12 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP66299/03 | 2003-03-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1531029A true CN1531029A (zh) | 2004-09-22 |
| CN1299334C CN1299334C (zh) | 2007-02-07 |
Family
ID=33127059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004100287313A Expired - Fee Related CN1299334C (zh) | 2003-03-12 | 2004-03-12 | 基板处理方法和基板处理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004273984A (zh) |
| KR (1) | KR100556626B1 (zh) |
| CN (1) | CN1299334C (zh) |
| TW (1) | TWI236050B (zh) |
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| KR100991745B1 (ko) | 2008-10-17 | 2010-11-04 | 세메스 주식회사 | 처리액 공급 장치 및 그의 고온의 처리액 공급 방법 |
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- 2003-12-24 TW TW092136698A patent/TWI236050B/zh not_active IP Right Cessation
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| CN110355137A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-10-22 | 江苏城西宝兴教育产业发展有限公司 | 一种用于教育产业的手写板生产中的板材清洗装置 |
| WO2022021732A1 (zh) * | 2020-07-29 | 2022-02-03 | 苏州晶洲装备科技有限公司 | 超高压洗净装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004273984A (ja) | 2004-09-30 |
| KR20040080980A (ko) | 2004-09-20 |
| CN1299334C (zh) | 2007-02-07 |
| TWI236050B (en) | 2005-07-11 |
| TW200426912A (en) | 2004-12-01 |
| KR100556626B1 (ko) | 2006-03-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070207 Termination date: 20160312 |