CN1519775A - 卡以及利用该卡的记帐系统 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供一种更高功能的智能卡，该智能卡可以防止更换脸部照片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部照片以外的图像。具有显示器件和薄膜集成电路的卡，该卡用薄膜集成电路来控制显示器件的驱动，用于显示器件以及薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，所述薄膜集成电路和显示器件被树脂密封在所述卡的第一衬底和第二衬底之间，并且，第一和第二衬底是塑料衬底。

Description

卡以及利用该卡的记帐系统
技术领域
本发明涉及在其内部埋入存储器，微处理器(CPU)等集成电路的以电子卡为典型的卡，并且涉及将该电子卡利用于自动存取款卡(ATM(Automated Teller Machine)card)时，记录交易内容的记账系统。
背景技术
利用磁性进行记录的磁卡可以记录的数据仅有几十字节(byte)，相对于此，内部埋有半导体存储器的电子卡一般可以记录5KB，或更多，后者可以确保的容纳量之大是前者不可同日而语的。而且，电子卡不象磁卡那样要使卡接触铁砂这样的物理方法从而读出数据，另外，电子卡还有存储的数据很难被篡改的优势。
另外，以电子卡为典型的卡包括代替身份证的ID卡，以及如塑料卡那样可以弯曲的半硬卡等。
近几年，除了存储器，CPU也被搭载到智能卡(smart card，又称集成电路IC卡)上，使智能卡的高功能化得到进一步发展。智能卡的用途非常广泛，包括用于自动存取款卡，信用卡，预付卡，会诊卡，象学生证或职员证这样的身份证明证，月票，会员证等。作为高功能化的一个例子，下面的专利文件1中提出了一种智能卡，该卡搭载有可以显示简单文字和数字等的显示器件，以及用于数字输入的键盘。
专利文件1
日本专利公开HEI No.2-7105
如专利文件1所述，通过给智能卡附加新的功能，可以使智能卡有新的利用途径。目前利用智能卡的电子商务，电信办公，电信医疗，电信教学，行政服务的电信化，高速公路的自动收费，图像传送服务等的实用化得到进一步发展，可以认为将来智能卡将在更为广泛的领域中被应用。
象这样，随着智能卡的应用扩大，违法滥用智能卡成为一个不可回避的大问题，因此，在使用智能卡时，如何提高持卡人身份确认的准确性，将是今后的一个课题。
作为防止滥用智能卡的一个对策，有人提出在智能卡上附贴脸部照片。通过附贴脸部照片，只要不是自动取款机ATM(Automated TellerMachine)等无人终端设备，使用智能卡时，第三者可以用目视来确认本人。而且，即使不在近距离设置可以拍摄使用者脸部的监控相机，也可以有效地防止滥用智能卡。
然而，通常脸部照片是用印刷转录在智能卡上的，这样就有一个能够比较容易更换照片的伪造的陷阱。
另外，智能卡的厚度极薄，通常是0.7mm。所以，在搭载集成电路的区域被限制时，要想实现高功能化，就有必要在有限的容积中尽量多搭载电路规模和存储器容量大的集成电路。
发明内容
所以，本发明的目的是提供一种具有更高功能的智能卡，该高功能智能卡可以防止更换脸部照片等伪造，从而可以确保安全，并且该智能卡可以显示脸部照片以外的图像。
本发明除了集成电路，还可以将其厚度薄到能够容纳在智能卡内的显示器件搭载到智能卡上。确切地说，本发明使用以下方法制作集成电路和显示器件。
首先，在第一衬底上形成金属膜，通过将该金属膜的表面氧化从而形成极薄的厚几nm的金属氧化膜。然后，在该金属氧化膜上依次形成绝缘膜，半导体膜。然后用该半导体膜制作用于集成电路以及显示器件的半导体元件。另外，本说明书中，为了区别常规的使用硅片形成的集成电路，将下文中用于本发明的上述集成电路称为薄膜集成电路。
本发明借助在制作半导体元件的过程中执行的加热处理来晶化金属氧化膜，经过晶化，加强了金属氧化膜的脆性，使衬底容易从半导体元件上被剥离下来。另外，虽然不一定要借助在制作半导体元件的过程中执行的加热处理来作为兼用晶化该金属氧化膜的处理，但当在后面工艺中，粘接的卡的衬底，覆盖材料，以及用于液晶显示器件的对面衬底(counter substrate)等的耐热性不好时，最好在粘接这些衬底之前完成加热处理。
形成半导体元件后，制作用于显示器件的显示元件之前，粘贴第二衬底并使第二衬底覆盖该半导体元件，这样就使半导体元件处于夹在第一衬底和第二衬底中间的状态。
然后，在第一衬底的相反于形成有半导体元件的那一侧粘合第三衬底用来加固第一衬底的刚度。在第一衬底比第二衬底的刚度大的情况下，当剥离第一衬底时，就不容易损伤半导体元件，并且有利于顺利进行撕剥。注意，如果在后来的从半导体元件上剥离第一衬底时，该第一衬底有足够的刚度的情况下，就不用在第一衬底上粘接第三衬底。
接着，连同第三衬底，从半导体元件撕剥第一衬底。由于该剥离的工艺，产生了金属膜和金属氧化膜之间分离的部分；绝缘膜和金属氧化膜之间分离的部分；以及金属氧化膜自身双方分离的部分。不管怎样，半导体元件粘附在第二衬底上，但要从第一衬底上被剥离下来。
剥离第一衬底后，将半导体元件安装到用于智能卡的衬底(下文中简称为卡的衬底)，并剥离第二衬底。随后，制作提供在显示器件中的显示元件。制作显示元件的工艺完成后，粘接用于保护该半导体元件和显示元件的衬底(下文中称作覆盖材料)，并使该覆盖材料覆盖使用该半导体元件和显示元件的集成电路和显示器件，这样以来，集成电路和显示器件就处于夹在卡的衬底和覆盖材料中间的状态。
注意，要求卡的衬底和覆盖材料的总厚度在不妨碍智能卡本身的薄膜化的范围内，确切地说，其厚度最好在几百μm左右。
另外，可以在上述状态下完成智能卡，也可以将卡的衬底和覆盖材料用树脂密封，以便提高智能卡的机械刚度。
显示器件的显示元件可以在将半导体元件安装到卡的衬底完后制作，但也可以在安装前制作。在安装前制作的情形中，可以在剥离第二衬底后，粘接覆盖材料，而且，只要第二衬底的厚度不足以成为问题，也可以在元件被粘贴在第二衬底的状态下完成制作。
另一方面，在将半导体元件安装到卡的衬底完后制作显示元件的情形中，具体地，在制作液晶显示器件的工艺中，比如在制作完和半导体元件之一的TFT电连接的液晶元件(liquid crystal cell)的像素电极，以及覆盖该像素电极的调准膜(alignment film)后然后再将半导体元件，像素电极，以及调准膜安装到卡的衬底，之后，粘接另外制作好的对面衬底，再注入液晶，就完成了显示器件的制作工艺。另外，可以在覆盖材料的表面制作反电极(counter electrode)，颜色滤光片，偏振片(polarizing plate)，以及调准膜(alignmentfilm)等用来代替对面衬底。
另外，可以粘贴另外制作的薄膜集成电路，叠加该薄膜集成电路从而使电路规模和存储容量增大。跟在硅片上制作的集成电路相比，本发明的智能卡使用总厚度被飞跃性地减少了的极薄的薄膜集成电路，所以，可以在智能卡有限的容积中更多地层叠和搭载薄膜集成电路。所以，本发明不但可以抑制薄膜集成电路在布局中所占的面积，而且可以使电路规模和存储器容量更大，因此，可以实现智能卡的多功能。另外，叠加的薄膜集成电路之间的连接可以用倒装芯片法(FlipChip)，卷带自动结合的TAB(Tape Automated Bonding)法，或线路接合法(wire bonding)等众所周知的连接方法来实现。
另外，可以搭载使用硅片的集成电路，并使其与薄膜集成电路连接。使用硅片的集成电路包括电感器，电容器，电阻等。
另外，叠加的薄膜集成电路或使用硅片的集成电路不限于以裸芯片直接被搭载的形式，也可以采用在内插板上安装并封装后，然后搭载的形式。至于封装，不仅可以采用芯片级封装的CSP(Chip SizePackage)，多芯片封装的MCP(Multi Chip Package)，而且可以采用双列直插式封装的DIP(Dual In-line Package)，方型扁平式封装的QFP(Quad Flat Package)，小尺寸封装的SOP(Small OutlinePackage)等所有众所周知形式的封装。
注意，在一个大面积的衬底上形成多个智能卡的情形中，在中途实施切割(dicing)，使薄膜集成电路和显示器件以智能卡为单位，相互分开。
跟用硅片制作的膜的厚度为50μm的集成电路相比，本发明使用膜厚500nm或更薄的半导体膜可以形成总厚度被飞跃性地减少为1μm-5μm，典型的为2μm左右极薄的薄膜集成电路。另外，可以使显示器件的厚度为0.5mm左右，优选为0.02mm左右。所以，可以将这样的显示器件搭载到厚度为0.05mm-1.5mm的智能卡上。
本发明可以利用比硅片廉价并且面积大的玻璃衬底，因此可以低成本地，高产量地大量生产薄膜集成电路，并且可以飞跃性地减少薄膜集成电路的生产成本。此外，衬底可以被反复使用，这样，可以减少成本。
另外，本发明没有必要象用硅片制作集成电路那样实施造成裂缝以及研磨痕迹原因的背面研磨，并且，薄膜集成电路厚度的不均匀是由于在形成构成薄膜集成电路的各个膜时的膜厚度不均匀而导致，这个不均匀多也不过几百nm左右，跟背面研磨处理导致的几-几十μm的不均匀相比，本发明可以飞跃性抑制该不均匀性。
另外，因为可以依据卡的衬底的形状来粘接薄膜集成电路和显示器件，这样就提高了智能卡形状的自由程度。所以比如，可以在有曲面形状的圆柱状的瓶子等形成并粘接智能卡。
另外，显示器件可以被应用于比如液晶显示器件；以有机发光元件为典型的在其各个像素中提供有发光元件的发光器件；以及数字微镜器的DMD(Digital Micromirror Device)等。另外，在薄膜集成电路中可以提供微处理器(CPU)，存储器，电源电路，或其他的数字电路，或模拟电路。此外，还可以在薄膜集成电路中设置显示器件的驱动电路，以及生成馈送给该驱动电路信号的控制器。
另外，本发明不局限于卡，凡是具备如上所述的薄膜集成电路以及显示器件双方，并且可以和寄主(host)之间进行收发数据的便携型记录介质都包含在本发明的范围内。
附图说明
图1A-1C分别是本发明的智能卡的外观图，以及表示其内部结构的视图；
图2A-2C是表示利用大尺寸的卡的衬底制作本发明的智能卡的方法的视图；
图3A和3B是本发明的智能卡的横截面图；
图4是表示薄膜集成电路和显示器件的方框图；
图5A-5C是表示半导体元件的制作方法的视图；
图6A和6B是表示半导体元件的制作方法的视图；
图7A和7B是表示半导体元件的制作方法的视图；
图8A和8B是表示半导体元件的制作方法的视图；
图9A和9B是表示半导体元件的制作方法的视图；
图10A和10B是表示输入输出接口的结构的方框图；
图11A和11B是液晶显示器件的横截面图；
图12是发光器件的横截面图；
图13是表示利用本发明的智能卡的方法的视图；
图14A和14B是本发明的智能卡的外观图；
图15A-15F是在塑料衬底上形成的薄膜集成电路和显示器件的照片；
图16是实施例5中使用的样品的通过SEM获得的横截面的照片；
图17是示出图16中No.1的EDX测定结果的视图；
图18是示出图16中No.2的EDX测定结果的视图；
图19是示出图16中No.19的EDX测定结果的视图；
图20是示出图16中No.20的EDX测定结果的视图；
图21是实施例5中使用的样品的通过TEM而获得的横截面照片；
图22是实施例5中使用的样品的通过TEM而获得的横截面照片；
图23是实施例5中使用的样品的通过TEM而获得的横截面照片；
图24是示出图23中的点(point)2的EDX测定结果的视图；
图25是示出图23中的点(point)3的EDX测定结果的视图；
图26是示出图23中的点(point)4-1的EDX测定结果的视图；
图27是示出图23中的点(point)5的EDX测定结果的视图；
图28是示出图23中的点(point)11的EDX测定结果的视图；
图29是示出图23中的点(point)12的EDX测定结果的视图；
图30是示出图23中的点(point)13的EDX测定结果的视图；
图31是示出图23中的点(point)14的EDX测定结果的视图；
图32是示出图23中的点(point)15的EDX测定结果的视图；
图33是示出图23中的点(point)16的EDX测定结果的视图；
图34是示出图23中的点(point)17的EDX测定结果的视图；
图35是示出图23中的点(point)18的EDX测定结果的视图；
图36是示出图23中的点(point)19的EDX测定结果的视图。
注：本发明的选择图为图1
具体实施方案模式
实施方案模式1
图1A是本发明的智能卡的俯视图。表示在图1A中的智能卡是非接触类型，即以非接触的形式来执行智能卡和终端设备的读出器/写入器(reader/writer)之间的数据收发信。图中数字101表示卡的主体，102表示搭载在卡主体101上的显示器件的像素部分。
图1B表示在图1A中示出的封闭在卡主体101内部的卡的衬底104的结构。在卡的衬底104的其中一个面上安装显示器件105和薄膜集成电路106。显示器件105和薄膜集成电路106通过线路108电连接在一起。
卡的衬底104上形成有电连接于薄膜集成电路106的环形天线103。环形天线103可以利用电磁感应以非接触的形式执行终端设备和薄膜集成电路之间数据的收发信，比接触型更不容易使智能卡受到物理性的磨耗和损伤。
图1B示出了环形天线103形成在卡的衬底104上的一个例子，然而也可以将另行制作的环形天线搭载到卡的衬底104上。例如，将铜线等卷成环形夹在厚度为100μm左右的2张塑料膜之间，并施加压力，由此获得之物可以作为环形天线来使用。
另外，图1B中，一个智能卡只使用了一个环形天线103，然而如图1C所示，一个智能卡也可以使用多个环形天线103。
接下来，说明薄膜集成电路和显示器件的制作方法。本实施方案模式中虽然以TFT作为半导体元件进行举例，但在本发明中包含于薄膜集成电路和显示器件中的半导体元件并不局限于此，本发明的半导体元件可以使用所有的电路元件。例如，除了TFT以外，典型的还包括存储元件，二极管，光电转换元件，电阻元件，线圈(coil)，电容元件，电感器等。
首先，如图5A所示，在第一衬底500上用溅射法形成金属膜501。在此，用钨作为金属膜501的材料，其膜的厚度设定为10nm-200nm，优选50nm-75nm。注意在本实施方案模式中，在第一衬底500上直接形成金属膜501，但是也可以用氧化硅，氮化硅，氮氧化硅等的绝缘膜覆盖第一衬底500后，然后在其上形成金属膜501。
形成金属膜501后，在不暴露于大气的情况下，在金属膜501上层叠氧化物膜502作为绝缘膜。在此，形成厚150nm-300nm的氧化硅膜作为氧化物膜502。注意如果使用溅射法形成该膜，在第一衬底500的边缘也会形成膜。这样在实施后面的剥离工艺时，氧化物膜502会残留在第一衬底500侧，为了防止该残留物遗留下来，最好用氧灰化(O2 ashing)等方法将形成在衬底边缘的金属膜501以及氧化物膜502选择性地清除掉。
另外，在形成氧化物膜502时，在靶和衬底之间用闸门屏蔽，产生等离子体从而实施作为溅射的前阶段的预溅射(pre-sputtering)。预溅射在以下条件下实施，即设定流量Ar为10sccm，O2为30sccm，第一衬底500的温度为270℃，成膜功率为3kW，并在这些条件被维持的状态下实施预溅射。通过该预溅射，在金属膜501和氧化物膜502之间形成了厚几nm左右(在此为3nm)的极薄的金属氧化膜503。金属氧化膜503是通过使金属膜501表面氧化而形成的。所以，本实施方案模式中的金属氧化膜503是由氧化钨而形成。
另外，虽然本实施方案模式通过预溅射形成了金属氧化膜503，但本发明并不局限于此，例如也可以添加氧，或给氧添加Ar等惰性气体，通过等离子体意向性地将金属膜501的表面氧化，从而形成金属氧化膜503。
形成氧化物膜502后，用等离子体化学气相沉积的PCVD(PlasmaChemical Vapor Deposition)法形成底膜504。在此，形成厚100nm的氧氮化硅膜作为底膜504。然后，在形成底膜504后，在不暴露于大气的情况下，形成厚25-100nm(优选30-60nm)的半导体膜505。顺便提一下，半导体膜505可以是非晶半导体，也可以是多晶半导体。另外，半导体不仅可以采用硅作为其材料，还可以采用锗硅。当采用锗硅时，锗的密度最好在0.01-4.5atomic％左右。
随后，用众所周知的技术来晶化半导体膜505。这个众所周知的晶化方法包括使用电热炉的热晶化法，使用激光束的激光晶化法，以及使用红外线的灯退火(lamp anneal)晶化法。或者，可以根据日本专利公开Hei 7-130652号中公开的技术，利用使用催化剂的晶化方法。
本实施方案模式使用激光晶化方法来晶化半导体膜505。在用激光晶化之前，为了提高半导体膜的对激光的耐性，对该半导体膜执行500℃，1小时的热退火处理。本实施方案模式通过该加热处理，加强了金属氧化膜503的脆性，从而使后面的剥离第一衬底的程序变得容易执行。通过该晶化处理，可以使金属氧化膜503在晶界变得易碎，加强了其脆性。本实施方案模式的情形中，最好执行420℃-550℃，0.5-5小时左右的加热处理来执行金属氧化膜503的晶化工艺。
随后，借助于使用能够连续振荡的固态激光，照射基波的二次谐波至四次谐波的激光束，可以得到大晶粒尺寸的晶体。比如，最好采用典型的Nd:YVO4激光(1064nm的基波)的二次谐波(532nm)或三次谐波(355nm)。具体地，使用非线性光学元件将由连续振荡型YVO4激光器发射的激光束转变为谐波，从而获得输出能源为10W的激光束。此外，也可以利用使用非线性光学元件发射谐波的方法。然后，更优选，通过光学系统形成激光束以使其照射面具有矩形或椭圆形，由此，照射半导体膜505。此时，需要约0.01到100MW/cm2(优选0.1到10MW/cm2)的能量密度。相对激光束以约10到2000cm/s的速率移动半导体膜，以达到照射半导体膜的目的。
另外，激光晶化可以照射连续振荡的基波的激光束和连续振荡的谐波的激光束，也可以照射连续振荡的基波的激光束和脉冲振荡的谐波的激光束。
另外，也可以在稀有气体或氮等惰性气体的气氛中照射激光束。通过该程序，可以减少由于照射激光束而引起的半导体表面的粗糙，而且可以抑制由因界面能级密度(interface level density)的不均匀而导致的门栏值的不均匀。
通过以上的对半导体膜505辐照激光束的程序，形成了其结晶性被提高了的半导体膜。另外，也可以事先用溅射法，等离子体CVD法，热CVD法形成多晶半导体膜的半导体膜。
随后，如图5B所示，对半导体膜实施形成图案，从而形成岛形状的半导体膜507，508，用该岛形状的半导体膜507，508形成以TFT为典型的各种半导体元件。另外，在本实施方案模式中，底膜504和岛形状的半导体膜507，508连接在一起，但是可以根据半导体元件的情况，在底膜504和岛形状的半导体膜507，508之间形成电极以及绝缘膜等。例如，在半导体元件之一的底栅型TFT的情形中，在底膜504和岛形状的半导体膜507，508之间形成栅电极以及栅绝缘膜。
在本实施方案模式中，用岛形状的半导体膜507，508形成顶栅型的TFT 509，510(图5C)。具体地说，形成栅绝缘膜511使其覆盖岛形状的半导体膜507，508。然后，在栅绝缘膜511上形成导电膜，通过形成图案的程序形成栅电极512，513。在本实施方案模式中，用该导电膜的图案形成环形天线506。接着用栅电极512，513，或形成抗蚀剂膜并形成图案用作掩膜，给岛形状的半导体膜507，508掺杂赋予n型导电性的杂质从而形成源区，漏区，以及LDD(轻掺杂漏，LightDoped Drain)区。顺便提一下，虽然在此TFT 509，510被制作为n型，如制作为p型，可以掺杂赋予p型TFT导电性的杂质。
通过上述工序，可以形成TFT 509，510。注意，制作TFT的方法不限于上述工序。另外，环形天线506和薄膜集成电路的电连接不局限于上述形式。
然后，形成覆盖TFT 509，510以及环形天线506的第一层间绝缘膜514。随后，在栅绝缘膜511以及第一层间绝缘膜514中形成接触孔，然后，形成通过接触孔和TFT 509，510以及环形天线连接的线路515-518，并且这些线路和第一层间绝缘膜514连接。
用于薄膜集成电路的TFT 509和环形天线506通过线路515电连接在一起。另外，环形天线506不一定使用和栅电极相同的导电膜，它可以使用和线路515-518相同的导电膜。
另外，作为显示器件的像素部分的开关元件使用的TFT 510和线路518电连接在一起，但是线路518的一部分还作为后面形成的液晶元件的像素电极发挥作用。
接下来，形成使用绝缘膜的间隔物519。然后，形成覆盖线路518和间隔物519的调准膜520，并对调准膜实施磨搓(rubbing)处理。另外，也可以将调准膜520形成为和薄膜集成电路以及环形天线506重叠的形式。
接着，形成密封液晶的密封材料521。然后，如图6A所示，在用密封材料521围住的区域滴注液晶522。然后如图6B所示，用密封材料521粘贴另外形成的对面衬底523。另外，可以在密封材料中掺杂填充物。对面衬底523的厚度为几百μm左右，其上形成有透明导电膜制成的反电极524，经磨搓处理过的调准膜526。另外，除了这些以外，也可以形成颜色滤光片，以及为防止向错(disclination)的屏蔽膜等。另外，偏振片(polarizing plate)527被粘贴在相反于对面衬底523的形成有反电极524的那一面。
反电极524和液晶522以及线路518层叠的部分相当于液晶元件528。完成了液晶元件也就完成了显示器件529。另外，虽然在本实施方案模式中，薄膜集成电路530和对面衬底523没有重叠在一起，但是即使对面衬底523和薄膜集成电路530重叠也无妨。当重叠时，为了提高IC卡的机械刚度，可以在对面衬底和薄膜集成电路之间填充绝缘性的树脂。
另外，本实施方案模式中使用分配方式(也称滴注方式，dispensermethod)来封入液晶，然而本发明并不局限于此方式。本发明也可以采用在粘贴对面衬底后利用毛细现象封入液晶的浸方式(dippingmethod)。
接下来，如图7A所示，形成覆盖薄膜集成电路530和显示器件529的保护层531。保护层531在执行后面的粘接以及剥离第二衬底的工艺时，可以保护薄膜集成电路530和显示器件529，并且，该保护层采用在剥离第二衬底后能够被清除的材料。例如，在整个表面涂敷可溶于水或醇的环氧基，丙乙烯基，硅基的树脂，就可以形成保护层531。
在本实施方案模式中，用旋涂涂敷由水溶性树脂(东亚合成制：VL-WSHL10)制成的厚度为30μm的膜，随后进行2分钟的曝光以实现初步硬化，然后用UV光从背面辐照2.5分钟，表面10分钟，共计12.5分钟以执行正式硬化，这样就形成了保护层531。
另外，层叠多个有机树脂膜的情形中，在涂敷或焙烧时，有这些有机树脂使用的溶剂的一部分出现溶解，或出现粘合性变得过高的担忧。因此，在第一层间绝缘膜514和保护层531双方使用可溶于相同介质的有机树脂时，为使在后面的清除保护层531的工艺顺利进行，最好形成覆盖第一层间绝缘膜514的无机绝缘膜(SiNx膜，SiNxOv膜，AlNx膜，或AlNxOv膜)以作准备。
然后，形成引发剥离机制的部分，这个程序可以使一部分金属氧化膜503和氧化物膜502之间的粘接性降低，或可以使一部分金属氧化膜503和金属膜501之间的粘接性降低。具体地说，沿着要剥离区域的周边部分从外部施加局部压力，以损坏金属氧化膜503的层内的一部分或界面附近的一部分。在本实施方案模式中，在金属氧化膜503的边缘附近垂直压下金刚石笔等硬针，并且在施加负荷的状态下，沿着金属氧化膜503移动。最好使用划线器装置并且将下压量设在0.1mm到2mm，边移动边施加压力。以这种方式在剥离之前形成引发剥离机制的粘接性被降低的部分，可以减少后面剥离工艺的次品率，从而提高了成品率。
接下来，使用双面胶带532粘贴第二衬底533到保护层531。并且，使用双面胶带534粘贴第三衬底535到第一衬底500。另外，可以使用粘合剂来代替双面胶带。例如，使用用紫外线来执行剥离的粘合剂，这样，在剥离第二衬底时，可以减轻落在半导体元件的负担。第三衬底535保护第一衬底500在后面的工艺中不受损伤。第二衬底533和第三衬底535最好采用刚度比第一衬底500更大的衬底，比如，石英衬底，半导体衬底。
然后，用物理手段撕剥金属膜501和氧化物膜502。开始撕剥的位置是在上面的步骤中，一部分金属氧化膜503，金属膜501或氧化物膜502之间的粘接性被降低了的区域。
通过该剥离工艺，产生了金属膜501和金属氧化膜503之间分离的部分，氧化物膜502和金属氧化膜503之间分离的部分，以及金属氧化膜503自身双方分离的部分。并且，在第二衬底533一侧粘附有半导体元件(在此为TFT 509，510)，在第三衬底535一侧粘附有第一衬底500以及金属膜501的状态下，执行分离。利用较小的力就可执行剥离(例如，利用人的手，利用喷嘴吹出气体的吹压，利用超声，等等)。图7B表示剥离后的状态。
接着，用粘合剂539粘接卡的衬底540和附着有部分金属氧化膜503的氧化物膜502(图8A)。在粘接时，粘合剂539的材料选择是重要的，通过该粘接剂粘接在一起的氧化物膜502和卡的衬底540之间的粘接力必须高于用双面胶带532粘接在一起的第二衬底533和保护层531之间的粘接力。
作为粘合剂539的材料，可以采用诸如反应固化粘合剂，热固化粘合剂，UV固化粘合剂等的光固化粘合剂，厌氧粘合剂等各种固化粘合剂。理想的是在粘合剂539中添加银，镍，铝，氮化铝等制成的粉末，或填充物使粘合剂539具有高导热性。
另外，金属氧化膜503如残留在氧化物膜502的表面，氧化物膜502和卡的衬底540之间的粘接力有可能因此而变小，所以，用蚀刻等方法完全清除该残留物，然后粘接卡的衬底，这样就提高了粘接力。
然后，如图8B所示，从保护层531按双面胶带532，第二衬底533的顺序剥离，或者二者同时一起剥离。
然后，如图9A所示，清除保护层531。在此，因保护层531使用水溶性树脂，所以用水熔化后清除。当残留下的保护层531会成为次品的原因时，最好在清除完毕后，对表面实施清洗处理或氧等离子体处理，以便除去残留的保护层531的那一部分。
接下来如图9B所示，用树脂542覆盖薄膜集成电路530和显示器件529，并且提供保护薄膜集成电路530和显示器件529的覆盖材料543。可以以这样状态作为智能卡的完成，但也可以用密封材料密封卡的衬底540和覆盖材料543。另外，不一定必须设置覆盖材料543，也可以用密封材料来密封卡的衬底540。
智能卡的密封可以使用普遍使用的材料，比如，可以使用聚酯，丙烯酸，聚乙烯乙烯酯，丙烯，氯乙烯，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂，聚对苯二甲酸乙酯等聚合材料。另外，在密封时，要使显示器件的像素部分暴露出来，并且，在接触型智能卡的情形中，除了像素部分，也要暴露出连接端子。完成了密封，就形成了具有如图1A所示外观的智能卡。
经用密封材料密封后，可以增加智能卡的机械刚度，扩散在薄膜集成电路和显示器件中产生的热，并且阻挡来自智能卡邻接电路的电磁噪音。
另外，卡的衬底540，覆盖材料543，对面衬底523可以使用塑料衬底。塑料衬底可以采用由具有极性基的冰片烯(norbornene)树脂组成的ARTON：日本JSR公司制造。此外，还可以采用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘酸乙酯(polyethylenenaphthalate)(PEN)、聚碳酸脂(PC)、尼龙、聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚芳酯(PAR)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)和聚酰亚胺等的塑料衬底。另外，为了扩散薄膜集成电路和显示器件内部产生的热，卡的衬底540最好具有2-30W/mK左右的高导热率。
在本实施方案模式中，金属膜501采用钨作材料，但本发明的金属膜的材料并不限于该材料。只要是能够在其表面形成金属氧化膜503，并且通过晶化该金属氧化膜503可以将衬底剥离的含有金属的材料，任何材料都可以被利用。例如，除了W，还使用TiN，WN，Mo等。另外，利用这些金属的合金作为金属膜时，在晶化时的最佳加热温度根据其成分比例而不同。所以，调节该合金的成分比例，可以使加热处理在不妨碍制作半导体元件的工艺温度范围内被执行，所以形成半导体元件工艺的选择范围不容易被限制。
另外，在执行激光晶化时，通过使各个薄膜集成电路落在垂直于激光束的聚束光的扫描方向的幅宽区域中，防止了薄膜集成电路被安排到横穿在聚束光长轴两端形成的结晶性欠佳的区域(边缘)。通过这样的布置，至少可以将几乎不存在结晶晶界的半导体膜用作薄膜集成电路内的半导体元件。
通过上述制作方法，可以形成总膜厚在1μm至5μm的范围，典型的是2μm左右的，其厚度被飞跃性地减少了的极薄薄膜集成电路。另外，可以使显示器件WDP的厚度为0.5mm，优选为0.02mm左右。所以，显示器件可以被搭载到厚度为0.05mm-1.5mm的智能卡上。另外，薄膜集成电路的厚度WIC不仅包括半导体元件本身的厚度，还包括：提供在金属氧化膜和半导体元件之间的绝缘膜的厚度，以及形成半导体元件后覆盖的层间绝缘膜的厚度。
另外，本实施方案模式示出的液晶显示器件是反射类型，然而如果可以搭载后照光(back light)，这个液晶显示器件也可以是透射类型。当是反射型液晶显示器件时，可以使显示图像消耗的功率比透射类型液晶显示器件更小。当是透射类型液晶显示器件时，其与反射型不同的是在暗处容易辨认图像。
另外，本发明使用的显示器件必须达到用脸部照片可以辨认出本人的清晰度(resolution)程度。所以，如果该显示器件是用来代替证明照片，至少需要有QVGA(320×240)左右的清晰度。
接下来说明用大尺寸的衬底形成多个智能卡的例子。图2A示出一个状态，其中大尺寸卡的衬底201上形成有和多个智能卡相应的显示器件，环形天线，集成电路。图2A相当于除去保护层后，用树脂粘贴覆盖材料前的状态。用虚线围住的区域202对应于一个智能卡。另外，当使用液晶显示器件作为显示器件时，注入液晶的方式可以采用滴注方式，也可以采用浸渍方式。但是，如果象图2A那样，在利用浸渍方式时使用的液晶的注入口不能被安排在卡的衬底的边缘的情况下，就要采用滴注方式。
然后，如图2B所示，涂敷覆盖对应于各个智能卡的集成电路，显示器件以及环形天线的树脂203。另外，图2B中，为了对应各个智能卡，涂敷树脂203的区域相互分开，但是，也可以在整个衬底表面涂敷树脂。
接着，如图2C所示，粘贴覆盖材料204。然后沿虚线205执行切割，使智能卡相互分开。可以将这时的状态作为完成状态，但也可以在此之后，用密封材料进行密封后然后作为完成状态。
图3A是沿图2C中的虚线A-A’切割的横截面图。图3A表示的横截面图中，卡的衬底201和覆盖材料204之间，除了薄膜集成电路207和显示器件206，还提供有用硅片形成的集成电路208。集成电路可以包括电容器，电感器，电阻等。
其次，图3B表示一个和图3A结构不同的智能卡的横截面图。图3B表示的智能卡中，卡的衬底221上提供有薄膜集成电路222和显示器件223。并且，图3B中，用来密封显示器件的显示元件的衬底224的一部分在覆盖材料225的开口部分暴露出来。衬底224用透光材料形成。确切地说，例如，如果是液晶显示器件时，衬底224相当于对面衬底，如果是发光器件，衬底224相当于密封发光元件的衬底。另外，覆盖材料225使用不透光的材料。另外，卡的衬底221也可以使用不透光的材料。根据上述结构，只有像素部分可以透过光。
接下来，将说明非接触型智能卡中薄膜集成电路和显示器件的结构的一种形式。图4示出了搭载在本发明的智能卡中的薄膜集成电路401和显示器件402的方框图。
图中数字400表示输入用环形天线，413表示输出用环形天线。另外，403a表示输入接口，403b表示输出接口。另外，各种环形天线的数量不受表示在图4中的个数限制。
通过输入用环形天线400，从终端设备输入的交流电源电压和各种信号在输入接口403a处被解调或转换为直流，并被馈送到各个电路。另外，从薄膜集成电路401输出的各种信号在输出接口403b处被调制，并通过输出用环形天线413被馈送到终端设备。
图4中表示的薄膜集成电路401中提供有CPU(中央处理器)404，ROM(只读存储器，Read Only Memory)405，RAM(随机存储器，Random Access Memory)406，EEPROM(电擦写可编程只读存储器，Electrically Erasable Programmable ROM)407，协同处理器(coprocessor)408，控制器409。
CPU 404控制智能卡的全部处理，ROM 405则存储CPU 404中使用的各种程序。协同处理器408是辅助主体CPU 404工作的副处理器，RAM 406除了在终端设备和薄膜集成电路401之间进行通信时作为缓冲器发挥作用以外，还可以作为在数据处理时的工作区域。另外，EEPROM 407将作为信号输入的数据存储到预定的地址。
另外，如以可以重写的状态存储脸部照片等图像数据，则将其存储到EEPROM 407，如以不可以重写的状态存储脸部照片等图像数据，则将其存储到ROM 405。另外，也可以另外准备其他的用于存储图像数据的存储器。
控制器409配合显示器件402的规格，对包含图像数据的信号进行数据处理，并给显示器件402馈送视频信号。另外，控制器409根据从输入接口403a输入进来的电源电压以及各种信号，生成Hsync信号，Vsync信号，时钟信号CLK，交流电压(AC cont)，并馈送到显示器件402。
显示器件402包括：显示元件提供在各个像素中的像素部分410；选择提供在上述像素部分410中的像素的扫描线驱动电路411；以及给被选中的像素馈送视频信号的信号线驱动电路412。
图10A示出了输入接口403a的更为详细的结构。图10A所示的输入接口403a包括整流电路420，解调电路421。从输入用环形天线400输入进来的交流电源电压在整流电路420处被整流，然后以直流的电源电压的形式被馈送到薄膜集成电路401中的各种电路。另外，从输入用环形天线400输入进来的交流的各种信号在解调电路421处被解调，然后通过解调被波形整形的各种信号被馈送到薄膜集成电路401中的各种电路。
图10B示出了输出接口403b的更为详细的结构。图10B所示的输出接口403b包括调制电路423，放大器424。从薄膜集成电路401中的各种电路输入到输出接口403b的各种信号在调制电路423处被调制，并在放大器424处被放大或缓冲放大后，从输出用环形天线413被馈送到终端设备。
另外，本实施方案模式中虽示出了非接触型环形天线的例子，但非接触型智能卡并不局限于此，也可以使用发光元件或光电探测器等用光来进行数据的收发信。
另外，本发明的智能卡不局限于非接触型，它也可以是接触型。图14A示出了接触型智能卡的外观图。接触型智能卡提供有连接端子1501，连接端子1501和终端设备的读出器/写入器电连接在一起，从而进行数据的收发信。
本实施方案模式中示出了从终端设备的读出器/写入器供应电源电压的例子，然而本发明并不局限于此。例如，如图14B所示，在智能卡中配备太阳能电池1502。另外，也可以在智能卡中埋入锂电池等超薄型电池。
图4，10A，10B表示的薄膜集成电路401和显示器件402的结构只不过是一个例子而已，本发明并不局限于此例。显示器件402只要具有显示图像的功能，不管是有源类型也好，无源类型也好都可以。另外，薄膜集成电路401只要有能够给显示器件402馈送控制显示器件402驱动的信号的功能就可以。另外，还可以具备，比如GPS等功能。
象这样，通过将脸部照片的数据显示在显示器件，跟通过印刷的显示方法相比，可以使更换脸部照片变得更困难。而且，通过将脸部照片的数据存储到不可以重写的ROM等，可以防止伪造，更加确保了智能卡的安全性。另外，将智能卡设计成如果强行分解该卡，ROM就坏掉的结构，可以更进一步地确保防止伪造。
另外，如果在用于显示器件的半导体膜或绝缘膜等上刻下编号的印，例如还未在ROM上存储图像数据的智能卡即使因被盗而被不正当地传到第三者的手中，通过编号可以在一定程度上推算出其流通途径。这种情况下，如在不将显示器件分解到已不可以被修复的程度就不能消掉编号的位置上刻下编号的印，就更有效。
另外，塑料衬底因其对半导体元件制作过程中的加热处理温度的耐热性低，所以使用塑料衬底作衬底有困难。然而，本发明使用对包括加热处理的制作过程中的温度有较高耐性的玻璃衬底或硅片等，并在该制作工艺完成后将制成的半导体元件转移到由塑料制成的衬底上，因此，本发明可以在比玻璃衬底薄的塑料衬底上形成薄膜集成电路和显示器件。而且，在玻璃衬底上形成的显示器件至多能薄到2mm，3mm左右，然而本发明通过使用塑料衬底，可以将显示器件的厚度飞跃性地减薄为0.5mm左右，优选0.02mm左右。所以，显示器件可以被搭载到厚度是0.05-1.5mm的智能卡中，在不妨碍智能卡的小体积化，轻巧化的情况下，可以实现智能卡的多功能。
因为本发明可以形成其厚度被飞跃性地减薄了的薄膜集成电路，所以可以在智能卡有限的容积中通过叠加层叠该薄膜集成电路更多地搭载电路规模和存储器容量更大的薄膜集成电路。
另外，可以配合卡的衬底的形状来粘接薄膜集成电路和显示器件，这样就提高了智能卡形状的自由度。所以比如，可以在有曲面形状的圆柱状的瓶子等形成并粘接智能卡。
实施例
下文中将说明本发明的实施例。
实施例1
本实施例将说明在完成液晶显示器件后剥离第一衬底时使用的液晶材料。
图11示出了本实施例的液晶显示器件的横截面图。图11A表示的液晶显示器件的像素中提供有柱状的间隔物(spacer)1401，对面衬底1402和像素侧的衬底1403之间的密接性因该柱状间隔物1401而得到提高。并且据此，在剥离第一衬底时可以防止和密封材料重叠的区域以外的半导体元件残留在第一衬底侧。
另外图11B是一个液晶显示器件的横截面图，该液晶显示器件使用向列液晶，近晶型液晶，铁磁性液晶或上述液晶包含在聚合树脂中的聚合物分散型液晶PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)。使用聚合物分散型液晶的PDLC 1404可以使对面衬底1402和元件一侧的衬底1403之间的密接性提高，在剥离第一衬底时可以防止和密封材料重叠的区域以外的半导体元件残留在第一衬底侧。
实施例2
本实施例将说明搭载在本发明的智能卡上的发光器件的结构。
在图12中，卡的衬底6000上形成有底膜6001，在该底膜6001上形成了晶体管6002。另外，晶体管6002被第一层间绝缘膜6006覆盖，第一层间绝缘膜6006上叠加层叠有第二层间绝缘膜6007和第三层间绝缘膜6008。
第一层间绝缘膜6006可以采用使用等离子体CVD法或溅射法而形成的氧化硅，氮化硅，或氮氧化硅的单层膜或这些膜的叠层。或者，可以采用一个叠层作为第一层间绝缘膜，该叠层是在氮元素的摩尔分数(mole fraction)比氧元素大的氧氮化硅膜上叠加氧元素的摩尔分数比氮元素大的氧氮化硅膜而形成。
另外，形成第一层间绝缘膜6006后，执行加热处理(300-550℃，1-12小时的热处理)，这样第一层间绝缘膜6006中含有的氢元素就可以终结包含在激活层6003中的半导体的悬空键(也就是氢化)。
另外，第二层间绝缘膜6007可以采用以有机树脂膜，无机绝缘膜，硅氧烷基材料为基础材料而形成的含有Si-O键和Si-CHx键的绝缘膜。本实施例使用非光敏性丙烯酸。第三层间绝缘膜6008采用比其他绝缘膜更不容易透过湿气和氧气等这样成为促使发光元件退化原因的膜。典型的最好采用例如，类金刚石的DLC膜，氮化碳膜，用RF溅射法形成的氮化硅膜等。
图12中，在TiN形成的阳极6010上按以下顺序层叠：作为空穴注入层6011的厚20nm的CuPc；作为空穴输运层6012的厚40nm的α-NPD，作为发光层6013的掺杂了DMQd的厚37.5nm的Alq3，作为电子输运层6014的厚37.5nm的Alq3，作为电子注入层6015的厚1nm的CaF2，用Al形成的厚10-30nm的阴极6016。图12中，阳极6010使用不透光的材料，阴极6016的厚度是10-30nm，并且透光，通过这样的结构，就可以从阴极6016那一侧获取光。另外，从阴极6016侧获取光的方法，除了将阴极的膜减薄的方法以外，还有采用通过掺杂Li的使功函数变小的ITO的方法。本实施例示出了从阴极侧发光的发光元件的结构。
晶体管6002是控制供应给发光元件电流的驱动用晶体管，它和发光元件直接，或者通过其他的电路元件，串行连接在一起。
阳极6010形成在第三层间绝缘膜6008上，另外，第三层间绝缘膜6008上形成有作为隔离物使用的有机树脂膜6018。虽然本实施例使用有机绝缘膜作为隔离物，但是以无机绝缘膜，硅氧烷基材料为基础材料而形成的含有Si-O键和Si-CHx键的绝缘膜也可以作为隔离物。有机树脂膜6018具有开口部分6017，在该开口部分，阳极6010，空穴注入层6011，空穴输运层6012，发光层6013，电子输运层6014，电子注入层6015，阴极6016叠加重叠，这样就形成了发光元件6019。
其次，在有机树脂膜6018和阴极6016上形成保护膜6020。保护膜6020和第三层间绝缘膜6008同样，采用比其他绝缘膜更不容易透过湿气和氧气等这样成为促使发光元件退化原因的膜。典型的最好采用例如，类金刚石的DLC膜，氮化碳膜，用RF溅射法形成的氮化硅膜等。另外，保护膜也可以采用一种层叠的膜，该膜是由不容易透过湿气和氧气等物质的膜和比这个膜容易透过湿气和氧气等物质的膜层叠而形成。
另外，有机树脂膜6018的开口部分6017的边缘部分中，为了不使在有机树脂膜6018上部分重叠形成的场致发光层的边缘部分开洞，该边缘部分最好呈圆形。具体地说，开口部分的有机树脂膜的横截面所呈曲线的曲率半径最好是0.2-2μm左右。
根据上述结构，可以使后来形成的包括空穴注入层6011，空穴输运层6012，发光层6013，电子输运层6014，电子注入层6015的场致发光层，阴极6016有良好的覆盖度，并且可以防止阳极6010和阴极6016短路。另外，通过缓和上述各层的应力，可以抑制发光区域减少的被称为‘收缩’(shrink)的次品，从而提高了可靠性。
另外，实际完成到图12的工艺后，为了不暴露于大气，最好用密封性好，漏气少的保护膜(层压薄膜，紫外线固化树脂膜)或有透光性的密封衬底进行封装。在封装时，为了防止在剥离第二衬底的过程中密封用衬底也被剥离掉，封入树脂来提高密封用衬底的密接性。
另外，图12示出的发光设备相当于粘贴覆盖材料前的状态。本实施例中，发自发光元件6019的光按如箭头所指那样，照射覆盖材料。但是，本发明并不局限于此，发自发光元件的光也可以朝向卡的衬底侧。这种情况时，显示在像素部分的图像要从卡的衬底那一侧看。
另外，本发明的发光器件不局限于图12所示的结构。
实施例3
本实施例将对本发明的智能卡的具体利用方法的一个实例进行说明，该实例利用本发明的智能卡作为银行的自动存取款的ATM卡。
如图13所示，首先，在银行等金融机构新开设一个账号时，将存款人脸部照片的图像数据存储到ATM卡的薄膜集成电路中的ROM。通过在ROM存储脸部照片的数据，可以防止更换脸部照片等的伪造。然后该ATM卡被提供给存款人，这样该ATM卡就开始被使用了。
ATM卡在自动存取款机ATM或柜台被用于交易。随后，取款，存款，汇款等交易被执行后，配备在该ATM卡的薄膜集成电路中的EEPROM就会存储存款余额以及交易日期时间等详细账目。
可以设定一个程序，使ATM卡的像素部分在上述交易结束后显示存款余额以及交易日期时间等详细信息，并在一定时间后使该显示消失。而且，可以在进行交易的过程中，将例如通过自动汇款的出帐等不使用ATM卡而进行的结算全部记录在智能卡中，并可以在像素部分中确认到上述记账。
另外，可以像提款卡那样使用银行的ATM卡，在没有现金交易的情况下直接从帐户付款，并在结算前，利用在结算时使用的终端设备，从银行的主计算机提出余额的信息，并在智能卡的像素部分显示该余额。如在终端设备显示余额，在使用过程中有被第三者从背后偷看的担忧，然而如在智能卡的像素部分显示余额，智能卡的使用者不用担心被偷看就能确认到余额。而且，因为余额的确认还可以利用设置在经销商店的结算时使用的终端设备来进行，所以不用在结算前专门到银行的柜台或ATM去办理查询余额以及更新帐目记录等确认余额的繁杂手续。
另外，本发明的智能卡并不局限于ATM卡。本发明的智能卡还可以作为月票或预付卡来应用，并且可以将余额显示在像素部分。
实施例4
在本实施例中，用图15示出了安装在塑料衬底上的显示器件，以及集成电路之一的CPU的照片。
图15A示出了本发明的智能卡的卡的衬底的结构。数字1501表示显示器件，1502表示集成电路，1503相当于包括在集成电路的CPU。
图15B示出了在200μm的聚碳酸酯衬底上形成的显示器件的照片。图15B示出的显示器件是发光器件，照片是从聚碳酸酯衬底那一侧拍摄的。数字1504表示信号线驱动电路，1505表示扫描线驱动电路，1506表示像素部分。图15C表示的是图15B中示出的发光器件的像素部分1506的扩大图。如图15C所示，各个像素中提供有发光元件。发自发光元件的光朝向聚碳酸酯衬底。
另外，图15D示出了和显示器件电连接的线路的扩大图。各个线路1507-1509按顺序被输入时钟条信号(clock bar signal)，时钟信号，起动脉冲信号，这些信号供应给配备在显示器件的扫描驱动电路1505。并且，该线路1507-1509由和用于显示器件的电连接TFT之间的线路相同的导电膜来形成。
图15E示出了在200μm的聚碳酸酯衬底上形成的CPU 1503的照片。图15E示出的CPU 1503的照片是从聚碳酸酯衬底那一侧拍摄的。图15F表示的是CPU 1503具备的运算电路1510的扩大图。
象这样，借助于在塑料衬底上形成集成电路和显示器件，可以形成有弯曲性的智能卡。
实施例5
本实施例中说明利用转移技术实际在塑料衬底上形成的发光器件的横截面，以及其结构。
首先说明在本实施例中观察的样品。本实施例中将控制发光元件动作的TFT转移到由聚碳酸酯制成的塑料衬底上。然后，形成和该TFT电连接的发光元件，并在先前的塑料衬底上粘贴另行准备的另一张塑料衬底，二者中间夹该发光元件。另外，为了将先前的塑料衬底和后来粘贴的塑料衬底区别开来，称前者为第一塑料衬底，称后者为第二塑料衬底。还有，转移TFT时使用的粘接剂，以及粘贴第二塑料衬底时使用的粘接剂都使用环氧树脂。
图16显示了本实施例样品的横截面照片，该照片通过扫描电子显微镜(SEM，Scanning Electron microscope)而获得。在图16中，No.20表示第一塑料衬底，No.19表示粘接剂，No.2表示粘接剂，No.1表示第第二塑料衬底。在No.19表示的粘接剂和No.2表示的粘接剂之间形成有TFT和发光元件。另外，No.1表示的第二塑料衬底和No.2表示的粘接剂之间虽然看起来象是存在着一个层，这个层相当于在为测定研磨横截面时，第二塑料衬底和No.2表示的粘接剂的一部分剥离的区域。
其次，图17示出了为鉴别No.1表示的第二塑料衬底的成分而实施的EDX测定的结果。并且，图20示出了为鉴别No.20表示的第一塑料衬底的成分而实施的EDX测定的结果。如图17和图20所示，除了测出了聚碳酸酯成分的碳和氧以外，还测出了包含在为防止电子射线导致样品带电而形成的导电膜中的Pt。
其次，图18示出了为鉴别No.2表示的粘接剂的成分而实施的EDX测定的结果。并且，图19示出了为鉴别No.19表示的粘接剂的成分而实施的EDX测定的结果。如图18和图19所示，除了测出了环氧树脂成分的碳和氧以外，还测出了包含在为防止电子射线导致样品带电而形成的导电膜中的Pt。
其次将说明本实施例样品的TFT和发光元件的照片，该照片通过透射式电子显微镜(TEM，Transmission Electron microscope)而获得。
图21示出了通过TEM而获得的TFT，以及和该TFT连接的线路的照片。4001相当于由环氧制成的粘接剂；4002相当于按氧化硅，氮氧化硅的顺序层叠的底膜；4003相当于TFT具有的岛状的半导体膜；4004相当于由氧化硅制成的栅绝缘膜；4005相当于按TaN和W的顺序层叠的栅电极；4006相当于由氮化硅制成的第一层间绝缘膜；4007相当于由丙烯酸制成的第二层间绝缘膜；4008相当于按Ti，Al-Si，Ti顺序层叠而成的线路；4009相当于由氮化硅制成的第三层间绝缘膜；4010相当于由丙烯酸制成的隔离物；4011相当于在隔离物4010上形成的氮化硅膜；4012相当于场致发光层；4013相当于Al制成的阴极；4014相当于由环氧树脂制成的粘接剂。
图22示出了用TEM获得的发光元件的照片。另外，已经在图21中表示过的部件使用相同的符号。4015相当于由ITO制成的阳极。阳极4015和场致发光层4012以及阴极4013重叠的地方相当于发光元件。
图23示出了用TEM获得的TFT的照片。另外，已经在图21中表示过的部件使用相同的符号。图24-36示出了为鉴别图23所示的各个层的成分而实施的EDX测定的结果。另外图24-36中测出的Ga的最高值可以认为是在用聚焦离子束FIB(Focused Ion Beam)设备加工样品时，用于形成射束的Ga。
图24相当于图23所示的粘接剂4014中的点(point)2的EDX测定结果。如图24所示，测出了相当于环氧树脂成分的碳元素和氧元素。
图25相当于图23所示的阴极4013中的点(point)3的EDX测定结果。如图25所示，测出了Al。
图26相当于图23所示的场致发光层4012中的点(point)4-1的EDX测定结果。如图26所示，测出了相当于场致发光层成分的碳元素，氧元素以及Al。
图27相当于图23所示的氮化硅膜4011中的点(point)5的EDX测定结果。如图27所示，测出了氮元素和硅元素。
图28相当于图23所示的第三层间绝缘膜4009中的点(point)11的EDX测定结果。如图28所示，测出了相当于氮化硅成分的氮元素和硅元素。
图29相当于图23所示的第二层间绝缘膜4007中的点(point)12的EDX测定结果。如图29所示，测出了相当于丙烯酸成分的碳元素和氧元素。
图30相当于图23所示的第一层间绝缘膜4006中的点(point)13的EDX测定结果。如图30所示，测出了相当于氮化硅成分的氮元素和硅元素。
图31相当于图23所示的栅电极4005中的点(point)14的EDX测定结果。图32相当于图23所示的栅电极4005中的点(point)15的EDX测定结果。如图31所示，栅电极4005的点14中测出了W。另外，如图32所示，栅电极4005的点15中测出了Ta。
图33相当于图23所示的栅绝缘膜4004中的点(point)16的EDX测定结果。如图33所示，测出了相当于氧化硅成分的硅元素和氧元素。
图34相当于图23所示的岛形状的半导体膜4003中的点(point)17的EDX测定结果。如图34所示，测出了硅元素。
图35相当于图23所示的底膜4002中的点(point)18的EDX测定结果。如图35所示，测出了相当于氧化硅成分的硅元素和氧元素。另外，实际上底膜4002包括在用氧化硅形成的膜上由氮氧化硅形成的膜。
图36相当于图23所示的粘接剂4001中的点(point)19的EDX测定结果。如图36所示，测出了相当于环氧树脂成分的碳元素和氧元素。
跟用硅片制作的膜的厚度为50μm的集成电路相比，本发明使用膜厚500nm或更薄的半导体膜可以形成总厚度被飞跃性地减少为1μm-5μm，典型的为2μm左右极薄的薄膜集成电路。另外，可以使显示器件的厚度为0.5mm左右，优选为0.02mm左右。所以，可以将这样的显示器件搭载到厚度为0.05mm-1.5mm的智能卡上。
本发明可以利用比硅片廉价并且面积大的玻璃衬底，因此可以低成本地，高产量地大量生产薄膜集成电路，并且可以飞跃性地减少薄膜集成电路的生产成本。此外，衬底可以被反复使用，这样，可以减少成本。
另外，本发明没有必要象用硅片制作集成电路那样实施造成裂缝以及研磨痕迹原因的背面研磨，并且，薄膜集成电路厚度的不均匀是由于在形成构成薄膜集成电路的各个膜时的膜厚度不均匀而导致，这个不均匀至多也不过几百nm左右，跟背面研磨处理导致的几-几十μm的不均匀相比，本发明可以飞跃性抑制该不均匀性。

Claims (19)

1.一种卡，它包括：
显示器件；
薄膜集成电路；
第一衬底；以及
第二衬底，其中，
所述显示器件的驱动受所述薄膜集成电路的控制，
用于所述薄膜集成电路和所述显示器件的半导体元件用多晶半导体膜形成，
所述薄膜集成电路和所述显示器件被树脂密封在所述卡的所述第一衬底和所述第二衬底之间，以及
所述第一衬底以及所述第二衬底包括塑料衬底。
2.根据权利要求1的卡，其中所述卡的厚度在0.05mm-1.5mm的范围内。
3.根据权利要求1的卡，其中所述显示器件是无源矩阵类型(也称被动矩阵式，Passive Matrix)。
4.根据权利要求1的卡，其中所述显示器件是有源矩阵类型(也称主动矩阵式，Active Matrix)。
5.一种卡，它包括：
显示器件；
多个薄膜集成电路；
第一衬底；以及
第二衬底，其中，
所述显示器件的驱动受所述多个薄膜集成电路的控制，
所述多个薄膜集成电路层叠在一起，
所述多个薄膜集成电路和所述显示器件被树脂密封在所述卡的所述第一衬底和所述第二衬底之间，以及
所述第一衬底以及所述第二衬底包括塑料衬底。
6.根据权利要求5的卡，其中所述显示器件是无源矩阵类型。
7.根据权利要求5的卡，其中所述显示器件是有源矩阵类型。
8.根据权利要求5的卡，其中每个所述多个薄膜集成电路的厚度在1μm-5μm的范围内。
9.根据权利要求1的卡，其中所述显示器件是液晶显示器件。
10.根据权利要求5的卡，其中所述显示器件是液晶显示器件。
11.根据权利要求1的卡，其中所述显示器件是液晶发光器件。
12.根据权利要求5的卡，其中所述显示器件是液晶发光器件。
13.根据权利要求1的卡，其中所述卡是身份证明的ID卡(identification card)。
14.根据权利要求5的卡，其中所述卡是身份证明的ID卡(identification card)。
15.根据权利要求1的卡，其中所述卡是半硬(semi-hard)卡。
16.根据权利要求5的卡，其中所述卡是半硬卡。
17.根据权利要求1的卡，其中所述卡是智能卡(又称IC卡)。
18.根据权利要求5的卡，其中所述卡是智能卡(又称IC卡)。
19.一种使用卡的记账系统，所述卡包括显示器件和薄膜集成电路，其中，
所述显示器件的驱动受所述薄膜集成电路的控制，
所述卡的厚度在0.05mm-1.5mm的范围内，
用所述薄膜集成电路记录在金融机构的账户上交易的金额，以及所述交易的日期时间或存款余额，
在所述显示器件显示记录过的所述交易的金额，以及所述交易的日期时间或所述存款余额。
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