CN1453650A - 电摄影感光体、成像处理盒和电摄影装置 - Google Patents

电摄影感光体、成像处理盒和电摄影装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种电摄影感光体、成像处理盒和电摄影装置。所说的电摄影感光体具有在支持体上的感光层，其特征在于，在该电摄影感光体中，该感光层包含具有特定重复结构单元的高分子量电荷输送物质；该高分子量电荷输送物质的重均分子量(Mw)为1500或更高，并且按半经验的分子轨道计算获得的高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)在－8.3eV至－8.0eV。

Description

电摄影感光体、成像处理盒和电摄影装置
技术领域
本发明涉及电摄影感光体、成像处理盒和电子感光体，更详细的说，本发明涉及具有支持体和支持体上的感光层、而该感光层含有特定的高分子量电荷输送物质的电摄影感光体，具有该电摄影感光体的成像处理盒和电摄影装置
背景技术
从即时性和为了获得高质量的图象考虑，人们已在复印机、打印机的领域广泛地使用电摄影技术。
作为在电摄影装置中使用的图像保持部件的代表性例子之一，可以举出电摄影感光体。作为可用于电摄影感光体中的光导电性物质，已知的有硒、硫化镉和氧化锌无机光电导性物质。但是在近年来，从无公害性、高生产率、材料设计的容易性和前景性等的观点考虑，人们正在开发有机的光导电性物质。
对于电摄影感光体，人们当然要求其具有符合于所用的电摄影工艺的电学、机械以及光学特性等各种各样的特性。特别是对于反复使用的电摄影感光体，由于直接地或间接地反复经受充电、曝光、显影、转印、清洁等电力或机械力，因此要求其具有耐久性。
在使用有机光导电性物质的有机电摄影感光体中，通常是将有机光导电性物质溶解或分散于粘合剂树脂中，将其形成涂膜后使用。该涂膜是通过将有机光导电性物质和粘合剂树脂一起溶解或分散于溶剂中，然后将其涂布和干燥来形成的。
作为粘合剂树脂，可以使用聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯等的乙烯基聚合物，以及聚碳酸酯、聚酯、多芳基化树脂、聚砜、苯氧基树脂、环氧树脂、硅氧烷树脂及它们的共聚物等的材料。
有机电摄影感光体具有大规模的生产率高，可以按较低成本生产等诸多优点，但是它不能完全满足作为电摄影感光体所必须的全部要求，因此仍有改善的余地。
关于电摄影的功能性和特性，虽然利用有机电摄影感光体可以生产出优良的电摄影感光体，但是对于其他的特性，特别是有机电摄影感光体的耐久性，人们希望能够获得改善。
作为用于提高有机电摄影感光体的耐久性的方法之一，有人提出使用机械强度优良的各种粘合剂树脂的方案。但是，即使粘合剂树脂本身具有优良的机械强度，但是由于要与低分子量的电荷输送物质混合使用，因此粘合剂树脂本来的膜强度就不能充分有效的利用，因此在耐磨损性、耐擦伤性方面未必能获得充分的耐久性。
为了有效地利用粘合剂树脂本来的膜强度，可以减少电荷输送物质的添加量。但是在此情况下就会产生导致电摄影灵敏度降低或残留电位上升的问题。因此不能同时兼顾膜强度和电摄影特性两方面。
为了改善由于添加低分子量电荷输送物质所导致的膜强度降低的情况，特开昭64-9964号公报，特开平2-282263号公报、特开平3-221522号公报、特开平8-208820号公报等提出了使用高分子量电荷输送物质的技术方案。
然而，这些方法多数都未必能够获得充分的耐磨损性，即使在具有某种程度的膜强度的场合，其制造成本也非常高，因此不实用，这是其缺点。
另外，从电摄影感光体的耐磨损性或其成本的观点考虑，在将这些高分子量电荷输送物质与绝缘性树脂合并使用的场合，粘合性树脂与高分子量电荷输送物质的相容性往往很差，不能制成可以获得良好图像质量的电摄影感光体，或者其耐磨损性变差。
另外，作为其他种类的高分子量电荷输送物质，有人提出使用具有三苯胺重复结构单元的高分子量电荷输送物质(国际专利申请公开号：WO99/32537)。这种结构的高分子量电荷输送物质与绝缘性树脂的相容性良好，因此具有高的机械强度和高的迁移率(mobility)。
由于提高了电摄影感光体的耐久性，因此有必要在长期间的反复使用电摄影感光体时提供稳定的特性，但是作为这时的电荷输送物质，必须具有难以发生劣化，特别是在电摄影感光体充电时难以被臭氧、活性氧引起的氧化劣化的特性。
可是，在上述的公报(国际专利申请公开号：WO99/32537)中公开的高分子量电荷输送物质，在具有高机械强度的同时，却容易发生氧化劣化，在反复使用时的特性变化往往较大。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种在作为电摄影感光体时具有高的机械强度，而且在反复使用时具有稳定特性的电摄影感光体。更详细地说，由于在电摄影感光体的感光层内含有一种即便在长时间的使用时也难以引起劣化的，具有电摄影感光体特性的高稳定性的高分子量电子输送物质，因此作为电摄影感光体可以达到长寿命化，即便反复地使用也能获得稳定的特性。
另外，本发明的目的是提供一种具有上述电摄影感光体的成像处理盒和电摄影装置。
本发明者们为了改善上述课题而进行了深入研究，结果完成了本发明。
也就是说，本发明提供一种电摄影感光体，它包括支持体和支持体上的感光层，其中：
该感光层含有具有由下述式(1)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质；并且
该高分子量电荷输送物质的重均分子量(Mw)为1500或更高，并且按照半经验的分子轨道计算获得的最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)为-8.3eV至-8.0eV。
Figure A0312226900171
式(1)中，Ar11表示取代或无取代的1价芳香环基，或者取代或无取代的1价杂环基。Ar12表示具有从下述式(2)、下述式(2)′和下述式(2)″中选择的式表示的结构的2价基团。
式(2)中，Ar21和Ar22各自独立地表示取代或无取代的3价芳香环基，或者取代或无取代的3价杂环基。A21和A22各自独立地表示单键；或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素；或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基或电子吸引基的15族元素；或16族元素。c表示0或1，当c为0时，表示Ar21和Ar22直接结合。
式(2)′中，Ar21′和Ar22′各自独立地表示取代或无取代的2价芳香环基，或者取代或无取代的2价杂环基。A21′表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基、或电子吸引基的14族元素；或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、或电子吸引基的15族元素；或16族元素。c′表示0或1，当c′为0时，表示Ar21′和Ar22′直接结合。
式(2)″中，Ar21″表示取代或无取代的2价芳香环基，或者取代或无取代的2价杂环基。c″表示1或1以上的整数。但是，当c″为2或2以上时，2个或2个以上的Ar21″可以相同或不同。
另外，本发明提供一种具有上述电摄影感光体的成像处理盒和电摄影装置。
附图说明
图1是表示具有本发明的电摄影感光体的电摄影装量的大致结构的一例的附图。
具体实施方式
本发明的电摄影感光体包含支持体和支持体上的感光层，该感光层含有具有上式(1)所示重复结构单元的高分子量电荷输送物质。
所述高分子量电荷输送物质的重均分子量(Mw)为1,500或更高，并且其按照半经验的分子轨道计算获得的最高被占有分子轨道的能量水平为-8.3eV至-8.0eV。
如上所述，在本发明中，高分子量电荷输送物质的最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)可以通过半经验的分子轨道计算求得。
在本发明中，所谓“半经验的分子轨道计算”是指“利用使用PM3参数进行半经验的分子轨道计算的结构最优化计算”。
在分子轨道法中，薛定锷方程式中使用的波动函数使用由以原子轨道的线性组合表示的分子轨道组成的斯莱特(Slatter)行列式或高斯(Gauss)行列式模拟出来，并且使用场的模拟求出构成上述波动函数的分子轨道，从而就可以计算出作为波动函数或波动函数的期待值的各种物理量。
在利用场的模拟值来计算分子轨道时，对计算时间所需的积分计算进行种种实验，利用这些使用上述实验值获得的参数并通过近似处理来缩短计算时间，这就是半经验的分子轨道法。
按照本发明的计算，由于计算对象是高分子量物质，因此所需计算的原子数多，所以采用了可以缩短计算时间的半经验的分子轨道法。使用PM3参数组作为半经验的参数。利用半经验的分子轨道计算程序MOPAC进行计算。
这样，高分子量电荷输送物质的最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)就可以利用半经验的分子轨道计算程序求出。
作为上述式(1)中的Ar11表示的1价芳香环基，可以举出苯基、萘基等；作为1价的杂环基，可以举出：吡啶基、联二吡啶基、联三吡啶基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基等。
其中，作为芳香环基，优选是苯基；作为杂环基，优选是吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
另外，作为这些芳香环基、杂环基上可以具有的取代基，可以举出：氢、碳原子数1～8的烷基、碳原子数6～12的芳基、碳原子数1～8的烷氧基、芳醚基、芳硫醚基、N-(烷基)2基、N-(芳基)2基、卤素、氟代烷基、氟代芳基、氰基、硝基等。其中，优选是氢、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基、乙氧基、氟、氯、溴、三氟甲基和氟苯基。
作为上述式(2)中的Ar21和Ar22表示的3价芳香环基，可以举出苯基、萘基等，作为3价的杂环基，可以举出吡啶基等。其中优选是苯基。
另外，作为这些芳香环基、杂环基上可以具有的取代基，可以举出：氢、碳原子数1～8的烷基、碳原子数6～12的芳基、碳原子数1～8的烷氧基、卤素、氟代烷基、氟代芳基、氰基、硝基等。其中，优选是氢、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基、乙氧基、氟、氯、溴、三氟甲基和氟苯基。
作为上述式(2)中的A21、A22表示的14族元素，可以举出：碳、硅、锗和锡，其中优选是碳和硅。
在该14族元素上可以具有的取代基中，作为烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出：苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、三氟甲基、氟苯基等，其中，优选是甲基、乙基、苯基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基和烷氧基上可以具有的取代基，可以举出：甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等。其中，优选是甲基、苯基、氟。
另外，作为上述式(2)中的A21、A22表示的15族元素，可以举出氮、磷等，其中优选是氮。
在该15族元素上可以具有的取代基中，作为烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为电子吸引基，可以举出三氟甲基和氟苯基等。其中优选是甲基、乙基、苯基、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出：甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
另外，作为上述式(2)中的A21、A22表示的16族元素，可以举出氧、硫、硒、碲等，其中优选为氧、硫。
作为上述式(2)′中的Ar21′、Ar22′表示的2价芳香环基，可以举出苯基、萘基等；作为2价的杂环基，可以举出吡啶基等。其中优选为苯基。
另外，作为这些芳香环基、杂环基上可以具有的取代基，可以举出：氢、碳原子数1～8的烷基、碳原子数6～12的芳基、碳原子数1～8的烷氧基、卤素、氟代烷基、氟代芳基、氰基、硝基等。其中优选为：氢、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基、乙氧基、氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基。
作为上述式(2)′中的A21′表示的14族元素，可以举出：碳、硅、锗、锡等，其中优选为碳、硅。
在该14族元素上可以具有的取代基中，作为烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出：甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出：氟、三氟甲基、氟苯基等。其中，优选为甲基、乙基、苯基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中，优选为甲基、苯基。
另外，作为上述式(2)′中的A21′表示的15族元素，可以举出氮、磷等，其中优选为氮。
在该15族元素上可以具有的取代基中，作为烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为电子吸引基，可以举出三氟甲基、氟苯基等。其中，优选为甲基、乙基、苯基、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出：甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中，优选是甲基、苯基。
另外，作为上述式(2)′中的A21′、A22′表示的16族元素，可以举出：氧、硫、硒、碲等，其中优选为氧、硫。
作为上述式(2)″中的Ar21″表示的2价芳香环基，可以举出苯基、萘基等；作为2价的杂环基，可以举出吡啶基等。其中，优选为苯基、吡啶基。
另外，作为这些芳香环基、杂环基上可以具有的取代基，可以举出氢、碳原子数1～8的烷基、碳原子数6～12的芳基、碳原子数1～8的烷氧基、卤素、氟代烷基、氟代芳基、氰基、硝基等。其中优选为氢、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基、乙氢基、氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基。
另外，上述高分子量电荷输送物质优选具有由下述式(11)表示的重复结构单元
Figure A0312226900221
在上述式(11)中，R1101～R1113各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基。但是，在R1101～R1113中至少有一个为电子吸引基。
作为在上述式(11)中的R1101～R1113表示的烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中，优选是甲基、乙基、苯基、甲氧基；作为电子吸引基，优选是氟、三氟甲基、氟苯基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等。其中优选是甲基、苯基。
进而，具有由上述式(11)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质，优选还具有由下述式(12)表示的重复结构单元
Figure A0312226900222
在上述式(12)中，R1201～R1213各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基。但是，式(11)和式(12)表示同样结构单元的情况除外。
作为在上述式(12)中的R1201～R1213表示的烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中，优选是甲基、乙基、苯基、甲氧基；作为电子吸引基，优选是氟、三氟甲基、氟苯基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选是甲基、苯基。
另外，上述的高分子量电荷输送物质，优选还具有由下述式(21)表示的重复结构单元
Figure A0312226900231
在上述式(21)中，R2101～R2113各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基。A2101表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素，或16族元素。
作为上述式(21)中的R2101～R2113表示的烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中优选是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
作为上述式(21)中的A2101表示的14族元素，可以举出碳、硅、锗、锡等，其中优选为碳、硅。
在该14族元素上具有的取代基中，作为烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、三氟甲基、氟苯基等。其中优选为甲基、乙基、苯基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中，优选为甲基、苯基。
另外，作为在上述式(21)中的A2101表示的16族元素，可以举出氧、硫、硒、碲等，其中，优选为氧、硫。
另外，上述的高分子量电荷输送物质，优选还具有由下述式(22)表示的重复结构单元
Figure A0312226900241
在上述式(22)中，R2201～R2211各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基。A2201表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素，或16族元素。
作为上述式(22)中的R2201～R2211表示的烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中优选是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
作为上述式(22)中A2201表示的14族元素，可以举出碳、硅、锗、锡等，其中优选为碳、硅。
在该14族元素上具有的取代基中，作为烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、三氟甲基、氟苯基等。其中优选为甲基、乙基、苯基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中，优选为甲基、苯基。
另外，作为上述式(22)中的A2201表示的16族元素，可以举出氧、硫、硒、碲等，其中优选是氧、硫。
进而，具有由上述式(21)表示的重复结构单元和由上述式(22)表示的重复结构单元中至少一种的高分子量电荷输送物质，更优选还具有由下述式(23)表示的重复结构单元
在上述式(23)中，R2301～R2313各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基。但是，当上述高分子量电荷输送物质还具有由式(12)表示的重复结构单元时，式(12)和式(23)为相同结构单元的情况除外。
作为上述式(23)中的R2301～R2313表示的烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中优选是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
另外，上述的高分子量电荷输送物质，还优选具有由下述式(31)表示的重复结构单元
Figure A0312226900261
在上述式(31)中，R3101～R3105各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基。Z3101表示取代或无取代的2价杂环基。d表示1或更大的整数。但是，当d为2或2以上时，2个或2个以上的Z3101可以相同或不同。
作为在上述式(31)中的R3101～R3105表示的烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中优选是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
作为上述式(31)中的Z3101表示的2价杂环基，可以举出吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基，其中优选是吡啶基。
作为这些杂环基上可以具有的取代基，可以举出氢、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基、乙氧基、氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等，其中优选是氢、甲基、乙基、三氟甲基。
进而，具有由上述式(31)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质，优选还具有由下述式(32)表示的重复结构单元
在上述式(32)中，R3201～R3213各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基。但是，当上述高分子量电荷输送物质还具有式(12)表示的重复结构单元时，式(12)与式(32)为相同结构单元的情况除外；当上述高分子量电荷输送物质还具有由式(23)表示的重复结构单元时，式(23)与式(32)为相同结构单元的情况除外。
作为上述(32)中的R3201～R3213表示的烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中优选是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
另外，上述高分子量电荷输送物质还优选具有由下述式(41)表示的重复结构单元
在上述式(41)中，Z4101表示取代或无取代的1价杂环基。R4106～R4113各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基。
作为上述式(41)中的Z4101表示的1价杂环基，可以举出吡啶基、联二吡啶基、联三吡啶基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基，其中优选是吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
作为这些杂环基上可以具有的取代基，可以举出氢、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基、乙氧基、氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等，其中优选是氢、甲基、乙基、三氟甲基。
作为上述式(41)中的R4106～R4113表示的烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中优选是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
另外，具有由上述式(41)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质，还优选具有由下述式(42)表示的重复结构单元
Figure A0312226900291
在上述式(42)中，R4201～R4213各自独立地表示氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基。但是，当上述高分子量电荷输送物质还具有由式(12)表示的重复结构单元时，式(12)与式(42)为相同结构单元的情况除外；当上述高分子量电荷输送物质还具有由式(23)表示的重复结构单元时，式(23)与式(42)为相同结构单元的情况除外；当上述高分子量电荷输送物质还具有由式(32)表示的重复结构单元时，式(32)与式(42)为相同结构单元的情况除外。
作为上述式(42)中的R4201～R4213表示的烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中优选是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
另外，上述高分子量电荷输送物质还优选具有由下述式(51)表示的重复结构单元
在上述式(51)中，Ar5101表示至少被1个电子吸引基取代的芳香环基，或者为取代或无取代的杂环基。R5101～R5106各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基。另外，R5103和R5105可以通过具有至少一个原子的化学基团相互结合而形成环状结构。A5101表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素；或者表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基或电子吸引基的15族元素；或者表示16族元素。
作为上述式(51)中的Ar5101表示的芳香环基，可以举出苯基、萘基；作为杂环基，可以举出吡啶基、联二吡啶基、联三吡啶基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基；其中，作为芳香环基，优选是苯基；作为杂环基，优选是吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
作为这些芳香环基上具有的至少一个的电子吸引基，可以举出卤素、氟代烷基、氟代芳基、氰基、硝基；其中优选是氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基。
作为这些芳香环基、杂环基上可以具有的电子吸引基以外的取代基，可以举出氢、碳原子数1～8的烷基、碳原子数6～12的芳基、碳原子数1～8的烷氧基、芳基醚基、芳基硫醚基、N-(烷基)2基、N-(芳基)2基；其中，优选为氢、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基和乙氧基。
作为上述式(51)中的R5101～R2106表示的烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中优选是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
上述式(51)中的R5103和R5105在通过具有至少一个原子的化学基团相互结合而形成环状结构的场合，作为具有至少一个原子的化学基团，可以举出取代或无取代的14族元素、取代或无取代的15族元素、16族元素、取代或无取代的烷撑(alkylene)、取代或无取代的烷叉(alkyledene)等，其中优选是取代或无取代的烷撑、取代或无取代的烷叉。作为这些烷撑、烷叉上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
作为上述式(51)中的A5101表示的14族元素，可以举出碳、硅、锗、锡等，其中优选为碳、硅。
在该14族元素上具有的取代基中，作为烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等；其中优选为甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
另外，作为上述式(51)中的A5101表示的15族元素，可以举出氮、磷等，其中优选为氮。
在该15族元素上具有的取代基中，作为烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等，其中优选为甲基、乙基、苯基、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
另外，作为上述式(51)中的A5101表示的16族元素，可以举出氧、硫、硒、碲等，其中优选为氧、硫。
另外，具有由上述式(51)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质，还优选具有由下述式(52)表示的重复结构单元
Figure A0312226900321
在上述式(52)中，Ar5201表示取代或无取代的1价芳香环基，或者取代或无取代的1价杂环基。R5201～R5206各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基。另外，R5203和R5205可以通过具有至少1个原子的化学基团相互结合而形成环状结构。A5201表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素；或者表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基或电子吸引基的15族元素；或者表示16族元素。但是，式(51)与式(52)为相同结构单元的情况除外。
作为上述式(52)中的Ar5201表示的芳香环基，可以举出苯基、萘基；作为杂环基，可以举出吡啶基、联二吡啶基、联三吡啶基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基；其中，作为芳香环基，优选是苯基；作为杂环基，优选是吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
作为这些芳香环基、杂环基上可以具有的取代基，可以举出氢、碳原子数1～8的烷基、碳原子数6～12的芳基、碳原子数1～8的烷氧基、卤素、氟代烷基、氟代芳基、氰基、硝基等，其中优选为氢、甲基、乙基、丙基、苯基、甲氧基、乙氧基、氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基。
作为上述式(52)中的R5201～R5206表示的烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中优选是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基和烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟和三氟甲基，其中优选甲基和苯基。
当上述式(52)中的R5203和R5205通过具有至少1个原子的化学基团相互结合而形成环状结构的场合，作为具有至少1个原子的化学基团，可以举出取代或无取代的14族元素、取代或无取代的15族元素、16族元素、取代或无取代的烷撑、取代或无取代的烷叉等，其中优选的是取代或无取代的烷撑、取代或无取代的烷叉。作为这些烷撑、烷叉上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选的是甲基、苯基。
作为上述式(52)中的A5201表示的14族元素，可以举出碳、硅、锗、锡等，其中优选为碳、硅。
在该14族元素上具有的取代基中，作为烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等；其中优选为甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
另外，作为上述式(52)中的A5201表示的15族元素，可以举出氮、磷等，其中优选为氮。
在该15族元素上具有的取代基中，作为烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中优选为甲基、乙基、苯基、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
另外，作为上述式(52)中的A5201表示的16族元素，可以举出氧、硫、硒、碲，其中优选为氧、硫。
进而，具有由上述式(51)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质，还优选具有由下述式(53)表示的重复结构单元
在上述式(53)中，Ar5301表示取代或无取代的1价芳香环基，或者取代或无取代的杂环基。但是，当上述高分子量电荷输送物质还具有式(31)表示的重复结构单元时，式(31)与式(53)为相同结构单元的情况除外；当上述高分子量电荷输送物质还具有由式(41)表示的重复结构单元时，式(41)与式(53)为相同结构单元的情况除外；当上述高分子量电荷输送物质还是具有由式(42)表示的重复结构单元时，式(42)与式(53)为相同结构单元的情况除外。
作为上述式(53)中的Ar5301表示的1价芳香环基，可以举出苯基、萘基；作为1价的杂环基，可以举出吡啶基、联二吡啶基、联三吡啶基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。其中，作为芳香环基，优选为苯基；作为杂环基，优选为吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
另外，在上述式(53)中，Ar5302表示选自(i)、(i)、(iii)和(iv)中的基团。
(i)具有由下述式(54)表示的结构的基团；
Figure A0312226900351
在上述式(54)中，R5401～R5408各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基。A5401表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素，或16族元素。但是，当上述的高分子量电荷输送物质还具有由式(21)表示的重复结构单元时，式(21)与其中的Ar5302为由式(54)表示的基团的式(53)为相同结构单元的情况除外。
作为上述式(54)中的R5401～R5408表示的烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中优选是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
作为上述式(54)中的A5401表示的14族元素，可以举出碳、硅、锗、锡等，其中优选为碳、硅。
在该14族元素上具有的取代基中，作为烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中优选为甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
另外，作为上述式(54)中的A5401表示的16族元素，可以举出氧、硫、硒、碲等，其中优选为氧、硫。
(ii)具有由下述式(55)表示的结构的基团：
Figure A0312226900361
在上述式(55)中，R5501～R5506各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基。A5501表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素，或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的15族元素，或16族元素。但是，当上述的高分子量电荷输送物质还具有由式(22)表示的重复结构单元时，式(22)与其中的Ar5302为由式(55)表示的基团的式(53)为相同结构单元的情况除外。
作为在上述式(55)中的R5501～R5506表示的烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中优选是甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
作为上述式(55)中的A5501表示的14族元素，可以举出碳、硅、锗、锡等，其中优选为碳、硅。
在该14族元素上具有的取代基中，作为烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为烷氧基，可以举出甲氧基、乙氧基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中优选为甲基、乙基、苯基、甲氧基、氟、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
另外，作为上述式(55)中的A5501表示的15族元素，可以举出氮、磷等，其中优选为氮。
在该15族元素上具有的取代基中，作为烷基，可以举出甲基、乙基、丙基等；作为芳基，可以举出苯基、萘基等；作为电子吸引基，可以举出氟、氯、溴、三氟甲基、氟苯基等。其中优选为甲基、乙基、苯基、三氟甲基。
作为这些烷基、芳基、烷氧基上可以具有的取代基，可以举出甲基、乙基、丙基、苯基、氟、三氟甲基等，其中优选为甲基、苯基。
另外，作为上述式(55)中的A5501表示的16族元素，可以举出氧、硫、硒、碲等，其中优选为氧、硫。
(iii)取代或无取代的2价芳香环基或其多聚体；
(iv)取代或无取代的2价杂环基或其多聚体。
下面举出具有由上述式(11)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质的具体实例。
Figure A0312226900391
Figure A0312226900401
Figure A0312226900411
其中，优选的是(11-1)、(11-2)、(11-4)、(11-5)、(11-9)、(11-10)、(11-14)、(11-15)、(11-16)、(11-17)、(11-18)、(11-19)、(11-20)。
下面举出具有由上述式(11)表示的重复结构单元和由上述式(12)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质的具体实例。
Figure A0312226900431
Figure A0312226900441
Figure A0312226900471
其中，优选的是(13-1)、(13-2)、(13-9)、(13-10)、(13-11)、(13-12)、(13-13)、(13-14)、(13-19)、(13-20)、(13-21)。
下面举出具有由上述式(21)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质的具体实例。
Figure A0312226900481
Figure A0312226900491
Figure A0312226900501
Figure A0312226900511
Figure A0312226900521
Figure A0312226900531
Figure A0312226900541
Figure A0312226900551
其中，优选的是(21-4)、(21-7)、(21-10)、(21-12)、(21-13)、(21-15)、(21-20)、(21-30)、(21-31)、(21-32)、(21-33)、(21-34)、(21-36)、(21-37)、(21-38)。
下面举出具有由上述式(22)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质的具体实例。
Figure A0312226900561
Figure A0312226900571
其中，优选的是(22-2)、(22-7)、(22-9)、(22-10)、(22-11)、(22-12)、(22-14)、(22-15)、(22-16)、(22-17)。
下面举出具有由上述式(21)表示的重复结构单元与由上述式(23)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质的具体实例。
Figure A0312226900601
Figure A0312226900621
其中，优选的是(24-1)、(24-2)、(24-3)、(24-6)、(24-7)、(24-8)、(24-9)、(24-11)、(24-12)、(24-13)、(24-14)。
下面举出具有由上述式(22)表示的重复结构单元与由上述式(23)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质的具体实例。
Figure A0312226900641
其中，优选的是(25-2)、(25-3)、(25-4)、(25-5)、(25-6)、(25-7)、(25-8)、(25-10)、(25-11)、(25-12)、(25-13)。
下面举出具有由上述式(31)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质的具体实例。
Figure A0312226900661
Figure A0312226900671
Figure A0312226900681
其中，优选的是(31-1)、(31-2)、(31-5)、(31-10)、(31-11、(31-12)。
下面举出具有由上述式(31)表示的重复结构单元与由上述式(32)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质的具体实例。
Figure A0312226900711
Figure A0312226900731
其中，优选的是(33-1)、(33-2)、(33-3)、(33-5)、(33-7)。
下面举出具有由上述式(41)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质的具体实例。
Figure A0312226900741
Figure A0312226900751
其中，优选的是(41-1)、(41-4)、(41-6)、(41-9)、(41-11)。
下面举出具有由上述式(41)表示的重复结构单元与由上述式(42)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质的具体实例。
Figure A0312226900781
其中，优选的是(43-3)、(43-4)、(43-5)、(43-8)、(43-9)、(43-10)、(43-11)、(43-12)、(43-13)。
下面举出具有由上述式(51)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质的具体实例。
Figure A0312226900811
Figure A0312226900821
Figure A0312226900841
Figure A0312226900851
其中，优选的是(51-1)、(51-2)、(51-3)、(51-8)、(51-10)、(51-15)、(51-16)、(51-17)、(51-18)、(51-27)、(51-28)、(51-29)、(51-30)、(51-35)、(51-36)、(51-37)、(51-38)、(51-39)、(51-40)、(51-41)、(51-42)。
下面举出具有由上述式(51)表示的重复结构单元与由上述式(52)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质的具体实例。
Figure A0312226900901
Figure A0312226900921
Figure A0312226900931
Figure A0312226900951
Figure A0312226900961
Figure A0312226900971
Figure A0312226900981
其中，优选的是(56-1)、(56-2)、(56-3)、(56-4)、(56-9)、(56-10)、(56-11)、(56-12)、(56-25)、(56-27)、(56-28)、(56-33)、(56-35)、(56-36)、(56-38)、(56-39)、(56-40)、(56-46)、(56-47)、(56-48)。
下面举出具有由上述式(51)表示的重复结构单元与由上述式(53)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质的具体实例。
Figure A0312226900991
Figure A0312226901011
Figure A0312226901021
Figure A0312226901031
Figure A0312226901041
Figure A0312226901051
Figure A0312226901061
Figure A0312226901071
Figure A0312226901101
Figure A0312226901111
Figure A0312226901131
其中，优选的是(57-1)、(57-3)、(57-6)、(57-7)、(57-8)、(57-10)、(57-12)、(57-15)、(57-16)、(57-17)、(57-19)、(57-21)、(57-26)、(57-28)、(57-30)、(57-35)。
在上述各具体实例中，n和m各自为至少为1的整数。
当如上所述的高分子量电荷输送物质满足(i)按半经验的轨道计算获得的最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)为-8.3eV至-8.0eV，并且(ii)其重均分子量(Mw)满足1500或更高的特性的场合，就可以提供一种具有符合目标的高的机械强度，而且在长时期内使用时也能稳定地发挥电摄影感光体的特性的电摄影感光体。
按照上述的计算方法，高分子量电荷输送物质的最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)可以利用前述的半经验的分子轨道计算程序容易地求得。
按照分子轨道法计算出的最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)的数值表示对象物固有的化学反应活性。
在本发明的电摄影感光体中使用的高分子量电荷输送物质由于具有上述特定的重复结构单元，因此，整个分子形成了通过氮原子上的多余电子对，在苯基上、特别是在构成主链的苯基上的类似π其轭体系结构。
这种π共轭体系结构一般说来是电荷输送能力(迁移率，mobility)高的结构。
然而，作为迁移率提高的弊病，最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)也增高，因此使得对化学反应敏感，例如容易与由于带电时的放电所导致产生的臭氧或活性氧或者称为NOx的活性化学物质反应，其结果，引起了电摄影感光体的劣化和电摄影特性的劣化。
因此，为了提高电摄影感光体的耐久性，即使在反复使用时也不会引起特性恶化，就必须把具有上述特定重复结构单元的高分子量电荷输送物质的最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)降低到一定值以下。
对于高分子量电荷输送物质的化学改性，以使最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)变低为宜，但是，为了起到作为电摄影感光体用的电荷输送物质的功能，很重要的一点是要发生在电荷发生物质与电荷输送物质之间的电荷迁移，而如果最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)过低，电荷输送物质与电荷发生物质之间就会产生能级差距，从而导致电摄影感光体的特性恶化，因此必须对最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)进行适度的控制。
通过半经验的分子轨道计算获得的最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)如果在-8.3eV至-8.0eV的范围内，就不会损害作为电摄影感光体的良好特性，从而可以提高电摄影感光体的耐久性，并能抑制由于反复使用所导致的电摄影感光体特性的劣化。
虽然对于在本发明中评价的电位变化的发现机理没有详细地探明，但是可以作如下的推断。
作为电摄影感光体的特性劣化现象来评价的在反复使用时电位的变化，已知在电摄影处理时，主要在电摄影感光体充电时产生的臭氧或活性氧、NOx等导致的化学变质会引起材料的劣化。
对于在本发明的电摄影感光体中使用的，具有能够使最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)降低的上述特定重复结构单元的高分子量电荷输送物质来说，与不能使最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)降低的物质相比，在重复使用时的电位变化方面，可以看到明显的优越性。
其理由是，通过将最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)降低，可以使导致化学反应或化学变质的活性降低，因此难以发生变质，从而能在长时期内发挥电荷输送物质的特性。
另外，为了达到作为本发明的目的之一的电摄影感光体的机械强度的提高，很重要的一点是具有上述特定的重复结构单元的高分子量电荷输送物质的分子量的大小。
为了使电摄影感光体的机械强度提高，具有上述特定重复结构单元的高分子量电荷输送物质的重均分子量(Mw)必须至少为1500。
另一方面，具有上述特定重复结构单元的高分子量电荷输送物质的重均分子量(Mw)优选至多为6000，更优选至多为4000。重均分子量(Mw)过大时，往往会使其与粘合树脂的相溶性变差，而且，难以使按半经验的轨道计算获得的最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)处于-8.3eV至-8.0eV的范围内。
另外，为了提高电摄影感光体的机械强度，上述特定的重复结构单元的重复次数(重复结构单元的数目)的平均值优选至少为6。
另一方面，上述特定的重复结构单元的重复次数的平均值优选至多为20。当超过20时，往往会导致与粘合剂树脂的相溶性变差，而且难以使按半经验的轨道计算获得的最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)处于-8.3eV至-8.0eV的范围内。
分子量的提高与机械强度的关系虽然还设有详细地探明，但是一般说来，分子量的提高与玻璃化转变温度(Tg)之间存在相关性，随着分子量的增加，Tg也随之增加，而随着高分子量电荷输送物质的分子量增加，其玻璃化转变温度上升，结果可以推测，其机械强度也相应提高。
另一方面，虽然分子量越大，机械强度越好，但是，随着所说结构单元的重复次数的增加，按照上述分子轨道计算获得的最高被占有分子轨道的能量水平也相应上升，从而会引起由于氧化造成的化学劣化，因此，很重要的一点是要兼顾机械强度和化学稳定性两方面来决定分子的结构，在这一点上，按照半经验的分子轨道计算来获得最高被占有分子轨道的能量水平是有效的。
在具有由上述式(11)、(21)、(22)、(31)、(41)或(51)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质中，相对于该高分子量电荷输送物质内的全部结构单元，由上述式(11)、(21)、(22)、(31)、(41)或(51)表示的重复结构单元所占的比率，只要能使按半经验的分子轨道计算获得的最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)处于-8.3eV至-8.0eV的范围内，则任意的数值均可。
而且，在该范围内时，可以从其在溶剂中的溶解性或与树脂的相溶性的观点考虑，选择最适用者。
另外，为了发挥高的电荷输送功能，高分子量电荷输送物质的分子量越大越好。因此，高分子量电荷输送物质的分子量，只要在能够满足(EHOMO)在-8.3eV至-8.0eV的范围内，其分子量仍然是以尽可能大为宜。
另外，具有由上述式(11)表示的重复结构单元和例如由上述式(12)表示的重复结构单元等其他重复结构单元的高分子量电荷输送物质、具有由上述式(21)表示的重复结构单元和例如由上述式(23)表示的重复结构单元等其他重复结构单元的高分子量电荷输送物质、具有由上述式(22)表示的重复结构单元和例如由上述式(23)表示的重复结构单元等其他重复结构单元的高分子量电荷输送物质、具有由上述式(31)表示的重复结构单元和例如由上述式(32)表示的重复结构单元等其他重复结构单元的高分子量电荷输送物质、具有由上述式(41)表示的重复结构单元和例如由上述式(42)表示的重复结构单元等其他重复结构单元的高分子量电荷输送物质、具有由上述式(51)表示的重复结构单元和例如由上述式(52)表示的重复结构单元或由上述式(53)表示的重复结构单元等其他重复结构单元的高分子量电荷输送物质，皆意味着它们是共聚物。
这些共聚物可以是无规共聚物、嵌段共聚物、交替共聚物中的任一种，但是其中优选为无规共聚物和交替共聚物，因为这样不会引起在分子内的电荷局部聚集。
另外，为了充分获得本发明的效果，在本发明的电摄影感光体中使用的高分子量电荷输送物质优选是在其分子内相对于全部的重复结构单元，上述特定的重复结构单元所占的比例至少为80％，更优选至少为90％。
下面对本发明中使用的电摄影感光体的构成进行说明。
作为本发明的电摄影感光体的感光层，可以是在单一层中同时含有电荷发生物质和电荷输送物质的单层型感光层、按功能分离成含有电荷输送物质的电荷输送层和含有电荷发生物质的电荷发生层这样的功能分离型(多层型)感光层中的任一种形态。但是，从电摄影特性的观点考虑，优选是功能分离型(多层型)，更优选是从支持体一侧开始按电荷发生层、电荷输送层的顺序积层的功能分离型(多层型)。下面，在以功能分离型(多层型)出现的场合，就意味着它是从支持体一侧开始按电荷发生层、电荷输送层的顺序积层而成的产品。
在具有电荷发生层和电荷输送层的功能分离型(多层型)感光层的场合，本发明的电摄影感光体中使用的高分子量电荷输送物质与绝缘性的粘合剂树脂一起使用，至少在其电荷输送层中一起使用。
作为在本发明的电摄影感光体中使用的支持体，只要是具有导电性的物质，不管哪一种皆可使用，例如可以举出，通过将铝、铜、铬、镍、锌、不锈钢等的金属成型为鼓状或薄板状的产品；通过将铝或铜等的金属箔层压在塑料薄膜上而获得的产品；通过将铝、氧化铟、氧化锡等真空沉积到塑料薄膜上而获得的产品等。
在LBP(激光打印机)等图像数据通过激光输入的场合，为了防止由于散射导致的干涉条纹，或者为了保护支持体以使其免于受伤，可以设置导电层。这种导电层可通过将炭黑、金属粒子等的导电性粒子分散于粘合剂树脂中形成的分散液涂布来形成。
导电层的膜厚优选为5～40μm，更优选为10～30μm。
另外，在支持体或导电层上可以设置具有粘接功能的中间层。
作为中间层的材料，可以举出聚酰胺、聚乙烯醇、聚环氧乙烷、乙基纤维素、酪蛋白、聚氨酯、聚醚氨酯等。这些材料可以首先溶解于适当的溶剂中，然后用其来涂布以形成层。
中间层的膜厚优选为0.05～5μm，更优选为0.3～1μm。
在功能分离型(多层型)感光层的场合，可以在支持体、导电层或中间层上形成电荷发生层。
电荷发生层可通过下述方法形成，即，将电荷发生物质与0.3～4倍量的粘合剂树脂和溶剂一起，用均化器、超声波分散器、球磨机、振动球磨机、砂磨机、超细磨碎机、辊磨机和液冲型高速分散机等的方法很好地分散，将所获的分散液涂布和干燥，从而形成电荷发生层。
电荷发生层的膜厚优选为5μm或更小，更优选为0.1～2μm。
作为电荷发生物质，可以使用通常已知的物质，例如可以举出硒-碲、铍、金属酞菁、无金属酞菁、三苯并[cd，jk]芘-5，10-二酮、二苯芘醌、三偶氮染料、花青、双偶氮染料、单偶氮染料、靛蓝、喹吖啶酮等的各种颜料。
将这些颜料与0.3～4倍量的粘合剂树脂和溶剂一起，用均化器、超声波分散器、球磨机、振动磨机、砂磨机、超细磨碎机、辊磨机、液冲型高速分散机等进行分散，获得了良好分散的分散液。在功能分离型(多层型)感光层的场合，通过将上述分散液涂布、干燥来获得电荷发生层。
在功能分离型(多层型)感光层的场合，在电荷发生层上形成电荷输送层。
电荷输送层可以通过将上述高分子量电荷输送物质和绝缘性的粘合剂树脂溶解于溶剂中制成涂布液，然后将其涂布于电荷发生层上并加以干燥来制得。
涂布液中的高分子量电荷输送物质与粘合剂树脂的比例(高分子量电荷输送物质/粘合剂树脂)按重量比优选为1/10～12/10，而从电摄影感光体的电荷输送特性或电荷输送层的强度的观点考虑，更优选为2/10～10/10。
作为粘合剂树脂，只要是通常用于感光层(电荷发生层和电荷输送层)的树脂，任一种树脂均可使用，但是从树脂的透明性、成膜性的观点考虑，以及在感光层(电荷输送层)为电摄影感光体的表面层的场合，从耐磨损性的观点考虑，优选为聚碳酸酯树脂或多芳基化树脂。
聚碳酸酯树脂的粘均分子量(Mv)优选为20000～80000。
下面举出碳酸酯树脂的具体实例。
Figure A0312226901201
多芳基化树脂的重均分子量(Mw)优选为50000～200000，从强度、生产率等几方面考虑，更优选为80000～150000。
下面举出多芳基化树脂的具体实例。
Figure A0312226901211
Figure A0312226901221
进而，为了提高生产率等目的，也可以向多芳基化树脂中混合进其他结构的多芳基化树脂或聚碳酸酯树脂。为了更好地发挥混合的效果，混合比例优选为5/95～95/5，更优选为20/80～80/20。
另外，与具有由上述式(1)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质合并使用的聚碳酸酯树脂或多芳基化树脂等的粘合剂树脂，优选具有与上述式(1)中的Ar12同样的结构。由于具有同一种结构，因此不会引起相分离，从而能够形成均匀的感光层(电荷输送层)。
另外，根据需要，可以向电荷输送层中添加抗氧化剂、热稳定剂、紫外线吸收剂、增塑剂等。
当电荷输送层为电摄影感光体表面层的场合，根据需要，可以使用润滑剂或微粒子。作为润滑剂或微粒子，可以举出聚四氟乙烯微粒子、二氧化硅微粒子、氧化铝微粒子等。
电荷输送层的膜厚优选为5～40μm，更优选为15～30μm。
另外，电摄影感光体的表面层是用于保护感光层的层，也就是说，在感光层上可以另外设置一层保护层。
作为保护层适用的树脂，优选是高分子量的热塑性树脂或热固性树脂、光固性树脂，进而，更优选是高分子量的聚碳酸酯树脂、多芳基化树脂、酚醛树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂。
另外，为了降低残留电位或提高膜强度，保护层中也可以含有导电性粒子或润滑剂。
作为保护层的成膜方法，可以是利用热、光或电子射线进行固化的方法，根据需要，可以含有聚合引发剂或抗氧化剂。
在电摄影感光体的各层的形成工序中，作为适用的溶剂，可以举出氯苯、四氢呋喃、1，4-二噁烷、甲苯、二甲苯等，他们可以单独使用，或者将多种溶剂合并使用。
另外，作为上述成膜的涂布方法，可以使用浸渍涂布法、喷涂法、棒涂法等通常已知的方法
图1中示出了包含具有本发明的电摄影感光体的成像处理盒的电摄影装置的概略构成。
在图1中，1是鼓状的本发明的电摄影感光体，它以轴2为中心沿着箭头所指方向按规定的圆周速度作旋转运动。电摄影感光体1在其旋转过程中由于初级充电装置3的作用而在其圆周表面上接受正或负的规定电位的均匀静电带电，然后接受来自狭缝曝光或激光扫描曝光等的曝光装置(未图示)的曝光光线4。这样就在电摄影感光体1的周围顺次地形成静电潜像。
已形成的静电潜像然后通过显影装置5的作用而成为调色剂显影像，已显影的调色剂显影像按照下述过程被转印装置6转印到转印材料7上，即，转印材料7被从未图示的给纸部供给到电摄影感光体1与转印装置6之间，并按照与电摄影感光体1的旋转同期地被取出，这时调色剂的显影像便已顺次地被转引到转印材料7上。
已接受了图像转印的转印材料7从电摄影感光体的表面分离并被导入图像定影装置8中，在此处接受了图像定影后便被作为复印品(拷贝)被送到装置外。
转印后的电摄影感光体1的表面接受清洁装置9的表面清洁处理，以便除去转印后残留的调色剂，进而接受来自前曝光装置(未图示)的前曝光10而进行除电处理，然后重新用于图像形成的操作。应予说明，当初级充电装置3如图1所示那样为使用充电辊等的接触充电装置的场合，不一定需要前曝光。
根据本发明，在上述的电摄影感光体1、初级充电装置3、显影装置5和清洁装置9等的构成元件中，可以按照几个元件作为成像处理盒结合成为一体的方式来构成，并且按照使该成像处理盒相对于复印机或激光打印机等的电摄影装置本体可以自由装卸的方式来构成。例如，在初级充电装置3、显影装置5和清洁装置9中的至少一个装置与电摄影感光体1共同成为一体地被支持着并使其成为处理盒，然后使用装置本体的导轨12等的导向装置将其构成可以在装置本体上装卸自由的成像处理盒。
另外，当电摄影装置为复印机或打印机的场合，利用来自原稿的反射光或透射光，或者利用传感器来读取原稿，将其信号化，依据该信号进行激光扫描、LED阵列的驱动和液晶快门阵列的驱动等，而曝光光线4就是利用这类驱动而照射的光。
本发明的电摄影感光体不仅可以利用于电摄影复印机，而且也能广泛地应用于激光打印机、CRT打印机、LED打印机、液晶打印机和激光制版等电摄影应用领域中。
下面依据实施例来更详细地说明本发明。
应予说明，实施例中的“份”是指“重量份”。
下面首先对评价方法进行说明。
如上所述，高分子量电荷输送物质的最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)是通过使用PM3参数的半经验的分子轨道计算进行结构最优化计算而算出的。
对于使用高分子量电荷输送物质的电摄影感光体，在进行反复使用的耐久性和性能变化的评价时，把一台佳能公司制的复印机GP40(接触充电方式)改造成为图像的曝光量达到在电摄影感光体表面上的光量成为0.6μJ/cm2，以该改造后的复印机作为评价机来进行评价。
在通过反复使用来评价电摄影感光体的耐久性时，使用A4尺寸的普通纸，按照每复印1张就停止1次的间歇模式共复印20000张，然后测定电摄影感光体膜厚的磨损量。
另外，在耐久性评价前(明区电位)和复印20000张之后分别测定明区电位(VI)，将该差别作为明区电位的变化来评价，如表中所示。
在显影组件的位置测定电摄影感光体的表面电位，将显影组件用测量夹具替换，如此固定测量夹具使其电位测定用探针固定在与电摄影感光体上端离开180mm的位置处。
另外，在新的电摄影感光体的表面上粘附一些油脂，将其放置72小时，然后利用显微镜(100倍)来观察溶剂裂缝(solvent crack)的有无。对观察点进行10点的观察，在所有观察点均无裂缝的样品评定为“○”，在观察点产生裂缝的评定为“×”。
实施例1-1～1-14、2-1～2-32、3-1～3-9、4-1～4-14、5-1～5-9
各实施例的电摄影感光体按照下述方法制备。
在一个直径30mm×长357mm的铝制圆筒体上，按照浸涂法涂布由以下材料构成的涂料，通过在140℃热固化30分钟形成了膜厚为15μm的导电层。
导电性颜料：SnO2涂覆处理的硫酸钡               10份
电阻调整用颜料：氧化                              2份
粘合剂树脂：酚醛树脂                              6份
流平剂：硅油                                      0.001份
溶剂：甲醇/甲氧基丙醇＝2/8                        20份
然后在该导电层上通过浸涂法涂布一种由N-甲氧基甲基化尼龙3份和共聚尼龙3份溶解于甲醇65份和正丁醇30份的混合溶剂中而形成的涂料，通过将该涂布的涂料干燥，形成了膜厚为0.5μm的中间层。
然后准备一种羟基镓酞菁染料，该羟基镓酞菁染料在CuKα的X射线衍射图谱中在衍射角(2θ±0.2°)为7.4°和28.2°的部位具有强的峰，将这种羟基镓酞菁染料4份、聚乙烯醇缩丁醛(商品名：S-LEC BX-1，积水化学制)2份、环己酮60份置于一台使用直径1mm的玻璃珠的砂磨机装置中进行4小时的分散，然后向其中加入乙酸乙酯100份，从而配制成电荷发生层用分散液。用浸渍法将该分散液涂布于中间层上，然后干燥，形成了膜厚为0.2μm的电荷发生层。
然后分别将下表1-6(评价和结果)中示出的高分子量电荷输送物质6份和同样在下表1-6中示出的粘合剂树脂10份溶解于一氯苯30份和二氯甲烷70份的混合溶剂中，从而配制成电荷输送层用的涂布液。然后按照浸涂法将该涂布液涂布于电荷发生层上，在120℃下干燥1小时，从而形成了膜厚25μm的电荷输送层。
如此制成了各实施例的电摄影感光体。
比较例0-1～5-3
除了把实施例中的高分子量电荷输送物质分别改变为具有由下述式(7)表示的重复结构单元的物质或者为下表8-12(评价和结果)中示出的物质，以及将粘合剂树脂分别改变为同样在下表8-12中示出的树脂之外，其余与实施例同样地制备各比较例的电摄影感光体。
Figure A0312226901261
下表1-12示出各实施例和各比较例的评价结果。
应予说明，在下表中，“结构单元数”(n或m)是指重复结构单元的数的平均值；“分子量(Mw)”是指重均分子量(Mw)；“裂缝”是指溶剂裂缝的有无。【表1】
                                                                 评价和结果
高分子量电荷输送物质 粘合剂树脂  磨损量(μm) 明区电位(eV) 明区电位变化(eV) 裂缝
 结构  结构单元数  分子量(Mw) EHOMO(eV) 结构  分子量(Mw)
实施例1-1  11-1  n＝8  2088 -8.264 3-5  100000  6.4 -180 +6  ○
实施例1-2  11-5  n＝6  1866 -8.296 3-5  100000  6.6 -180 +5  ○
实施例1-3  11-18  n＝8  2464 -8.173 3-5  100000  6.6 -175 +7  ○
实施例1-4  11-20  n＝6  2508 -8.254 3-5  100000  6.6 -180 +5  ○
实施例1-5  13-1  n＝2，m＝8  2466 -8.100 3-5  100000  6.4 -160 +13  ○
实施例1-6  13-2  n＝2，m＝8  2566 -8.059 3-5  100000  6.4 -150 +15  ○
实施例1-7  11-1  n＝8  2088 -8.264 4-2  130000  5.0 -190 +5  ○
实施例1-8  11-5  n＝6  1866 -8.296 4-2  130000  5.1 -170 +4  ○
实施例1-9  13-1  n＝2，m＝8  2464 -8.100 4-2  130000  4.8 -160 +12  ○
实施例1-10  13-2  n＝2，m＝8  2508 -8.059 4-2  130000  4.8 -195 +13  ○
实施例1-11  11-1  n＝8  2088 -8.264 (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.9 -195 +4  ○
实施例1-12  11-5  n＝6  1866 -8.296 (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.8 -175 +3  ○
实施例1-13  13-1  n＝2，m＝8  2464 -8.100 (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.7 -175 +11  ○
实施例1-14  13-2  n＝2，m＝8  2508 -8.059 (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.7 -165 +12  ○
【表2】
                                                              评价和结果
高分子量电荷输送物质 粘合剂树脂 磨损量(μm) 明区电位(eV) 明区电位变化(eV) 裂缝
 结构  结构单元数  分子量(Mw) EHOMO(eV)  结构  分子量(Mw)
实施例2-1  21-4  n＝12  2280 -8.288  3-5  100000  6.4 -185 +5  ○
实施例2-2  21-3  n＝8  2664 -8.268  3-5  100000  6.5 -180 +7  ○
实施例2-3  21-20  n＝8  2408 -8.044  3-5  100000  6.6 -150 +15  ○
实施例2-4  21-30  n＝8  2072 -8.249  3-5  100000  6.5 -180 +7  ○
实施例2-5  21-31  n＝8  2200 -8.012  3-5  100000  6.5 -150 +16  ○
实施例2-6  22-9  n＝8  2056 -8.288  3-5  100000  6.3 -180 +4  ○
实施例2-7  22-14  n＝8  2184 -8.018  3-5  100000  6.3 -150 +15  ○
实施例2-8  24-1  n＝5，m＝5  2640 -8.154  3-5  100000  6.4 -160 +9  ○
实施例2-9  24-6  n＝2，m＝8  2442 -8.119  3-5  100000  6.4 -155 +9  ○
实施例2-10  24-11  n＝2，m＝8  2494 -8.082  3-5  100000  6.2 -150 +11  ○
实施例2-11  25-5  n＝5，m＝5  2500 -8.201  3-5  100000  6.3 -170 +8  ○
实施例2-12  25-10  n＝2，m＝8  2490 -8 056  3-5  100000  6.3 -150 +10  ○
实施例2-13  21-4  n＝12  2280 -8.288  4-2  130000  5.0 -190 +4  ○
实施例2-14  21-30  n＝8  2072 -8.249  4-2  130000  4.9 -190 +6  ○
实施例2-15  21-31  n＝8  2200 -8.012  4-2  130000  5.1 -160 +15  ○
【表3】
                                                               评价和结果
高分子量电荷输送物质 粘合剂树脂  磨损量(μm) 明区电位(eV) 明区电位变化(eV) 裂缝
 结构  结构单元数  分子量(Mw) EHOMO(eV) 结构  分子量(Mw)
实施例2-16  22-9  n＝8  2056 -8.288 4-2  130000  5.0 -190 +3  ○
实施例2-17  22-14  n＝8  2184 -8.018 4-2  130000  5.0 -160 +14  ○
实施例2-18  24-1  n＝5，m＝5  2640 -8.154 4-2  130000  4.9 -170 +8  ○
实施例2-19  24-6  n＝2，m＝8  2442 -8.119 4-2  130000  4.9 -165 +8  ○
实施例2-20  24-11  n＝2，m＝8  2494 -8.082 4-2  130000  4.8 -160 +10  ○
实施例2-21  25-5  n＝5，m＝5  2500 -8.201 4-2  130000  4.8 -180 +7  ○
实施例2-22  25-10  n＝2，m＝8  2490 -8.056 4-2  130000  4.8 -160 +8  ○
实施例2-23  21-4  n＝12  2280 -8.288 (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.8 -195 +3  ○
实施例2-24  21-30  n＝8  2072 -8.249 (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.7 -195 +5  ○
实施例2-25  21-31  n＝8  2200 -8.012 (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.7 -165 +13  ○
实施例2-26  22-9  n＝8  2056 -8.288 (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.6 -195 +3  ○
实施例2-27  22-14  n＝8  2184 -8.018 (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.7 -165 +12  ○
实施例2-28  24-1  n＝5，m＝5  2640 -8.154 (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.6 -175 +7  ○
实施例2-29  24-6  n＝2，m＝8  2442 -8.119 (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.7 -170 +7  ○
实施例2-30  24-11  n＝2，m＝8  2494 -8.082 (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.6 -165 +8  ○
实施例2-31  25-5  n＝5，m＝5  2500 -8.201 (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.6 -185 +7  ○
实施例2-32  25-10  n＝2，m＝8  2490 -8.059 (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.5 -165 +7  ○
【表4】
                                                             评价和结果
高分子量电荷输送物质 粘合剂树脂  磨损量(μm) 明区电位(eV) 明区电位变化(eV) 裂缝
 结构  结构单元数  分子量(Mw) EHOMO(eV)  结构  分子量(Mw)
实施例3-1  31-1  n＝10  1690 -8.274  3-5  100000  6.5 -180 +5  ○
实施例3-2  31-9  n＝10  1690 -8.171  3-5  100000  6.5 -170 +8  ○
实施例3-3  33-1  n＝5，m＝5  2060 -8.176  3-5  100000  6.3 -1 70 +8  ○
实施例3-4  33-5  n＝5，m＝5  2060 -8.124  3-5  100000  6.3 -1 60 +10  ○
实施例3-5  33-8  n＝2，m＝8  2434 -8.165  3-5  100000  6.4 -165 +10  ○
实施例3-6  31-1  n＝10  1690 -8.274  4-2  130000  5.0 -190 +4  ○
实施例3-7  33-1  n＝5，m＝5  2060 -8.176  4-2  130000  5.0 -180 +7  ○
实施例3-8  31-1  n＝10  1690 -8.274  (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.8 -195 +4  ○
实施例3-9  33-1  n＝5，m＝5  2060 -8.176  (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.7 -185 +6  ○
【表5】
                                                                评价和结果
高分子量电荷输送物质 粘合剂树脂  磨损量(μm) 明区电位(eV) 明区电位变化(eV) 裂缝
 结构  结构单元数  分子量(Mw) EHOMO(eV)  结构  分子量(Mw)
实施例4-1  41-4  n＝5  1665 -8.028  3-5  100000  6.4 -145 +15  ○
实施例4-2  41-9  n＝5  1745 -8.081  3-5  100000  6.4 -155 +11  ○
实施例4-3  41-11  n＝8  1960 -8.268  3-5  100000  6.6 -180 +5  ○
实施例4-4  43-3  n＝5，m＝5  2890 -8.085  3-5  100000  6.3 -155 +12  ○
实施例4-5  43-8  n＝2，m＝8  2642 -8.068  3-5  100000  6.3 -150 +12  ○
实施例4-6  43-11  n＝8，m＝2  2448 -8.260  3-5  100000  6.4 -180 +6  ○
实施例4-7  41-4  n＝5  1665 -8.028  4-2  130000  5.0 -155 +13  ○
实施例4-8  41-9  n＝5  1745 -8.081  4-2  130000  5.1 -165 +10  ○
实施例4-9  43-3  n＝5，m＝5  2890 -8.085  4-2  130000  5.0 -165 +10  ○
实施例4-10  43-8  n＝2，m＝8  2642 -8.068  4-2  130000  4.9 -160 +9  ○
实施例4-11  41-4  n＝5  1665 -8.028  (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.8 -160 +12  ○
实施例4-12  41-9  n＝5  1745 -8.081  (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.7 -170 +10  ○
实施例4-13  43-3  n＝5，m＝5  2890 -8.085  (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.8 -170 +10  ○
实施例4-14  43-8  n＝2，m＝8  2642 -8.068  (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.7 -165 +9  ○
【表6】
                                                                评价和结果
高分子量电荷输送物质 粘合剂树脂  磨损量(μm) 明区电位(eV) 明区电位变化(eV) 裂缝
 结构  结构单元数  分子量(Mw) EHOMO(eV) 结构  分子量(Mw)
实施例5-1  51-3  n＝6  2028 -8.274  3-5  100000  6.5 -180 +3  ○
实施例5-2  51-8  n＝6  2106 -8.295  3-5  100000  6.4 -180 +2  ○
实施例5-3  57-26  n＝5，m＝5  3040 -8.279  3-5  100000  6.4 -180 +5  ○
实施例5-4  51-3  n＝6  2028 -8.274  4-2  130000  5.1 -190 +3  ○
实施例5-5  51-8  n＝6  2106 -8.295  4-2  130000  5.0 -190 +2  ○
实施例5-6  57-26  n＝5，m＝5  3040 -8.279  4-2  130000  5.0 -190 +4  ○
实施例5-7  51-3  n＝6  2028 -8.274  (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.8 -195 +3  ○
实施例5-8  51-8  n＝6  2106 -8.295  (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.7 -195 +2  ○
实施例5-9  57-26  n＝5，m＝5  3040 -8.279  (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  4.7 -195 +4  ○
【表7】
                                                                评价和结果
高分子量电荷输送物质 粘合剂树脂  磨损量(μm) 明区电位(eV) 明区电位变化(eV) 裂缝
结构 结构单元数 分子量(Mw) EHOMO(eV)  结构  分子量(Mw)
比较例0-1  7  n＝2  486 -8.208  3-5  100000  8.2 -180 +10   ×
比较例0-2  7  n＝8  1944 -7.946  3-5  100000  7.5 -130 +75   ○
【表8】
                                                                            评价和结果
高分子量电荷输送物质 粘合剂树脂  磨损量(μm) 明区电位(eV) 明区电位变化(eV) 裂缝
结构    结构单元数  分子量(Mw) EHOMO(eV)  结构  分子量(Mw)
    比较例1-1  11-1    n＝2  522 -8.379  3-5  100000  8.2 -250 +2     ×
    比较例1-2  13-2    n＝8，m＝2  2556 -8.560  3-5  100000  6.4 -280 +2     ○
    比较例1-3  13-1    n＝1，m＝19  4878 -7.922  3-5  100000  6.3 -130 +78     ○
    比较例1-4  11-1    n＝2  522 -8.379  4-2  130000  6.6 -270 +2     ×
    比较例1-5  11-2    n＝2  522 -8.379  (4-2)/(4-9)＝7/3  130000  6.3 -280 +2     ×
【表9】
                                                                        评价和结果
高分子量电荷输送物质 粘合剂树脂   磨损量(μm)   明区电位(eV)   明区电位变化(eV) 裂缝
  结构   结构单元数   分子量(Mw)   EHOMO(eV)   结构   分子量(Mw)
  比较例2-1   21-4   n＝2   570   -8.284   3-5   100000   8.3   -180   +7   ×
  比较例2-2   21-3   n＝2   666   -8.314   3-5   100000   8.4   -230   +5   ×
  比较例2-3   21-30   n＝2   602   -8.253   3-5   100000   8.3   -180   +7   ×
  比较例2-4   24-1   n＝1，m＝9   2472   -7.941   3-5   100000   6.5   -130   +37   ○
  比较例2-5   24-11   n＝1，m＝19   4892   -7.990   3-5   100000   6.4   -135   +36   ○
  比较例2-6   21-3   n＝2   666   -8.314   4-2   130000   6.6   -250   +4   ×
  比较例2-7   21-3   n＝2   666   -8.314   (4-2)/(4-9)＝7/3   130000   6.4   -260   +4   ×
【表10】
                                                                 评价和结果
高分子量电荷输送物质 粘合剂树脂 磨损量(μm) 明区电位(eV) 明区电位变化(eV) 裂缝
结构   结构单元数   分子量(Mw) EHOMO(eV)   结构   分子量(Mw)
  比较例3-1 31-1   n＝2   490 -9.394   3-5   100000 8.3 -430 +2   ×
  比较例3-2 33-8   n＝8，m＝2   2446 -8.391   3-5   100000 6.3 -260 +2   ○
  比较例3-3 31-1   n＝2   490 -9.394   4-2   130000 6.6 -450 +2   ×
  比较例3-4 31-1   n＝2   490 -9.394   (4-2)/(4-9)＝7/3   130000 6.4 -470 +2   ×
【表11】
                                                                 评价和结果
高分子量电荷输送物质 粘合剂树脂  磨损量(μm) 明区电位(eV) 明区电位变化(eV) 裂缝
  结构   结构单元数   分子量(Mw) EHOMO(eV)   结构   分子量(Mw)
  比较例4-1   41-4   n＝2   666 -8.168   3-5   100000  8.3 -160 +8   ×
  比较例4-2   41-4   n＝10   3330 -7.908   3-5   100000  6.4 -130 +55   ○
  比较例4-3   41-4   n＝2   666 -8.168   4-2   130000  6.6 -170 +8   ×
  比较例4-4   41-4   n＝2   666 -8.168   (4-2)/(4-9)＝7/3   130000  6.4 -175 +7   ×
【表12】
                                                                    评价和结果
高分子量电荷输送物质 粘合剂树脂   磨损量(μm) 明区电位(eV) 明区电位变化(eV) 裂缝
  结构   结构单元数   分子量(Mw) EHOMO(eV)   结构   分子量(Mw)
  比较例5-1   51-3   n＝2   676 -8.596   3-5   100000   7.8 -270 +55   ×
  比较例5-2   51-3   n＝2   676 -8.596   4-2   130000   6.6 -290 +53   ×
  比较例5-3   51-3   n＝2   676 -8.596   (4-2)/(4-9)＝7/3   130000   6.4 -300 +50   ×
可以看出，与实施例比较，比较例由于受到电摄影感光体的感光处理而引起化学劣化，而且引起明区电位较大的波动。
另外可以看出，与比较例相比，实施例在反复使用时的耐久性(机械强度、耐磨损性)优良。
在对使用同样粘合剂树脂的电荷输送层进行比较时，与比较例相比，对于每一种粘合剂树脂，实施例的耐磨损性均较高。
另外，使用本发明高分子量的电荷输送物质可以抑制溶剂裂纹的发生。
这样，通过使用具有特定的最高被占有分子轨道的能量水平(EHOMO)而且具有特定的重复结构单元的高分子量电荷输送物质作为电荷输送物质，可以提供一种具有高的机械强度，并且即使在反复使用时也难以引起化学劣化的，具有稳定的电摄影性能的电摄影感光体。

Claims (19)

1.一种电摄影感光体，它包含支持体和支持体上的感光层，其中：
该感光层含有具有由下述式(1)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质；并且
该高分子量电荷输送物质的重均分子量(Mn)为1500或更高，并且按照半经验的分子轨道计算获得的最高被占有分子轨道的能量水平EHOMO为-8.3eV至-8.0eV
式(1)中，Ar11表示取代或无取代的1价芳香环基，或者取代或无取代的1价杂环基；Ar12表示具有从下述式(2)、下述式(2)′和下述式(2)″中选择的式表示的结构的2价基团：
Figure A0312226900022
式(2)中，Ar21和Ar22各自独立地表示取代或无取代的3价芳香环基，或者取代或无取代的3价杂环基；A21和A22各自独立地表示单键，或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素，或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基或电子吸引基的15族元素，或16族元素；c表示0或1，当c为0时，表示Ar21和Ar22直接结合；
式(2)′中，Ar21′和Ar22′各自独立地表示取代或无取代的2价芳香环基，或者取代或无取代的2价杂环基；A21′表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素，或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基或电子吸引基的15族元素，或16族元素；c′表示0或1，当c′为0时，表示Ar21′和Ar22′直接结合；
式(2)″中，Ar21″表示取代或无取代的2价的芳香环基，或者取代或无取代的2价杂环基；c″表示1或1以上的整数，但是，当c″为2或2以上时，2个或2个以上的Ar21″可以相同或不同。
2.如权利要求1所述的电摄影感光体，其中，所述高分子量电荷输送物质具有电子吸引基。
3.如权利要求2所述的电摄影感光体，其中，所述高分子量电荷输送物质具有由下述式(11)表示的重复结构单元：
Figure A0312226900031
在上述式(11)中，R1101～R1113各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基；但是，在R1101～R1113中至少有一个为电子吸引基。
4.如权利要求3所述的电摄影感光体，其中，所述高分子量电荷输送物质具有由下述式(12)表示的重复结构单元：
Figure A0312226900041
在上述式(12)中，R1201～R1213各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基；但是，式(11)和式(12)表示同样结构单元的情况除外。
5.如权利要求1所述的电摄影感光体，其中，所述高分子量电荷输送物质具有由下述式(21)表示的重复结构单元：
Figure A0312226900042
在上述式(21)中，R2101～R2113各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基；A2101表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素，或16族元素。
6.如权利要求1所述的电摄影感光体，其中，所述高分子量电荷输送物质具有由下述式(22)表示的重复结构单元：
在上述式(22)中，R2201～R2211各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基；A2201表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素，或16族元素。
7.如权利要求5所述的电摄影感光体，其中，所述高分子量电荷输送物质具有由下述式(23)表示的重复结构单元：
Figure A0312226900052
在上述式(23)中，R2301～R2313各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基；但是，当所述高分子量电荷输送物质还具有由式(12)表示的重复结构单元时，式(12)和式(23)表示相同结构单元的情况除外。
8.如权利要求1所述的电摄影感光体，其中，所述高分子量电荷输送物质具有由下述式(31)表示的重复结构单元：
Figure A0312226900061
在上述式(31)中，R3101～R3105各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基；Z3101表示取代或无取代的2价杂环基；d表示1或1以上的整数，但是，当d为2或2以上时，2个或2个以上的Z3101可以相同或不同。
9.如权利要求8所述的电摄影感光体，其中，所述高分子量电荷输送物质具有由下述式(32)表示的重复结构单元：
Figure A0312226900062
在式(32)中，R3201～R3213各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基，取代或无取代的芳基，取代或无取代的烷氧基，或电子吸引基；但是，当所述高分子量电荷输送物质还具有由式(12)表示的重复结构单元时，式(12)与式(32)表示相同结构单元的情况除外；当所述高分子量电荷输送物质还具有由式(23)表示的重复结构单元时，式(23)与式(32)表示相同结构单元的情况除外。
10.如权利要求1所述的电摄影感光体，其中，所述高分子量电荷输送物质具有由下述式(41)表示的重复结构单元：
在上述式(41)中，Z4101表示取代或无取代的1价杂环基；R4106～R4113各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基。
11.如权利要求10所述的电摄影感光体，其中，所述高分子量电荷输送物质具有由下述式(42)表示的重复结构单元：
Figure A0312226900072
在上述式(42)中，R4201～R4213各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基、或电子吸引基；但是，当所述高分子量电荷输送物质还具有由式(12)表示的重复结构单元时，式(12)与式(42)表示相同结构单元的情况除外；当所述高分子量电荷输送物质还具有由式(23)表示的重复结构单元时，式(23)与式(42)表示相同结构单元的情况除外；当所述高分子量电荷输送物质还具有由式(32)表示的重复结构单元时，式(32)与式(42)表示相同结构单元的情况除外。
12.如权利要求1所述的电摄影感光体，其中，所述高分子量电荷输送物质具有由下述式(51)表示的重复结构单元：
在式(51)中，Ar5101表示被至少1个电子吸引基取代的芳香环基，或者取代或无取代的杂环基；R5101～R5106各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基，取代或无取代的芳基，取代或无取代的烷氧基，或者电子吸引基；另外，R5103和R5105可以通过具有至少1个原子的化学基团相互结合而形成环状结构；A5101表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素，或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基或电子吸引基的15族元素，或16族元素。
13.如权利要求12所述的电摄影感光体，其中，所述高分子量电荷输送物质具有由下述式(52)表示的重复结构单元：
Figure A0312226900082
在上述式(52)中，Ar5201表示取代或无取代的1价芳香环基，或者取代或无取代的1价杂环基；R5201～R5206各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基；另外，R5203和R5205可以通过具有至少1个原子的化学基团相互结合而形成环状结构；A5201表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素，或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基或电子吸引基的15族元素，或16族元素；但是，式(51)与式(52)表示相同结构单元的情况除外。
14.如权利要求12所述的电摄影感光体，其中，所述高分子量电荷输送物质具有由下述式(53)表示的重复结构单元：
在上述式(53)中，Ar5301表示取代或无取代的1价芳香环基，或者取代或无取代的1价杂环基；但是，当所述高分子量电荷输送物质还具有由式(31)表示的重复结构单元时，式(31)与式(53)表示相同结构单元的情况除外；当所述高分子量电荷输送物质还具有由式(41)表示的重复结构单元时，式(41)与式(53)表示相同结构单元的情况除外；当所述高分子量电荷输送物质还具有由式(42)表示的重复结构单元时，式(42)与式(53)表示相同结构单元的情况除外；Ar5302表示选自(i)、(ii)、(iii)和(iv)中的基团：
(i)具有有下述式(54)表示的结构的基团：
在上述式(54)中，R5401～R5408各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基；A5401表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素，或16族元素；但是，当所述高分子量电荷输送物质还具有由式(21)表示的重复结构单元时，式(21)与其中的Ar5302为由式(54)表示的基团的式(53)表示相同结构单元的情况除外；
(ii)具有由下述式(55)表示的结构的基团：
Figure A0312226900101
在式(55)中，R5501～R5506各自独立地表示：氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基；A5501表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基或电子吸引基的14族元素，或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基或电子吸引基的15族元素，或16族元素；但是，当所述高分子量电荷输送物质还具有由式(22)表示的重复结构单元时，式(22)与其中的Ar5302为由式(55)表示的基团的式(53)表示相同结构单元的情况除外；
(iii)取代或无取代的2价芳香环基或其多聚体；
(iv)取代或无取代的2价杂环基或其多聚体。
15.如权利要求1所述的电摄影感光体，其中，所述感光层是电摄影感光体的表面层。
16.如权利要求15所述的电摄影感光体，其中，所述感光层含有聚碳酸酯。
17.如权利要求15所述的电摄影感光体，其中，所述感光层含有多芳基化物树脂。
18.成像处理盒，它包含一体化的电摄影感光体与从充电装置、显影装置和清洁装置中选择的至少一种装置，并按照装卸自由的方式安装在电摄影装置本体上，
所述电摄影感光体包含支持体和支持体上的感光层，其中：
该感光层包含具有由下述式(1)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质；并且
该高分子量电荷输送物质的重均分子量(Mw)为1500或更高，并且按半经验的分子轨道计算获得的最高被占有分子轨道的能量水平EHOMO为-8.3eV至-8.0eV；
Figure A0312226900111
式(1)中，Ar11表示取代或无取代的1价芳香环基，或者取代或无取代的1价杂环基；Ar12表示具有从下述式(2)、下述式(2)′、和下述式(2)″中选择的式表示的结构的2价基团：
式(2)中，Ar21和Ar22各自独立地表示取代或无取代的3价芳香环基，或者取代或无取代的3价杂环基；A21和A22各自独立地表示单键，或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素，或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基或电子吸引基的15族元素，或16族元素；c表示0或1，当c为0时，表示Ar21和Ar22直接结合；
式(2)′中，Ar21′和Ar22′各自独立地表示取代或无取代的2价芳香环基，或者取代或无取代的2价杂环基；A21′表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素，或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基或电子吸引基的15族元素，或16族元素；c′表示0或1，当c′为0时，表示Ar21′和Ar22′直接结合；
式(2)″中，A21″表示取代或无取代的2价芳香环基，或者取代或无取代的2价杂环基；c″表示1或1以上的整数，但是，当c″为2或2以上时，2个或2个以上的Ar21″可以相同或不同。
19.电摄影装置，它包含电摄影感光体、充电装置、曝光装置、显影装置和转印装置；
所述电摄影感光体包含支持体和支持体上的感光层，其中：
该感光层包含具有由下述式(1)表示的重复结构单元的高分子量电荷输送物质；并且
该高分子量电荷输送物质的重均分子量Mw为1500或更高，并且按半经验的分子轨道计算获得的最高被占有分子轨道的能量水平EHOMO为-8.3eV至-8.0eV；
式(1)中，Ar11表示取代或无取代的1价芳香环基，或者取代或无取代的1价杂环基；Ar12表示具有从下述式(2)、下述式(2)′、和下述式(2)″中选择的式表示的结构的2价基团：
Figure A0312226900131
式(2)中，Ar21和Ar22各自独立地表示取代或无取代的3价芳香环基，或者取代或无取代的3价杂环基；A21和A22各自独立地表示单键，或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素，或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基或电子吸引基的15族元素，或16族元素；c表示0或1，当c为0时，表示Ar21和Ar22直接结合；
式(2)′中，Ar21′和Ar22′各自独立地表示取代或无取代的2价芳香环基，或者取代或无取代的2价杂环基；A21′表示具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基、取代或无取代的烷氧基或电子吸引基的14族元素，或者具有氢、取代或无取代的烷基、取代或无取代的芳基或电子吸引基的15族元素，或16族元素；c′表示0或1，当c′为0时，表示Ar21′和Ar22′直接结合；
式(2)″中，Ar21″表示取代或无取代的2价芳香环基，或者取代或无取代的2价杂环基；c″表示1或1以上的整数，但是，当c″为2或2以上时，2个或2个以上的Ar21″可以相同或不同。
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