JPH10302963A - 高分子電荷輸送材料 - Google Patents

高分子電荷輸送材料

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JPH10302963A
JPH10302963A JP9107190A JP10719097A JPH10302963A JP H10302963 A JPH10302963 A JP H10302963A JP 9107190 A JP9107190 A JP 9107190A JP 10719097 A JP10719097 A JP 10719097A JP H10302963 A JPH10302963 A JP H10302963A
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JP
Japan
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group
charge transport
aryl
transport material
substituent selected
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JP9107190A
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English (en)
Inventor
Hisaya Sato
壽彌 佐藤
Jiyunmo Son
準模 孫
Mayumi Nakao
真由美 仲尾
Yuichi Ito
祐一 伊藤
Yuichi Sakaki
祐一 榊
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】高い電荷輸送性、耐熱性、及び機械的強度を有
する電荷輸送材料を提供すること。 【解決手段】本発明の高分子電荷輸送材料は、芳香族第
三級アミンとアルデヒドとの付加縮合により得られ、下
記一般式(1)で示されることを特徴とする。 【化1】 (式中、nは重合度を表す正の整数を示し、R1 及びR
3 はアリーレン基、R2 はアリール基、R4 は水素原
子、アルキル基、及びアリール基からなる群から選ばれ
る置換基を示し、前記アリーレン基及びアリール基は、
ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、
及びアミノ基からなる群から選ばれる置換基で置換され
た、または未置換の置換基である。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電荷輸送材料に係
り、有機薄膜EL素子や電子写真感光体に適用可能な高
分子電荷輸送材料に関する。
【0002】
【従来の技術】有機薄膜EL素子は、エレクトロルミネ
ッセンス(以下ELという)現象を利用した、発光層が
有機材料からなる発光素子であり、自発光型の平面表示
素子や平面光源として利用されている。この有機薄膜E
L素子は、イーストマン・コダック社のC.W.Tangらによ
り開発され、特開昭59−194393号公報、特開昭
63−264692号公報、特開昭63−295695
号公報、アプライド・フィジックス・レター第51巻第
12号第913頁(1987年)、及びジャーナル・オ
ブ・アプライドフィジックス第65巻第9号第3610
頁(1989年)等に開示されている。
【0003】一般に、有機薄膜EL素子は、陽極、有機
正孔注入輸送層、有機発光層、及び陰極の順に積層され
て構成され、以下に示すようにして作製される。まず、
ガラスや樹脂フィルム等の透明絶縁性の基板上に、陽極
として、インジウムとスズとの複合酸化物(以下、IT
Oという)からなる透明導電膜を、蒸着法またはスパッ
タリング法等により形成する。次に、この陽極上に、有
機正孔注入輸送層として、銅フタロシアニンやテトラア
リールジアミン化合物等の有機正孔注入輸送材料からな
る単層膜または多層膜を、100nm程度以下の厚さで
形成する。
【0004】さらに、有機正孔注入輸送層上に、有機発
光層として、トリス(8−キノリノール)アルミニウム
(以下、Alqという)等の有機蛍光体膜を、100n
m程度以下の厚さで、蒸着法により形成する。この有機
発光層上に、陰極としてMg:Ag等の合金膜を、20
0nm程度の厚さで、共蒸着法により形成することによ
り、有機薄膜EL素子が作製される。
【0005】以上のようにして作製される有機薄膜EL
素子においては、電極間に直流低電圧を印加することに
より、正孔と電子とが有機発光層に注入され、これらの
再結合により発光が生じる。なお、この素子に印加する
直流低電圧は、通常、20〜30V以下であり、陰極に
Mg:Ag合金を用いた素子では、1000cd/cm
2 以上の輝度が得られている。
【0006】上述の有機薄膜EL素子に利用されている
電荷輸送材料の大半は、これまで、低分子化合物が占め
ていた。しかしながら、これら低分子化合物は耐熱性が
低く、また、これら低分子化合物で電荷輸送膜を形成し
た場合、膜の十分な機械的強度を得ることができず、安
定性に優れた有機薄膜EL素子を作製することができな
いという問題を有している。このため、耐熱性に優れ
た、機械的強度の良好な電荷輸送材料が望まれている。
【0007】この電荷輸送材料は、以下に示すように電
子写真技術における感光体にも用いられている。電子写
真技術においては、非晶質セレン感光体を用いた電子写
真複写機が実用化されて以来、数多くの無機及び有機感
光体材料の開発が行なわれている。電子写真感光体の感
光体材料としては、従来、セレン、酸化亜鉛、及び硫化
カドミウム等の無機感光体材料が用いられていた。しか
しながら、これらの無機感光体材料については、毒性を
有するものもあるために、環境問題を引き起こす可能性
が指摘されており、代わって、感度及び耐久性の高い有
機感光体材料の開発が急速に進展している。
【0008】有機感光体材料を用いた電子写真感光体
は、一般に、導電性支持体上に、電荷発生層及び電荷輸
送層が、順次積層された構造となっている。ここで、電
荷発生層とは、光を吸収することにより電荷を発生する
機能を有する層であり、電荷輸送層は、電荷発生層で生
じた電荷の感光体内での移動を可能にする機能を有する
層である。
【0009】このように、有機感光体材料を電子写真感
光体に用いた場合、上述の環境問題を引き起こすおそれ
は少ない。また、有機感光体材料では、高い電荷発生性
及び電荷輸送性を同時に有する材料が少ないため、通
常、電荷発生層及び電荷輸送層を積層した二層構造とす
る必要がある。
【0010】以上のようにして構成される電子写真感光
体を用いた電子写真プロセスでは、この電子写真感光体
を、コロナ放電により帯電させ画像を露光することによ
り、静電潜像を感光体表面に形成し、この静電潜像を、
潜像の電荷とは逆の符号に帯電したトナーを用いて現像
し、これを普通紙に転写して定着することにより印画が
行われる。
【0011】このプロセスにおいては、電子写真感光体
は、暗所において電荷を表面に保持できること、光照射
により電気抵抗が減少して速やかに表面電荷を放出させ
る光導電性に優れていることを要求される。また、この
感光体は、クリーニングすることにより再利用されるた
め、繰り返し使用に耐え得る、優れた耐久性も求められ
ている。
【0012】しかしながら、この有機感光体材料を用い
た二層構造の電子写真感光体においては、電荷輸送膜の
耐久性及び電荷輸送性が不十分であるために、優れた特
性が得られていない。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、有機薄
膜EL素子あるいは電子写真感光体等に、電荷輸送材料
として用いられてきた材料は求められている特性を必ず
しも満足させているわけではなく、優れた正孔輸送性を
有した耐久性の高い電荷輸送材料が期待されている。本
発明の目的は、高い電荷輸送性、耐熱性、及び機械的強
度を有する電荷輸送材料を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、芳香族第三級
アミンとアルデヒドとの付加縮合により得られ、下記一
般式(1)で示されることを特徴とする高分子電荷輸送
材料を提供する。
【0015】
【化4】
【0016】(式中、nは重合度を表す正の整数を示
し、R1 及びR3 はアリーレン基、R2 はアリール基、
4 は水素原子、アルキル基、及びアリール基からなる
群から選ばれる置換基を示し、前記アリーレン基及びア
リール基は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ
基、シアノ基、及びアミノ基からなる群から選ばれる置
換基で置換された、または未置換の置換基である。) 本発明は、上記高分子電荷輸送材料において、下記一般
式(2)で示されることを特徴とする。
【0017】
【化5】
【0018】(式中、nは重合度を表す正の整数を示
し、R5 〜R10は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基、シアノ基、アミノ基、及びアリール
基からなる群から選ばれる置換基を示し、前記R5 〜R
10に用いられるアリール基は、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基、シアノ基、及びアミノ基からなる群
から選ばれる置換基で置換された、または未置換の置換
基である。) また、本発明は、芳香族第三級アミンとアルデヒドとの
付加縮合により得られ、下記一般式(3)で示されるこ
とを特徴とする高分子電荷輸送材料を提供する。
【0019】
【化6】
【0020】(式中、nは重合度を表す正の整数を示
し、R3 はアルキレン基またはアリーレン基を示し、R
4 は水素原子、アルキル基、及びアリール基からなる群
から選ばれる置換基を示し、R5 〜R12は、水素原子、
ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、
アミノ基、及びアリール基からなる群から選ばれる置換
基を示し、前記アリーレン基及びアリール基は、ハロゲ
ン原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、及びア
ミノ基からなる群から選ばれる置換基で置換された、ま
たは未置換の置換基である。)
【0021】
【発明の実施の形態】本発明の高分子電荷輸送材料は、
芳香族第三級アミンとアルデヒドとの付加縮合により得
られたものである。例えば、ほぼ等モルの芳香族第三級
アミンとアルデヒドとを、1,4−ジオキサン溶媒中
で、パラトルエンスルホン酸を触媒として用いて付加縮
合させることにより、容易に合成することが可能であ
る。
【0022】本発明の高分子電荷輸送材料は、数平均分
子量が1,000〜1,000,000であることが好
ましく、特に、30,000〜500,000であるこ
とがより好ましい。トリアリールアミン化合物を主鎖骨
格に導入することで、正孔輸送性能を高くすることがで
き、さらに、高分子材料とすることで、ガラス転移温度
を低分子化合物よりも高くすることが可能となり、薄膜
の作製も湿式法で容易に行うことができる。
【0023】上記一般式(1)〜(3)で示される本発
明の高分子電荷輸送材料において、R1 及びR3 は、ア
リーレン基を示している。アリーレン基としては、フェ
ニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、及びトリフ
ェニレン基等を挙げることができる。
【0024】R2 はアリール基を示している。アリール
基としては、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アン
トラリル基、フェナントリル基、ビフェニルイル基、ト
リフェニルイル基、ペンタフェニル基、インデニル基、
及びフルオレニル基等を挙げることができる。
【0025】これらR1 〜R3 のアリール基及びアリー
レン基は、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素等のハロゲ
ン原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、及びタ
ーシャリーブチル基等のアルキル基、メトキシ基、エト
キシ基、イソプロポキシ基、及びターシャリーブチル基
等のアルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミ
ノ基、ジトリルアミノ基、及びジナフチルアミノ基等の
アミノ基、及びシアノ基等の置換基で置換されていても
よい。また、R1 とR3 とは、互いに同一であっても、
異なっていてもよい、R4 としては、水素原子、アルキ
ル基、及びアリール基を挙げることができる。R4 で用
いられるアルキル基としては、メチル基、エチル基、イ
ソプロピル基、及びターシャリーブチル基等のアルキル
基と、シクロヘキシル基及びグリシジル基等のシクロア
ルキル基とを挙げることができる。
【0026】また、R4 で用いられるアリール基として
は、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントラリル
基、フェナントリル基、ビフェニルイル基、トリフェニ
ルイル基、ペンタフェニル基、インデニル基、及びフル
オレニル基等を挙げることができる。
【0027】R5 〜R12としては、水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、アミノ
基、及びアリール基を挙げることができる。R5 〜R12
に用いられるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭
素、及びヨウ素を挙げることができる。
【0028】R5 〜R12に用いられるアルキル基として
は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、及びターシ
ャリーブチル基等を挙げることができ、アルコキシ基と
しては、メトキシ基、エトキシ基、及びイソプロポキシ
基等を挙げることができる。
【0029】また、R5 〜R12に用いられるアミノ基と
しては、ジトリルアミノ基及びジナフチルアミノ基等を
挙げることができる。R5 〜R12に用いられるアリール
基としては、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アン
トラリル基、フェナントリル基、ビフェニルイル基、ト
リフェニルイル基、ペンタフェニル基、インデニル基、
及びフルオレニル基等を挙げることができる。
【0030】このR5 〜R12に用いられるアリール基
は、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素等のハロゲン原
子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、及びターシ
ャリーブチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ
基、イソプロポキシ基、及びターシャリーブチル基等の
アルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ
基、ジトリルアミノ基、及びジナフチルアミノ基等のア
ミノ基、及びシアノ基等の置換基で置換されていてもよ
い。また、R5 〜R12は、互いに同一であっても、異な
っていてもよい、以上示した本発明の高分子電荷輸送材
料は、他の電荷輸送材料や発光材料等と混合して用いる
ことも可能である。
【0031】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 (実施例1)窒素雰囲気中で、トリフェニルアミン6.
00gとパラホルムアルデヒド0.675gに、1,4
−ジオキサン5.0mlを加え、これにパラトルエンス
ルホン酸0.400gを加えて90℃で1時間攪拌反応
させた。これをテトラヒドロフランとアセトンとを用い
て、再沈殿法で精製することにより、下記化学式(1)
に示す、白色粉末状の高分子電荷輸送材料を得た。
【0032】
【化7】
【0033】図1に、上述のようにして得られた高分子
電荷輸送材料の1 H−NMRスペクトル(日本電子社製
α−500を使用、重クロロホルム溶媒)を示す。1 H−NMR(CDCl3 、TMS)σ[ ppm] :
3.7〜4.0(2H、CH2 )、6.7〜7.4(1
3H、CH) また、この高分子電荷輸送材料について、ポンプとして
日本分光工業社製の880−PUを用い、検出器として
日本分光工業社製の示差屈折計830−RIを用い、ス
チレンゲルを固定相、クロロホルムを移動相としてGP
C測定を行なったところ、分子量が80,000(昭和
電工社製 標準ポリスチレン換算)であることが分かっ
た。
【0034】次に、この高分子電荷輸送材料について、
セイコー電子工業社製のDSC220を用い、窒素雰囲
気下、昇温速度10℃/minでガラス転移点(Tg
を測定したところ、148℃であることが分かった。
【0035】さらに、この高分子電荷輸送材料からなる
キャスト膜を白金電極上に形成し、窒素雰囲気下、アセ
トニトリル中で、参照電極にAg/AgClを用い、東
方技研社製PS−06により、この高分子電荷輸送材料
の酸化電位を測定した。その結果、0.79V、0.9
5Vであり、高分子化していない低分子の電荷輸送材料
を用いた場合とほぼ同じ値が得られた。また、このキャ
スト膜は、掃引を繰り返し行っても、同様な酸化還元波
が得られた。
【0036】(実施例2)窒素雰囲気中で、トリフェニ
ルアミン2.97gとブチルアルデヒド1.318g
に、1,4−ジオキサン6.0mlを加え、これにパラ
トルエンスルホン酸0.40gを加えて90℃で9時間
攪拌反応させた。反応後、これに水を加えて沈殿させ、
沈殿をテトラヒドロフランとアセトンとを用いて、再沈
殿法で精製することにより、下記化学式(2)に示す、
白色粉末状の高分子電荷輸送材料を得た。
【0037】
【化8】
【0038】上述のようにして得られた高分子電荷輸送
材料について、1 H−NMRスペクトル(日本電子社製
α−500を使用、重クロロホルム溶媒)の測定を行な
った。その結果を、図2に示す。
【0039】1 H−NMR(CDCl3 、TMS)σ[
ppm] :0.8〜1.0(3H、CH3 )、1.2〜
1.4(2H、CH2 )、1.8〜2.0(2H、CH
2 )3.7〜3.9(H、CH)、6.7〜7.2(1
3H、CH) また、この高分子電荷輸送材料について、ポンプとして
日本分光工業社製の880−PUを用い、検出器として
日本分光工業社製の示差屈折計830−RIを用い、ス
チレンゲルを固定相、クロロホルムを移動相としてGP
C測定を行なったところ、分子量が12,000(昭和
電工社製 標準ポリスチレン換算)であることが分かっ
た。
【0040】次に、この高分子電荷輸送材料について、
セイコー電子工業社製のDSC220を用い、窒素雰囲
気下、昇温速度10℃/minでガラス転移点(Tg
を測定したところ、141℃であることが分かった。
【0041】さらに、この高分子電荷輸送材料からなる
キャスト膜を白金電極上に形成し、窒素雰囲気下、アセ
トニトリル中で、参照電極にAg/AgClを用い、東
方技研社製PS−06により、この高分子電荷輸送材料
の酸化電位を測定した。その結果、0.80V、0.9
7Vであり、高分子化していない低分子の電荷輸送材料
を用いた場合とほぼ同じ値が得られた。
【0042】(実施例3)窒素雰囲気中で、テトラフェ
ニルジアミノビフェニル6.43gとパラホルムアルデ
ヒド0.338gに、1,4−ジオキサン5.0mlを
加え、これにパラトルエンスルホン酸0.200gを加
えて90℃で20時間攪拌反応させた。これをテトラヒ
ドロフランとアセトンとを用いて、再沈殿法で精製する
ことにより、下記化学式(3)に示す、白色粉末状の高
分子電荷輸送材料を得た。
【0043】
【化9】
【0044】図3に、上述のようにして得られた高分子
電荷輸送材料の1 H−NMRスペクトル(日本電子社製
α−500を使用、重クロロホルム溶媒)を示す。1 H−NMR(CDCl3 、TMS)σ[ ppm] :
2.24〜2.4(3H、CH3 )、3.8〜4.0
(2H、CH2 )、6.5〜7.5(24H、CH) また、この高分子電荷輸送材料について、ポンプとして
日本分光工業社製の880−PUを用い、検出器として
日本分光工業社製の示差屈折計830−RIを用い、ス
チレンゲルを固定相、クロロホルムを移動相としてGP
C測定を行なったところ、分子量が10,000(昭和
電工社製 標準ポリスチレン換算)であることが分かっ
た。
【0045】次に、この高分子電荷輸送材料について、
セイコー電子工業社製のDSC220を用い、窒素雰囲
気下、昇温速度10℃/minでガラス転移点(Tg
を測定したところ、157℃であることが分かった。
【0046】さらに、この高分子電荷輸送材料からなる
キャスト膜を白金電極上に形成し、窒素雰囲気下、アセ
トニトリル中で、参照電極にAg/AgClを用い、東
方技研社製PS−06により、この高分子電荷輸送材料
の酸化電位を測定した。その結果、0.83V、1.0
1Vであり、高分子化していない低分子の電荷輸送材料
を用いた場合とほぼ同じ値が得られた。
【0047】上記実施例で形成された高分子電荷輸送材
料からなる膜は、低分子化合物で形成された膜に比べ
て、剥離やクラック等が生じにくく、機械的強度が優れ
ていることが分かった。また、上記実施例の高分子電荷
輸送材料は、それらの高分子化していない低分子の電荷
輸送材料に比べて、ガラス転移点が高く、高い耐熱性を
得ることができた。さらに、酸化電位も、それらの高分
子化していない低分子の電荷輸送材料と同程度の、高い
電荷輸送性能を得ることができた。
【0048】
【発明の効果】以上示したように、本発明によると、芳
香族第三級アミンとアルデヒドとの付加縮合により生成
される高分子で電荷輸送材料を構成することにより、高
い電荷輸送性、耐熱性、及び機械的強度を得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1に係る高分子電荷輸送材料の
1 H−NMRスペクトルを示す図。
【図2】本発明の実施例2に係る高分子電荷輸送材料の
1 H−NMRスペクトルを示す図。
【図3】本発明の実施例3に係る高分子電荷輸送材料の
1 H−NMRスペクトルを示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 孫 準模 東京都小金井市中町2−24−16 東京農工 大学内 (72)発明者 仲尾 真由美 東京都小金井市中町2−24−16 東京農工 大学内 (72)発明者 伊藤 祐一 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 榊 祐一 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 芳香族第三級アミンとアルデヒドとの付
    加縮合により得られ、下記一般式(1)で示されること
    を特徴とする高分子電荷輸送材料。 【化1】 (式中、nは重合度を表す正の整数を示し、R1 及びR
    3 はアリーレン基、R2 はアリール基、R4 は水素原
    子、アルキル基、及びアリール基からなる群から選ばれ
    る置換基を示し、前記アリーレン基及びアリール基は、
    ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、
    及びアミノ基からなる群から選ばれる置換基で置換され
    た、または未置換の置換基である。)
  2. 【請求項2】 下記一般式(2)で示されることを特徴
    とする請求項1に記載の高分子電荷輸送材料。 【化2】 (式中、nは重合度を表す正の整数を示し、R5 〜R10
    は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ
    基、シアノ基、アミノ基、及びアリール基からなる群か
    ら選ばれる置換基を示し、前記R5 〜R10に用いられる
    アリール基は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ
    基、シアノ基、及びアミノ基からなる群から選ばれる置
    換基で置換された、または未置換の置換基である。)
  3. 【請求項3】 芳香族第三級アミンとアルデヒドとの付
    加縮合により得られ、下記一般式(3)で示されること
    を特徴とする高分子電荷輸送材料。 【化3】 (式中、nは重合度を表す正の整数を示し、R3 はアル
    キレン基またはアリーレン基を示し、R4 は水素原子、
    アルキル基、及びアリール基からなる群から選ばれる置
    換基を示し、R5 〜R12は、水素原子、ハロゲン原子、
    アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、アミノ基、及び
    アリール基からなる群から選ばれる置換基を示し、前記
    アリーレン基及びアリール基は、ハロゲン原子、アルキ
    ル基、アルコキシ基、シアノ基、及びアミノ基からなる
    群から選ばれる置換基で置換された、または未置換の置
    換基である。)
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