CN1448948A - 磁存储装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的磁存储装置具备磁阻元件，该磁阻元件包括：筒状的磁固定层；覆盖所述磁固定层的外部表面的绝缘膜；隔着所述绝缘膜与所述磁固定层相对、并覆盖所述绝缘膜的表面的磁自由层；并且所述磁固定层的磁化方向平行于所述筒状磁阻元件的中心轴方向。

Description

磁存储装置
本申请以2002年3月28日提出的在先日本专利申请No.2002-93091为基础，并且要求了优先权。
技术领域
本发明涉及磁存储装置，特别是涉及具有隧道型磁阻元件的磁存储装置。
背景技术
在以往的磁存储装置中，有把隧道效应型磁阻元件(TunnelingMagneto Resistance element：TMR)作为存储元件使用的。可是，以往的TMR元件中，存储元件的形状为矩形平面，所以在矩形平面的周边部分产生不规则的磁区，磁阻比(MR比)减小。
另外，为了避免反磁场的影响，抑制不规则的磁区的发生，谋求MR比的改善，使TMR元件的长边相对于短边变为特别大，再进行加工使TMR的长边方向和磁化方向变为平行。结果，妨碍了磁存储装置的微细化。
对比以往的磁存储装置表示本发明的特征，使用图13和图14，说明使用了以往的矩形平面型TMR元件的磁存储装置的结构例。
图13是表示以往的1晶体管/1TMR型的磁存储装置的结构的图。
所述磁存储装置由以下部分构成：由磁固定层1、隧道绝缘膜2、磁自由层3构成的矩形平面型TMR元件；与TMR元件的磁自由层3电连接的写入/读出公共布线(位线)6a；与TMR元件的磁固定层电连接的读出电极10；配置在TMR元件的外侧附近的写入布线(字线)7；连接在读出电极10和写入/读出选择晶体管13的一个电流电极(源极或漏极)之间的接触插头11；连接在写入/读出选择晶体管13的另一电流电极(漏极或源极)上的接触插头16；与该接触插头16连接的供给写入/读出电流的布线17。
这里，磁固定层1构成TMR元件的基准层，它实现了使隔着隧道绝缘膜2与磁固定层1相对的磁自由层3的磁化方向与矩形平面型TMR元件的长边方向一致的任务。这样，通过磁固定层1使磁自由层3的磁化方向与长边方向一致，使用由写入布线的电流产生的磁场，使磁自由层3的磁化颠倒，该磁化的颠倒作为流过隧道绝缘膜2的隧道电流的变化即TMR元件的MR比被读出。
如上所述，以往的矩形平面型TMR元件在它的周边部产生不规则的磁区，另外，由于TMR元件越微细化，周边部分与整个面积的面积比越增加，因此TMR元件越微细化、MR比下降幅度越大，磁存储装置的读出余量(margin)越减小。另外，为了减少发生由反磁场的影响引起的不规则磁区，如果使用长边大的矩形平面型TMR元件，则有必要配合长边的尺寸而形成布线和电极，所以成为对磁存储装置的高密度化、高集成化很大的制约。
图14表示了使用矩形平面型TMR元件构成的交叉点型的以往的磁存储装置的主要部分。图14所示的磁存储装置的主要部分包括：由磁固定层1、隧道绝缘膜2、磁自由层3构成的矩形平面型TMR元件；与TMR元件的磁自由层3电连接的写入/读出公共布线6a；与TMR元件的磁固定层电连接的写入/读出公共布线7a。
这样，通过使写入布线和读出布线都公共化，使布线结构单纯化，在某种程度上能实现TMR元件阵列的高密度化，但是因为配合矩形平面型TMR元件的长边的尺寸，有必要使用粗的布线，所以无法实现磁存储装置的充分的高密度化。
如上所述，使用了由长边大的矩形平面构成的TMR元件的磁存储装置不适合于微细化或高集成化。本发明解决了这样的问题，提供具有适合于微细化或高集成化的TMR元件的磁存储装置。
发明内容
磁存储装置具备磁阻元件，该磁阻元件包括：筒状的磁固定层；覆盖所述磁固定层的外部表面的绝缘膜；隔着所述绝缘膜与所述磁固定层相对、并且覆盖所述绝缘膜的表面的磁自由层；并且所述磁固定层的磁化方向与所述筒状的中心轴方向平行。
附图说明
下面简要说明附图。
图1是实施例1的筒型TMR元件的立体图。
图2A～2D是实施例1的TMR元件的剖视图。
图3是实施例2的磁存储装置的立体图。
图4是实施例3的磁存储装置的立体图。
图5是实施例4的磁存储装置的立体图。
图6是实施例5的磁存储装置的立体图。
图7是实施例6的TMR元件的环状写入布线的结构图。
图8是实施例6的TMR元件的环状写入布线其他结构图。
图9是实施例6的TMR元件的环状写入布线其他结构图。
图10是实施例6的TMR元件的环状写入布线其他结构图。
图11是实施例7的TMR元件的单元阵列的结构图。
图12是实施例7的TMR元件的另一种单元阵列的结构图。
图13是以往的磁存储装置的立体图。
图14是以往的其他磁存储装置的立体图。
具体实施方式
下面，参照附图详细说明本发明的实施例。
<实施例1>
下面，用图1和图2说明实施例1的TMR元件的构造和制造方法。
图1是表示TMR元件的主要部分的立体图，通过隔着隧道绝缘膜2把磁自由层3层叠在筒型的磁固定层1之上，把TMR元件形成了筒型。
图中的箭头表示了使用磁固定层1固定在垂直于衬底表面的筒型的轴向(Z轴方向)的磁自由层中的磁化Mz，通过使用由写入布线的电流产生的磁场、使磁自由层的磁化Mz颠倒，能存储二进制的信息。这样，与长边大的以往的矩形平面型TMR元件相比，轴向长的筒型TMR元件不产生长边的周边部分的不规则的磁区，所以能大幅度提高MR比。
另外，因为所述筒型TMR元件在轴向形成长的元件，所以能使反磁场的影响最小，使筒型的终端部附近的不规则的磁区的发生也最小，能进一步改善MR比。须指出的是，在图1中，为了容易观察筒型TMR元件的截面构造，表示的是缩短了轴向、并且省略了筒型的中心部分的内部构造的图。
下面，用图2A～2D具体说明筒型TMR元件的截面构造和制造方法。
图2A所示的筒型TMR元件使用构成筒的中心轴的圆形截面的插头5、形成在插头5表面上的层间绝缘膜4、形成在层间绝缘膜4上的磁固定层1、形成在磁固定层1上的隧道绝缘膜2、形成在隧道绝缘层2上的磁自由层3，形成了圆筒形。如后所示，插头5用于向磁自由层3的写入。
图2B所示的筒型TMR元件的层间绝缘膜4大体上形成了矩形截面，在其上层叠了大体为矩形截面的磁固定层1、隧道绝缘膜2、磁自由层3。其他的结构与图2A一样。这时，即使大体上把插头5也形成为矩形截面，在其上层叠层间绝缘膜4、磁固定层1、隧道绝缘膜2、磁自由层3，也能大体上取得同样的写入功能。
在图2C所示的筒型TMR元件中，与图2A不同，不存在插头5a和磁固定层1之间的层间绝缘膜4。即在图2C所示的筒型TMR元件中，插头5a与磁固定层1电连接。如后所示，因为插头5a同时具有写入/读出的功能，所以在图2C中，与图2A和图2B的插头5相区分，表示为写入/读出的公共插头5a。
图2D所示的筒型TMR元件与图2B不同，插头5a几乎为矩形截面，还省略了层间绝缘膜4，插头5a和磁固定层1电连接，作为写入/读出的公共插头5a。
在上面所述的筒型TMR元件中，在筒型隧道绝缘膜2的内部表面形成磁固定层1，隔着隧道绝缘膜2与磁固定层1相对，覆盖所述隧道绝缘膜2的外部表面形成了磁自由层3，但是也可以使层叠顺序相反，在隧道绝缘膜2的内部表面形成磁自由层3，隔着隧道绝缘膜2与磁自由层3相对，覆盖隧道绝缘膜2的外部表面形成磁固定层1。
<实施例2>
下面，参照图3说明在硅衬底上集成了筒型TMR元件的实施例2的磁存储装置。
图3所示的磁存储装置由以下部分构成：由磁固定层1、隧道绝缘膜2、磁自由层3构成的矩形平面型TMR元件；层间绝缘膜4；设置在筒型TMR元件的内侧的写入插头5；连接了写入插头5的一个端部的写入布线(位线)6；设置在筒型TMR元件的外侧、并与硅衬底平行的写入布线(字线)7；与磁固定层1的侧面的形状相配合、经除去的部分与所述磁固定层1电连接、并且与硅衬底15平行的读出电极9；连接了读出电极9的读出布线8；与磁自由层3的侧面的形状相配合、经除去的部分与之电连接、并且与硅衬底15平行的读出电极10；一个端部与读出电极10连接的读出插头11；形成在硅衬底15上的写入选择晶体管12；以及读出选择晶体管13。
这样，如果按照磁固定层1的侧面的形状而局部除去读出电极9，另外按照磁自由层3的侧面的形状而局部除去读出电极10，进行电连接，则能使用自调整的制造步骤，所以磁存储装置的制造变得容易。
写入插头5的另一端部与写入选择晶体管12的电流端子之一(源极或漏极区域)连接，读出插头11的另一端部与读出选择晶体管13的电流端子之一(源极或漏极区域)连接。
须指出的是，如果能形成可确保写入/读出电流的布线系统，则并不局限于把写入插头5以及读出插头11的另一端部与图3所示的写入选择晶体管12以及读出选择晶体管13连接的结构。这对于下面所述的全部实施例都是一样的。
这里，磁固定层1构成筒型TMR元件的基准层，实现使隔着隧道绝缘膜2与磁固定层1相对形成的磁自由层3的磁化方向与筒型的轴向一致的效果。这样，通过磁固定层1使磁自由层3的磁化方向与筒型的轴向一致，使用连接在写入布线6上的写入插头5和写入布线7的电流引起的磁场，使磁自由层3的磁化方向颠倒，该磁化的颠倒引起的流过隧道绝缘膜2的隧道电流的变化，即筒型TMR元件的MR比经过读出布线8、读出电极9和读出电极10、读出插头11、读出选择晶体管13被读出。
如果使用轴向长的筒型TMR元件，则与以往的矩形平面型TMR元件相比，因为元件的长度方向配置为垂直于硅衬底表面，所以在大幅度提高了面积效率的同时，周边部的不规则磁区的产生减少，即使把TMR元件微细化，也能维持高的MR比，作为高集成化的磁存储装置，能确保足够的写入/读出动作余量。
须指出的是，在图3中省略了层间绝缘膜4，但是因为使用集成电路技术制造所述磁存储装置，所以能把硅衬底上的布线构造整体嵌入而形成层间绝缘膜4。另外，通过改变插头的形成步骤，能容易地把筒型TMR元件引入到磁存储装置中。
<实施例3>
下面，结合图4对实施例3加以说明。该磁存储装置由以下部分构成：设置在筒型TMR元件的内侧、与磁固定层1电连接的写入/读出公共插头5a；连接了插头5a的一个端部的写入/读出公共布线6a；设置在筒型TMR元件的外侧、并且与硅衬底15平行的写入布线7；通过与磁自由层3的侧面形状相配合而除去的部分与之电连接、并且与硅衬底15平行的读出电极10；一个端部连接到读出电极10的读出插头11；形成在硅衬底15上的写入选择晶体管12；以及读出选择晶体管13。
此外，写入/读出公共插头5a的另一个端部连接到写入选择晶体管的电流端子之一，读出插头11的另一个端部连接到读出选择晶体管的电流端子之一。
这里，使用连接在写入/读出公共布线6a上的插头5a和写入布线7的电流引起的磁场，使磁自由层3的磁化颠倒。通过连接到写入/读出公共布线6a的插头5a、读出电极10、读出插头11、读出选择晶体管13，读出了该磁化的颠倒引起的隧道绝缘膜2的隧道电流的变化。
在实施例3中，因为插头5连接了磁固定层1，所以写入电流流向磁固定层1，但是写入电流不流向磁化颠倒了的磁自由层3，所以对磁存储装置的写入余量没有任何影响。这样，如果把插头5a与磁固定层1电连接，作为写入/读出公共插头来使用，则在简化了磁存储装置的制造步骤的同时，布线数量减少，所以与实施例2相比，能进一步谋求高集成化。
<实施例4>
下面，参照图5就实施例4加以说明。本磁存储装置由以下部分构成：设置在筒型TMR元件的内侧、与磁固定层1电连接的写入/读出公共插头5a；与插头5a的一个端部连接的写入/读出公共布线6a；设置在筒型TMR元件的外侧、并通过按照磁自由层3的侧面的形状而除去的部分与之电连接、且与硅衬底15平行的写入/读出公共布线7a；同样设置在筒型TMR元件的外侧、并通过按照磁自由层3的侧面的形状而除去的部分与之电连接、且与硅衬底15平行的写入/读出公共布线10a；以及形成在硅衬底15上的写入选择晶体管12。
此外，写入/读出公共插头5a的另一个端部连接到写入选择晶体管12的电流端子之一。
这里，使用连接在写入/读出公共布线6a上的插头5a和写入/读出公共布线7a、10a的电流引起的磁场，使磁自由层3的磁化颠倒，通过连接在写入/读出公共布线6a上的插头5a、写入/读出公共布线7a、10a可读出该磁化的颠倒引起的隧道绝缘膜2的隧道电流的变化。
须指出的是，在实施例4中，当向筒型TMR元件的磁自由层3写入时，方向相反的电流流入彼此平行的一对写入/读出公共布线7a、10a，所以由电流引起的磁场彼此加强，具有使对磁自由层3的写入磁场均匀化的效果。另外，使用写入/读出公共布线7a、10a，从磁自由层3的两个侧面能读出隧道电流的变化，所以根据实施例4，能取得写入/读出余量大的1晶体管/1TMR型的高集成化的磁存储装置。
<实施例5>
下面，使用图6说明实施例5。本磁存储装置由以下部分构成：设置在筒型TMR元件的内侧、电连接到磁固定层1的写入/读出公共插头5a；连接到插头5a的一个端部的写入/读出公共布线6a；设置在筒型TMR元件的外侧、并通过按照磁自由层3的侧面的形状而除去的部分与之电连接、且与硅衬底15平行的写入/读出公共布线7a；以及形成在硅衬底15上的写入选择晶体管12。
此外，写入/读出公共插头5a的另一个端部连接到写入选择晶体管12的电流端子之一。
这里，使用连接在写入/读出公共布线6a上的插头5a和写入/读出公共布线7a的电流引起的磁场，使磁自由层3的磁化颠倒，通过写入/读出公共布线7a、插头5a、写入/读出公共布线10a能读出该磁化的颠倒引起的隧道绝缘膜2的隧道电流的变化。
实施例5的磁存储装置相当于使用图12说明的交叉点型，通过使布线结构单纯化，能实现1晶体管/1TMR型的高集成化的磁存储装置。
<实施例6>
下面，参照图7～10说明实施例6。本实施例是图3～6所示的实施例2～5中的写入布线7和写入/读出布线7a的变形例。
下面，用图7说明图3所示的实施例2中的写入布线7的变形例。图7所示的写入布线7与用层间绝缘膜20覆盖的筒型TMR元件的外部表面的形状相配合地围绕着层间绝缘膜20的外部表面，与之接触。其他的布线结构与实施例2的磁存储装置相同，读出电极9电连接到磁固定层1，读出电极10电连接到磁自由层3。
如图7所示，配置与硅衬底平行的环状的写入布线7，如果如箭头所示那样使写入电流流过，则与图3所示的直线状的写入布线7相比，写入电流引起的Z轴方向的磁场均匀，与磁自由层3的磁耦合增加，所以能实现写入余量大的磁存储装置。
下面，使用图8说明图4所示的实施例3的写入布线7的变形例。写入布线7与用层间绝缘膜20覆盖的筒型TMR元件的外部表面的形状相配合地围绕着层间绝缘膜20的外部表面，并与之接触。其他的布线结构与实施例3的磁存储装置相同，读出电极10电连接到磁自由层3，写入/读出公共的插头5a电连接在磁固定层1上。
与图7同样，配置与硅衬底平行的环状的写入布线7，如果如箭头所示那样使写入电流流过，就能实现写入余量大的磁存储装置。
下面，使用图9说明图5所示的实施例4的写入/读出公共布线7a、10a的变形例。写入/读出公共布线7a、10a与由磁自由层3构成的筒型TMR元件的外部表面的形状相配合地围绕着磁自由层3的外部表面，并与之接触。其他的布线结构与图5所示的实施例4的磁存储装置同样，写入/读出公共的插头5a与磁固定层1电连接。
如图9所示，与硅衬底的表面平行配置一对环状写入布线7a、10a，如果如箭头所示那样使彼此流过相反方向的写入电流，则与使彼此相反方向的写入电流流过图5所示的直线状的写入布线7a、10a时相比，写入电流引起的Z轴方向的磁场均匀，与磁自由层3的磁耦合增加，所以能实现写入余量大的磁存储装置。
须指出的是，由于写入/读出公共布线7a、10a的电阻在间隙D中产生电位差，该电位差使反向的电流流过间隙D的磁自由层3。可是，因为磁自由层3的电导率十分小，所以该反向电流引起的磁存储装置的写入余量的降低可以忽略。
因此，一般越减小间隙D，写入电流引起的Z轴方向的磁场就越均匀，与磁自由层3的磁耦合增加，能实现写入余量大的1晶体管/1TMR型的高集成化的磁存储装置。
下面，使用图10说明图6所示的实施例5的写入/读出公共布线7a的变形例。写入/读出公共布线7a与由磁自由层3构成的筒型TMR元件的外部表面的形状相配合地围绕着磁自由层3的外部表面，并与之电连接。其他的布线结构与图6所示的实施例5的磁存储装置同样，写入/读出公共的插头5a与磁固定层1电连接。
如图10所示，配置与硅衬底的表面平行的环状写入布线7a，如果如箭头所示那样使写入电流流过，就能实现写入余量大的1晶体管/1TMR型的高集成化的磁存储装置。
<实施例7>
下面，参照图11和12就实施例7加以说明。详细说明在具有TMR元件的磁存储装置中，把所述筒型TMR元件放到以往的1晶体管/1TMR型或交叉点型的单元阵列结构中时的写入/读出动作的概要，特别是说明在筒型TMR元件的读出动作中，读出放大器和筒型TMR元件的连接和产生的优点。
图11表示1晶体管/1TMR型的单元阵列的结构。在用虚线包围的区域23中，第一单元由用电阻表示的TMR元件21和串联的单元晶体管Q1构成。第二单元由TMR元件22和串联的单元晶体管Q2构成。第一、第二单元连接在读出字线WL1和一对列(位线)SL1、/SL1之间。在单元阵列中形成了行选择电路24、列选择电路25、列选择晶体管Q3、Q4和读出放大器26。
这里，TMR元件21、22的一端(例如，图4的插头5a)连接到列选择线SL1、SL2，TMR元件21、22的另一端(例如图4的电极10)通过单元晶体管Q1、Q2接地。
首先，说明向TMR元件21、22的写入动作。通过使电流流过虚线的写入字线WL1和由列选择晶体管Q3、Q4选择的一对列SL1、/SL1，进行了写入动作。
虚线的写入字线WL1与图4的写入布线7对应，列选择晶体管Q3、Q4中的一个相当于图4的写入选择晶体管12。因此，在图11中与写入字线WL1正交的列选择线SL1与图4中的TMR元件的列(插头)5a连接。
在写入动作时，电流流过用行选择电路24选择的写入字线WL1以及由列选择电路25选择的一对列(位线)SL1、/SL1，引起一对TMR元件的磁化。这时，读出放大器26通过输入部的切换开关(未图示)而被断开。
在读出动作时，微小的读出电流流过一对列SL1、/SL1，使用读出放大器26读出了一对TMR元件之间产生的电阻的变化。这时，与TMR元件的整个内部表面电连接的图4的列(插头)5a连接到图11的读出放大器26。
下面，使用图12说明基于所述的TMR元件的交叉点型TMR元件的单元阵列结构。图12中，行和列的选择由一端接地的开关的通断来表示。读出放大器37具有输入缓存器35、36。
首先，就写入动作加以说明。当向TMR元件27写入存储数据时，TMR元件27与读出放大器断开，行一侧开关28接通，写入电流IR流过连接在开关28上的字线之一。另外，使列一侧开关29接通，写入电流IC流过连接在开关29上的位线之一。这样，数据被写入TMR元件27中。
接着，当读出TMR元件30的存储数据时，使开关31断开，连接在TMR元件30一端的字线与接地断开，使开关32断开，连接在TMR元件30另一端的位线与接地断开，用开关33、34使这些字线和位线连接在读出放大器37上，微小的读出电流流过TMR元件30，据此，检测由于磁化的颠倒而产生的TMR元件的电阻的变化。使用未图示的开关进行读出放大器37和字线以及位线的连接和断开。
这里，与内部表面电连接的TMR元件的列5a连接到字线或位线中的任意一个，所以即使在图12的交叉点型电路中，与图11同样，TMR元件的列5a也连接到读出放大器。
这样，所述筒型TMR元件的列5a作为把TMR元件的微小读出电流向读出放大器传输的电流端子，具有电连接面积大、并且占有面积小的优异特征。
在上面所述的筒型TMR元件中，如果元件的外部表面只在筒型的两个端部取匹配余量，则能使大体上整个表面成为隔着隧道绝缘膜与内部表面相对的电流端子，所以能以高的MR比进行高灵敏度的读出电流的检测。
可是，在以往的矩形平面型TMR元件中，例如，即使一方的电流端子以宽的连接面积连接读出放大器，对于另一方的电流端子，有必要跨过元件的周边部分的全体，取与电流端子的形成匹配的余量，所以连接面积减少，无法象所述筒型TMR元件那样，以高的MR比进行高灵敏度的读出电流的检测。
须指出的是，例如在实施例1中，说明了圆形以及接近矩形截面的筒型TMR元件，但是应该认为筒型TMR元件的截面形状能有各种变形例。另外，包含磁固定层1、磁自由层3的筒型TMR元件的构造和层叠方法，也存在很多的变形例。
在实施例2～7中，筒型TMR元件的磁固定层和它的内侧的插头的连接方法、筒型TMR元件的磁自由层和它的外侧的电极以及布线的连接方法能通过彼此改变角色而构成各种变形例。也能在筒型TMR元件的内侧配置磁自由层，在外侧配置磁固定层。
对本领域的普通技术人员来讲，能容易地发现本发明的其它优点和改型。因此，本发明不局限于上面所描述的特定细节和典型的实施例。因此，在不偏离附加的权利要求书及其等价物所限定的总的发明构思的精神或范围的前提下，能得到各种各样的改型。

Claims (14)

1.一种磁存储装置，具备磁阻元件，该磁阻元件包括：筒状的磁固定层；覆盖所述磁固定层的外部表面的绝缘膜；隔着所述绝缘膜与所述磁固定层相对、并且覆盖所述绝缘膜的表面的磁自由层；并且所述磁固定层的磁化方向与所述筒状的中心轴方向平行。
2.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中：所述磁存储装置形成在半导体衬底上，配置所述磁阻元件使所述筒状的中心轴方向垂直于所述半导体衬底的表面。
3.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中：所述磁存储装置包括沿着所述筒状磁阻元件的中心轴方向配置在内侧的插头。
4.根据权利要求3所述的磁存储装置，其中：当所述插头与所述磁阻元件的内部表面电绝缘时，所述插头成为所述磁阻元件的写入插头，当所述插头与所述磁阻元件的内部表面电连接时，所述插头成为所述磁阻元件的写入/读出公共插头。
5.根据权利要求4所述的磁存储装置，其中：当所述插头与所述磁阻元件的内部表面电连接时，所述插头的一方的端部与所述磁阻元件的读出放大器的输入部电连接。
6.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中：所述磁存储装置形成在半导体衬底上，所述磁存储装置具有配置在所述筒状的磁阻元件的外侧附近、与所述半导体衬底表面平行的布线或电极。
7.根据权利要求6所述的磁存储装置，其中：所述磁阻元件的表面与所述布线电绝缘。
8.根据权利要求6所述的磁存储装置，其中：当所述布线与所述磁阻元件的内部表面电绝缘时，所述布线成为所述磁阻元件的写入布线，当所述布线和所述电极之一与所述磁阻元件的外部表面电连接时，所述布线成为所述磁阻元件的写入/读出公共布线，所述电极成为所述磁阻元件的读出电极。
9.根据权利要求6所述的磁存储装置，其中：所述布线由夹着所述磁阻元件而形成的第一、第二布线构成，所述第一、第二布线与所述磁阻元件的外部表面电连接，并且所述第一、第二布线成为所述磁阻元件的一对写入/读出公共布线。
10.根据权利要求7所述的磁存储装置，其中：所述布线由夹着所述磁阻元件而形成的第一、第二布线构成，所述第一、第二布线成为所述磁阻元件的一对写入布线。
11.根据权利要求6所述的磁存储装置，其中：当所述布线和所述电极之一与所述磁阻元件的外部表面电连接时，所述布线和所述电极之一与所述磁阻元件的外部表面的形状相配合地除去一部分，与所述外部表面电连接。
12.根据权利要求7所述的磁存储装置，其中：所述布线和所述电极之一与用绝缘膜覆盖的所述磁阻元件的外部表面的形状相配合地被除去一部分，与所述绝缘膜的外部表面接触。
13.根据权利要求6所述的磁存储装置，其中：当所述布线与所述磁阻元件的外部表面电连接时，所述布线与所述磁阻元件的外部表面的形状相配合地围绕所述外部表面，并与之连接；所述布线与所述磁阻元件的外部表面电绝缘时，所述布线与用绝缘膜覆盖的所述磁阻元件的外部表面的形状相配合地围绕所述绝缘膜的外部表面，并与之接触。
14.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中：所述磁存储装置形成在半导体衬底上，所述磁存储装置具有在所述筒状的磁阻元件的外侧附近、与所述半导体衬底表面平行地夹着所述磁阻元件而形成的布线和电极，所述布线构成与所述磁阻元件的外部表面电绝缘的所述磁阻元件的写入布线，以及所述电极构成与所述磁阻元件电连接的所述磁阻元件的读出电极。
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