CN1411144A - 屏蔽带状线装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

把一层电介质氧化薄膜形成在由铝组成的一个电子管金属板表面上，并且提供一导电聚合体层，以便覆盖电子管金属板和电介质氧化薄膜。导电聚合体层是由具有对一甲基苯磺酸作为掺杂剂的聚苯胺形成。在导电聚合体层的外侧处，提供导电碳粘贴层和银粘贴层，并且把由铜薄片组成的金属板重叠到银粘贴层上。阳极引导端被连接到电子管金属板的端部上，并且金属板的各个端部被安排作为阴极引导端。因此就获得了一种屏蔽带状线装置，此装置特别是在100MHz或者更高的高频范围内具有低阻抗，并且很适合于高速度和高频率，主要用作一个用于噪声过滤的旁路装置或者用作一个去偶装置。

Description

屏蔽带状线装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一个被安装在一个电路板或者一个电子基片上的屏蔽带状线装置及其制造方法，特别是涉及一种屏蔽带状线装置，此装置很适合于高速率和高频率，主要用作为噪声过滤的旁路装置或者用作一个功率去偶装置，和此屏蔽带状线装置的制造方法。
背景技术
随着科学技术的发展，需要电子设备的制造在性能上更加紧凑和更高。这比如在转换电源和数字信号处理方面，通过使时钟频率达到更高就能实现。然而，这会使流过电路的高频电流增加，特别是电源电路，会使电磁辐射和信号质量降低显著增加，因此噪声过滤旁路装置和功率去偶装置性能在需求上会变的更困难。
作为用于高速数字电路的功率去偶装置，陶瓷电容器和固态电解电容器已经得到优先发展，其中陶瓷电容器是通过层压一些在其上具有薄金属膜的陶瓷材料层而形成的，固态电解电容器具有一个电子管金属，比如钽或铝等多孔成形体作为一个阳极，此多孔成形体的氧化膜作为一个电介质，以及一个导电聚合体作为一个固态电解质。
作为固态电解电容器的例子，日本专利公开号No.Hei-4-56445(日本未审查专利公开号No.Sho-60-37114)公开了一种固态电解电容器，其具有作为一种固态电解质形成在电介质氧化物薄膜上的聚吡咯或者烷基取代形式。而且，日本未审查专利公开号No.Hei-3-35516公开了一种固态电解电容器，其中聚苯胺作为固态电解质形成在电介质氧化物薄膜上，及这种固态电解电容器的制造方法。对于这些电容器中的每一个，导电聚合体被用作固态电解质，其中导电聚合体与现有电容器在导电性上相比较，导电聚合体是现有电容器的100倍或者更高。因此这些电容器在相等连续电阻上会很小，并且与现有相同电容的电容器相比较，显现出在频率上适合于一个高频范围的效果是100倍或者更高。然而，甚至这些电容器在阻抗上显著增加，作为过滤旁路装置和功率去偶装置在超过10MHz的高频范围内，也不能适应现有的要求。
同时，也对适应高频的过滤器结构进行检测。日本未审查专利公开号No.Hei-6-53046公开了一种表面安装噪声过滤器，其中包括一个弯曲导体和一个地面导体，它们中的每一个通过陶瓷电介质层夹着。图1是一个截面视图，表示现有技术中表面安装过滤器的结构。如图1所示，对于此现有技术中的表面安装过滤器，各自是直角形式的第一电介质层110，第二电介质层120和第三电介质层130被压层，以便形成一个压层体153。第一信号电极151和第二信号电极152被各自附着在每一对端面上，此端面是与压层体153的压层方向相平行的末端面中的相互面对的末端面。
把用于信号传输的第一内部导体111，第二内部导体112和弯曲导体115放置在第一电介质层110和第二电介质层120之间。把第一内部导体111连接到第一信号电极151，把第二内部导体112连接到第二信号电极152，以及把弯曲导体115连接在第一内部导体111和第二内部导体112之间。把与弯曲导体115相面对的地面导体125放置在第二导电层120和第三导电层130之间，并且把地面导体125连接到一对地面电极(未标出)。这些地面电极被附着在一对末端面上，此端面是在与压层体153的压层方向相平行的末端面之中，而第一信号电极151和第二信号电极152不被附着在上面。在弯曲导体115处形成电感，在弯曲导体115和地面导体125交叉处形成电容。因此就形成了一个包括一个电感装置和一个电容装置的噪声过滤器，并且可以获得一个在高频噪声吸收特性方面很出色的的噪声过滤器。对于此表面安装过滤器，通过流经第一内部导体111、弯曲导体115和第二内部导体112对从第一信号电极151输入的电信号进行过滤，并且从第二信号电极152输出。
然而，此现有技术存在以下问题。虽然具有上述作为固态电解质的导电聚合体的电容器作为适合于高频范围使用的电容器能够用于各种应用之中，但是即使对于这样的电容器，在超过10MHz的高频范围内，阻抗会剧烈的增加。因此在几百MHz时钟频率操作之下，并且此操作通常是在数字电路中完成，只要使用这种电容，信号产生电路所表现出的特性，也就是说，不管频率如何，功率阻抗无限接近于零所表现出的特性不能够实现。结果，这些电容器不能够适应作为过滤器旁路装置或者功率去偶装置的现有需求。而且，虽然用于噪声消除的表面安装过滤器也已经得到发展，但是这些表面安装过滤器不能够实现一个无限低的阻抗值，因此局限于作为电容器替代物使用。所以对于这样的过滤器，很难实现低阻抗，特别是在100MHz或者更高的高频范围内。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种屏蔽带状线装置，具有低阻抗，特别是在100MHz或者更高的高频范围内，并且很适合于高速度和高频率，主要作为一个用于噪声过滤的旁路装置或者一个去偶装置来使用。
根据本发明的一种屏蔽带状线装置包括一个由电子管金属形成的金属构件，其中高频电流流过此金属构件，并且与高频电流流过的方向成直角的横截面形状在电流方向实际上是恒定的，一个形成在此电子管金属构件表面上的电介质氧化薄膜，和一个导电层，用于插入电介质氧化层及包围金属构件之间。
对于本发明，通过使金属构件具有传输线结构，其中正交于电流方向的横截面形状是恒定的或者固定的，所以即使当流入金属构件的电流是一个高频电流，金属构件内部的电磁场也将是均匀的，因此特征阻抗与频率的关系就会变得很小。而且通过形成来自电子管金属的金属构件，金属构件表面上能够形成电介质氧化薄膜。电子管金属是一个在其表面上形成电介质氧化薄膜的金属。此外，通过提供一个导电物质层(导电层)以便包围金属构件，来实现具有传输线结构形式的屏蔽带状线。带状线是一个具有放置在信号线之上和之下的导电层的结构，并且带状线是一个在信号线的一侧，这些上下导电层被彼此连接的结构。因此能够屏蔽从作为信号线之金属构件的侧面漏出的磁通量，所以更加降低了装置的特征阻抗。结果，通过电介质氧化薄膜和导电层在一个宽的频率范围之内，把输入金属构件的电信号过滤掉。因此就实现了适用于高速和高频的线装置。
上述横截面形状可能是直角、圆形或者环形。此装置的特征阻抗的绝对值也要依赖于金属构件的横截面形状。上述横截面形状是矩形的情况下，则上述金属构件的形状将是一个平行六边形，比如一个平面的类似平板的形状。上述横截面形状是圆形的情况下，则金属构件的形状将是一个圆柱形。在上述横截面形状是环形的情况下，则金属构件的形状将是一个圆筒形。上述横截面形状事实上仅仅需要是矩形、圆形或者环形。
上述电子管金属优选包括从铝、铝合金、钽、钽合金、铌和鈮合金组成的组中选取的一种或两种或更多种金属。然后通过氧化金属表面来形成均匀和稳定的具有高电介常数的电介质氧化层。结果，很容易就能获得具有很出色容积效率的稳定的屏蔽带状线装置。
此外，上述导电层更适合于由一个导电聚合体组成。然后即使当金属构件的表面通过蚀刻等得到扩展时，也能够形成具有高导电性的导电层，此导电层与形成在金属构件表面上的电介质层接触。因此很容易就能获得适合于高频范围使用的屏蔽带状线装置。
特别是，上述导电聚合体层更适合于由从聚吡咯、聚噻吩和聚苯胺组成的组中选取的一种或两种或更多种物质组成。然后形成导电层，此导电层在稳定的环境下表现的很出色，并且对于至少100℃的温度表现的很稳定。结果，很容易就能获得具有出色的稳定性和耐用性，并且适合于高频范围使用的屏蔽带状线装置。
附图说明
图1是一个截面视图，表示现有技术的一个例子，即表面安装过滤器。
图2是一个截面视图，表示依据本发明一个实施例的屏蔽带状线装置。
图3是沿着图2中直线A-A′的截面视图。
图4是一个立体视图，表示依据本发明第六个实施例的屏蔽带状线装置。
图5是一个立体视图，表示依据本发明第七个实施例的屏蔽带状线装置。
图6是一个立体视图，表示依据本发明第八个实施例的屏蔽带状线装置。
图7是一个立体视图，表示依据本发明第九个实施例的屏蔽带状线装置。
图8是一个立体视图，表示依据本发明第十个实施例的屏蔽带状线装置。
图9是一个立体视图，表示依据本发明第十一个实施例的屏蔽带状线装置。
图10是一个平面视图，表示依据本发明第十二个实施例的屏蔽带状线装置。
图11是沿着图10中直线C-C的截面视图。
图12A至图12G是表示依据本发明第十七个实施例按照操作次序制造屏蔽带状线装置过程的简图。
具体实施方式
现在介绍关于附图的本发明实施例。首先介绍本发明的第一个实施例。图2是一个剖面图，显示了实施例中的一个屏蔽带状线装置，图3是一个剖面图，显示了沿着图2中的线A-A′的剖面部分。
如图2和3所示，对于本实施例的屏蔽带状线装置，提供了一个金属板10，它由一个电子管金属组成，并且主要是一个平面形状。电子管金属板10是由比如铝形成的。电子管金属板10是一个矩形，比如厚度为110μm，长度为20mm，宽度为10mm。电子管金属板10的表面是上刃面，后刃面和端面，并且它们的表面面积通过在电解溶液中的电解蚀刻增加大约200倍。
电介质氧化薄膜20形成在此电子管金属板10的表面上。电介质氧化薄膜20是通过氧化电子管金属板10的表面而形成的。并且导电聚合体层31形成在电介质氧化薄膜20上，使得覆盖电子管金属板10和电介质氧化薄膜20。对于本实施例，导电聚合体层31由聚苯胺形成，其中此聚苯胺具有作为一种掺杂剂的对-甲苯磺酸。在电子管金属板10长度方向上的两端没有形成导电聚合体层31，并且电介质氧化薄膜20是暴露的。比如在电子管金属板10长度方向上的每一暴露部分的长度是比如5mm。阳极引导端11和12分别与这些暴露部分相连接。阳极引导端11和12是用于使一个电信号流流过电子管金属板10，因此必须使阳极引导端11和12彼此分开一定的程度。一个导电碳粘贴层32形成在导电聚合体层31上，并且一个银粘贴层33形成在导电碳粘贴层32上。一个导电层30是通过导电聚合体层31、导电碳粘贴层32和银粘贴层33形成的。那就是说，形成电介质氧化薄膜20以便覆盖电子管金属板10，形成导电层30以便覆盖除了上述所提到的暴露部分之外的电介质氧化薄膜20区域。一个由具有一定厚度，比如大约100μm的铜薄片组成的金属板40重叠到位于导电层30一侧的表面上。布置金属板40，以便它的表面平行与电子管金属板10的平面。金属板40在经度方向上的长度比导电层30在经度方向上的长度要长，因此金属板40的各个端部不会被导电层30重叠。这些端部被分别安排作为阴极引导端41和42。
由于位于电子管金属板10不同位置提供的两个或更多个阳极引导端11和12是用来把电信号输入到被电介质氧化层覆盖的电子管金属板10，因此这些端部被分开一定的距离是实用的。对于本发明，比如，电子管金属在两侧伸出，并且这些伸出的部分可能被安排作为阳极引导端或者通过焊接或卷曲而获得的端部可能被用来作为阳极引导端。
电子管金属板10并不局限于本实施例中的铝，只要此金属是电子管金属，任一金属都可以使用。比如电子管金属包括铝、铝合金、钽、钽合金、铌、鈮合金、钛、钛合金、锆、锆合金、硅、镁、镁合金等。从由钽、铝和铌组成的组中选取的一个金属特别适合于作为电子管金属。电子管金属板10可以是一个辗压金属薄片、一个烧结的细粉末压制坯块等。此外，电子管金属板10的形状可以是一个弯曲形状或者是一个部分弯曲形状。在电子管金属表面形成电介质氧化薄膜的方法也并不特别的受到限制，可以通过使用一个电解质溶液的电解质形式来形成电介质氧化薄膜，使用一个适当的氧化剂来形成，或者使用通过空气氧化形成的一个氧化薄膜来作为本发明的电介质氧化薄膜。然而通常电介质氧化薄膜是通过电解形式形成的。
虽然电子管金属的形状也并不特别的受到限制，并且考虑到特征阻抗和处理加工的观点，电子管金属的形状更好的是一个平面、类似平板的形状(使用这种形状，正交于电子管金属经度方向的截面形状是矩形的)，但是也可能会使用弯曲或者部分弯曲的电子管金属。电子管金属也可能是一个圆柱形状或者柱体形状。对于本发明，可以使用把表面已经扩展的电子管金属。表面已经扩展的电子管金属的例子包括通过把一个烧结的细粉末压制坯块处理成一个平面、类似平板的形状而形成的一个电子管金属，通过在电解溶液中的电解蚀刻而形成的蚀刻金属薄片等。
而且虽然对于本实施例，在一个例子中，导电层30是由包括聚苯胺的导电聚合体层31、导电碳粘贴层32，和银粘贴层33形成的，并显示出，只要是导电的，导电层并不特别的受到限制，并且可以由任何一种金属，一个半导体，比如二氧化锰、氧化铟等，或者有机电介质，比如一个由四氰基对醌二甲烷和四硫富瓦烯组成的电荷传递络合物形成。一个导电聚合体，比如聚吡略、聚噻吩、聚乙烯二羟基噻吩、聚苯胺、聚亚苯基、聚呋喃、聚噻唑基、聚二价乙烯苯(聚亚苯基二价乙烯基)、聚乙炔、聚奥等，并且在这些物质中，聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺及它们的衍生物从稳定的观点出发是特别适合使用的。对于本发明，比如聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺的衍生物将要涉及到一些物质，各种取代物在这些物质的存在下被加入到上述化合物中，上述化合物在这些物质存在的条件下与其它聚合体发生异分子聚合。并且对于本发明，一个导电聚合体通常与一种掺杂剂组合使用，其中此掺杂剂包括一个具有供电子属性或者吸电子属性的化合物。对于本发明，掺杂剂的类型并不特别的受到限制，比如可以使用包括一个导电聚合体的掺杂剂或者可以使用一个已知的掺杂剂。这种掺杂剂的例子包括通过碘、氯、高氯酸盐阴离子等卤化的化合物，充当路易斯酸的物质，比如芳香剂磺酸化合物，及充当路易斯碱的物质，比如锂、四乙銨阳离子等。
虽然对于本发明，导电层30更适合于由上述导电聚合体来安排，但是导电聚合体可以作为一个与电介质氧化薄膜20相接触的层，并且由其它类型的导电聚合体组成的层可以形成在上述导电聚合体层上。此外，当通过使用一个导电碳粘贴或者银粘贴使导电物质的固体电解质和金属板连接或者可能连接在一起时，导电物质的固体电解质和金属板就可以相互接触。对于所举的例子，导电层30有一个三层结构，分别是与电介质氧化薄膜20相接触的导电聚合体层31，处于导电聚合体层31之上的导电碳粘贴层32，和处于导电碳粘贴层32之上的银粘贴层33，并且导电层30这样的结构安排就是为了凭借导电碳粘贴层32和银粘贴层33使金属板40能够被附着在上面。
此外，虽然对于本发明，在一个例子中指出了一个由具有一定厚度，比如大约100μm的铜薄片组成的金属板40重叠到位于导电层30一侧的表面上，但是金属板40的材料并不局限于铜，并且使用低电阻抗的金属已经足够了，比如银、金、铝等。凭借这样的金属板40能够实现更低的阻抗。而且，两块金属板40可以使用相反的方式放置在电子管金属板10的两个面上。
此外，虽然对于本实施例，在一个例子中指出了导电聚合体层31和金属板40彼此通过导电碳粘贴层32和银粘贴层33相互连接，但是可以省略掉导电碳粘贴层32和银粘贴层33，而使导电聚合体层31直接与金属板40相连接。
这个实施例的屏蔽带状线装置可以安装在例如一个电子电路板上或者通过抽出引导端和封入树脂或一种金属等来使用。
本发明的屏蔽带状线装置可以安装在例如一个电子电路板上或者通过抽出引导端和封入树脂或一种金属等来使用。
现在介绍本实施例屏蔽带状线装置的制造方法。首先，准备一个铝薄片来作为电子管金属板10，此铝薄片具有一定的厚度，比如110μm，一定的长度，比如20mm，一定的宽度，比如10mm。然后，电子管金属板10的表面面积通过在电解溶液中的电解蚀刻扩展大约200倍。在通过应用一定电压，比如10V的阳极氧化的条件下，把电子管金属板10浸入在，比如具有质量浓度为5％的水性銨硼酸盐溶液中，然后把电子管金属板冲洗和烘干，以便在电子管金属板10的表面上形成包括一层金属氧化膜的电介质氧化薄膜20。然后把经度方向上的端部浸入到含有六氟丙烯的氟树脂溶液中，其中此端部是从自在其上已经形成电介质氧化薄膜20的电子管金属板10的各自边缘到5mm内的这么一个区域，然后把此端部烘干，以便在上述端部上形成含有六氟丙烯的掩膜(未标出)。当在浸入到0.1N的水性硫酸溶液中后，测量此电子管金属板10的静电电容时，发现静电电容大约为380μF。
然后在一个玻璃容器中准备好一种水性溶液，包括比如质量浓度为10％的对一甲基苯硫酸和质量浓度为5％的苯胺，然后把在其上已经形成上述电介质氧化薄膜20和掩膜的电子管金属板10浸入其中，随后从此水性溶液中取出。其后把电子管金属板烘干，比如在室温下放置于空气中30分钟。然后准备好一种水性溶液，包括比如质量浓度为10％的过硫酸盐和质量浓度为10％的对一甲基苯硫酸，把电子管金属板10浸入其中，随后从此水性溶液中取出，再放置空气中20分钟以便使苯胺聚合。其后，用水和乙醇冲洗电子管金属板10，并且在温度为80℃的环境下烘干。把从浸入到上述对一甲基苯硫酸和苯胺水性溶液中到在温度为80℃的情况下烘干的操作程序重复四遍，以便在没有被上述掩膜覆盖的电介质氧化薄膜20表面区域上形成导电聚合体层31，其中导电聚合体层包括具有对一甲基苯硫酸作为掺杂剂的聚苯胺。
然后形成导电碳粘贴层32和银粘贴层33，以便覆盖其上已经形成导电聚合体层31的电子管金属板10的表面区域。因此形成了包括导电聚合体层31的导电层30，导电碳粘贴层32和银粘贴层33。其后，一个由具有一定厚度，比如大约100μm的铜薄片组成的金属板40重叠到位于导电层30一侧的表面上。因此金属板40被配置，以便通过导电层30和电介质氧化薄膜20与电子管金属板10的一个面相对。金属板40在经度方向上的长度比导电层30在经度方向上的长度要长，并且金属板40在经度方向上的各个端部不会被导电层30重叠而是从导电层30伸出。这些金属板40的伸出端部各自用于阴极引导端41和42。其后，把电子管金属板10的各个端部浸入四氢呋喃，以便溶解和消除六氟丙稀，其六氟丙稀是用于组成掩膜的树脂。然后使用超声波焊机来连接两个阳极引导端11和12到电子管金属板10的各自端部。因此就制造好了本实施例的屏蔽带状线装置。
虽然对于本实施例，在一个例子中指出了在电解质溶液中进行的电解质蚀刻是扩展电子管金属板10表面面积的方法，但是扩展金属板的表面面积也可以通过把烧结的细粉末压制坯块加工成一个平面、类似平板的形状来制造。
形成电介质氧化薄膜20的方法也并不特别的受到限制，并且可以通过使电子管金属板10的表面置于一个电解质溶液的电解质形式之下来形成，或者通过使用一个适当的氧化剂的氧化处理来形成，或者使用通过空气氧化电子管金属板10的表面而形成的一个氧化薄膜来作为本发明的电介质氧化薄膜。然而通常电介质氧化薄膜20是通过使电子管金属板10的表面置于电解质形式之下来形成的。
此外，虽然对于本实施例，阳极引导端11和12通过超声波焊接连接到电子管金属板10，但是这种连接可以通过卷曲或者其它方法来实现。而且，电子管金属板10可以在两边伸出，并且电子管金属板10的各个端部可以用作阳极引导端。
此外，虽然对于本实施例，在一个例子中指出了导电聚合体层31是通过把电子管金属板10浸入到一种水性溶液，然后烘干使苯胺聚合来形成的，但是本发明形成导电聚合体层的方法并不局限于此，导电聚合体层31可以通过这种方法来形成，其中把导电聚合体溶液涂于电子管金属板10之上，然后把此溶液中的溶剂蒸发，还可以通过这种方法来形成，其中一个单体和/或低聚物形成一个导电聚合体，并且引入一个聚合反应催化剂，使导电聚合体直接在电子管金属板10上进行聚合反应，或者可以通过这种方法来形成，其中形成包括一个导电聚合中间体的聚合体层，并把此转换成一个导电聚合体。
对于本实施例的屏蔽带状线装置，一个从阳极引导端11输入的高频信号电流经过电子管金属板10，并且从阳极引导端12输出。在这一过程中，上述信号电流通过电介质氧化薄膜20和导电层30被过滤。由于电子管金属板10具有传输线结构的形状，并且实质上正交于信号流方向的横截面形状是恒定的或者固定的，所以即使当信号电流是一个高频电流，电子管金属板10内部的电磁场也将是均匀的，因此特征阻抗与频率的关系就会变得很小。
而且，由于电子管金属板10是由铝形成的，因此能够迅速地在电子管金属板10表面上形成一个均匀和稳定的电介质氧化薄膜20。此外，由于提供了导电层30，以致包围了电子管金属板10的周围，因此随着从电子管金属板10漏出的磁通量被屏蔽，就实现了屏蔽带状线装置，并且装置的阻抗能够变得很小。此外，通过提供金属板40，能够形成阴极引导端41和42，并且装置的阻抗甚至能够变得更小。还有此外，由于导电层30装配有导电聚合体层31，因此导电层30被很好的依附在电介质氧化薄膜20上，并且能够容易地形成高导电性。
当使用电子管金属板10作为阳极、金属板40作为阴极来测量本实施例屏蔽带状线装置的电容时，会发现对于一定频率的电容，比如120Hz的电容大约为380，这表明电介质氧化薄膜20的表面已经涂上了足够的聚苯胺。
而且，当通过连接两对电极引导端，即提供于屏蔽带状线装置两端的阳极引导端11和12及阴极引导端41和42到网络分析器来测量功率传输特征S21时，发现S21在100kHz到100MHz的频率范围内最多是-70dB，在频率为1GHz时最多是-40dB。因此能够知道当用于高速数字电路的功率去偶装置与现有电容器相比较时，本实施例的屏蔽带状线装置具有非常出色的性能。
现在介绍本发明的第二个实施例。与上述第一个实施例中的屏蔽带状线装置的结构相比较，本实施例中的屏蔽带状线装置的结构的不同在于导电聚合体层31是由聚吡咯形成的。除此之外，本实施例中的屏蔽带状线装置在结构上与第一个实施例中的屏蔽带状线装置相同。
现在介绍本实施例屏蔽带状线装置的制造方法。首先，使用第一实施例中相同的方法，在电子管金属板10的表面上形成电介质氧化薄膜20和掩膜。然后在玻璃容器中准备好含有十二烷基苯硫酸铁质量浓度为10％的甲醇溶液。把在其表面上已经形成电介质氧化薄膜20的上述电子管金属板10浸入其中，然后从此溶液中取出。然后把电子管金属板在室温下放置于空气中30分钟烘干。然后把电子管金属板浸入到含有吡咯质量浓度为50％的水性溶液中，随后从中取出，并且放置于空气中30分钟以便使吡咯聚合。其后，用水和乙醇冲洗电子管金属板，并且在温度为80℃的环境下烘干。把从浸入到甲醇溶液中到在温度为80℃的情况下烘干的操作程序重复四遍，以便在电介质氧化薄膜20表面上形成导电聚合体层，其中导电聚合体层包括具有十二烷基苯硫酸铁作为掺杂剂的聚吡咯。
然后使用上述第一实施例中相同的方法，通过形成导电碳粘贴层32和银粘贴层33而形成导电层30，以便把在其上已经形成导电聚合体层的电子管金属板10的表面区域包围，包括铜薄片的金属板40附着在上面，并且金属板40的各个端部被安排作为阴极引导端41和42。其后，使用第一实施例中相同的方法，移走掩膜并且附着上阳极引导端11和12。
当使用包括铝薄片的电子管金属板10作为阳极、包括铜薄片的金属板40作为阴极来测量本实施例屏蔽带状线装置的电容时，会发现对于一定频率的电容，比如120Hz的电容大约为380μF，这表明电介质氧化薄膜20的表面已经涂上了足够的聚吡咯。
而且，当通过连接两对电极引导端，即提供于屏蔽带状线装置两端的阳极引导端11和12及阴极引导端41和42到网络分析器来测量功率传输特征S21时，发现S21在100kHz到100MHz的频率范围内最多是-70dB，在频率为1GHz时最多是-40dB。因此能够知道当用于高速数字电路的功率去偶装置与现有电容器相比较时，本实施例的屏蔽带状线装置具有非常出色的性能。
现在介绍本发明的第三个实施例。与上述第一个实施例中的屏蔽带状线装置的结构相比较，本实施例中的屏蔽带状线装置的结构的不同在于导电聚合体层31是由聚己烷噻吩形成的。除此之外，本实施例中的屏蔽带状线装置在结构上与第一个实施例中的屏蔽带状线装置相同。
现在介绍本实施例屏蔽带状线装置的制造方法。首先，使用第一实施例中相同的方法，在电子管金属板10的表面上形成电介质氧化薄膜20和掩膜。然后在玻璃容器中准备好含有聚己烷噻吩质量浓度为5％的二甲苯溶液，把此溶液滴注到在其表面上已经形成电介质氧化薄膜20和掩膜的上述电子管金属板10的没有掩盖的区域上，然后把电子管金属板在温度为80℃的环境下烘干。然后整个装置浸入到水性盐酸溶液中，以便在电介质氧化薄膜20表面上形成导电聚合体层31，其中导电聚合体层包括具有氯离子作为掺杂剂的聚己烷噻吩。
然后使用上述第一实施例中相同的方法，通过形成导电碳粘贴层32和银粘贴层33而形成导电层30，以便把在其上已经形成导电聚合体层的电子管金属板10的表面区域包围，包括铜薄片的金属板40附着在上面，并且金属板40的各个端部被安排作为阴极引导端41和42。其后，移走掩膜并且附着上阳极引导端11和12。
当使用包括铝薄片的电子管金属板10作为阳极、包括铜薄片的金属板40作为阴极来测量本实施例屏蔽带状线装置的电容时，会发现对于一定频率的电容，比如120Hz的电容大约为380μF，这表明电介质氧化薄膜20的表面已经涂上了足够的聚己烷噻吩。
而且，当通过连接两对电极引导端，即提供于屏蔽带状线装置两端的阳极引导端11和12及阴极引导端41和42到网络分析器来测量功率传输特征S21时，发现S21在100kHz到100MHz的频率范围内最多是-60dB，在频率为1GHz时最多是-40dB。因此能够知道当用于高速数字电路的功率去偶装置与现有电容器相比较时，本实施例的屏蔽带状线装置具有非常出色的性能。
现在介绍本发明的第四个实施例。与上述第一个实施例中的屏蔽带状线装置的结构相比较，本实施例中的屏蔽带状线装置的结构的不同在于导电聚合体层31是由聚乙烯二羟噻吩形成的。除此之外，本实施例中的屏蔽带状线装置在结构上与第一个实施例中的屏蔽带状线装置相同。
现在介绍本实施例屏蔽带状线装置的制造方法。首先，使用第一实施例中相同的方法，在电子管金属板10的表面上形成电介质氧化薄膜20和掩膜。然后在玻璃容器中准备好含有十二烷基苯硫酸铁质量浓度为10％的乙醇溶液。把在其表面上已经形成电介质氧化薄膜20的上述电子管金属板10浸入其中，然后从此溶液中取出，随后把电子管金属板在室温下放置于空气中30分钟烘干。然后把此样品浸入到含有聚乙烯二羟噻吩质量浓度为50％的水性溶液中，随后从中取出，并且放置于空气中30分钟以便使聚乙烯二羟噻吩聚合。其后，用水和乙醇冲洗此样品，并且在温度为80℃的环境下烘干。把从浸入到上述乙醇溶液中到在温度为80℃的情况下烘干的操作程序重复四遍，以便在电介质氧化薄膜20表面上形成导电聚合体层31，其中导电聚合体层包括具有十二烷基苯硫酸铁作为掺杂剂的聚乙烯二羟噻吩。
然后使用上述第一实施例中相同的方法，通过形成导电碳粘贴层32和银粘贴层33而形成导电层30，以便把在其上已经形成导电聚合体层的电子管金属板10的表面区域包围，包括铜薄片的金属板40附着在上面，并且金属板40的各个端部被安排作为阴极引导端41和42。其后，使用第一实施例中相同的方法，移走掩膜并且附着上阳极引导端11和12。
当使用包括铝薄片的电子管金属板10作为阳极、包括铜薄片的金属板40作为阴极来测量本实施例屏蔽带状线装置的电容时，会发现对于一定频率的电容，比如120Hz的电容大约为380μF，这表明电介质氧化薄膜20的表面已经涂上了足够的聚乙烯二羟噻吩
而且，当通过连接两对电极引导端，即提供于屏蔽带状线装置两端的阳极引导端11和12及阴极引导端41和42到网络分析器来测量功率传输特征S21时，发现S21在1MHz到100MHz的频率范围内最多是-60dB，在频率为1GHz时最多是-40dB。因此能够知道当用于高速数字电路的功率去偶装置与现有电容器相比较时，本实施例的屏蔽带状线装置具有非常出色的性能。现在介绍本发明的第五个实施例。本实施例中的屏蔽带状线装置的结构与上述第二个实施例中的屏蔽带状线装置的结构相同。那就是导电聚合体层31是由聚吡咯形成的。
现在介绍本实施例屏蔽带状线装置的制造方法。首先，使用第一实施例中相同的方法，在电子管金属板10的表面上形成电介质氧化薄膜20和掩膜。然后在玻璃容器中准备好含有十二烷基苯硫酸铁质量浓度为30％的甲醇溶液，并将其冷却到温度为-50℃。然后把吡咯滴注到此溶液中，直到其质量浓度变为6％，并且在保持溶液温度为-50℃的同时，搅拌溶液以便使吡咯混合。然后把此溶液滴注到在其表面上已经形成电介质氧化薄膜20和掩膜的上述电子管金属板10的没有掩盖的区域上，然后把此样品放置在室温下60分钟。其后，用水和乙醇冲洗电子管金属板10，并且在温度为80℃的环境下烘干。因此在电介质氧化薄膜20表面上形成了导电聚合体层31，其中导电聚合体层包括具有十二烷基苯硫酸铁作为掺杂剂的聚吡咯。
然后使用上述第一实施例中相同的方法，通过形成导电碳粘贴层32和银粘贴层33而形成导电层30，以便把在其上已经形成导电聚合体层的电子管金属板10的表面区域包围，包括铜薄片的金属板40附着在上面，并且金属板40的各个端部被安排作为阴极引导端41和42。其后，移走掩膜并且附着上阳极引导端11和12。
当使用包括铝薄片的电子管金属板10作为阳极、包括铜薄片的金属板40作为阴极来测量本实施例屏蔽带状线装置的电容时，会发现对于一定频率的电容，比如120Hz的电容大约为375μF，这表明电介质氧化薄膜20的表面已经涂上了足够的聚吡咯。
而且，当通过连接两对电极引导端，即提供于屏蔽带状线装置两端的阳极引导端11和12及阴极引导端41和42到网络分析器来测量功率传输特征S21时，发现S21在1MHz到100MHz的频率范围内最多是-60dB。因此能够知道当用于高速数字电路的功率去偶装置与现有电容器相比较时，本实施例的屏蔽带状线装置具有非常出色的性能。
现在介绍本发明的第六个实施例。图4是一个透视图，表示本实施例的屏蔽带状线装置。如图4所示，本实施例的屏蔽带状线装置提供有一种成形体13，其包括一个具有平均粒子直径比如0.5μm的烧结的细粉末压制钽坯块。成形体13具有直角平行六面体的形状，比如宽度为3mm、长度为3mm和厚度为1.8mm。钽导线14和15与成形体13的各个末端相连接。钽导线14和15的直径比如是0.3mm。金属构件16是由成形体13及钽导线14和15形成的。
电介质氧化薄膜(未标出)形成在成形体13的表面上，并且导电聚合体层、导电碳粘贴层和银粘贴层以从里边开始这样的顺序形成在此电介质氧化薄膜的表面上，以便包围成形体13和电介质氧化薄膜。导电层35是由导电聚合体层、导电碳粘贴层和银粘贴层形成的。阳极引导端11和12与钽导线14和15各自连接。
由一定厚度，比如大约100μm的铜薄片组成的金属板40重叠到位于导电层35一侧的表面上。金属板40在经度方向上的长度比导电层35在经度方向上的长度要长，因此金属板40的各个端部不会被导电层35重叠。这些端部被分别安排作为阴极引导端41和42。
现在介绍本实施例屏蔽带状线装置的制造方法。首先，把具有平均粒子直径，比如0.5μm的钽粉末装满一个容器，其中此容器具有一个内部宽度，比如3mm，一个内部长度，比如3mm，一个内部厚度，比如1.8mm。然后将各自具有一定直径，比如0.3mm的钽导线14和15附着到此随后压制而形成的钽粉末物块的各个末端。然后将成形体在真空下加热到温度为200℃，以便制造由成形体13及钽导线14和15组成的金属构件16，其中成形体是钽粉末烧结的细粉末压制坯块。
然后通过在具有一定质量浓度，比如0.05％的水性磷酸溶液中施加形成电压，比如10V，对此金属构件16进行阳极氧化处理。随后进行冲洗和烘干，因此包括金属氧化膜的电介质氧化薄膜(未标出)形成在金属构件16的表面上。把该金属构件16的钽导线14和15的一部分浸入到包括六氟丙稀的氟树脂溶液中，然后烘干以便形成覆盖钽导线14和15的掩膜(未标出)。当在浸入到浓度为0.1N的水性硫酸溶液中后，测量此金属构件16的静电电容时，发现静电电容大约为300μF。
然后在玻璃容器中准备好含有十二烷基苯硫酸铁质量浓度为10％的甲醇溶液。把在其表面上已经形成电介质氧化薄膜20的金属构件16浸入到此溶液中，然后从此溶液中取出。然后把金属构件16在室温下放置于空气中30分钟烘干。然后把金属构件16浸入到含有吡咯质量浓度为50％的水性溶液中，随后从中取出，并且放置于空气中30分钟以便使吡咯聚合。其后，用水和乙醇冲洗此样品，并且在温度为80℃的环境下烘干。把从浸入到甲醇溶液中到在温度为80℃的情况下烘干的操作程序重复四遍，以便在电介质氧化薄膜的表面上形成导电聚合体层(未标出)，其中导电聚合体层包括具有十二烷基苯硫酸铁作为掺杂剂的聚吡咯。
然后形成导电碳粘贴层和银粘贴层，以致包围在其上已经形成导电聚合体层的金属构件16的表面区域。导电层35由导电聚合体层、导电碳粘贴层和银粘贴层形成。其后，由铜薄片组成的金属板40被附着到导电层35一侧的表面上。金属板40在经度方向上的长度比导电层35在经度方向上的长度要长，并且金属板40的各个端部不会接触到导电层35。金属板40的这些端部被分别用于阴极引导端41和42。其后，移走掩膜并且将阳极引导端11和12各自附着在钽导线14和15上。因此就制造成了本实施例中的屏蔽带状线装置。对于本实施例的屏蔽带状线装置，一个从阳极引导端11输入的高频信号电流经过金属构件16，并且从阳极引导端12输出。在这一过程中，上述信号电流通过电介质氧化薄膜和导电层35被过滤。由于金属构件16具有传输线结构的形状，并且实质上正交于信号流方向的横截面形状是固定的，所以即使当信号电流是一个高频电流，金属构件16内部的电磁场也将是均匀的，因此特征阻抗与频率的关系就会变得很小。
而且，由于金属构件16是由电子管金属铝形成的，因此能够迅速地在金属构件16表面上形成一个均匀和稳定的电介质氧化薄膜。此外，由于提供了导电层35以致包围了金属构件16，因此随着从金属构件16漏出的磁通量被屏蔽，就实现了屏蔽带状线装置，并且装置的阻抗能够变得很小。此外，通过提供金属板40，能够形成阴极引导端41和42，并且装置的阻抗甚至能够变得更小。还有此外，由于导电层35装配有由聚吡咯组成的导电聚合体层，因此被很好的依附在电介质氧化薄膜的导电层能够迅速地形成和有高导电性。
此外对于本实施例，由于成形体13是通过粉末烧结方法形成的，因此成形体13能够被迅速处理成任一形状。而且，成形体13的表面不需要通过执行如上述第一到第五实施例中电子管金属板(参见图2)的蚀刻就能够增加。当使用金属构件1 6作为阳极、由铜薄片组成的金属板40作为阴极来测量本实施例屏蔽带状线装置的电容时，会发现对于一定频率的电容，比如120Hz的电容大约为280μF，这表明电介质氧化薄膜的表面已经涂上了足够的聚吡咯。
而且，当通过连接两对电极引导端，即提供于屏蔽带状线装置两端的阳极引导端11和12及阴极引导端41和42到网络分析器来测量功率传输特征S21时，发现S21在100kHz到100MHz的频率范围内最多是-60dB，在频率为1GHz时最多是-40dB。因此能够知道当用于高速数字电路的功率去偶装置与现有电容器相比较时，本实施例的屏蔽带状线装置具有非常出色的性能。
现在介绍本发明的第七个实施例。图5是一个透视图，表示本实施例的屏蔽带状线装置。如图5所示，本实施例的屏蔽带状线装置提供有一种圆柱形金属构件17，此圆柱形金属构件由铝形成，并且直径是5mm、长度是100mm。圆柱形金属构件17的各个端部被安排作为阳极引导端11a和12a。在阳极引导端11a和12a各自形成螺旋洞11b和12b。
电介质氧化薄膜21形成在圆柱形金属构件17的表面上，并且在电介质氧化薄膜2 1的外侧，包含以对一甲基苯硫酸作为掺杂剂的聚苯胺的导电聚合体层、导电碳粘贴层和银粘贴层以从里边开始这样的顺序形成。导电层36是由导电聚合体层、导电碳粘贴层和银粘贴层形成的。由一定厚度，比如大约100μm的铜薄片组成的金属板40连接到导电层36。金属板40的经度方向与圆柱形金属构件17的轴线方向一致。金属板40在经度方向上的长度比导电层36在相同方向上的长度要长，因此金属板40的各个端部不会与导电层36相接触。此金属板40的各个端部被安排作为阴极引导端41a和42a。在阴极引导端41a和42a各自形成螺旋洞41b和42b。
现在介绍本实施例屏蔽带状线装置的制造方法。首先，作为圆柱形金属构件17，准备好一个由铝组成的圆筒，此圆筒的直径为5mm，长度为100mm。圆柱形金属构件17的各个端部被安排作为阳极引导端11a和12a。而且，在阳极引导端11a和12a各自形成螺旋洞11b和12b。然后圆柱形金属构件17浸入到具有质量浓度为5％的水性銨硼酸盐溶液，并通过应用10V电压来进行阳极氧化。然后执行冲洗和烘干，因此包括金属氧化膜的电介质氧化物薄膜21形成在圆柱形金属构件17的表面上。然后把位于圆柱形金属构件17各个末端的10mm部分浸入到包含六氟丙稀的氟树脂溶液，然后烘干以便在圆柱形金属构件17的两末端形成掩膜(未标出)。然后在玻璃容器中准备好含有对一甲基苯硫酸质量浓度为10％和苯胺质量浓度为5％的水性溶液。把在其上已经形成上述电介质氧化物薄膜21的圆柱形金属构件17浸入到此水性溶液中，并且从中取出，然后通过在室温下放置空气中30分钟来烘干。然后把样品浸入到水性溶液并从中取出，其中此溶液包括銨过氧重硫酸盐质量浓度为10％和对一甲基苯硫酸质量浓度为10％，然后在空气中放置20分钟以聚合该苯胺。其后，用水和乙醇对此样品进行冲洗，并且在温度为80℃的环境下烘干。把这些操作程序重复四遍，以便在电介质氧化薄膜21的表面上形成导电聚合体层，其中导电聚合体层包括具有对一甲基苯硫酸作为掺杂剂的聚苯胺。
然后形成导电碳粘贴层和银粘贴层以致包围在其上已经形成导电聚合体层的圆柱形金属构件17的表面区域。因此导电层36由导电聚合体层、导电碳粘贴层和银粘贴层形成。其后，由具有一定厚度，比如大约100μm铜薄片组成的金属板40连接到导电层36。此金属板40的各个端部被安排作为阴极引导端41a和42a。然后在阴极引导端41a和42a各自形成螺旋洞41b和42b。其后，把圆柱形金属构件17的各个端部浸入四氢呋喃，以便溶解和消除六氟丙稀，其六氟丙稀是掩膜树脂。因此就制造好了本实施例的屏蔽带状线装置。
对于本实施例的屏蔽带状线装置，一个从阳极引导端11a输入的高频信号电流经过圆柱形金属构件17，并且从阳极引导端12a输出。在这一过程中，上述信号电流通过电介质氧化薄膜21和导电层36被过滤。由于圆柱形金属构件17具有传输线结构的形状，并且实质上正交于信号流方向的横截面形状是固定的，所以即使当信号电流是一个高频电流，圆柱形金属构件17内部的电磁场也将是均匀的，因此特征阻抗与频率的关系就会变得很小。
而且，由于圆柱形金属构件17是由电子管金属铝形成的，因此能够迅速地在圆柱形金属构件17表面上形成一个均匀和稳定的电介质氧化薄膜。此外，由于提供了导电层36，以致包围了圆柱形金属构件17，因此随着从圆柱形金属构件17漏出的磁通量被屏蔽，就实现了屏蔽带状线装置，并且装置的阻抗能够变得很小。此外，通过提供金属板40，能够形成阴极引导端41a和42a，并且装置的阻抗甚至能够变得更小。还有此外，由于导电层36装配有由聚苯胺组成的导电聚合体层，因此被很好的依附在电介质氧化薄膜上和具有高导电性的导电层能够迅速地形成。
此外对于本实施例，由于螺旋洞11b、12b、41b和42b各自形成在阳极引导端11a和12a及阴极引导端41a和42a，因此阳极引导端11a和12a及阴极引导端41a和42a能够通过螺钉与外面的部分相连接。所以一个很大的电流能够稳定地流过屏蔽带状线装置。
当使用圆柱形金属构件17作为阳极、由铜薄片组成的金属板40作为阴极来测量本实施例屏蔽带状线装置的电容时，会发现电容大约为10iF，这表明电介质氧化薄膜的表面已经涂上了足够的聚苯胺。而且，当通过连接两对电极引导端，即提供于屏蔽带状线装置两端的螺旋洞11a、12a、41a和42a到网络分析器来测量功率传输特征S21时，发现S21在100kHz到1GHz的频率范围内最多是-40dB。因此能够知道当用于高速数字电路的功率去偶装置与现有电容器相比较时，本实施例的屏蔽带状线装置具有非常出色的性能。
现在介绍本发明的第八个实施例。图6是一个外部透视图，表示此第八个实施例的屏蔽带状线装置。沿着图6中的直线B-B的截面视图与图3是相同的。本实施例的屏蔽带状线装置也装备有电子管金属板10，其中此电子管金属板具有长、薄、平板形状，并在其表面上具有电介质氧化物薄膜20，电子管金属板10经过电介质氧化物薄膜20涂上由一导电物质组成的层面30。
同样地，对于本屏蔽带状线装置，位于电子管金属板10经度方向上的两个末端部分实际上是落在相同直线上的平面的形状。电子管金属板10是由，比如铝形成的。电子管金属板10在形状上是矩形，比如厚度为110μm，长度为20mm，宽度为10mm。电子管金属板10的表面是前面，后面和端面，通过在电解溶液中的电解蚀刻在表面面积上增加大约200倍。形成由导电物质组成的导电层30，以便覆盖除了两末端部分之外的电子管金属板10的整个表面。
在平面视图上，本屏蔽带状线具有类似U的形状，并具有一个阳极引导端11，它被连接到其中附着一个端部的电子管金属板10的一个端部，同时还具有一个阳极引导端12，它被电连接到其中附着另一端部的电子管金属板10的另一个端部。在由导电物质组成的阳极引导端11和12与层面30之间提供了绝缘物质60，它这些部分彼此绝缘。因此电子管金属板10被由导电物质组成的层面30和绝缘物质60封闭了。每一个阳极引导端11和12具有一个平面、成矩形的横截面。
此外，具有与屏蔽带状线装置底面大约相同尺寸的金属板40被附着到底面，并且阴极引导端41和42被附着到金属板40的各个端部。
现在介绍图6所示屏蔽带状线装置的制造方法。如上所示，沿着图6中的直线B-B′的截面视图与图3中的截面视图是相同的。
对于本实施例，具有厚度为110im并且表面面积厚度被增加大约200倍的的铝薄片被用作电子管金属板10。对此铝薄片进行打孔，以呈现宽度为10mm的方C形状。在提供了具有绝缘物质60的铝薄片(电子管金属板10)的各个由六氟丙稀组成的氟树脂端部之后，把此铝薄片放入质量浓度为5％的水性銨硼酸盐溶液中用10V电压进行阳极氧化，然后进行冲洗和烘干，以便获得具有包含金属氧化膜的电子管金属板10的铝薄片。当在浸入到0.05摩尔/公升水性硫酸溶液中之后，对此薄片的静电电容进行测量时，发现静电电容大约为380μF。
然后在玻璃容器中准备好含有对一甲基苯硫酸质量浓度为10％和苯胺质量浓度为5％的水性溶液，并且把在其上已经形成上述电介质氧化物薄膜20的上述铝薄片浸入到此水性溶液中，并且从中取出。然后通过在室温下放置空气中30分钟来烘干，随后把样品浸入到水性溶液并从中取出，其中此溶液包括銨过氧重硫酸盐质量浓度为10％和对一甲基苯硫酸质量浓度为10％，然后保持在空气中20分钟以聚合该苯胺。其后，用水和乙醇对此样品进行冲洗，并且在温度为80℃的环境下烘干。在把这些操作程序重复四遍之后，就获得了铝薄片(电子管金属板10)，其中电介质氧化物薄膜20的表面由导电聚合体层31覆盖。此导电聚合体层31包括具有对一甲基苯硫酸作为掺杂剂的聚苯胺。当然，防止了导电聚合体层31形成于提供有绝缘物质60的部分上。
然后涂上导电碳粘贴层32和银粘贴层33，以便包围在其上已经形成导聚合体层31(聚苯胺)的铝薄片的一部分，因此就完成了导电层30。由具有一定厚度，比如大约100im铜薄片组成的金属板40附着到导电层30。此金属板40的各个端部被安排作为阴极引导端41和42。其后，把铝薄片(电子管金属板10)的各个端部浸入四氢呋喃，以便溶解包含六氟丙稀的树脂，其中此树脂是掩膜树脂，并且使用超声波焊机把两个(一对)阳极引导端11和12附着在铝薄片的各个末端上。
当使用电子管金属板10，即铝薄片作为阳极，由铜薄片组成的金属板40作为阴极来测量由此获得的屏蔽带状线装置的电容时，会发现对于测量频率，比如120Hz的电容大约为380，，这表明电介质氧化薄膜20的表面已经涂上了足够的聚苯胺。而且，当通过连接提供于屏蔽带状线装置两末端的两对电极引导端11、12、41和42到网络分析器来测量功率传输特征S21时，发现S21在100kHz到100MHz的频率范围内最多是-70dB，在频率是1GHz时最多是-40dB。因此能够知道当用于高速数字电路的功率去偶装置与现有电容器相比较时，本实施例的屏蔽带状线装置具有非常出色的性能。
现在结合参见图7介绍本发明的第九个实施例。虽然示于图7中的屏蔽带状线装置与示于图6中的屏蔽带状线装置一样，但是阳极引导端11和12是弯曲的，并且位于金属板40各个末端的阴极引导端41和42及阳极引导端11和12的末端被安排位于相同的平面上.，以便容易的将表面安装在电路板上。
现在结合参见图8介绍本发明的第十个实施例。虽然示于图8中的屏蔽带状线装置与示于图6中的屏蔽带状线装置一样，然而对于示于图6中的装置，铝薄板，即电子管金属板10被弯曲成方C形状并且被打孔，以致具有直角部分，而示于图8中的实施例不同在于铝薄片被打孔成U形，即被弯曲成更圆的形状。
现在结合参见图9介绍本发明的第十一个实施例。虽然示于图9中的屏蔽带状线装置就像对于示于图8中的屏蔽带状线装置一样被弯曲成圆形，但是阳极引导端11和12是弯曲的，并且位于金属板40各个末端的阴极引导端41和42及阳极引导端11和12的末端被安排位于相同的平面上，以便容易地将表面安装在电路板上。
现在结合参见图10介绍本发明的第十二个实施例。图10是一个平面视图，表示了第十二个实施例的屏蔽带状线装置，并且图11是一个沿着图10中直线C-C′的截面视图。
虽然此屏蔽带状线装置具有与上述各个实例相同的层面安排，但是按照形状，本装置被制造成为在经度方向上横截面的形状是一个类似盘形。那就是说，考虑到对于从第九到第十一实施例铝薄板，即电子管金属板10被打孔成一定的形状，此形状是在铝薄片的薄面内以一定的方向被弯或者弯曲而成，而对于本实施例，一个薄的、类似于带状的铝薄片被用作电子管金属板10，并且铝薄片的各个端部在相同的方向上被弯曲，以便在与铝薄片的薄面垂直的方向上被凸起。此铝薄片，即电子管金属板10的各个末端被安排作为阳极引导端11和12，形成导电层30以便覆盖位于电子管金属板10表面上的电介质氧化物薄膜20，并且附着上类似于带状的金属板40。金属板40的各个末端被安排作为阴极引导端41和42。阳极引导端11和12的末端及阴极引导端411和42的末端被安排位于相同的平面上.，以便容易地将表面安装。
现在介绍本发明的第十三个实施例。此第十三个实施例是一个示于图6中的屏蔽带状线装置的制造方法实施例。
首先，在玻璃容器中准备好含有十二烷基苯硫酸铁质量浓度为10％的甲醇溶液。然后结合完成第八个实施例中的适于形成电介质氧化薄膜20的操作，把铝薄片浸入其中，然后从此溶液中取出。然后把铝薄片在室温下放置于空气中30分钟烘干，并把铝薄片浸入到含有吡咯质量浓度为50％的水性溶液中，随后从中取出，并且放置于空气中30分钟以便使吡咯聚合。其后，用水和乙醇冲洗铝薄片，并且在温度为80℃的环境下烘干。在把这些操作程序重复四遍之后，就获得了铝薄片(电子管金属板10)，其中电介质氧化物薄膜20的表面由导电聚合体层31覆盖。此导电聚合体层31包括具有十二烷基苯硫酸铁作为掺杂剂的聚吡咯。
然后通过如第八个实施例中相同的方法形成导电层30，以便把在其上已经形成导电聚合体层31(聚吡咯)的铝薄片的一部分包围。然后把包括铜薄片的金属板40附着在上面，并且金属板40的各个末端被安排作为阴极引导端41和42。其后，通过第八实施例中的方法溶解掩膜树脂，并且附着上阳极引导端11和12。
当使用包括铝薄片的电子管金属板10作为阳极，包括铜薄片的金属板40作为阴极来测量由此获得的屏蔽带状线装置的电容时，会发现对于一定频率的电容，比如120Hz的电容大约为380μF，这表明电介质氧化薄膜20的表面已经涂上了足够的聚吡咯。
而且，当通过连接提供于屏蔽带状线装置各个末端的两对电极引导端11、12、41和42到网络分析器来测量功率传输特征S21时，发现S21在100kHz到100MHz的频率范围内最多是-70dB，在频率为1GHz时最多是-40dB。因此能够知道当用于高速数字电路的功率去偶装置与现有电容器相比较时，本实施例的屏蔽带状线装置具有非常出色的性能。
现在介绍本发明的第十四个实施例。此第十四个实施例是一个示于图6中的屏蔽带状线装置的制造方法实施例。
首先，在玻璃容器中准备好含有聚己烷噻吩质量浓度为5％的二甲苯溶液。然后结合完成第八个实施例中的适于形成电介质氧化薄膜20的操作，把此溶液滴注到铝薄片的没有掩盖的区域上，然后把铝薄片在温度为80℃的环境下烘干。然后整个装置浸入到水性盐酸溶液中，以便在电介质氧化薄膜20表面上涂上导电聚合体层31。此导电聚合体层31包括具有氯离子作为掺杂剂的聚己烷噻吩。
然后通过如第八个实施例中相同的方法形成导电层30，以便把在其上已经形成导电聚合体层31(聚己烷噻吩)的铝薄片的一部分包围。然后把包括铜薄片的金属板40附着在上面，并且金属板40的各个末端被安排作为阴极引导端41和42。其后，通过第八实施例中的方法溶解掩膜树脂，并且附着上阳极引导端11和12。
当使用包括铝薄片的电子管金属板10作为阳极，包括铜薄片的金属板40作为阴极来测量由此获得的屏蔽带状线装置的电容时，会发现对于一定频率的电容，比如120Hz的电容大约为380iF，这表明电介质氧化薄膜20的表面已经涂上了足够的聚己烷噻吩。
而且，当通过连接提供于屏蔽带状线装置各个末端的两对电极引导端11、12、41和42到网络分析器来测量功率传输特征S21时，发现S21在100kHz到100MHz的频率范围内最多是-60dB，在频率为1GHz时最多是-40dB。因此能够知道当用于高速数字电路的功率去偶装置与现有电容器相比较时，本实施例的屏蔽带状线装置具有非常出色的性能。
现在介绍本发明的第十五个实施例。此第十五个实施例是一个示于图6中的屏蔽带状线装置的制造方法实施例。
首先，在玻璃容器中准备好含有十二烷基苯硫酸铁质量浓度为10％的乙醇溶液。然后结合完成第八个实施例中的适于形成电介质氧化薄膜20的操作，把铝薄片浸入其中，然后从此溶液中取出。然后把铝薄片在室温下放置于空气中30分钟烘干，并把铝薄片浸入到含有乙烯基二羟基噻吩质量浓度为50％的水性溶液中，随后从中取出，并且放置于空气中30分钟以便使乙烯基二羟基噻吩聚合。其后，用水和乙醇冲洗铝薄片，并且在温度为80℃的环境下烘干。在把这些操作程序重复，比如四遍之后，就获得了铝薄片(电子管金属板10)，其中电介质氧化物薄膜20由导电聚合体层31覆盖。此导电聚合体层31包括具有十二烷基苯硫酸作为掺杂剂的聚乙烯二羟基噻吩。
然后通过如第一个实施例中相同的方法形成导电层30，以便把在其上已经形成导电聚合体层31(聚乙烯二羟基噻吩)的铝薄片的一部分包围。然后把包括铜薄片的金属板40附着在上面，并且金属板40的各个末端被安排作为阴极引导端41和42。其后，通过第八实施例中的方法溶解掩膜树脂，并且附着上阳极引导端11和12。
当使用包括铝薄片的电子管金属板10作为阳极，包括铜薄片的金属板40作为阴极来测量由此获得的屏蔽带状线装置的电容时，会发现对于一定频率的电容，比如120Hz的电容大约为380μF，这表明电介质氧化薄膜20的表面已经涂上了足够的聚乙烯二羟基噻吩。
而且，当通过连接提供于屏蔽带状线装置各个末端的两对电极引导端11、12、41和42到网络分析器来测量功率传输特征S21时，发现S21在1MHz到100MHz的频率范围内最多是-60dB，在频率为1GHz时最多是-40dB。因此能够知道当用于高速数字电路的功率去偶装置与现有电容器相比较时，本实施例的屏蔽带状线装置具有非常出色的性能。
现在介绍本发明的第十六个实施例。此第十六个实施例是一个示于图6中的屏蔽带状线装置的制造方法实施例。
首先，在玻璃容器中准备好含有十二烷基苯硫酸铁质量浓度为30％的甲醇溶液，并将其冷却到温度为-50℃。然后把吡咯滴注到此溶液中，直到其质量浓度变为6％，并且在保持溶液温度为-50℃时，搅拌溶液以便使吡略混合。然后结合完成第八个实施例中的适于形成电介质氧化薄膜20的操作，把此溶液滴注到铝薄片的没有掩盖的区域上，然后把铝薄片放置在室温下60分钟。其后，通过用水和乙醇冲洗，并且在温度为80℃的环境下烘干，就获得了铝薄片，其中电介质氧化物薄膜20的表面由导电聚合体层31覆盖。此导电聚合体层31包括具有十二烷基苯硫酸作为掺杂剂的聚吡咯。
然后通过如第八个实施例中相同的方法形成导电层30，以便把在其上已经形成导电聚合体层31(聚吡咯)的铝薄片的一部分包围。然后把包括铜薄片的金属板40附着在上面，并且金属板40的各个末端被安排作为阴极引导端41和42。其后，通过第八实施例中的方法溶解掩膜树脂，并且附着上阳极引导端11和12。
当使用包括铝薄片的电子管金属板10作为阳极，包括铜薄片的金属板40作为阴极来测量由此获得的屏蔽带状线装置的电容时，会发现对于一定频率的电容，比如120Hz的电容大约为375μF，这表明电介质氧化薄膜20的表面已经涂上了足够的聚吡咯。
而且，当通过连接提供于屏蔽带状线装置各个末端的两对电极引导端11、12、41和42到网络分析器来测量功率传输特征S21时，发现S21在1MHz到100MHz的频率范围内最多是-60dB。因此能够知道当用于高速数字电路的功率去偶装置与现有电容器相比较时，本实施例的屏蔽带状线装置具有非常出色的性能。
现在介绍本发明的第十七个实施例。图12A到图12G是按操作次序表示了示于图6中的屏蔽带状线装置的制造方法。
如图12A所示，准备了一个具有方C形状金属薄片的电子管金属板10，并且如图12B所示，在接近已经被弯曲成一个方C形状的金属薄片的各个末端处，提供绝缘物质60。这些绝缘物质60防止在接下来的过程中溶液的蠕动。
下一步，如图12C所示，一个包含质量浓度为5％的水性銨硼酸盐溶液80的容器，直流电源70准备好用于在电子管金属板10的表面上形成电介质氧化物薄膜20，并且DC电源70的阴极连接到水性銨硼酸盐溶液80，阳极71连接到电子管金属板10，并且应用直流电压来执行阳极形成。在此过程中，把电子管金属板10的一部分浸入到水性銨硼酸盐溶液80中，其中此部分位于在图中低于绝缘物质60的位置。结果，在电子管金属板10的表面上形成电介质氧化物薄膜20。
然后如图12E所示，把在其上已经形成电介质氧化物薄膜20的电子管金属板10浸入到溶液90中，用于形成导电物质。结果，如图12F所示，在电介质氧化物薄膜20的表面上形成导电层30。最后，如图12G所示，通过把金属板40附着在导电物质30的表面，就完成了屏蔽带状线装置。
如上面所描述的，通过此发明，能够获得一个屏蔽带状线装置，此装置具有低阻抗，特别是在100MHz高频范围内或者更高时，并且此装置很适合于高速率和高频率，主要用作一个用于噪声过滤的旁路装置或者用作一个去偶装置。
因此本发明提供了这么一个效果，即能够获得一个屏蔽带状线装置，此装置作为用于一个高速数字电路的功率去偶装置比现有技术中的电容器要好。而且，通过弯或者弯曲在一个方向具有薄长形状的电子管金属的各个末端来使电子管金属的形状成为一个方C形状、一个类似楔的形状或者U形状，所提供的效果是屏蔽带状线装置能够简单的通过浸入到用于形成阳极的溶液中或者用于形成导电物质层的溶液中。

Claims (15)

1.一种屏蔽带状线装置包括：
一个由电子管金属形成的金属构件，其中高频电流流过此金属构件，并且与高频电流流过的方向成直角的横截面形状在所述电流方向实际上是恒定的；
一个形成在此金属构件表面上的电介质氧化薄膜；和
一个导电层，用于插入电介质氧化层及包围金属构件之间。
2.如权利要求1中所述的屏蔽带状线装置，其特征在于所示横截面形状是矩形。
3.如权利要求1中所述的屏蔽带状线装置，其特征在于所示横截面形状是圆形。
4.如权利要求1中所述的屏蔽带状线装置，其特征在于所示横截面形状是环形。
5.如权利要求1中所述的屏蔽带状线装置，具有位于所述电子管金属构件不同位置上的一对第一电极引导端。
6.如权利要求1至5中所述的屏蔽带状线装置，其特征在于所述导电层包括一个导电聚合体层。
7.如权利要求6中所述的屏蔽带状线装置，其特征在于所述导电聚合体是从聚吡咯、聚噻吩和聚苯胺组成的群中选取的一种或多种化合物，或者是一种上述一种化合物或多种化合物的衍生物。
8.如权利要求6或7中所述的屏蔽带状线装置，其特征在于所述导电层包括放置在所述电介质氧化薄膜上的所述导电聚合体层，和形成在所述导电聚合体层上的导电粘贴层。
9.如权利要求8中所述的屏蔽带状线装置，其特征在于金属板被附着在上述导电粘贴层上。
10.如权利要求9中所述的屏蔽带状线装置，相对应于所述一对第一电极引导端，具有位于所述金属板上的一对第二电极引导端。
11.如权利要求1至10中所述的任何一种屏蔽带状线装置，其特征在于所述电子管金属是从铝、钽和铌组成的群中选取的一种金属。
12.如权利要求5至11中所述的任何一种屏蔽带状线装置，其特征在于形成所述电子管金属构件来作为一个具有一定形状的平面板或者薄片，其特征在于在所述平面板或薄片的平面内的相同方向弯或者弯曲一对相互面对的端部，并且相对应于所述的一对末端，提供所述的一对第一电极引导端。
13.如权利要求5至11中所述的任何一种屏蔽带状线装置，其特征在于形成所述电子管金属构件来作为一个具有一定形状的平面板或者薄片，其中在从所述平面板或薄片的主平面的相同方向凸起一对相互面对的端部，并且相对应于所述的一对末端，提供所述的一对第一电极引导端。
14.如权利要求5至11中所述的任何一种屏蔽带状线装置，其特征在于所述电子管构件具有圆柱或者柱体形状。
15.一种屏蔽带状线装置的制造方法包括的步骤为：
使用具有一定形状由电子管金属形成的金属构件，其特征在于在相同的方向弯或者弯曲两末端，并且在所述电子管金属构件的每一个所述末端附近，提供一种绝缘物质；
通过化学转化处理，在位于所述绝缘物质之间的所述电子管金属构件的表面区域形成一个电介质氧化薄膜，其中化学转化处理是通过把所述电子管金属构件的所述区域浸入到用于化学转化的一种氧化剂中去；
通过把位于所述绝缘物质层之间的所述电子管金属构件区域浸入到一种聚合电解液中，在所述电介质氧化薄膜上形成一导电物质层；及
把金属板附着到所述导电层上。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102324295A (zh) * 2006-10-16 2012-01-18 日本电气株式会社 螺旋电容器制造方法

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200409153A (en) * 2002-09-04 2004-06-01 Nec Corp Strip line element, printed circuit board carrying member, circuit board, semiconductor package and method for forming same
US7319599B2 (en) * 2003-10-01 2008-01-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module incorporating a capacitor, method for manufacturing the same, and capacitor used therefor
JP4343652B2 (ja) * 2003-11-07 2009-10-14 Ｔｄｋ株式会社 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサデバイス
JP4392237B2 (ja) * 2003-12-26 2009-12-24 ローム株式会社 固体電解コンデンサ
JP4240385B2 (ja) * 2004-02-03 2009-03-18 Ｎｅｃトーキン株式会社 表面実装型コンデンサ
JP4126021B2 (ja) * 2004-02-05 2008-07-30 ローム株式会社 固体電解コンデンサ
US7450366B2 (en) * 2004-02-27 2008-11-11 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor
US7551424B2 (en) * 2004-03-30 2009-06-23 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor
US7342775B2 (en) * 2004-04-23 2008-03-11 Kemet Electronics Corporation Fluted anode with minimal density gradients and capacitor comprising same
US7116548B2 (en) * 2004-04-23 2006-10-03 Kemet Electronics Corporation Fluted anode with minimal density gradients and capacitor comprising same
US20050237698A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 Postage Bradley R Reduced ESR through use of multiple wire anode
JP2006165415A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Rohm Co Ltd 固体電解コンデンサ
US8414962B2 (en) 2005-10-28 2013-04-09 The Penn State Research Foundation Microcontact printed thin film capacitors
JP4626556B2 (ja) * 2006-03-31 2011-02-09 Ｔｄｋ株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US7211740B1 (en) 2006-04-28 2007-05-01 Kemet Electronics Corporation Valve metal electromagnetic interference filter
JP4662368B2 (ja) * 2006-06-22 2011-03-30 Ｎｅｃトーキン株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
KR100827620B1 (ko) * 2006-07-10 2008-05-07 삼성전기주식회사 임프린트법을 이용한 인쇄회로기판의 제조방법
WO2008039197A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Nippon Chemi-Con Corporation Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same
US20100134956A1 (en) * 2006-09-29 2010-06-03 Nippon Chemi-Con Corporation Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same
US7557049B2 (en) * 2006-10-30 2009-07-07 Nitto Denko Corporation Producing method of wired circuit board
US20080102609A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Nitto Denko Corporation Method for producing a wired circuit board
WO2008108350A1 (ja) * 2007-03-08 2008-09-12 Nec Corporation 容量素子、プリント配線基板、半導体パッケージ及び半導体回路
US7764498B2 (en) * 2007-09-24 2010-07-27 Sixis, Inc. Comb-shaped power bus bar assembly structure having integrated capacitors
KR101552746B1 (ko) * 2008-04-22 2015-09-11 도요 알루미늄 가부시키가이샤 알루미늄 전해 컨덴서용 전극재 및 그의 제조 방법
CN103563028B (zh) 2011-05-26 2017-10-27 东洋铝株式会社 用于铝电解电容器的电极材料及其制造方法
JP5769528B2 (ja) 2011-07-15 2015-08-26 東洋アルミニウム株式会社 アルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法
JP6073255B2 (ja) 2012-02-10 2017-02-01 東洋アルミニウム株式会社 アルミニウム電解コンデンサ用電極材の製造方法
US9269499B2 (en) 2013-08-22 2016-02-23 Avx Corporation Thin wire/thick wire lead assembly for electrolytic capacitor
US10644304B2 (en) * 2014-03-31 2020-05-05 Technion Research & Development Foundation Limited Method for passive metal activation and uses thereof
TWI583620B (zh) * 2015-06-09 2017-05-21 A Method for Making Micron Welded Copper Wire with Oxidation and Etching of Copper
JP2017054757A (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 オムロン株式会社 磁気シールド構造
CN105609906B (zh) * 2015-11-10 2018-02-06 东南大学 基于二阶混合谐振器的带通滤波器
US10497635B2 (en) 2018-03-27 2019-12-03 Linear Technology Holding Llc Stacked circuit package with molded base having laser drilled openings for upper package
CN114846571A (zh) * 2019-12-24 2022-08-02 松下知识产权经营株式会社 电解电容器及其制造方法
US11844178B2 (en) * 2020-06-02 2023-12-12 Analog Devices International Unlimited Company Electronic component
US11894200B2 (en) * 2020-09-23 2024-02-06 KYOCERA AVX Components Corporation Low inductance electrolytic capacitor
US11744021B2 (en) 2022-01-21 2023-08-29 Analog Devices, Inc. Electronic assembly

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3611051A (en) * 1970-03-13 1971-10-05 Sprague Electric Co Feed-through, electrolytic, book capacitor
JPS58130601A (ja) 1982-01-28 1983-08-04 Fujitsu Ltd 同軸回路
JP2631896B2 (ja) 1989-06-30 1997-07-16 日東電工株式会社 固体電解コンデンサー及びその製造方法
JPH0456445A (ja) 1990-06-25 1992-02-24 Mitsubishi Electric Corp ネットワークシステム試験方式
JPH0541337A (ja) 1991-08-02 1993-02-19 Shinei Kk 固体電解コンデンサの製造方法
JPH0653046A (ja) 1992-07-27 1994-02-25 Mitsubishi Materials Corp ノイズフィルタ
JP2580980B2 (ja) * 1993-10-20 1997-02-12 日本電気株式会社 タンタル固体電解コンデンサ及びその製造方法
GB2326766A (en) * 1996-03-06 1998-12-30 Central Research Lab Ltd Apparatus for blocking unwanted components of a signal
JPH1140915A (ja) * 1997-05-22 1999-02-12 Nec Corp プリント配線板
US6185091B1 (en) * 1998-02-09 2001-02-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Four-terminal capacitor
JP4993800B2 (ja) * 1999-06-15 2012-08-08 キャラハン セルラー エルエルシー 電子部品
JP3667158B2 (ja) * 1999-06-30 2005-07-06 京セラ株式会社 ストリップライン共振器
JP2001068381A (ja) 1999-08-31 2001-03-16 Nec Corp 固体電解コンデンサ素子
US6504705B2 (en) * 2000-10-12 2003-01-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrolytic capacitor, circuit board containing electrolytic capacitor, and method for producing the same
US6590762B2 (en) * 2001-08-06 2003-07-08 Intel Corporation Layered polymer on aluminum stacked capacitor
US6587327B1 (en) * 2002-05-17 2003-07-01 Daniel Devoe Integrated broadband ceramic capacitor array

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102324295A (zh) * 2006-10-16 2012-01-18 日本电气株式会社 螺旋电容器制造方法
CN102324295B (zh) * 2006-10-16 2013-04-03 日本电气株式会社 螺旋电容器制造方法

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