JPS58130601A - 同軸回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）　　発明の技術分野 本発明は超高周波回路における同軸回路の改良に関する
。

（２）技術の背景 通信装置等におけるマイクロ波帯乃至はミリ波帯に使用
される立体回路で、回路内部に装着される回路素子にバ
イアスとしての直流電流或いは中間周波数などの信号電
流を同軸回路でもって印加、導入出するための電線路を
構成することが行われる。

この場合、同軸回路を構成する内部導体（中心導体）に
円板状の大径部を所定に設は超讐周波のＦ波・整合・終
端等の機能をもたせる。

（勾　従来技術と問題点 従来例えば第１図の要部側断面図に示し丸見振器におい
ては、方形導波管ｌの内部底面に設けた台座２の中央に
固体発振素子（ガン・ダイオード・インバットダイオー
ド等）３が載置され、この素子３の上方導波管１の上面
には同軸回路番が設けられている。

同軸回路４は外部導体５が導波管の上面と一体に形成さ
れて孔６が導波管内面に連なっている。

同軸回路の内部導体８はその要部に所足の大径部９が円
板状乃至円柱状に一一形成されており、超燭周波を阻止
する低域通過Ｐａ器が構成されており、その内部下方先
端は発振素子３に接続し、上部外方熾は線路接続熾子マ
となっている〇 大径部９の外周面は外部導体５と接するが、この面は誘
電体でもって絶縁被膜１２が形成されていなければなら
ず、この九め［２Ｗ４に示したように内部導体が構成さ
れる。絶縁被膜１２は高周波の損失を少なくするため厚
シの薄いことが好ましく、誘電性絶縁体被膜１２が塗布
によシ、或いは化成膜によって形成される。

塗布による被膜形成は一般的であるが均一な薄膜とする
のが瘤しく良好な絶縁が得られない。

均質で薄い被膜の得られる化成膜については例えば中心
導体を所定外径のアルミニウム材九棒として、その外面
に陽極酸化（アルマイト）法によって酸化被膜層を形成
し、次いで所定の細径に加工して中心導体部分を作や、
第２図の形状とすることが行われる。ｔｉは所要形状と
したものの大径部外周以外をマスクし、露出部分に陽極
酸化被膜を施した後にマスクを除去する。この場合元の
外径は陽極酸化被膜の形成後外部導体内径に適合する寸
法に定められる。

以上のようであるから処理後の内部導体ポストの再加工
が必要で製作は容易でなく、ミ’Ｊ波帯域用ともなれば
内部導体の素子側先端部側はその直径が例えば０２■ｌ
！度となることもあり、アルオニウム材などではその加
工が極めて困難である。

（Ｑ　発明の目的 本発明は上記問題点く鑑み、内部導体側に絶縁被膜を設
けることなく製造の容易でかつ安定な絶縁被膜の得られ
る同軸回路の提供を目的とする。

（５）　　発明の構成 このため、本発明は回路素子への電線路機能を具える同
軸回路において、該同軸の外部導体内部に、内部導体と
一体に設けられる大径部の外周と接し、かつその表面に
絶縁被膜の施きれた円筒体を介在せしめてなる同軸回路
で目的が達せられる。

（６）発明の実施例 以下本発明の実施例につき図面を参照して説明する。

第３図は本発明にかかる同軸回路の一実施例の発振器を
示す要部側断面図である。

方形導波管２１の内部底面に設けられた台座２２の中央
に固体発振素子（ガンダイオード・インバットダイオー
ド等）３が載置され、この素子３の上方導波管２１の上
面には同軸回路が設けられている。

同軸回路の内部導体２３はその要部に所定の大径部２４
が円板状乃至円柱状に一体形成されており、超高周波に
対して低域Ｆ波器が構成され、内部導体２３の内部Ｆ刃
先端は導波管内に延長して発振素子３に接触接続し、上
部外方端は線路接続端２７となっている。この内部導体
は全体が金属で一体に精度よく形成され必要に応じて導
電性と耐腐食性の向上のため外面は金１７つきが施され
る。

外部導体２８は導波管２１の上面に一体に形成された円
筒状の支持体２９の内部に第４図に示した円筒体３０が
挿入固定されてなる。この円筒体３０は同軸回路の外部
導体内径孔３１と、支持体２９の孔３２に嵌り合う外径
３３を有し、長ζは導波管２１の内面と一致し支持体２
９の外端面と１１ぼ一致する長さである。そしてこの円
筒体３０はアルミニウム材からなり、その表面、即ち孔
３１の表面、外周３３及び両端面の全てに均一な所定厚
さの陽極酸住処Ｊｉ破膜の電気絶縁体である薄膜層３４
が形成されている。

従って支持体２９に正大保持される円筒体二５０は内部
導体２３の大径部２４に対して絶縁被膜３４を介して接
することになる。従って端子２フに図示しないバイアス
電源からの直流バイアス電流の印加は外部導体２Ｂには
絶縁状態で素子３に内部導体２３によって印加される。

本発明による同軸回路は上記実施例以外に支持体２９の
下方を所定の外部導体孔径と同一の小径とした段部を設
け、この段部に円筒体３０の端面を当接させ、少なくも
内部導体２３の大径部２４が円筒体３０と接するように
したことであってもよく、方形導波管との組合せになる
同軸回路以外の同軸回路のみによる発振器等にも応用実
施し得る。

また素子も発振器素子に限らず、受信用の波器て本発明
は対応し得るものである。

（））発明の効果 以上説明したように、本発明になる同軸回路は複雑な内
部導体側は絶縁処理を要せず外部導体側を極めて単純々
形状とし、二次加工を要しないで絶縁被膜を形成するよ
うＫし九ものであるから均質で精度のよい絶縁が得られ
る・ 本発明の被膜はアルミニウム材の陽極酸化被膜処理に限
らず他の材料１例えば鋼、銅合金等であってもよく、窒
化物被膜、硫化物破膜、その他の化成処理による絶縁被
膜にて応用実施し得ることである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の発振器の要部側断面、第２図は第１図の
内部導体の側面図、第３図は本発明の一実施例にかかる
発振器の要部側断面図、第４図は＠３図の外部導体の円
筒体を示す。 図中２１は導波管、３は素子、２３は内部導体、２４は
大径部、３０は円筒体、３１は孔、３３は外周、３４は
被膜である。 躬１回　　　　　［ｄ ！ 峯３　目

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 回路素子への電線路機能會具える同軸回路において、該
   同軸の外部導体内部に、内部導体と一体に設けられる大
   径部の外周と接し、かつその表面に絶縁被膜の施された
   円筒体を介在せしめてなる同軸回路。