JPS607741A - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

Info

Publication number
JPS607741A
JPS607741A JP11551383A JP11551383A JPS607741A JP S607741 A JPS607741 A JP S607741A JP 11551383 A JP11551383 A JP 11551383A JP 11551383 A JP11551383 A JP 11551383A JP S607741 A JPS607741 A JP S607741A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating substrate
heat dissipating
dissipating plate
metal layer
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11551383A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0354470B2 (ja
Inventor
Yoshiaki Matsumae
松前 義昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP11551383A priority Critical patent/JPS607741A/ja
Publication of JPS607741A publication Critical patent/JPS607741A/ja
Publication of JPH0354470B2 publication Critical patent/JPH0354470B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H01L2924/1617Cavity coating

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高周波用途の放熱板付混成集積回路(以下混
成ICと呼ぶ)の電気的シールド構造に関するものであ
る◎ ゛ 一般に、混成ICは、内部で発生した高周波による
外部回路への電気的影響や、外部からの電気的影響が大
きく、これらの電気的形#を防ぐために金属容器が使用
される。しかし、最近では一ローコストの混成ICが要
求されるため、金属容器から樹脂容器の混成ICが主流
となっている。樹脂容器の混成ICでは、高周波による
電気的影響を防ぐことができないため、混成ICの周り
を金属板等を用いて電気的に遮蔽する必要があった・第
1図は、従来の一般的な樹脂容器を用いた混成ICの断
面図でおる。図において、絶縁基板1は導電性の接地用
および放熱用の放熱板4の上面に電気的、機械的に接続
され、放熱板4と樹脂容器5によって封止されている。
絶縁基板】の上面と樹脂容器50間は、混成ICの主要
部分となる能動回路素子2および受動回路素子3が絶縁
基板1の上に形成組合わされるための空洞となっている
第1図の様な構造では、高周波成分が樹脂容器5を透し
て外部と電気的影響を及ぼし合うことはまぬがれない。
電気的影響を防止するためには、金属板等を用いた電気
的遮蔽をすればよいが、その分、コスト増を米たし、樹
脂容器封止の意味がなくなる。
本発明の目的は、樹脂容器であっても、外部から受ける
電気的影響および外部へ及ぼす電気的影響をなくした低
価格の混成集積回路装置を提供するにある〇 不発明の混成集積回路装置では、能動および受動回路素
子が形成組合せられた絶縁基板の下面を良導電性の放熱
板に密着させ、さらに、前記絶縁基板の上に樹脂容器を
かぶせて封着してなるものであシ、かつ、前記樹脂容器
の内面は前記放熱板に電気接続された導電金属層によっ
て被われている構成を有する。
このような本発明によれば、樹脂容器であっても、絶縁
基板上の回路素子を、樹脂容器の内面の金属層と放熱板
で包んでいるので、外部から受ける電気的影響および外
部へ及ぼす電気的影響が防止され、よって、電波障害の
ない低価格の混成集積回路が得られる@ つぎに本発明を実施例により説明する。
第2図は本発明の一実施例の断面図である。図において
、第1図の従来例と同様に、絶縁基板1の下面は放熱板
4の上面に密着され、絶、繰基板lの上に箱形の樹脂容
器6をかぶせて、放熱板4との間で内部を密封している
・但し・樹脂容器6は、第1図の樹脂容器4と違って、
円面には導電性の金属層7が形成され、この金属層は封
着部で放熱板4と電気接続されている。
したがって、不発明では、絶縁基板上の回路素子は放熱
板と容器内面の金騙層によりてすっぽりと包まれて完全
な遮蔽状態となり、内外の間の高周波の影響は及ぼし合
わなくなる・なお、樹脂容器内面の金属層は、メッキ、
蒸着などによって被着形成されるので、金属板により遮
蔽するのに比べはるかに低コストでできる利点がある。
よって、樹脂容器でもって、かつ、遮蔽効果を付与した
混成ICが低コストで供給される。なお、金属層はメツ
、゛シュ状でも同様の効果が得られる0
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の混成集積回路装置の断面図、第2図は不
発明の一実施例の断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 能動および受動回路素子が形成組合わされた絶縁基板の
    下面を良導電性の放熱板に密着させ、さらに前記絶縁基
    板の上に樹脂容器をかぶせて封着してなる混成集積回路
    装置において、前記樹脂容器の内面は前記放熱板と電気
    接続されている導電金属層によって被われていることを
    特徴とする混成集積回路装置。
JP11551383A 1983-06-27 1983-06-27 混成集積回路装置 Granted JPS607741A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11551383A JPS607741A (ja) 1983-06-27 1983-06-27 混成集積回路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11551383A JPS607741A (ja) 1983-06-27 1983-06-27 混成集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS607741A true JPS607741A (ja) 1985-01-16
JPH0354470B2 JPH0354470B2 (ja) 1991-08-20

Family

ID=14664378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11551383A Granted JPS607741A (ja) 1983-06-27 1983-06-27 混成集積回路装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS607741A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0209642A2 (en) * 1985-07-25 1987-01-28 Hewlett-Packard Company Ceramic microcircuit package
US5791164A (en) * 1996-06-17 1998-08-11 Milliken Research Corporation Outdoor sporting fabric
US7002803B2 (en) 2002-02-27 2006-02-21 Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. Electronic product with heat radiating plate

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6692700B2 (en) 2001-02-14 2004-02-17 Handylab, Inc. Heat-reduction methods and systems related to microfluidic devices

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0209642A2 (en) * 1985-07-25 1987-01-28 Hewlett-Packard Company Ceramic microcircuit package
EP0209642A3 (en) * 1985-07-25 1987-04-15 Hewlett-Packard Company Ceramic microcircuit package
US5791164A (en) * 1996-06-17 1998-08-11 Milliken Research Corporation Outdoor sporting fabric
US7002803B2 (en) 2002-02-27 2006-02-21 Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. Electronic product with heat radiating plate

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0354470B2 (ja) 1991-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5371404A (en) Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding
KR100590382B1 (ko) 전자 패키지 및 이의 제조 방법
JP3982876B2 (ja) 弾性表面波装置
TWI605564B (zh) 封裝結構及其製法
CN206835541U (zh) 板级屏蔽件、电子装置、系统级封装模块和屏蔽模块
US20030151122A1 (en) Semiconductor device and method of isolating circuit regions
US10553954B2 (en) Wireless device
US5831324A (en) Electromagnetic wave suppression method in a semiconductor manufacturing process
JPS607741A (ja) 混成集積回路装置
JPS6286841A (ja) 高周波混成集積回路
JPH08204377A (ja) 遮蔽体
JPH1187977A (ja) ケーシング内に配列された電気回路構成
US3193707A (en) Radio frequency shielded controlled rectifier
WO2002043135A1 (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JP2003031987A (ja) 電磁界遮蔽キャップ
JPH1140709A (ja) 半導体実装構造およびその製造方法
JP2000183488A (ja) ハイブリッドモジュール
JPH09252191A (ja) 回路基板装置
JP2002158317A (ja) 低ノイズ放熱icパッケージ及び回路基板
JP2000165086A (ja) 電子部品容器
JP3127645B2 (ja) パッケージ構造
EA001814B1 (ru) Однокристальный модуль интегральной схемы
JPH0412035B2 (ja)
JPH03179796A (ja) ハイブリッド集積回路
WO2019207657A1 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法