JPH0354470B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0354470B2 JPH0354470B2 JP11551383A JP11551383A JPH0354470B2 JP H0354470 B2 JPH0354470 B2 JP H0354470B2 JP 11551383 A JP11551383 A JP 11551383A JP 11551383 A JP11551383 A JP 11551383A JP H0354470 B2 JPH0354470 B2 JP H0354470B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin container
- heat sink
- insulating substrate
- hybrid
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
- H01L2924/1617—Cavity coating
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高周波用途の放熱板付混成集積回路
（以下混成ICと呼ぶ）の電気的シールド構造に関
するものである。
（以下混成ICと呼ぶ）の電気的シールド構造に関
するものである。
一般に、混成ICは、内部で発生した高周波に
よる外部回路への電気的影響や、外部からの電気
的影響が大きく、これらの電気的影響を防ぐため
に金属容器が使用される。しかし、最近では、ロ
ーコストの混成ICが要求されるため、金属容器
から樹脂容器の混成ICが主流となつている。樹
脂容器の混成ICでは、高周波による電気的影響
を防ぐことができないため、混成ICの周りを金
属板等を用いて電気的に遮蔽する必要があつた。
よる外部回路への電気的影響や、外部からの電気
的影響が大きく、これらの電気的影響を防ぐため
に金属容器が使用される。しかし、最近では、ロ
ーコストの混成ICが要求されるため、金属容器
から樹脂容器の混成ICが主流となつている。樹
脂容器の混成ICでは、高周波による電気的影響
を防ぐことができないため、混成ICの周りを金
属板等を用いて電気的に遮蔽する必要があつた。
第１図は、従来の一般的な樹脂容器を用いた混
成ICの断面図である。図において、絶縁基板１
は導電性の接地用および放熱用の放熱板４の上面
に電気的、機械的に接続され、放熱板４と樹脂容
器５によつて封止されている。絶縁基板１の上面
と樹脂容器５の間は、混成ICの主要部分となる
能動回路素子２および受動回路素子３が絶縁基板
１の上に形成組合わされるための空洞となつてい
る。
成ICの断面図である。図において、絶縁基板１
は導電性の接地用および放熱用の放熱板４の上面
に電気的、機械的に接続され、放熱板４と樹脂容
器５によつて封止されている。絶縁基板１の上面
と樹脂容器５の間は、混成ICの主要部分となる
能動回路素子２および受動回路素子３が絶縁基板
１の上に形成組合わされるための空洞となつてい
る。
第１図の様な構造では、高周波成分が樹脂容器
５を透して外部と電気的影響を及ぼし合うことは
まぬがれない。電気的影響を防止するためには、
金属板等を用いた電気的遮蔽をすればよいが、そ
の分、コスト増を来たし、樹脂容器封止の意味が
なくなる。
５を透して外部と電気的影響を及ぼし合うことは
まぬがれない。電気的影響を防止するためには、
金属板等を用いた電気的遮蔽をすればよいが、そ
の分、コスト増を来たし、樹脂容器封止の意味が
なくなる。
本発明の目的は、樹脂容器であつても、外部か
ら受ける電気的影響および外部へ及ぼす電気的影
響をなくした低価格の混成集積回路装置を提供す
るにある。
ら受ける電気的影響および外部へ及ぼす電気的影
響をなくした低価格の混成集積回路装置を提供す
るにある。
本発明の混成集積回路装置では、能動および受
動回路素子が形成組合せられた絶縁基板の下面を
良導電性の放熱板に密着させ、さらに、前記絶縁
基板の上に樹脂容器をかぶせて封着してなるもの
であり、かつ、前記樹脂容器の内面は前記放熱板
に電気接続された導電金属層によつて被われてい
る構成を有する。
動回路素子が形成組合せられた絶縁基板の下面を
良導電性の放熱板に密着させ、さらに、前記絶縁
基板の上に樹脂容器をかぶせて封着してなるもの
であり、かつ、前記樹脂容器の内面は前記放熱板
に電気接続された導電金属層によつて被われてい
る構成を有する。
このような本発明によれば、樹脂容器であつて
も、絶縁基板上の回路素子を、樹脂容器の内面の
金属層と放熱板で包んでいるので、外部から受け
る電気的影響および外部へ及ぼす電気的影響が防
止され、よつて、電波障害のない低価格の混成集
積回路が得られる。
も、絶縁基板上の回路素子を、樹脂容器の内面の
金属層と放熱板で包んでいるので、外部から受け
る電気的影響および外部へ及ぼす電気的影響が防
止され、よつて、電波障害のない低価格の混成集
積回路が得られる。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第２図は本発明の一実施例の断面図である。図
において、第１図の従来例と同様に、絶縁基板１
の下面は放熱板４の上面に密着され、絶縁基板１
の上に箱形の樹脂容器６をかぶせて、放熱板４と
の間で内部を密封している。但し、樹脂容器６
は、第１図の樹脂容器４と違つて、内面には導電
性の金属層７が形成され、この金属層は封着部で
放熱板４と電気接続されている。
において、第１図の従来例と同様に、絶縁基板１
の下面は放熱板４の上面に密着され、絶縁基板１
の上に箱形の樹脂容器６をかぶせて、放熱板４と
の間で内部を密封している。但し、樹脂容器６
は、第１図の樹脂容器４と違つて、内面には導電
性の金属層７が形成され、この金属層は封着部で
放熱板４と電気接続されている。
したがつて、本発明では、絶縁基板上の回路素
子は放熱板と容器内面の金属層によつてすつぽり
と包まれて完全な遮蔽状態となり、内外の間の高
周波の影響は及ぼし合わなくなる。なお、樹脂容
器内面の金属層は、メツキ、蒸着などによつて被
着形成されるので、金属板により遮蔽するのに比
べはるかに低コストでできる利点がある。よつ
て、樹脂容器でもつて、かつ、遮蔽効果を付与し
た混成ICが低コストで供給される。なお、金属
層はメツシユ状でも同様の効果が得られる。
子は放熱板と容器内面の金属層によつてすつぽり
と包まれて完全な遮蔽状態となり、内外の間の高
周波の影響は及ぼし合わなくなる。なお、樹脂容
器内面の金属層は、メツキ、蒸着などによつて被
着形成されるので、金属板により遮蔽するのに比
べはるかに低コストでできる利点がある。よつ
て、樹脂容器でもつて、かつ、遮蔽効果を付与し
た混成ICが低コストで供給される。なお、金属
層はメツシユ状でも同様の効果が得られる。
第１図は従来の混成集積回路装置の断面図、第
２図は本発明の一実施例の断面図である。 １……絶縁基板、２……能動回路素子、３……
受動回路素子、４……放熱板、５，６……樹脂容
器、７……容器内面の金属層。
２図は本発明の一実施例の断面図である。 １……絶縁基板、２……能動回路素子、３……
受動回路素子、４……放熱板、５，６……樹脂容
器、７……容器内面の金属層。
Claims (1)
- １ 能動および受動回路素子が形成組合わされた
絶縁基板の下面を良導電性の放熱板に密着させ、
さらに前記絶縁基板の上に樹脂容器をかぶせて封
着してなる混成集積回路装置において、前記樹脂
容器の内面は前記放熱板と電気接続されている導
電金属層によつて被われていることを特徴とする
混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11551383A JPS607741A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11551383A JPS607741A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607741A JPS607741A (ja) | 1985-01-16 |
| JPH0354470B2 true JPH0354470B2 (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=14664378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11551383A Granted JPS607741A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607741A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9051604B2 (en) | 2001-02-14 | 2015-06-09 | Handylab, Inc. | Heat-reduction methods and systems related to microfluidic devices |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0209642A3 (en) * | 1985-07-25 | 1987-04-15 | Hewlett-Packard Company | Ceramic microcircuit package |
| US5791164A (en) * | 1996-06-17 | 1998-08-11 | Milliken Research Corporation | Outdoor sporting fabric |
| JP2003258141A (ja) | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP11551383A patent/JPS607741A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9051604B2 (en) | 2001-02-14 | 2015-06-09 | Handylab, Inc. | Heat-reduction methods and systems related to microfluidic devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS607741A (ja) | 1985-01-16 |
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