JPS604257A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS604257A JPS604257A JP11319983A JP11319983A JPS604257A JP S604257 A JPS604257 A JP S604257A JP 11319983 A JP11319983 A JP 11319983A JP 11319983 A JP11319983 A JP 11319983A JP S604257 A JPS604257 A JP S604257A
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- JP
- Japan
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- semiconductor
- grounded
- semiconductor device
- substrate
- conductive layer
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は電磁輻射に耐性を有する半導体装置に関する。
（ｂｌ 従来技術と問題点
半導体装置はｒｃ、ｔ、ｓｌなどと呼ばれて、半導体素
子を多数形成して；Ｉｓ ｖ１回路化され、電子通信技
術の中枢部品になってきた。
子を多数形成して；Ｉｓ ｖ１回路化され、電子通信技
術の中枢部品になってきた。
一方、電子通信の発展に伴って無数の電波が空中を飛び
交い、お互に通信妨害を起こす問題が生している。また
、ミザイル、飛行機などの兵器に対しては、故かに妨害
を目的にして電磁波を発射させることもある。
交い、お互に通信妨害を起こす問題が生している。また
、ミザイル、飛行機などの兵器に対しては、故かに妨害
を目的にして電磁波を発射させることもある。
しかし、半導体装置は旧来の真空管に比べて、電磁波輻
射に対して耐性が弱く、極めて破壊されやすい部品であ
る。若し強力な電磁波輻射Ｑこより半導体装置が破壊し
動作しなくなると、電子通信システムが麻痺して混乱す
ることば云うまでもない。
射に対して耐性が弱く、極めて破壊されやすい部品であ
る。若し強力な電磁波輻射Ｑこより半導体装置が破壊し
動作しなくなると、電子通信システムが麻痺して混乱す
ることば云うまでもない。
（Ｃ１発明の目的
本発明の目的は、このような電磁波輻射に対し、耐性の
ある半導体装置を提供することにある。
ある半導体装置を提供することにある。
（ｄｌ 発明の構成
その目的は、半導体素子上面に絶縁膜を介して少なくと
も２μｍ以上の接地された導電層が被覆されたことを特
徴とする半導体装置によって達成される。
も２μｍ以上の接地された導電層が被覆されたことを特
徴とする半導体装置によって達成される。
（ｅｌ 発明の実施例
以下２図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は従来の半導体装置の部分断面図を示しており、
半導体基板１上に半一〃体素子２が形成され、表面は絶
縁＋ｔ！Ｘ＋３で被覆されて、部分的に露出させた導電
膜４からボンディングワイヤー５で装置外部に？〃出さ
れている。半導体基板自身は半導体容器（図示せず）に
接着されており、その半導体基板は通′Ｆ；接地された
構造となっている。
半導体基板１上に半一〃体素子２が形成され、表面は絶
縁＋ｔ！Ｘ＋３で被覆されて、部分的に露出させた導電
膜４からボンディングワイヤー５で装置外部に？〃出さ
れている。半導体基板自身は半導体容器（図示せず）に
接着されており、その半導体基板は通′Ｆ；接地された
構造となっている。
且つ、半導体素子は半導体技術の進歩に伴い、益々微弱
な電気信号で動作するようになっており、そのため外部
から少し強力な電磁波のエネルギーが照射されると忽ち
回路動作に狂いが生しる。
な電気信号で動作するようになっており、そのため外部
から少し強力な電磁波のエネルギーが照射されると忽ち
回路動作に狂いが生しる。
従って、本発明は半導体素子が形成された半導体基板の
上面に、接地された導電層を被覆して電磁波エネルギー
が半導体素子を直接照射しないように図るものである。
上面に、接地された導電層を被覆して電磁波エネルギー
が半導体素子を直接照射しないように図るものである。
第２図は本発明にかかる半導体装置の部分断面図を例示
しており、半導体基板１上を被覆した絶縁１戻３の上面
に、更にアルミニウム層１０て被覆して、これを接地す
る。
しており、半導体基板１上を被覆した絶縁１戻３の上面
に、更にアルミニウム層１０て被覆して、これを接地す
る。
ＩＣ，ＬＳＩのような半導体容器は、一般に絶縁体で形
成され、完全に導電体で包囲することはｆｆ１ｆｔ シ
＜ 、特に重要な通信用の半導体装置はセラミック容器
が多い。従って、このようにボンディングワイヤー５で
の導出部を除く上面をアルミニウムＪｉｉｌＯからなる
導電層で被覆すれば、底面の半導体基板１も接地されて
おり、恰もシールドボックスの中に半導体素子が収容さ
れた如くになって、外部からの電磁波輻射を遮蔽するこ
とができる。
成され、完全に導電体で包囲することはｆｆ１ｆｔ シ
＜ 、特に重要な通信用の半導体装置はセラミック容器
が多い。従って、このようにボンディングワイヤー５で
の導出部を除く上面をアルミニウムＪｉｉｌＯからなる
導電層で被覆すれば、底面の半導体基板１も接地されて
おり、恰もシールドボックスの中に半導体素子が収容さ
れた如くになって、外部からの電磁波輻射を遮蔽するこ
とができる。
そのアルミニウム層の膜厚として、厚い程広い波長に亙
って強力なエネルギーを遮蔽する効果が大きくなるが、
かような電磁波輻射に対しては最低２μｍの厚さが必要
である。
って強力なエネルギーを遮蔽する効果が大きくなるが、
かような電磁波輻射に対しては最低２μｍの厚さが必要
である。
上記第２図の実施例では被覆する導電層をアルミニウム
としたが、その他の導電膜例えば銀、金。
としたが、その他の導電膜例えば銀、金。
銅などを用いても良い。
ｆｆ） 発明の効果
以上の説明から判るように、本発明によれば電磁波輻射
に耐性の高い半導体装置が得られて、半導体装置の高信
頼化に著しく役立つものである。
に耐性の高い半導体装置が得られて、半導体装置の高信
頼化に著しく役立つものである。
第１図は従来の半導体装置の部分断面図、第２図は本発
明にかかる半導体装置の部分断面図である。 図中、１は半導体基板、２は半導体素子、３は絶縁膜、
４は導電膜、５はボンディングワイヤー。 １０はアルミニウム層を示しスいる。
明にかかる半導体装置の部分断面図である。 図中、１は半導体基板、２は半導体素子、３は絶縁膜、
４は導電膜、５はボンディングワイヤー。 １０はアルミニウム層を示しスいる。
Claims (1)
- 半導体素子」二面に絶縁膜を介して少なくとも２／１ｍ
以上の接地された導電層が被覆されたことを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11319983A JPS604257A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11319983A JPS604257A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604257A true JPS604257A (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=14606060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11319983A Pending JPS604257A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604257A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034786A (en) * | 1986-08-29 | 1991-07-23 | Waferscale Integration, Inc. | Opaque cover for preventing erasure of an EPROM |
| US5700715A (en) * | 1994-06-14 | 1997-12-23 | Lsi Logic Corporation | Process for mounting a semiconductor device to a circuit substrate |
| US5840599A (en) * | 1989-06-30 | 1998-11-24 | Texas Instruments Incorporated | Process of packaging an integrated circuit with a conductive material between a lead frame and the face of the circuit |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP11319983A patent/JPS604257A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034786A (en) * | 1986-08-29 | 1991-07-23 | Waferscale Integration, Inc. | Opaque cover for preventing erasure of an EPROM |
| US5840599A (en) * | 1989-06-30 | 1998-11-24 | Texas Instruments Incorporated | Process of packaging an integrated circuit with a conductive material between a lead frame and the face of the circuit |
| US5700715A (en) * | 1994-06-14 | 1997-12-23 | Lsi Logic Corporation | Process for mounting a semiconductor device to a circuit substrate |
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