TWI279080B

TWI279080B - Shielded strip line device and method of manufacture thereof

Info

Publication number: TWI279080B
Application number: TW091121550A
Authority: TW
Inventors: Koichiro Masuda; Hirokazu Tohya; Masaharu Satoh
Original assignee: Nec Corp
Priority date: 2001-09-20
Filing date: 2002-09-19
Publication date: 2007-04-11
Also published as: US20030053286A1; US6721171B2; US6873518B2; DE10243795A1; US20040105218A1; CN1411144A; CN100492897C

Description

1279080 、發明說明（1) 【發明背景】 1 · 發明領域蔽條線i型裝署於—種將安裝於電路板或電子基板上的屏型裝置及其製Ϊ及其製造方法，尤其關於一種屏蔽條線路頻，主要用乍^方法’該屏蔽條線路型裝置適合高速與高 ^為雜訊濾波器旁通裝置或電源解耦裝置。

2 ·相關技術之說明隨著科技進步，要 :!而言丄在電源供應 σ错由增高時鐘頻率而 ^是電源供應電路，之著1曰加且彳§號品質減低源解耦裝置之性能的要先前已經開發的用陶曼電谷以及固態電解，有薄金屬膜之複數層各’具有例如組或銘等夕孑匕質成形體作為陽極求更緻密且性能更高的與數位信號處理電路部達成。然而，此造成流高頻率電流增加，導致，因此對雜訊濾波器旁求更嚴格。於高速數位電路之電源電容。陶瓷電容係藉由陶瓷材料所形成，而固等的閥作用金屬（valve 、此多孔質成形體之氧電子設備。之開關中，過電路，尤電磁輻射顯通裝置與電解耦裝置有層疊其上沉態電解電 metal)之化膜作為介日本專利公報第平4-56445號（日本專利申請案公開公民第昭60-37 1 1 4號）為固態電解電容之例子，揭露一種具 ^聚吨洛（poly pyrrole)或其烷基取代型的固態電解電容沉積於介電氧化膜上作為固態電解質。亦且，日本專利申

1279080 五、發明說明（2) 開公報第平3—3551 6號揭露一種固態電解電容，1 ίί本= y=ine)形成於介電氧化膜上作為固態電 ίί比；=:電1電容之製造方法。此等電容皆使用導電丨生比先則電谷尚〗00倍或更高的導電聚合物作解2。因此相較於相同電容值的先前電容而言/、此等^ ’在㈣為m倍或更高之高頻率範圍 =現效果。然而，在超過10別2之高頻率範圍内，此等，t之阻抗急劇增加而無法符合近來作為濾波器與電源解耦裝置要求。逋褒置此時，可用於高頻的濾波器的排列亦受到審查。曰本專利申請案公開公報第平6 — 5304 6號揭露一種表面安裝雜訊濾波器，包含一曲折導體與一接地導體，其中每一個皆，陶瓷介電片所央住。圖i顯示此先前技藝表面安裝濾波白 =,排列之剖面圖。如圖i所示，藉著此先前技藝^二安裝濾波器，分別為矩形的第一介電片i i 〇、第二介電片 120、與第三介電片13〇層疊以形成層疊體153。第一信號，極1 5 1與第二信號電極1 52分別黏附至一對相互面對的^末端面，平行於層疊體1 5 3之層疊方向。言號傳輸的第一内部導體Γ11、第二内部導體 120間。第一内部導體ln連接至第一信號電極151，第二内部導體112連接至第二信號電極152，且曲折導體115連接於第一内部導體丨i丨與第二内部導體丨丨2間。面對著曲折導體115的接地導體125放置於第二導電片120與第三導電

第7頁 1279080 五、發明說明（3) 片1 3 0間，且接妯此等接地電極章導體125連接至一對接地電極（未圖示）。 153之層疊方向勘附至層疊體1 53之末端面中平行於層疊體極151與第二二，一對末端面，其上未黏附有第一信號電 —電容形成—於5曲號電極152。一電感形成於曲折導體115且合電感裝置與電t導體115與接地導體125間。因此形成組有極佳的雜^ u容裝置的雜訊遽波器且因此獲得在高頻具波器，從第Γ特徵之雜訊濾波器。藉著此表面安裝濾部導體1 1 1、&5虎電極1 5 1輸入的電信號經由通過第一内且從第二信_ 體11 5、與第二内部導體112而濾波，乜琥電極152輸出。然而，此弈~ 的具有前述導雷二ί ^具有下列問題。雖然先前記憶所用頻範圍，但_菩^:务作為固態電解質之電容可使用於高會急劇增：：：，在超過10 ΜΗζ之高頻範圍内阻抗鐘頻率之摔作$此^位，路中通常運用的數百ΜΗζ之時實現無論頻率如何；；：：：：；接^號土生電路無法此電容無法符合 1”、、限接近零之特徵。結果，之要求。亦且，雖然已經；：或電源解耗裝置濾波器，但其盔法與锶鈕阳/ Γ用以沩除雜訊的表面安裝性受限制。因 10(5龍ζ或更高的高頻區域十慮波1現低阻抗，尤其在丨【發明概述】本發明之提供一種屏蔽條線路型裝置，其 1279080 五、發明說明（4) 阻抗低，尤其在100 MHz或更高的高頻區 ^ 高速與高頻，主要用作為雜訊濾波器〜，且適合於置。旁通裳置或解轉裝依據本發明之屏蔽條線路型裝置包人一閥作用金屬所形成，高頻電流流經其屬構件，由流流動方向之剖面形狀在該電流方向上 J交於高頻電介電氧化膜，形成於此金屬構件之表面上、焉上固定；一層，設置以夾住該介電氧化膜且二以及一導電本發明藉著使金屬構件具有；；巧構件。狀固定之傳輸線構造，m金屬構件内的】：：向的剖面形勻，甚至當金屬構件内部流動的電流為古2 %形成為均因此使特徵阻抗之頻率依賴性變小。^:益電流時亦然，金屬形成金屬構件，可形成一曰由從一閥作用面上。閥作用金屬係其表金屬構件之表且，藉由提供一導電物質層（導電成層之金屬。更現了具有傳輸線構造形式的一"衣％金屬構件，實電層配置於信號線上方與下線係具有導上方與下方的導電声於[味&/ 且屏蔽條線係此等減少裝置之特徵阻抗。：Π 2的磁通量’因此更加因此實現了；= ϊ化膜與導電層所滤波。前述剖面形狀得為矩阻抗之絕對值亦取決於金屬構=、或孩形。裝置之特徵屬構件之剖面形狀。在前述剖面

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五、發明說明（5) ί矩形之情況中，前述金屬構件之开、四邊形，例如平板开^狀將為矩形的平 ;，金屬構件之::：：柱狀為圓形之情況 ’金屬構件之形狀將為圓柱狀為環形之要為實際的矩形、圓形、或環形。狀别述刮面形狀僅需前述閥作用金屬最妤肖会登叙合金、铲、盥/ 選自於由銘、銘合金、鈕、金魏與銳合金所組成的族群中夕_ #+_ 夕種類的金屬。然:後可藉*氧化 2或=種或更穩定的高介電常數之介電氧化膜。表面而形成均勻並估麯姓，♦ 乳化膜結果，可容易地獲得榀一積效率之穩定的屏蔽條線路型裝置。、士且’前述導體層最好包含一導電聚合物。然後可形緊雄、接觸於形成在金屬構件之表面上的介電層之高導 =導體@至當金屬才籌件之表面經由敍刻等等所擴展 :亦然。因此可容易地獲得能使用至高頻率線路型裝置。开敝保尤其，前述導電聚合物最好包含選自於由聚吨略、聚嗟吩（polythiophene)、與聚苯胺所組成之族群中之一種或二種或更多種類的物質。然後可形成環境穩定性極佳且對於溫度至少1 0 0 °C仍穩定的導體層。結果，因此可容易地獲得穩定性與耐用性極佳且可使用至高頻率範圍的屏蔽條線路型裝置。【較佳實施例之詳細說明】茲將參照附圖說明本發明之實施例。首先將說明本發

第10頁 1279080 五、發明說明（6) — 明第一貫施例。圖2顯示此實施例之屏蔽條線路型裝置之剖面圖，且圖3顯示沿著圖2之線A-A，之剖面圖。如圖2與3所示，本實施例之屏蔽條線路型裝置設有一金屬板1 0，包含一閥作用金屬且實質上為平面形狀。舉例而言’閥作用金屬板1 〇係由鋁所形成。閥作用金屬板1 〇之形狀為矩形，舉例而言，厚度11 〇 # m、長度2 〇 fflm、且寬度1〇 nun。閥作用金屬板10之表面，亦即頂面、背面、與末端面的表面面積藉由電解液中之電解蝕刻增加約2〇、倍。之表面上。介面而形成。亦，以覆蓋閾作 ’導電聚合物 c a C i d )作為之長度方向上化膜2 0。此等長度為，舉例至此等露出部經閥作用金屬種程度地分且銀膠層3 3形合物膜31 '導電氧化膜20形覆蓋介電氧化介電氧化膜20形成於此閥作用金屬板1〇 2氧化膜2 〇係藉由氧化閥作用金屬板1 〇之表 ^ ’導電聚合物膜31形成於介電氧化膜2〇上金屬板10與介電氧化膜2〇。藉著本實施例 ^雜係以對甲本績酸（Para—t〇luenesulf〇ni 的、A ^之聚苯胺所形成。在閥作用金屬板1 0 露未形成導電聚合物膜3〗且露出介電氧而言部分在閥作用金屬板1〇之長度方向上的分=/ mm。陽極引線端子i j與i 2分別連接板1〇陽極引線端子11與12係用以使電信號流離。道因此陽極引線端子11與12彼此必須某成於遂電碳膠層32形成於導電聚合物膜31上電後：d32上。導電層3°係由導電聚成以^均32、與銀膠層33所形成。亦即，介覆蓋閥作用金屬板1〇且導電層30形成以 1279080 A、發明說明（7) 膜20中除了前述露出、 :包含鋼箔之金屬板厚度約為100 _ 金屬板40放置成使 ^ 1於導電層3〇之一側的表面上。面。金屬板40之縱面平行於閥作用金屬板1〇之表長度還長，因此金屬板比導電層30之縱方向上的疊。此等末端部分別排列端部未被導電層3〇所重既然設於閥作用金屬扪。：二：=41與42。個陽極引線端子丨丨與^ "置處之一個或更多覆蓋的閥作用金屬^ j Q ^雨入電“號至由介電氧化膜所離。藉著本發：屬Γ作0用：=端分離了某段距且此等突出部得排列作為陽極引線二。由=側突出而黏附的端子得用作為陽極引^端子。糟由知接或捲曲在本實施例令，閱作用金屬板1〇不金屬只要其為闕作用金屬。此種閥作括銘、紹合金、组、趣合金、銳、銳合金ί屬：：：包錯、鍅合金、矽、鎂、鎂合金等等。杯:’ σ金、 2、與鈮所組成之族群中的金屬作為閥作】於：J、金屬板10得為捲箔、細微粉末之燒結緻密物爭用閥作用金屬板1 0之形狀得為曲線形狀或部且，成介電氧化膜於闕作用金屬之表面上的方法°形制而得藉由使用電解液之電解成形所形成、使用限化劑所形成、或者藉由空氣氧化所形成氧化 ;2虱發明之介電氣化膜。然而福杳L .人-k ^ m η ^ 1279080 五、發明說明（幻 ' -------- 閱作用金属之形狀亦不受特別限制，但從特徵阻二二二二製程處理之觀點來看最好為平坦、板狀形狀（直 i錄用金屬之縱方向的剖面形狀為矩形），亦得使用 Γί ί部分彎折的闕作用金屬。閥作用金屬亦得柱狀或 Ζ a ^著本發明，得使用已經經由表面擴展的閥作用金 =扒ί 'Γ鉍由表面擴展的閥作用金屬之例子包括藉由將細 ί i ϊ燒結緻密物製成平坦、板狀形狀所形成的閥作用金屬、藉由在電解液中電解蝕刻所形成的受蝕刻箔，等。、曾Φ ί且，雖然本實施例中之導電層3〇係由包含聚苯胺的 V電聚合物膜31、導電碳膠32、與銀膠33所形成，但導電層不受特別限制只要其具導電性即可，得由任何種類的金屬、、半導體，例如二氧化錳、氧化銦、等等，或有機介電形式，例如四氰基對醌二曱烷 (tetracyanoquinodimethane)與四硫富瓦稀 (tetrathiafulvalene)電荷轉移複合物，所形成。導電聚合物，例如聚吨咯、聚噻吩、聚乙烯雙氧噻吩 (polyethylenedioxythiophene)、聚苯胺、聚亞苯基 (polyphenylene)、聚咬喃（p〇lyfuran)、聚三氨基 (polythiazyl)、聚亞苯基乙烯基 (polyphenylenevinylene)、聚乙炔（p〇iyacetylene)、聚 Ϊ (polyazul ene)、等等尤佳，其中從穩定性觀點來看聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、與其衍生物較佳。藉著本發明，聚吡咯、聚噻吩、與聚苯胺之衍生物應係指著，舉例而

l279〇8〇五、發明說明（9) 各種取代基加入前述化合物之聚合物共聚合而成的物質等蓉、、别述化合物與其 *物的推雜物：=;用電電子收取性質之： =特別限制，舉例而言，推月電=物之種類不 =知的摻雜物。此種摻雜物之例子包括f聚合物或得使用陰離子等等所齒化的化合物、作用二由碘、1、過氯酸例如芳族續酸化合物、以及作用乍酸的物質，如鐘、四乙銨陽離子等等。同Lewl^的物質，例 =藉著本發明’導電層30最好從導電聚合，如絀所述，但導電聚合物得用作 20之#氐白入2祕丄 w付用忭馮接觸於介電氧化膜電聚二物導電聚合物之層得形成於前述導放置i相拉總〔更且，導電物f之I態電解質與金屬板得明的ΐϊϊ 使用導電碳膠或銀膠而連接。藉著所說舖於二:導電層30具有三層構造：導電聚合物膜31，接 ;w電氧化膜20、導電碳膠32，放置於導電聚合物膜31 、與銀膠33，放置於導電碳膠32上，並且排列成使得金屬板40可藉由導電碳膠32與銀膠33而黏附。更且，雖然本實施例中厚度，舉例而言，約為丨〇〇 “ m之包含銅箔的金屬板4〇重疊於導電層3〇之一侧的表面 < 上’但金屬板4 0之材料不僅限於銅而只要為低電阻的金屬如銀、金、铭、等等即足夠。可藉由此金屬板4 〇更加減少阻抗。亦且，二個金屬板4 〇得相對地放置於閥作用金屬板10之兩面上。

五、發明說明（10) 更且，雖然本實施例中導電聚合物膜31與金由導電碳膠層32與銀穋層33而彼此連接，但 =層32與銀膠層33且導電聚合物膜31得直連接至金U奴此實施例之屏蔽條線路型裝置得安裝於電子或得於取出引線端子且密封於拋 ^路板上用。％卞且在封於树脂或金屬盒中等等之時使本發明之屏蔽條線路型裝置得安路板上或者得於取出引缘^ % 或電子電等之時使用。子且㈣於樹脂或金屬盒中等茲將說明本實施例之屏蔽條線路型裝首先，準備，舉例而言，厚产110 1裒置之製造方法。寬度η…落作為閱作“屬板：’接長^ ^ 屬板10之表面面積經由電解液中者’閥作用金 200倍。閥作用金屬板1〇浸入，舉電解飯刻而擴展了大約的硼酸銨水溶液，遭受舉例而言，5 ’濃度為5質量％然後清洗且乾燥以形成包含金屬 1 〇 V之陽極氧化，閥作用金屬板10之表面上。然後，】膜的介電氧化膜20於即從已經形成有介電氧化膜20的閥作之各末端’亦起5龍内之區域浸入包含六氣丙缔板10之各邊緣乾燥以形成包含六I丙烯的遮罩（未蘭树知之溶液，然後浸入0. 1Ν硫酸水溶液中測量此閥作么不，刖述末端。當值時，發現靜電電容值約為38〇。金屬板Β之靜電電容然後在玻璃容器中準借含有】準備3有1〇質量％的對甲笨續酸與5 1279080 五、發明說明（11) 2 貝0二的星本：之水溶液，且將已經形成有前述介電氧化膜後在宮⑼、閥作用金屬板1 〇浸入此水溶液，然後取出。隨分鐘。ίΐΐ 4中乾燥闕作用金屬板&時，舉例而言，3〇甲笨炉準備含有1〇質量％的過二硫酸銨與10質量％的對缺後“ί溶液，且將閥作用金屬板1 〇浸人此水溶液， &俊取出，然後放在空氣中另外2〇分鐘以聚合苯胺。隨 « ^ Φ ^與乙醇清洗此閥作甩金屬板1 0且在溫度80。(：之環二，浸人前述對甲苯績酸與苯胺的水溶液到在溫二么梭μ乾燥之操作重複四次以形成包含具有對甲苯碏酸雜物的聚苯胺之導電聚合物膜31於介電氧化未被則述遮罩覆蓋的表面區域上。 Υ 然後形成導電碳膠層32與銀膠層33以覆蓋閥作用金屬勺^中已經形成有導電聚合物膜31的表面區域。因此形成匕3導電聚合物膜31、導電碳膠層32、與銀膠層33之導電層。Ik後，厚度，舉例而言，約為丨〇〇 " m的包含銅箔之备屬板40重疊於導電層30之一侧的表面上。金屬板4〇放置成經由導電層30與介電氧化膜20而面對著閥作用金屬板 10之一面。金屬板4〇之縱方向上的長度比導電層3〇之縱方，上的長度還長，且金屬板4〇之縱方向上之各末端部不重璺但從導電層30突出。金屬板4〇之此突出末端部分別用作為f極引線端子41與42。隨後，各閥作用金屬板1〇末端部之浸入四氫咬味（tetrahydrofuran)以溶解並消除身為構成遮罩之樹脂的六氟丙烯。然後使用超聲波焊接器連接二個陽極引線端子11與12至閥作用金屬板10之各末端。因此

1279080 五、發明說明（12) 製成此實施例之屏蔽條線路型裝置。雖然本實施例中進行電解液中作用金屬板之表面面積之方法，作為擴展閥之燒結緻密物處理成平坦、板狀形:猎由將細微粉末的金屬板。狀而製成表面面積擴展電氣化膜2〇之形成方法亦閥作用金屬板10之表面在電解液中ς 限制且得藉由使當的氧化劑之氧化處理所形：θ 、2或藉由使用適氣化膜Π 所形成的氧化膜。然而通常上，介電 :化膜⑼精由使閥作用金屬板丨◦之表面受電解“而ς電超聲ii接中，陽極引線端子η㈣藉由或其他方法而形成。亦且金屬板10，此結合得藉由捲曲且閥作用金屬板10之，么虫，山闕作用金屬板10得於兩側突出 f且，雜妙—各末端部分得用作為陽極引線端子。 Φ 作用金屬板mite電聚合物膜31係藉由使閥但本發明中之導電中然後乾燥以聚合笨胺而形成，電聚合物膜3 1得藉由ζ物膜之形成方法不僅限於此，且導液至閥作用金屬板方法所形成··塗佈導電聚合物溶引入形成導電聚合物t 後蒸發此溶液中之溶劑之方法、後導電聚合物之聚早體及/或寡聚物與聚合催化劑然方法、或者形成包；直接進行於閥作用金屬板10上之轉化成導電聚合物之聚合物之中間物的-聚合物層且

1279080 五、發明說明（13) 〜--- 藉著此實施例之屏蔽條線路型裝置，從陽極卩丨子 11輸入的高頻信號電流穿過閥作用金屬板1〇且從陽極端子1 2輸出。在此程序中，前述信號電流可由介電膜 20與導電層3 0濾波。既然閥作用金屬板丨〇具有傳輪、之形狀且直交於信號電流之流動方向的剖面之形狀係择= 上固定，故閥作用金屬板1〇内的電磁場會均勻，甚至二信號電流為高頻電流時亦然，因此特徵阻抗之頻率依存二° 小。亦且，既然閥作用金屬板10係由鋁所形成，故穩定的介電氧化膜20可容易地形成於閥作用金屬板1〇之表面上。更且，既然導電層3〇設成環繞閥作用金屬板1〇之周圍，故實現了可屏蔽從閥作用金屬板1〇漏出的磁通量之屏蔽條線，且可使裝置之阻抗變低。更且，藉由設 40，可形成陰極引線端子41盥42且屬板，m，、以丑口J使裝置之阻抗變得更低。更且，既然導電層30設有導電聚合物膜31 ’故可容易形成良好黏附於介電氧化膜20且導電性高的導電層。田使用閥作帛金屬板10作為陽極且金屬板4〇作為陰極測量本實施例之屏蔽條線路型裝置之電容值時，發現在頻 = 120 Hz時的電容值約為38〇，表示介電氧化膜⑼之表面適當地由聚苯胺所塗覆。亦且，當藉由連接二對電極引線端子，亦即設於屏蔽條線路型裝置之兩側的陽極引線端扣糾及陰極引線端子41與42至網路分析器而測量功率傳輸特徵％】時，發現 S21在1〇〇 kHz至1〇〇 MHz之頻率範圍中最多為_7〇 dB且在i

1^· 第18頁 1279080 五、發明說明（14) GHz之頻率時最多為-4〇 dB。條線路型裝置相較於先前姑敲U瞭解本貫施例之屏蔽電路之電源解耦裝置之極優良特徵。為同逮數位茲將說明本發明之第； μ , ^ 彻> Μ # ^ a 只^例。相較於前述第一 f施 ^屏蔽條線路型裝置之排列，本實施例之屏蔽 f置之排列不同之處在於導電聚合物膜31係由聚吡咯成？外，本實施例之屏蔽條線路型裝置之排列相^:第一實施例之屏蔽條線路型裝置。 Μ目冋於第兹=明本實施例之屏蔽條線路型裝置之製造方法。 ^:猎由相同於第一實施例之方法，介電氧化膜備含有1〇質量％的十二烧苯續鐵di；；後在玻璃容器中準 d=decylbenzenesulf〇nate)的甲醇溶液。表面上已 ^ =電氧化膜20的前述閥作用金屬板1〇浸入此溶液中^後出。然後在室溫之空氣中乾燥閥作用金屬板為時，。然後閥作用金屬板浸入含有5〇質量％的吡咯之 =然後取出’然後留在空氣中為時3〇分鐘以聚合吨嘻合。隨设L藉著水與乙醇清洗閥作用金屬板且在溫度8〇 β(：之環境中乾燥。從浸入曱醇溶液至在溫度8〇t中乾燥之操^ =次以形成包含具有十二烷苯磺酸作為摻雜物的聚吡咯之導電聚合物膜於介電氧化膜2〇之表面上。 + 然後藉由相同前述第一實施例之方法形成導電声3 〇，藉由形成導電碳膠層32與銀膠層33以環繞閥作用金^板之表面中已經形成有導電聚合物膜之區域、黏附包含銅箔 1279080 五、發明說明（15) :金屬板40、並且金屬板4〇之各末端子41與42。隨後，藉由相同於第陰極引線遮罩且黏附陽極引線端子丨丨與^。只知例之方法，移除當使用包含鋁箔的閥作用金屬板箔的金屬板40作為陰極而測量本實，^ %極與包含銅置之電容值時，發現在頻率]里：；=之2二線路，值約為380以F，表示介電氧化膜2〇〃、 z的電合咯所塗覆。丨罨軋化膜20之表面適當地由聚吡亦且，當糟由連接二對電極引條線路型裝置之兩側的陽搞a ☆山' ’亦P設於屏蔽 -f41 ^42 5. ^ ^和引線鳊子1'1與U及陰極引線端 ί 3 t 而測量功率傳輸特魏1時，發現 S21在1〇〇 .至100 ΜΗζ之頻率範圍中最多 % = 頻率為1 GHz時最多為-40 dB。因此可瞭解本容線路型裝置相較於先前技藝電容而Ύ仏位電路之電源解耦裝置的極優良特徵。有作為间速數兹將說明本發明之第三實施例。相較於前述第一實施例之屏蔽條線路型裝置之排列，太杂 4第只^ ^ t ^,1 ^ Π ^ ^ ^ ^ 本灵施例之屏蔽條線路型广置？排列不同處在於導電聚合物膜31係由聚己、置。裝置之排列相同於第一實施例之屏蔽條線路型裝

、，茲將說明本實施例之屏蔽條線路型裝置之製造方法。 =藉由:同於第一實施例之方法，介電氧化膜20與遮罩形成於閥作帛金屬板10之表面±。然後在玻璃S 第20頁 1279080 五、發明說明（16) 備具有濃度5質量％的聚己基蜜吩之二〒苯溶液々至表面上已經形成有介電氧化 ==液滴 =〇之未遮蔽的區域上，然後在溫度 =用金屬板。然後整個裝置浸入氫氯酸水“；：乾燥已3具有虱離子作為摻雜物的聚己基噻吩之形成 31於介電氧化膜20之表面上。導電來合物膜然後藉由相同於前述第一實施例之方 3〇，藉由形成導電碳膠層32與銀膠層⑽以環繞】： :1〇之表面中已經形成有導電聚合': 金屬板40、並且金屬板4。之 1 = 引線端子41與42。隨後，藉由相同於第一二1乍ί陰極移除遮罩且黏附陽極引線端子11與12 0貝'方法，當使用包含鋁箔的閥作用金屬^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 落的金屬板4〇作為陰極而測量本會m t極與包含銅置之電容值時，發現在頻率里之：蔽條線路型裝值約為380 ^，表示介電氧牛^而5 ，為120 Ηζ的電容基噻吩所塗覆。匕膜2〇之表面適當地由聚己你始Ϊ ^ ’當藉由連接二對電極引線端子，亦即設於屏蔽 Ϊ4 的陽極引線端子 S21在ί nn t 測量功率傳輸特徵S21時，發現 γ 〇Z之頻率範圍中最多為— Μ dB且在

St? 4〇⑽。因此可瞭解本實施例之屏裝置相Ϊ於先前技藝電容而言具有作為高速數電路之電源解耦裝置的極優良特徵。 1279080 五、發明說明（17) 茲將說明本發明之第四實例之屏蔽條線路型裝置之排，—目較於前述第一實施裝置之排列不同處在於導電聚丄二之屏蔽條線路型吩所形成。此外，本實施例之係由聚乙烯雙氧蜜同於第一實施例之屏蔽條線路型裝、”。路型裝置之排列相茲將說明本實施例之屏蔽首先，藉由相同於第一實施例‘方法，二㊁，製造方法。罩形成於閥作用金屬板10之表面±。缺“ ”膜20舆遮備含有10質量％的十二烷苯磺鐵之乙醇、、溶在玻璃容器中準形成有介電氧化膜20的前述閥作用金_ /二^表面上已經然後取出，然後在室溫之空氣中；=此溶液中浸入含有50質量％的乙烯雙氯噙、μ刀、里；、、、:後此樣品然後留在空氣巾/日中然後取出， =工孔〒為時30为鐘以聚合乙烯雙氧噻吩。田者水…乙醇清洗該樣品且在溫度8 〇艺之環境中乾燥。^ 浸入前述乙醇溶液至在溫度8 〇 t中乾燥之操作^四= 形成包含具有十二烷苯磺酸作為摻雜物的聚乙烯雙氧噻之導電聚合物膜31於介電氧化膜2〇之表面上。然後藉由相同於前述第一實施例之方法形成導電芦 3〇 ’藉由形成導電碳膠層32與銀膠層33以環繞閥作用二屬板10之表面中已經形成有導電聚合物膜之區域、黏附包含《銅箔之金屬板4 0、並且金屬板4 0之各末端部排列作為阶極引線端子41與42。隨後，藉由相同於第一實施例之方:，移除遮罩且黏附陽極引線端子11與12。 / 當使用包含鋁箔的閥作用金屬板1 〇作為陽極與包含銅

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五、發明說明（18) 箔的金屬板4 0作為陰極而測置之電容值時，發現在頻率“；二：：之：蔽條線路型裝值約為380 ，表示介電氧牛^ ° ，20 Hz的電容烯雙氧嗟吩所塗覆。乳化膜2〇之表面適當地由聚乙亦且，當藉由連接二對電極引線端子，亦即設於屏裝置之t侧的陽極引線端子11與12及陰極引線Ϊ 至網路分析器而測量功率傳輸特徵S21時，發現在1 MHz至100 MHz之頻率範圍中最多為_6〇心且時最多為—4〇，β。因此可瞭解本實施例之屏蔽 =、，’里裝置相較於先前技藝電容而言具有作為高速數位電路之電源解耦裝置的極優良特徵。狄刑^ ^說明本發明之第五實施例。本實施例之屏蔽條線路i裝置之排列相同於前述第二實施例之屏蔽條線路型裝置亦即’導電聚合物膜3 1係由聚u比0各所形成。、，兹將說明本實施例之屏蔽條線路型裝置之製造方法。 =先藉由相同於第一實施例之方法，形成介電氧化膜2 〇 /、遮罩於閥作用金屬板丨〇之表面上。然後在玻璃容器中準備έ。有3 0質量％的十二烷苯磺鐵之甲醇溶液且冷卻至溫度 5 〇 C。然後滴入吡咯至此溶液中直到其濃度變成6質量 /ο、’，同時維持溶液之溫度為_ 5 〇，攪動溶液以混合吡咯。 2後滴入溶液於表面上已經形成有介電氧化膜2 0與遮罩的别，閥作用金屬板丨0之未遮蔽的區域上，然後將該樣品留在至⑽中為時6 〇分鐘。隨後，藉著水與乙醇清洗閥作用金屬板10且在溫度80 °C之環境中乾燥。藉以形成包含具有十

1279080 五、發明說明（19) ^烧苯續酸作4#雜物的聚氧化膜20之表面上。令心导电象合物膜31於介電然後藉由相同於箭+、曾 ^ 3〇，_由带$道+、述苐一貫轭例之方法形成導電層猎由幵y成導電碳膠層32盥銀#層<n u _达„从m i s 板10之表面巾已/、銀膠層33 繞閥作用金屬銅羯之金屬板4。、、並iii:聚合物膜之區域、黏附包含引線端子41與42。隨後之各末端部排列作為陰極移除破罝日机炱藉由相同於第一實施例之方法，移除^罩且黏附陽極引線端子11與1 2。笔的I Ϊ ΤΑ含鋁箱的閥作用金屬板10作為陽極與包含銅晉夕雷…反作為陰極而測量本實施例之屏蔽條線路型裝值約時，發現在頻率，舉例而言，為120 Hz的電容糾^ 75 //F，表示介電氧化膜2〇之表面適當地由聚吡咯所覆蓋。你*亦且’當藉由連接二對電極引線端子，亦即設於屏蔽八各路型裝置之兩侧的陽極引線端子11與1 2及陰極引線端子41與42至網路分析器而測量功㈣輸特㈣κ，//: =21在1 MHz至1〇〇 MHz之頻率範圍中最多為一60 dB。因此可f解本實施例之屏蔽條線路型裝置相較於先前技藝電容而吕具有作為高速數位電路之電源解耦裝置的極優良特徵。 ‘ ★錄將說明本發明之第六實施例。圖4顯示此實施例之屏蔽條線路型裝置之透視圖。如圖4所示，此實施例之屏蔽條線路型裝置設有一形成體1 3，包含平均微粒直徑，舉例而言’為〇 · 5 /z m的鈕粉末之燒結緻密物。形成體1 3之

第24頁 !279080 五、發明說明（20) 形狀為矩形體，舉例而言，寬度3 m m、長度3 m m、且厚度 ^ 8 mm。鈕配線14與15連接至形成體13之各末端。鈕配線 1 4與15之直徑，舉例而言，為〇· 3 mm。金屬構件16係由形成體13及鈕配線14與15所形成。介電氧化膜（未圖示）形成於形成體13之表面上，且導電聚合物膜、導電;5炭谬層、與銀膠層按照從内側起之順序形成於此介電氧化膜之表面上，以環繞形成體丨3與介電氧化臈。導體層35係由導電聚合物膜、導電碳膠層、與銀膠層所形成。陽極引線端子11與1 2分別連接至鈕配線1 4與厚度，舉例而言，約為1 〇〇 // m的包含銅箔之金屬板 40重疊於導體層35之一側的表面上。金屬板4〇之縱方向上之長度比導體層35之縱方向上之長度還長，因此金屬板4〇之各末端部分不受導體層35所重疊。此等末端部分別排列成陰極引線端子41與42。 ,茲將說明本實施例之屏蔽條線路型裝置之製造方法，首先，平均微粒直徑為0.5 的鈕粉末填入内部寬度為 ":亩” ΐ度為3 -、且内部厚度為Unnn的容器中1 ί f m3 mm的鈕配線14與15黏附至由钽粉末受壓f 。。，藉以準備；屬構ir6d;成體至溫度？物的形成體U，以及钽配㈣^身為组粉末之燒結緻宅

v的开&後雷猎厭由/濃度為〇.05質量％的磷酸水溶液中施加10 V㈣成電壓使此金屬構件16受到陽極氧化處自。然後進

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氧化膜的一介電氧化此金屬構件16之叙配包含六氟丙稀，然後 (未圖示）。當此金屬中以測量靜電電容五、發明說明（21) 行清洗並乾燥，藉以形成包含一金屬膜（未圖示）於金屬構件1 6之表面上。線1 4與1 5之部份浸入氟樹脂之溶液，乾燥以形成覆蓋组配線1 4與1 5的遮罩構件1 6浸入濃度〇 · 1 N的硫酸水溶液時，發現靜電電容約為3 0 0 # F。然後在破璃容器中準備含有10質量％的十二烷之甲醇溶液。表面上已經形成有介電氧化膜20的金/鐵 16浸入此溶液中然後取出。然後金屬構件16留冓= 氣中乾燥30分鐘。然後金屬構件16浸入含有5〇工洛之水溶液中然後取出’留在空氣中3〇分鐘以聚隨後，藉著水與乙醇清洗該m在溫度= 燥。從浸入甲醇溶液至在溫度80t中乾燥之操作重複= 以=成包含具有十二烷苯磺酸酸作為摻雜物的聚吡咯之ς 電聚合物膜（未圖示）於介電氧化臈之表面上。導然後形成導電碳膠層與銀膠層以環繞金面上已經形成有導電聚合物膜之區域。表聚合物膜、導電碳膠層、與銀膠層所形成。隨後y勺羯的金屬板40黏附至導體層35之一側的之縱方向上的長度比導體層35之 0 二屬r之各末端部不接觸導體層π。金等末鈿邛刀別用作為陰極引線端子41與42。且分f黏附陽極引線端子11與12至組配線14*15移；= 成此只施例之屏蔽條線路型裝置。藉著此實施例之屏蔽條 1279080 五、發明說明（22) 線路型裝置，從陽極引線端子1 1輸入的高頻信號電流穿過構件16並從陽極引線端子12輸出。在此過程中，前述儿電％IL 了由介電氧化膜與導體層3 5加以滤波。既然金屬構件1 6具有傳輸線構造之形狀，且直交於信號電流流動方 $的剖面之形狀實質上固定，故金屬構件1 6内部的電磁場會均句’甚至當信號電流為高頻電流時亦然，因此特徵阻抗之頻率依存性小。、亦且’既然身為閥作用金屬的金屬構件16係由鋁所形成故均勻且穩定的介電氧化膜可容易地形成於金屬構件 16 =表面上。更且，既然導體層35設成環繞金屬構件Μ，見見了可屏蔽從金屬構件16漏出的磁通量之屏蔽條線， ί 使裝置之阻抗變低。更且，藉由設置金屬板4 0，可形成丢極引線端子41與42且可使裝置之阻抗變得更低。更 ^既然導體層3 5設有包含聚吡咯的導電聚合物膜，故可谷易形成良好黏附於介電氧化膜且導電性高的導體層。所來ί且ί著本實施例，既然形成體13係由粉末燒結方法 $ ^ w μ #形成體13可容易製成任何的形狀。亦且，可在

(I 且包I銅^ ίΐ五實施例。當使用金屬構件16作為陽極路型i置：電容值m j極測量本實施例之屏蔽條線 r 以表不介電氧化膜之表面適當地…嘻所塗亦且，當藉由連接二對電極引線端子，亦即設於屏蔽

1279080 五、發明說明（23) 條線路型裝置之兩側的陽極引線端子〗丨與丨2及陰極引線端子41與42至網路分析器而測量功率傳輸特徵S2i時，發現 S21在1〇〇 kHz至1〇〇 MHz之頻率範圍中最多為_6〇 dB^在^ GHz之頻率時最多為_40 dB。因此可瞭解本實施例之屏蔽條線路型裝置相較於先前技藝電容而言具有作為高速數位電路之電源解耦裝置之極優良特徵。兹將說明本發明之第七實施例。圖5顯示此實施例之屏蔽條線路型裝置之透視圖。如圖5所示，此實施例之蔽條線路型裝置設有圓柱狀金屬構件17 ’由鋁所形成，直徑為5 mm且長度為100 mnl。圓柱狀金屬構件17之各末 =f，極引線端子lla與123。孔丨lb與12b分別形成於陽極引線端子11 a與1 2 a中。介電氧化膜21形成於圓柱狀金屬構#17 化賴之雜，依序從内向外形==有；曱本嶒ι作為摻雜物的聚苯胺之導電聚合物膜、導電 :思以及銀膠層。導體層36係由此導電聚合物膜、導電‘ =、與銀膠層所形成。包含厚度約為㈣⑽的銅羯之至導體層36。金屬板4°之縱方向重合於圓柱 ==之軸方向。金屬板4°在縱方向上之長度比導體層36在相同方向上之長度還長，因此金屬板心 ^ 導：層36。此金屬板4〇之各末端部排列成陰t 1與42&? 一茲將說明此實施例之屏蔽條線路型裝置之製造方法

第28頁 1279080 五、發明說明（24) _ 首先’準備一包合叙廿σ + 圓柱作為圓柱狀金屬徑為5龍且長度為100 mm的部排列作為陽極引線。圓柱狀金屬構件之各末端別形成於陽極引線端子:與12&。亦且，孔ub與12 b分電壓而受到陽極氧化。缺：且：由施加10v的屬氧化膜的介電氧化膜二、^冼並乾知，因此形成包含金然後圓柱狀金】二狀二屬構件η之表面上。脂之溶液中，包含3 2末;:之10㈣的部分浸入敦樹示）於圓知壯入思氟烯，然後乾燥以形成遮罩（未圖借k、二人屬構件17之兩末端。然.後在玻璃容器中準缺後Γ〇質量％的對甲苯磺酸與5質量％的苯胺。形成有前述介電氧化膜21的圓柱狀金屬構 ίΜη二#。洛，中然後取出，然後留在室溫之空氣中乾二租i广°.」後s亥樣品浸人含有10質量％的過二硫酸銨與質虿％的對甲苯磺酸之水溶液中然後取出，缺後留在^ 、在/孤度80 C之環境中加以乾燥。此等操作重複四次以形成包含具有對甲苯磺酸作為摻雜物的聚苯胺之導電聚合物膜於介電氧化膜21之表面上。然後形成導電碳膠層與銀膠層以環繞圓柱狀金屬構件 1 7之表面上已經形成有導電聚合物膜之區域。因此導體層 3 6係由導電聚合物膜、導電碳膠層、與銀膠層所形成。隨後’包含厚度約為1 〇〇 # m的銅箔之金屬板4 〇連接至導體層36。此金屬板4〇之各末端部排列作為陰極引線端子41a

第29頁 1279080 五、發明說明（25) 與42a。然後分別形成孔41b與42b於陰極引線端子41a命 42a中。隨後，圓柱狀金屬構件17之各末端部浸入四a氮、喃中以溶解且消除身為遮罩樹脂的六敦丙稀。 Λ ^ 因此製成此實施例之屏蔽條線路型裝置。藉著此實施例之屏蔽條線路型裝置，從陽極引 11 a輸入的高頻信號電流穿過圓柱狀金屬構件丨7且從引線端子1 2a輸出。在此過程中，前述信號产人氧化膜21與導體層36加以遽波。既然圓柱狀金^構&件^電具有傳輸線構造之形狀且直交於信號電流流動之方向的面之形狀係實質上固定，故圓柱狀金屬構件17内之電磁場合均勻’甚至當信號電流為高頻電流時亦然，因此特徵阻^ 之頻率依存性小。亦且，既然身為閥作用金屬的圓柱狀金屬構件17係由鋁所形成，故均勻且穩定的介電氧化膜可容易地形成於圓柱狀金屬構件1 7之表面上。更且，既然導體層3 6設成以環繞圓柱狀金屬構件17，故實現了可屏蔽從圓枚狀金屬構件 1 7漏出的磁通量之屏蔽條線，且可使裝置之阻抗變低。更且，藉由設置金屬板4〇，可形成陰極引線端子41&與423且可使裝置之阻抗變得更低。更且，既然導體層3 6設有包含聚苯胺的導電聚合物膜，故可容易形成良好黏附於介電氧化膜且導電性高的導體層。更且藉著本實施例，既然孔丨lb、12b、41b、與42b分別形成於陽極引線端子11a與12a及陰極引線端子41a與42a 中’故陽極引線端子1 la與} 2a及陰極引線端子4 ia與42a可

第30頁 1279080 五、發明說明（26) 連接至外部。因此大電流可穩定地流過屏蔽當使用圓柱狀金屬構件丨7作為陽極且包含銅箔板40作為陰極而測量本實施例之屏蔽條電現電容約為10…表示介電氧化膜之二聚本胺所覆i。亦且，當藉由連接二對電極引線端；地亦即，设於屏蔽條線路型裝置之兩末端的螺孔llb、i2b、 41 g與42b至網路分析器而測量功率傳輸特徵S2i 緩kHzM GHz之頻率範时最多為_4〇 /b。^ ^可t解本貝施例之屏蔽條線路型裝置相較於先前技藝電 t而5具有作為高速數位電路之電源解耦裝置之極優良特 ==忒明本發明之第八實施例。圖6顯示此第八實施，條線路型裝置之外部透視圖。圖6之沿著線B-B，於二係相同於圖3。此實施例之屏蔽條線路型裝置亦 t且古1用金屬板1 〇，具有長、薄、平板的形狀且其表面 fi二赠9;1電氧化膜2〇 ,並且包含導電物質之層30經由介電乳化膜20而覆蓋閥作用金屬板1〇。如，本屏蔽條線路型裝置，閥作用金屬板1〇在縱方向之端部分具有實質上平面的形狀，位於相同直線士牛^而B ，閥作用金屬板1 〇係由銘所形成。舉例而二用金屬板1〇之形狀為矩形，厚度為110 、長 ^ ^ 、且寬度為10 mm。闕作用金屬板10之表面，亦 I7了面、背面、與末端面的表面面積藉由電解液中之電解

1279080 五、發明說明（27) 姑刻增加約2 00倍。包含導電物質之層3〇你用金屬板10中除了兩末端部分以外之整個表面。覆盍閥作從平面觀看，本屏蔽條線為1]形屬^之-末端部的陽極引線端子u黏附金 -末端部’冑連接至閥作用金屬板1〇之另一末屏:的條陽線之 =線端子12黏附至本屏蔽條線之另—末端部。陽極引線端子1 1與1 2及包含導電物質之層3 〇間4/l右蚀甘 ^ 、 f物貝6G H ’閥作用金屬板1G由包含導電物質之層3〇 ”絕緣物質60所密封。陽極引線端子丨〗與12皆具有平坦的矩形剖面。更且，尺寸大約相同於屏蔽條線路型裝置之底面的金屬板40黏附至該底面，且陰極引線端子41與42黏附至金屬板4 0之各末端部。茲將說明圖6所示的屏蔽條線路型裝置之製造方法。如前所述，圖6之沿著線B-B，的剖面圖係相同於圖3所示的剖面圖。藉著本實施例，使用厚度為/zm且表面面積已經 θ加大約為2 〇〇倍的銀沒作為閥作用金屬板1 q。此紹羯被沖出寬度為1 0 mm的正方C形狀。在鋁箔（閥作用金屬板1 〇 ) 之各末端部設有包含六氟丙烯的氟樹脂的絕緣物質6 〇之後’此鋁箔在5質量％的硼酸銨水溶液中受到1 〇 v的電壓之陽極氧化，然後清洗且乾燥.以獲得具有包含金屬氧化膜之介電氧化膜20的鋁箔。當浸入〇· 05 莫耳/升的硫酸水溶液中而測量此箔之靜電電容時，發現靜電電容約為38 0 /z

第32頁 1279080 五、發明說明（28) F 〇然後在玻璃容器中準備一具有濃度為1 (J質量％的對甲苯磺酸與濃度為5質量％的苯胺之水溶液，且其上已經形成别述介電氧化膜2 0的前述銘箔浸入此水溶液中然後取出。然後此箔在室溫之空氣中乾燥3 〇分鐘，然後浸入含有丨〇質量％的過二硫酸銨與1〇質量％的對甲苯磺酸之水溶液中然後取出’然後維持於空氣中另外2 〇分鐘以聚合苯胺。隨後，藉著水與乙醇清洗該樣品且在溫度8〇它之環境中乾燥。重複此等操作四次，獲得介電氧化膜2 〇之表面覆蓋有導電聚合物膜31的鋁箔（閥作用金屬板1〇)。此導電聚合物膜31包含具有對甲苯磺酸作為摻雜物的聚苯胺。毋庸贅言，防止導電聚合物膜3 1形成於設有絕緣物質6 〇的部份處。、然後塗佈導電碳膠層32與銀膠層33以環繞其上已經形成有導電聚合物膜31(聚苯胺）的鋁箔，藉以完成導電層。然後包含厚度約為丨〇〇的銅箔之金屬板4〇黏附至電層30金屬板40之末端分別排列成陰極引線端子ο與 Ik後，鋁箔（閥作用金屬板丨〇 )之各末端部浸入四氫呋超：遮罩樹脂之包含六氟丙烯的樹脂，並且使用 :波烊揍黏附二個（一對）陽極引線端子丨丨與丨2至鋁合禾端。當使用鋁箱之閥作用金屬板i 〇作為陽極且板4°作為陰極而測量所獲得的屏蔽條線路型裝發現在頻率l2"z時的電容值約乂置表之示電乳化膜20之表面適當地由聚苯胺所塗覆。亦且，當藉 1279080 五、發明說明（29) 由連接設於此屏蔽條線路型裝置之兩端的二對電極引線端子11、1 2、4 1、與4 2至網路分析器而測量功率傳輸特徵 S21時，發現S21在100 kHz至100 MHz之頻率範圍中最多為 70 dB且在1 GHz之頻率時最多為-40 dB。因此可瞭解本實施例之屏蔽條線路型裝置相較於先前技藝電容而言具有作為高速數位電路之電源解耦裝置之極優良特徵。茲的屏蔽置’但陰極引成位於茲的屏蔽置，然折成正之處在將參照蔽條線型裝置處的陰排列成茲此第十著圖10

將參照圖7說明本發明之第九實施例。雖然圖7所示條線路型裝置相同於圖6所示的屏蔽條線路型裝陽極引線端子11與12彎折且金屬板40之各末端處的線端子41與4 2以及陽極引線端子11與1 2之頂端排列相同平面上以促進表面安裝至電路板上。將參照圖8說明本發明之第十實施例。雖然圖8所示條線路型裝置相同於圖6所示的屏蔽條線路型裝$ 而在圖6所示的裝置中，閥作用金屬板1〇之鋁^

方C形狀且被沖出直角部’但圖8所示的實施例於鋁箔被沖出U形狀，亦即彎成更圓滑的形圖9說明本發明之第十-實施例。雖然圖9所示的\ 路型裝置彎成圓滑形狀如同圖8所示的屏蔽、屏，但陽極引線端子11與丨2彎折且金屬板4〇之各·山極引線端子41與42以及陽極引線端子丨丨與夕末端位於相同平面以促進表面安裝至電路板^。頂端將參照圖1 0說明本發明之第十二告二實施例之屏蔽條線路型裝置二=。圖10顯示之線C-C，之剖面圖。置之千面圖且圖U係沿 1279080

茲將說明本發明之第十三實施例。此第十三實施例係圖6所示的屏蔽條線路型裝置之製造方法之實施例。雖然此屏蔽條線路型裝置層排列，但就形狀而言，本裝為碟狀。亦即，雖然在第九至屬板1 〇之銘箔被沖成在銘箔之的形狀，但在本實施例中，使金屬板1 0且鋁箔之各末端朝相之箔平面之方向上舉起。閥作端排列為陽極引線端子1 1與1 2 作用金屬板10之表面上的介電板40。金屬板4〇之各末端排列極引線端子1 1與1 2之頂端以及排列成位於相同平面以促進表具有相同於前述各實施例的置在縱方向上剖面形狀形成第十一實施例中，閥作用金落平面之方向上彎曲或彎折用薄的條狀鋁箔作為閥作用同方向彎折而在直交於鋁箔用金屬板1 0之此紹箔之各末 ’導電層30形成以覆蓋在閥氧化膜2 0 ’且黏附條狀金屬為陰極引線端子41與42。陽陰極引線端子4 1與4 2之頂端面安裝。一首先’在玻璃容器中準備含有濃度為1〇質量％的十二烷，％鐵之甲醇溶液。然後已經完成第八實施例中形成介，氧化膜20之製程的鋁箔浸入此溶液中然後取出。然後鋁箔在室溫之空氣中乾燥3〇分鐘，浸入含有5〇質量％的吨咯之水溶液中然後取出，且維持於空氣中另外3 q分鐘以聚合。比洛。隨後，藉著水與乙醇清洗鋁箔且在溫度8〇 t之環境 =乾燥。重複此等操作四次，獲得介電氧化膜2 〇之表面覆蓋有導電1合物膜31之紹箔（閥作用金屬板1 〇 )。此導電聚 σ物膜31包含具有十二燒笨績酸作為摻雜物的聚也σ各。然後藉由相同於第八實施例之方法形成導電層3 〇，以

1279080 五、發明說明（31) 鋁箔上已經形成有導電聚合物膜3 1 (聚吡咯）之部份。包含銅箱之金屬板4〇且金屬板40之各末端排列成端子41與42 °冑後，藉由第八實施例之方法，溶产夕^ Ϊ用包含鋁猪之閥作用金屬板1〇作為陽極且包含銅 =Φ々屬板4 〇作為陰極而測量所獲得的屏蔽條線路型裝置谷_值時，發現在頻率1 2 〇 jjz時的電容值約為3 8 0 // ，示7丨電，氧化膜2 〇之表面適當地由聚。比洛所塗覆。一 ί且，當藉由連接設於屏蔽條線路型裝置之各末端處六:德ί極引線端子11、12、41、42至網路分析器而測量 ί ϊ ί輸特徵Sn時，發現S21在100 kHz至100 1〇2之頻率靶最夕為—70 dB且在1 GHz之頻率時最多為一 40 (1B。可，解本見施例之屏蔽條線路型裝置相較於先前技藝 ^谷而言具有作為高速數位電路之電源解耦裝置之極特徵。兹將說明本發明之第十四實施例。此第十四實施例係圖6所示的屏蔽條線路型裝置之製造方法之實施例。首先，在玻璃容器中準備具有濃度為5質量％之聚己基

，吩溶液，且此溶液滴至已經完成到第八實施例中之介電氧化膜2。0之形成的鋁箔之未受遮蔽的區域上，然後鋁箔在溫度8—0 °C之環境中乾燥。然後整個裝置浸入氫氯酸水溶液中^藉以使用導電聚合物膜31塗佈介電氧化膜2〇之表面。此導電聚合物膜31包含具有氯離子作為摻雜物的聚己基噻吩0

第36頁 !279〇8〇五、發明說明（32) 产短然後藉由相同於第八實施例之方法形成導電層30，以二繞鋁箔上已經形成有導電聚合物膜31 (聚己基噻

Li後㈣寸包含銅箱之金屬板4〇且金屬板之各末“ 為陰極引線端子41與42。隨後，藉由第八實施例之方、，溶解遮罩樹脂且黏附二陽極y線端子u與12。 $ μ 用包含鋁猪的閥作用金屬板10作為陽極且包含銅屬板40料陰極而測量所獲得的屏蔽條線路型裝置之電谷值阵，發現在頻率12〇Ηζ時的電容值約為38〇 I 覆。不介電氧化膜20之表面適當地由聚己基噻吩所塗 -fj ΐ a!藉由連接設於此屏蔽條線路型裝置之兩端的子U、12、41、舆42至網路分析器而測量 ’發現S21在⑽山至⑽MHz之頻率 ί ^ ί夕〇心且在1 GHz之頻率時最多為-40 dB。電id:，屏蔽條線路型裝置相較於先前技藝兩速數位電路之電源解驗置之極優良茲將說明本發明之第+ $智：^ y , 圖6所示的屏蔽條線路Λ置此第Λ五實施例係 ^ ^ ^ - 衣方法之實施例。烧苯#鐵之乙為中準備含有濃度為10質量％的十二 ΐ 5= 錢已經完成在第八實施例中之介形ΪΓ呂箱浸入此溶液中然後取出。然後銘雙氧嗟吩之水溶液然後取出，然後維持=二乙上

第37頁 1279080 五、發明說明（33) 鐘以聚合乙烯雙氧舊吩。隨後，藉著水與乙在溫度80 t：之環境中乾燥。重複此等操作，舉例而j泊且次’獲得介電氧化膜20之表面覆蓋有導電聚合物膜心的：箔（閥作用金屬板10)。此導電聚合物膜31包含具有 ^ 苯磺酸作為摻雜物的聚乙烯雙氧噻吩。一院然後藉由相同於第一實施例方法形成導電層3〇，繞銘箱上已經形成有導電聚合物膜31(聚乙烯雙氧噻衣部分。然後黏附包含銅箔的金屬板4〇且金屬板4〇之各排列作為陰極引線端子4丨與“。隨後’藉由第八實施例$ % 方法，，溶解遮罩樹脂且黏附二陽極引線端子丨丨與丨2。咏當使用包含鋁箱的閥作用金屬板1 0作為陽極且包含銅泊的，屬板40作為陰極而測量所獲得的屏蔽條線路型裝置之電容_值時，發現在頻率12〇Hz時的電容值約為38〇 # F，表不介電氧化膜2〇之表面適當地由聚乙烯雙氧噻塗覆。亦且，當藉由連接設於屏蔽條線路型裝置之各末端處的二對電極引線端子n、12、41、42至網路分析器而測量功率傳輸特徵S21時，發現S21在i MHz至1〇〇 MHz之頻率範圍中最多為-60 dB且在1 (jHz之頻率時最多為—4〇 dB。因 =可f解本實施例之屏蔽條線路型裝置相較於先前技藝電谷而&具有作為高速數位電路之電源解耦裝置之極優良特徵。兹_將說明本發明之第十六實施例。此第十六實施例係 6所不的屏蔽條線路型裝置之製造方法之實施例。

1279080 五、發明說明（34) 首先’在破璃容器中準備具有濃度為30質量％的十二炫苯磺鐵之甲醇溶液且冷卻至溫度_5〇。〇。然後。比咯滴入此洛2中直到其濃度變成6質量％，然後藉由攪拌該溶液加 ”：，同時維持溫度於—㈣。然後此溶液滴至已經完貫施例中之介電氧化媒20之形成的紹謂之未受遮 =上，然後紹箱維持於室溫中6〇分鐘。隨後藉著水 =酵π洗且於80 C乾燥，獲得介電氧化膜2〇之表面覆蓋 1 t合物膜31之銘箱。此導電聚合物膜31包含具有十 —烷本續酸作為摻雜物的聚叱咯。产鸲f ί猎由自同於第八實施㈣之方法形纟導電層30，以二:、呂泊上已經形成有導電聚合物膜3丨（聚吡咯）之部份。 if，附包含銅落的金屬板4〇且金屬板仰之 ==線料41與42。隨後，藉由第八實施例之方j作 /备，罩树月日且黏附二陽極引線端子丨丨與i 2。落的ί Ϊ 1包含1呂落的闕作用金屬板1 0作為陽極且包含銅二枯屬板40作為陰極而所獲得的屏蔽谷：時，發現在頻率120 Ηζ時的電容值約為心置之電不,丨電氧化膜別之表面適當地由聚吡咯所塗覆。表亦且，當藉由連接設於屏蔽條路^ ^ ^ ^ 的二對電極引線端子U、12、41、42至網路八;士末络^ Α 功率傳輸特徵S21時，發現S21 , ] ΜΗ 刀态而測篁^ 圍中畏夕失,η ^ I現“1在1 ΜΗζ至100 MHz之頻率範 =夕為-60 dB。因此可瞭解本實施例之： 2相較於先前技藝電容而言具有作為高速數位 /'、耦裝置之極優良特徵。茲將說明本發明之第十七實施第39頁 1279080 五、發明說明（35) ' · 例。圖1 2A至1 2G係依據製程順序顯示圖6所示的屏蔽條線路型裝置之製造方法。如圖12A所示，準借正方C形狀金屬箔之閥作用金屬板 10，且如圖12B所示，絕緣物質60設於已經彎折成正方c形狀的金屬落之各末端附近。此等絕緣物質6〇防止後續製程中的溶液蔓延。、接著，如圖12C所示，準備含有5質量％的硼酸銨水溶液8〇之奋器以及DC電源供應70，以形成介電氧化膜2〇於閥作用金屬板10之表面上，且Dc電源供應7〇之陰極連接至硼酸，水溶液80，陽極71連接至閥作用金屬板1〇，且施加仳電堅以進行陽極形成。在此製程中，閥作用金屬板丨〇中位於圖中絕緣物質60下方之部份浸入硼酸銨水溶液8〇中。結果，介電氧化膜20形成於閥作用金屬板1〇之表面上。屬然^已經卩前述方式形成有彳冑氧化膜2〇的閥作用金 2二1〇 =人溶液90中用以形成導電物質’如圖12£所示。 ::果’：電層30形成於介電氧化膜2〇之表面上，如圖ΐ2ρ 】Wi L藉由黏附金屬板40至導電物質3°之表面而完成屏蔽條線路型裝置，如圖12G所示。

H 置，述，藉由本發明可獲得一種屏蔽條線路型裝 f 低，尤其在100 MHZ或更高之高頻範圍中更是通梦晉十ί合用於高速與高頻，主要作為雜訊濾波器之旁通裝置或作為解耦裝置。 L故恭之穹速數：iC共了獲得比先前技藝電容更佳地作為高之電源解麵裝置的屏蔽條線路型裝置之效果。

1279080 五、發明說明（36) 亦且藉由彎折或彎曲在一方向上為薄長形狀的閥作用金屬之各末端，以使閥作用金屬之形狀為正方C形狀、楔形狀、或ϋ形狀，提供了可僅藉由浸入用於陽極形成的溶液中或用於形成導電材料之層的溶液中而製造屏蔽條線路型裝置之效果。

第41頁 1279080 圖式簡單說明圖1顯示先前技藝表面安裝濾波器之例子之剖面圖。圖2顯示依據本發明之一實施例之屏蔽條線路型裝置之剖面圖。圖3係沿著圖2之線A-A’之剖面圖。圖4顯示依據本發明第六實施例之屏蔽條線路型裝置之透視圖。圖5顯示依據本發明第七實施例之屏蔽條線路型裝置之透視圖。圖6顯示依據本發明第八實施例之屏蔽條線路型裝置之透視圖。圖7顯示依據本發明第九實施例之屏蔽條線路型裝置之透視圖。圖8顯示依據本發明第十實施例之屏蔽條線路型裝置之透視圖。圖9顯示依據本發明第十一實施例之屏蔽條線路型裝置之透視圖。圖1 0顯示依據第十二實施例之屏蔽條線路型裝置之平面圖。圖11係沿著圖10之線C-C’之剖面圖。圖1 2A至1 2G係依製程順序顯示依據本發明第十七實施例之屏蔽條線路型裝置之製造方法。【符號說明】 10 閥作用金屬板

第42頁 1279080 圖式簡單說明 11，lla，12， 12a 陽極引線端子 1 lb，12b 螺孔 13 形成體 14, 15 组配線 16 金屬構件 17 圓柱狀金屬構件 20，21 介電氧化膜 30導電層 31 導電聚合物膜 32 導電碳膠層 3 3 銀膠層 35 導體層 36 導體層 40 金屬板 41，41a，42，42a 陰極引線端子 41b, 42b 螺孔 60 絕緣物質 70 DC電源供應 71 陽極 8 0 糊酸敍水溶液 90 溶液 110 第一介電片 111 第一内部導體 112 第二内部導體

第43頁 1279080 圖式簡單說明 115 曲折導體 120 第二介電片 125 接地導體 130 第三介電片 151 第一信號電極 152 第二信號電極 153 層疊體 _

第44頁

Claims

1279080 六、申請專利範圍 1 · 一種屏蔽條線路型裝置，包含：金屬構件’由一閥作用金屬所形成，高頻電流流經其間且直交於高頻電流流動方向之剖面形狀在該電流方向上係實質上固定，· ”電氧化膜’形成於此金屬構件之表面上，·以及一導電層，設置以夾住該介電氧化膜且環繞該金屬構件0 2面:狀申係請矩專:。範圍第1項之屏蔽條線路型装置，其中該到 3面形如狀申:上利範圍第1項之屏毅條線路"裝置，其中該剖該剖 4面形如上二專形利。範圍第1項之屏蔽條線路型装置，其中 5讲：一申5專利範圍第1項之屏蔽條線路型裝置Φ — 對苐一電極弓丨線端子，設置於該置，更包含一置處。 ”乍用金屬構件之不同位 6.如申請專利範圍第1至第5項中— 裝置，其中該導電層包括一層導電聚合物匕。屏蔽條線路型

第45頁 ί2?9〇8〇申噜專利範蜀彎a 部。，且該對第電極引線端子設置成對應於該對末端，作以：：2=項之屏蔽條線路型裝置，其中該的束端其形狀為-對互相 χ子第1極％線端子設面朝相同方向升起，且置成對應於該對末端部。閥作用金屬%md項之屏蔽條線路型裝置，其中該八有囡柱狀或圓桶形狀。 15·—種屏蔽條線路型裴置之诰人使用一由一閥作 / ，匕各下列步驟·· 件之形壯夂；士金屬所形成的金屬構件，吁入歷金屬構件之該兩末端相或考曲，且於該閥作用藉由將該闕作構：：近設置絕緣物質; j入到化學轉化用之氧化劑中，==物質間之區域藉由浸入該間作；之該區域之表面上；該區域於-聚合作用浴槽中：：：：絕緣物質層間之氧化膜上；以及 /成一層導電物質於該介電黏附一金屬板至該導電層。