CN101271781B - 固体电解电容器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种固体电解电容器元件，该固体电解电容器元件包括阳极箔、固体电解质层、阴极箔和连接部分。该阳极箔由阀金属构成，并具有至少一个在其厚度方向上通过的通孔。该固体电解质层由导电聚合物制成，并设置在所述阳极箔的表面上。该阴极箔设置在所述固体电解质层的表面上。该连接部分设置在所述通孔中，并对第一固体电解质层和第二固体电解质层进行电连接。所述第一固体电解质层是所述固体电解质层处于所述阳极箔的一面上的区域。所述第二固体电解质层是所述固体电解质层处于所述阳极箔的另一面上的另一个区域。

Description

固体电解电容器 
技术领域
本发明涉及一种固体电解电容器元件和固体电解电容器。 
背景技术
因为功能聚合物固体电解电容器在频率特性方面优于其他电解电容器，所以功能聚合物固体电解电容器正受到关注。具体地说，正在进行连接到个人计算机或服务器的CPU(中央处理单元)的功能聚合固体电解电容器的高速化和高频率化。固体电解电容器是适于电源线的表面安装电容器，并适于去耦合电路。 
近来，正在研发可表面安装的固体电解电容器，该电解电容器具有几百μF的电容，在100kHz的频率范围具有2mΩ到10mΩ的ESR(等效串联电阻)，在10MHz范围具有大约1pH的ESL(等效串联电感)。日本专利申请公报2006-156951和日本专利申请公报2006-128247公开了一种具有一个以上固体电解电容器元件的高电容固体电解电容器。 
对于较高电容且较低ESR的功能聚合固体电解电容器存在需求。 
发明内容
鉴于以上情况做出本发明，本发明提供了一种具有低ESR的固体电解电容器元件和固体电解电容器。 
根据本发明的一方面，提供了一种固体电解电容器，其包括： 
固体电解电容器元件，该固体电解电容器元件具有阳极箔、固体电解质层、阴极箔和连接部分，所述阳极箔由阀金属构成，并具有至少一个在其厚度方向上通过的通孔；所述固体电解质层由导电聚合物制成，并设置在所述阳极箔的表面上；所述阴极箔设置在所述固体电解质层的表面上；所述连接部分设置在所述通孔中，并对第一固体电解质层和第 二固体电解质层进行电连接，所述第一固体电解质层是所述固体电解质层处于所述阳极箔的一面上的区域，所述第二固体电解质层是所述固体电解质层处于所述阳极箔的另一面上的另一个区域； 
导电基板，该导电基板具有阴极端并且电连接到阴极层，所述固体电解电容器元件安装在所述导电基板上；以及 
金属盖，该金属盖连接到所述导电基板并覆盖所述固体电解电容器元件， 
所述导电基板具有至少一个通孔；以及 
所述固体电解电容器元件具有通过所述通孔从所述阳极箔引出的阳极端。 
利用该结构，所述第一固体电解质层经由所述通孔电连接到所述第二固体电解质层。减少了从所述第一固体电解质层的区域到第一阴极层的阴极引出距离或者从所述第二固体电解质层的区域到第二阴极层的阴极引出距离，该第一阴极层是所述阴极层处于所述阳极箔所述另一面上的区域，该第二阴极层是所述阴极层处于阳极箔所述一面上的另一个区域。即使使用第一阴极层或第二阴极层中的任一个作为阴极引出端，也会因此减少ESR。 
附图说明
参照以下附图详细描述本发明的优选实施方式，其中： 
图1A到图1E表示根据第一实施方式的固体电解电容器元件； 
图2A到图2C表示根据第二实施方式的固体电解电容器元件； 
图3A到图3C表示根据第三实施方式的固体电解电容器元件； 
图4A到图4C表示根据第四实施方式的固体电解电容器元件； 
图5A和图5B表示根据第五实施方式的固体电解电容器； 
图6A和图6B表示根据第五实施方式的固体电解电容器； 
图7A和图7B表示根据第六实施方式的固体电解电容器；以及 
图8A和图8B表示根据第六实施方式的固体电解电容器。 
具体实施方式
现在参照附图，给出对本发明实施方式的描述。 
(第一实施方式) 
图1A到图1E例示了根据第一实施方式的固体电解电容器元件100。图1A例示了固体电解电容器元件100的俯视图。图1B例示了沿图1A的A-A线截取的截面图。图1C例示了沿图1A的B-B线截取的截面图。图1D例示了沿图1A的C-C线截取的截面图。图1E例示了沿图1A的D-D线截取的截面图。 
如图1B和图1C所示，固体电解电容器元件100具有其中在阳极箔11的整个表面上设置固体电解质层12、碳膏层(carbon paste layer)13和阴极层14的结构。固体电解质层12位于阳极箔11的一面上的区域被称为固体电解质层12a，固体电解质层12位于阳极箔11的另一面上的另一个区域被称为固体电解质层12b。碳膏层13位于阳极箔11的所述一面上的区域被称为碳膏层13a，碳膏层13位于阳极箔11的所述另一面上的另一个区域被称为碳膏层13b。阴极层14位于阳极箔11的所述一面上的区域被称为阴极层14a，阴极层14位于阳极箔11的所述另一面上的另一个区域被称为阴极层14b。 
阳极箔11由表面上形成有介电氧化涂层(dielectric oxide coating)(未示出)的阀金属(valve metal)制成。用于阳极箔11的阀金属可以是例如铝的金属。在对阀金属的表面进行蚀刻处理和化学氧化处理时，形成所述介电氧化涂层。固体电解质层12a和12b由导电聚合物制成。例如，固体电解质层12a和12b可由PEDT(3，4-聚乙烯二羟噻吩)等制成。碳膏层13a和13b由碳膏制成。阴极层14a和14b由例如银膏的导电材料制成。 
如图1B所示，在图1A中所示的A-A线方向上的阳极箔11的两端，固体电解质层12a利用固体电解质连接到固体电解质层12b，碳膏层13a利用碳膏连接到碳膏层13b，阴极层14a利用诸如银膏的导电材料连接到阴极层14b。 
如图1A和1C所示，在图1B中所示的B-B线方向上的阳极箔11 的两端，没有设置固体电解质层12a和12b、碳膏层13a和13b以及阴极层14a和14b。在图1B中所示的B-B线方向上的阳极箔11的两端的区域充当阳极引出部分。在图1B中所示的B-B线方向上的阳极箔11的两端，在固体电解质层12a的露出区域形成绝缘层15a，在固体电解质层12b的露出区域形成绝缘层15b。结果，抑制了固体电解质从固体电解质层12a和12b的泄漏。绝缘层15a和15b由诸如硅树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的绝缘合成树脂制成。 
如图1A、图1D和图1E所示，在阳极箔11的形成固体电解质层12a和12b的区域，形成有在阳极箔11的厚度方向上通过该阳极箔的通孔16。在通孔16中，固体电解质层12a利用固体电解质连接到电解质层12b，碳膏层13a利用碳膏连接到碳膏层13b，阴极层14a利用诸如银膏的导电材料连接到阴极层14b。通孔16的直径例如是1mm到2mm。通孔16的面积是阳极箔11中形成固体电解质层12a和12b的面积的1％到3％。 
在该实施方式中，固体电解质层12a经由通孔16电连接到固体电解质层12b。这使得减少了从固体电解质层12a的各区域到阴极层14b的阴极引出距离。其原因在于经由通孔16从靠近通孔16的固体电解质层12a到阴极层14b的距离小于经由阳极箔11的末端从靠近通孔16的固体电解质层12a的区域到阴极层14b的距离。因此如果将阴极层14b用作阴极引出端，则固体电解质层12a与阴极层14b之间电阻减少。这使得ESR减少。如果将阴极层14a用作阴极引出端，则ESR减少。优选的是，在阳极箔11中形成固体电解质层12a和12b的区域的中心处形成通孔16，因为这样减少了所述阴极引出距离。 
通孔16的数量可以多于一个。当固体电解质层12a经由通孔16电连接到固体电解质层12b时，所述ESR减少。因此，没必要在通孔16中将碳膏层13a连接到碳膏层13b，以及没必要将阴极层14a连接到阴极层14b。然而，当碳膏层13a连接到碳膏层13b时，所述电阻减少。这使得所述ESR进一步减少。如果阴极层14a连接到阴极层14b，则电阻进一步减少。这使得ESR进一步减少。 
当将具有介电氧化涂层的阀金属切割为给定形状并形成通孔时，形 成阳极箔11。通过切割处理和穿透处理，在阳极箔11的端面和通孔中露出了阀金属。该介电氧化涂层存在缺陷。因此必须再次在露出的阀金属上形成一氧化涂层。例如，当在切割处理和穿透处理之后多次进行化学变换处理和热处理时，可以在露出的阀上再次形成所述介电氧化涂层。该化学变换处理使用浓度为0.5％(重量百分比)到2％(重量百分比)的己二酸铵(adipic acid ammoinium)的化学变换溶液，并用接近介电氧化涂层的形成电压的电压进行该处理。在200℃到280℃的温度范围中进行所述热处理。 
当用氧化剂聚合可聚合单体时，形成固体电解质层12a和12b。聚合用的溶剂是包括可聚合单体和挥发溶剂的混合溶剂。混合溶剂中的单体的浓度优选地是1wt％到50wt％，更优选地是10wt％到35wt％。氧化剂是包括40wt％到60wt％的氧化剂的醇基溶剂。可以在对可聚合单体和氧化剂进行混合之后在阳极箔11上形成固体电解质层(单液法(singleliquid method))。可以在分别向阳极箔11提供可聚合单体和氧化剂之后形成固体电解质层(双液法(double liquid method))。 
可以将对吡咯进行电聚合的聚合吡咯(polypyrrole)用作固体电解质层12a和12b。通过该聚合吡咯，固体电解质层12a和12b的厚度可以很均匀。因此可以抑制阳极箔11的介电氧化涂层受到破坏，并可以减少LC(漏电流)。 
在实施方式中，固体电解质层12a与第一固体电解质层相对应，固体电解质层12b与第二固体电解质层相对应，阴极层14a与第一阴极层相对应，阴极层14b与第二阴极层相对应，在通孔16中对固体电解质层12a和固体电解质层12b进行电连接的固体电解质与连接部分相对应，对阴极层14a与阴极层14b进行电连接的导电材料与所述连接部分的电极相对应。 
(第二实施方式) 
随后，对根据第二实施方式的固体电解电容器元件100a进行描述。图2A到图2C例示了固体电解电容器元件100a。图2A例示了固体电解电容器元件100a的俯视图。图2B例示了沿图2A的E-E线截取的截面 图。图2C例示了沿图2A的F-F线截取的截面图。 
与图1A中所示的固体电解电容器元件100不同的是，固体电解电容器元件100a具有来自阳极箔11的单个阴极引出部分。在图2A中所示的F-F线方向上阳极箔11的其中一个端部处没有设置固体电解质层12a和12b、碳膏层13a和13b、以及阴极层14a和14b。另一方面，在图2A中所示的F-F线方向上阳极箔11的另一端部处，固体电解质层12a利用固体电解质连接到固体电解质层12b，碳膏层13a利用碳膏连接到碳膏层13b，阴极层14a利用诸如银膏的导电材料连接到阴极层14b。 
在该实施方式中，固体电解质层12a经由通孔16电连接到固体电解质层12b。这使得减少了固体电解电容器元件100a的ESR。 
(第三实施方式) 
随后，对根据第三实施方式的固体电解电容器元件200进行描述。图3A到图3C例示了固体电解电容器元件200。图3A例示了固体电解电容器元件200的俯视图。图3B例示了沿图3A的G-G线截取的截面图。图3C例示了沿图3A的H-H线截取的截面图。 
如图3B和图3C所示，固体电解电容器元件200具有多个固体电解电容器元件100堆叠的结构。在固体电解电容器元件200中，用导电粘合剂17将各个固体电解电容器元件100彼此粘合，以使得一个固体电解电容器元件100的阴极层14a面对另一个固体电解电容器元件100的阴极层14b。导电粘合剂17由诸如银的金属颗粒和热固树脂制成。用导电粘合剂17充满各个通孔16。 
如图3A和图3C所示，用焊接等方式经由条状金属板18将各个阳极箔11彼此连接。如图3B和图3C所示，各个通孔16彼此连通。 
在该实施方式中减少了从各固体电解质层12a和12b的区域到底部阴极层14b或顶部阴极层14a的阴极引出距离。因此在固体电解电容器元件200中减少了ESR。可以通过改变固体电解电容器元件100的数量，来选择性地改变固体电解电容器元件200的电容。 
(第四实施方式) 
接下来，对根据第四实施方式的固体电解电容器元件200a进行描述。 图4A到图4C例示了固体电解电容器元件200a。图4A例示了固体电解电容器元件200a的俯视图。图4B例示了沿图4A的I-I线截取的截面图。图4C例示了沿图4C的J-J线截取的截面图。 
如图4B和图4C所示，固体电解电容器元件200a具有多个固体电解电容器元件100a堆叠的结构。在固体电解电容器元件200a中，用导电粘合剂17将各个固体电解电容器元件100a彼此粘合，以使得一个固体电解电容器元件100a的阴极层14a面对另一个固体电解电容器元件100a的阴极层14b。用条状金属板18将阳极箔11的每个阳极引出部分彼此连接。 
在该实施方式中减少了从每个固体电解质层12a和12b的区域到底部阴极层14b或顶部阴极层14a的阴极引出距离。因此在固体电解电容器元件200a中ESR减少。可以通过改变固体电解电容器元件100a的数量来选择性地改变固体电解电容器元件200a的电容。 
(第五实施方式) 
接下来，对根据第五实施方式的固体电解电容器300进行描述。图5A到图6B例示了固体电解电容器300。图5A例示了固体电解电容器300的俯视图。图5B例示了固体电解电容器300的仰视图。图6A例示了沿图5A的K-K线截取的截面图。图6B例示了沿图5A的L-L线截取的截面图。 
如图6A和图6B所示，固体电解电容器300具有其中在壳体20中容纳一个以上的固体电解电容器元件100的结构。壳体20具有在导电基板21上设置金属盖22的结构。可以通过凸焊(projection welding)将金属盖22焊接到导电基板21。金属盖22由诸如铜、铝、SPC钢、钴钢或不锈钢的金属制成。
导电基板21由具有导电性、易于焊接并具有低透湿性的材料制成。例如，导电基板21可以由诸如铜、铝、SPC钢、钴钢、不锈钢的金属、表面涂敷有金属层的陶瓷制成。在金属盖22的内表面上形成绝缘层(未示出)。因此可以防止固体电解电容器元件100与金属盖22之间的电短路。绝缘层可能是绝缘树脂、聚酰胺基树脂或PET(聚乙烯对苯二甲酸 脂)。 
如图6A和图6B所示，通过导电粘合剂23将底部固体电解电容器元件100的阴极层14b电连接到导电基板21。因此，导电基板21和金属盖22充当阴极。 
如图5B和图6B所示，在L-L线方向上在导电基板21的两端周围形成通孔。在各个通孔中设置阳极端24。在阳极端24与导电基板21之间形成绝缘构件25。因此可以防止阳极端24与导电基板21之间的电短路。 
阳极端24由易于焊接的导电材料制成。阳极端24可由SPC钢、钴钢等制成。将阳极端24连接到阳极箔11。导电基板21在通孔之间的底面上具有凸起部分26。凸起部分26充当阴极端。 
在根据该实施方式的固体电解电容器300中，ESR减少。因为用对外部环境具有高密封性能并具有高阻挡性能的金属盖22和导电基板21对固体电解电容器元件100进行了密封，所以固体电解电容器300具有高抗湿性。因此可以抑制固体电解电容器300的劣化。并且因为整个壳体20充当阴极，所以可以减少固体电解电容器300的ESL。 
(第六实施方式) 
接下来，对根据第六实施方式的固体电解电容器300a进行描述。图7A到图8B例示了固体电解电容器300a。图7A例示了固体电解电容器300a的俯视图。图7B例示了固体电解电容器300a的仰视图。图8A例示了沿图7A的M-M线截取的截面图。图8A例示了沿图7A的N-N线截取的截面图。 
如图8A和图8B所示，固体电解电容器300a具有用热固树脂30覆盖一个以上的固体电解电容器元件100a的结构。如图7B、图8A和图8B所示，将底部固体电解电容器元件100a的阴极层14b电连接到导电基板31。导电基板31从热固树脂30中露出来。因此，导电基板31充当阴极。将阳极端32连接到阳极箔11。阳极端32从导电基板31中露出来。 
在根据该实施方式的固体电解电容器300a中，ESR减少。因为用热固树脂覆盖固体电解电容器元件100a，所以可低成本地制造固体电解电 容器300a。 
在该实施方式中用热固树脂覆盖固体电解电容器300a。可以用图5A到图6B中所示的导电基板21和金属盖22覆盖固体电解电容器300a。根据第五实施方式的固体电解电容器300是用导电基板21和金属盖22进行覆盖的。可以用图7A到图8B中所示的热固树脂30覆盖固体电解电容器300。阳极箔11具有一个或两个阳极引出部分。阳极箔11可以具有两个以上的阳极引出部分。 
实施例 
制造了根据上述实施方式的固体电解电容器元件和固体电解电容器。 
(第一实施例) 
在第一实施例中制造了图1A中所示的固体电解电容器元件100。阳极箔11是由进行过蚀刻处理和化学变换处理并且尺寸是15mm X 9.5mm X 110μm的铝箔形成的。固体电解质层12a和12b由PEDT(3，4-聚乙烯二氧噻吩)制成。碳膏层13a和13b由碳膏制成。阴极层14a和14b由导电银膏制成。通孔16的直径是1mm。第一实施例的固体电解电容器元件的电容是250μF。 
(第一比较实施例) 
在第一比较实施例中使用没有通孔的阳极箔。第一比较实施例的固体电解电容器元件的其他结构与第一实施例相同。第一比较实施例的固体电解电容器元件的电容是250μF。 
(第一分析) 
表1示出了第一实施例和第一比较实施例的固体电解电容器元件的电容、tanδ、漏电流、ESR和阻抗Z。分别制造第一实施例和第一比较实施例的三十个固体电解电容器元件。表1的每个值表示其平均值。 
[表1] 
如表1所示，第一实施例的固体电解电容器元件的ESR低于第一比较实施例的。这是因为固体电解质层12a经由通孔16电连接到固体电解质层12b，从而减少了阴极引出距离。另外，第一实施例的固体电解电容器元件的阻抗低于第一比较实施例。 
(第二实施例) 
在第二实施例中制造图3A中所示的固体电解电容器300。阳极箔11是由进行过蚀刻处理和化学变换处理并且尺寸为15mm X 9.5mm X110μm的铝箔形成的。固体电解质层12a和12b由PEDT(3，4聚乙烯二氧噻吩)制成。碳膏层13a和13b由碳膏制成。阴极层14a和14b由导电银膏制成。导电粘合剂17由粘合银膏制成。通孔16的直径是1mm。在第二实施例的固体电解电容器中，图1A中所示的固体电解电容器元件100的数量是4。该第二实施例的固体电解电容器元件的电容是1000μF。 
(第二比较实施例) 
在第二比较实施例中使用了没有通孔的阳极箔。第二比较实施例的固体电解电容器的其他结构与第二实施例相同。第二比较实施例的固体电解电容器的电容是1000μF。 
(第二分析) 
表2示出了第二实施例和第二比较实施例的固体电解电容器元件的电容、tanδ、漏电流、ESR和阻抗Z。分别制造第二实施例和第二比较实施例的三十个固体电解电容器元件。表2中的每个值表示其平均值。 
[表2] 
Figure GSB00000275086900101
如表2所示，第二实施例的固体电解电容器元件的ESR低于第二比较实施例。这是因为固体电解质层12a经由通孔16电连接到固体电解质层12b，从而减少了阴极引出距离。另外，第二实施例的固体电解电容器元件的阻抗低于第二比较实施例。 
(第三实施例) 
在第三实施例中制造图5A中所示的固体电解电容器300。阳极箔11是由进行过蚀刻处理和化学变换处理并且尺寸为15mm X 9.5mm X110μm的铝箔形成的。固体电解质层12a和12b由PEDT(3，4聚乙烯二氧噻吩)制成。碳膏层13a和13b由碳膏制成。阴极层14a和14b由导电银膏制成。导电粘合剂17由粘合银膏制成。通过凸焊将金属盖22焊接到导电基板21。从而，对固体电解电容器元件进行密封。通孔16的直径是1mm。在第三实施例的固体电解电容器中，图1A中表示的固体电解电容器元件100的数量是4。第三实施例的固体电解电容器元件的电容是1000μF。 
(第三比较实施例) 
在第三比较实施例中使用了没有通孔的阳极箔。第三比较实施例的固体电解电容器的其他结构与第三实施例相同。第三比较实施例的固体电解电容器的电容是1000μF。 
(第三分析) 
表3示出了第三实施例和第三比较实施例的固体电解电容器元件的电容、tanδ、漏电流、ESR和阻抗Z。分别制造第三实施例和第三比较实施例的三十个固体电解电容器元件。表3中的每个值表示其平均值。 
[表3] 
如表3所示，第三实施例的固体电解电容器元件的ESR低于第三比较实施例。这是因为固体电解质层12a经由通孔16电连接到固体电解质层12b，从而减少了阴极引出距离。此外，第三实施例的固体电解电容器的阻抗低于第三比较实施例。 
虽然以上描述构成本发明的优选实施方式，但是应该理解的是，在不脱离所附权利要求的适当范围和合理含义的情况下，容易想到本发明的变型、变化和改变。 
本申请基于2007年3月19日提交的日本专利申请2007-070290，以引用的方式将其全部内容并入于此。 

Claims (8)

1.一种固体电解电容器，其包括：
固体电解电容器元件，该固体电解电容器元件具有阳极箔、固体电解质层、阴极箔和连接部分，所述阳极箔由阀金属构成，并具有至少一个在其厚度方向上通过的通孔；所述固体电解质层由导电聚合物制成，并设置在所述阳极箔的表面上；所述阴极箔设置在所述固体电解质层的表面上；所述连接部分设置在所述通孔中，并对第一固体电解质层和第二固体电解质层进行电连接，所述第一固体电解质层是所述固体电解质层处于所述阳极箔的一面上的区域，所述第二固体电解质层是所述固体电解质层处于所述阳极箔的另一面上的另一个区域；
导电基板，该导电基板具有阴极端并且电连接到阴极层，所述固体电解电容器元件安装在所述导电基板上；以及
金属盖，该金属盖连接到所述导电基板并覆盖所述固体电解电容器元件，
所述导电基板具有至少一个通孔；以及
所述固体电解电容器元件具有通过所述通孔从所述阳极箔引出的阳极端。
2.根据权利要求1所述的固体电解电容器，该固体电解电容器进一步包括：
绝缘构件，该绝缘构件位于所述通孔中所述导电基板与所述阳极端之间。
3.根据权利要求1所述的固体电解电容器，其中：
所述固体电解电容器具有多个固体电解电容器元件；以及
所述固体电解电容器元件彼此堆叠。
4.根据权利要求3所述的固体电解电容器，其中用导电粘合剂将彼此面对的一对所述阴极层彼此粘合。
5.根据权利要求4所述的固体电解电容器，其中所述导电粘合剂包括金属颗粒和热固树脂。
6.根据权利要求3所述的固体电解电容器，其中所述固体电解电容器元件的每个通孔彼此相通。
7.根据权利要求3所述的固体电解电容器，其中用导电粘合剂填充所述通孔。
8.根据权利要求3所述的固体电解电容器，其中：
各所述固体电解电容器元件的阳极箔具有阳极引出部分；以及
将各所述阳极引出部分彼此连接。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5415841B2 (ja) * 2009-06-26 2014-02-12 ルビコン株式会社 コンデンサ素子およびデバイス
JP5415843B2 (ja) * 2009-06-30 2014-02-12 ルビコン株式会社 積層されたコンデンサ素子を含むコンデンサユニットおよびデバイス
EP2434507A1 (en) * 2009-05-19 2012-03-28 Rubycon Corporation Surface mounting device and capacitor element
JP5415827B2 (ja) * 2009-05-19 2014-02-12 ルビコン株式会社 表面実装用のデバイス
JP5267586B2 (ja) * 2011-01-28 2013-08-21 株式会社村田製作所 固体電解コンデンサおよびその製造方法
US9767964B2 (en) * 2011-04-07 2017-09-19 Avx Corporation Multi-anode solid electrolytic capacitor assembly
WO2013046870A1 (ja) * 2011-09-26 2013-04-04 株式会社村田製作所 固体電解コンデンサおよびその製造方法
TWI443698B (zh) * 2012-09-13 2014-07-01 Ind Tech Res Inst 去耦合元件及其製造方法
JP2014030063A (ja) * 2013-11-13 2014-02-13 Rubycon Corp 表面実装用のデバイス
CN107256800B (zh) * 2017-05-26 2020-01-17 Oppo广东移动通信有限公司 电解电容和音频电路

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004158580A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Japan Carlit Co Ltd:The 積層型アルミ固体電解コンデンサの製造方法及び該方法によるコンデンサ

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02301116A (ja) 1989-05-15 1990-12-13 Nec Corp 固体電解コンデンサ
US5968210A (en) * 1997-11-12 1999-10-19 Pacesetter, Inc. Electrolytic capacitor and method of manufacture
US6504705B2 (en) * 2000-10-12 2003-01-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrolytic capacitor, circuit board containing electrolytic capacitor, and method for producing the same
JP4604403B2 (ja) * 2001-06-25 2011-01-05 パナソニック株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JP3982496B2 (ja) * 2001-07-17 2007-09-26 松下電器産業株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
TW559845B (en) * 2001-07-30 2003-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solid electrolytic capacitor and its manufacturing method
JP4869515B2 (ja) 2001-08-10 2012-02-08 日本ペイント防食コーティングス株式会社 導電性ペースト組成物及び固体電解コンデンサ
DE60335074D1 (de) * 2002-12-27 2011-01-05 Panasonic Corp Kondensator und Verfahren zu dessen Herstellung, und Leiterplatte mit einem eingebauten Kondensator und Verfahren zu deren Herstellung
JP4450378B2 (ja) 2004-10-27 2010-04-14 Ｎｅｃトーキン株式会社 表面実装型コンデンサ及びその製造方法
JP4725783B2 (ja) 2004-11-04 2011-07-13 Ｔｄｋ株式会社 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサの製造方法
JP2006294734A (ja) 2005-04-07 2006-10-26 Nec Tokin Corp 表面実装薄型コンデンサ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004158580A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Japan Carlit Co Ltd:The 積層型アルミ固体電解コンデンサの製造方法及び該方法によるコンデンサ

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