TWI378482B - Solid electrolytic capacitor element and solid electrolytic capacitor - Google Patents

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1378482 九、發明說明： C發明所屬之技術領域：3 發明領域 本發明有關一種固體電解電容器元件及一種固體電解 5 電容器。 【先前技術3 相關技藝說明 一種機能性聚合物固體電解電容器正被注意，因為該 機能性聚合物固體電解電容器在頻率特性，比起另外的電 10 解電容器，是較好的。特別是，有關要被耦接至一個人電 腦或一伺服器的一 CPU (中央處理單元）之機能性聚合物固 體電解電容器，促使加快速度與較高頻率。該固體電解電 容器是一適合於一電源供應線的表面黏著電容器並適合於 一去耦電路。 15 近來，一可表面黏著固體電解電容器正被研發，其具 有幾個百pF的電容，在100 kHz頻率範圍下，具有2 ηιΩ的 ESR (等效串聯電阻），在10 MHz範圍下，具有近1 pH的等 效串聯電感。日本專利申請公報第2006-156951號與曰本專 利申請公報第2006-128247號揭露一種具有超過一個固體 20 電解電容器元件的高電容固體電解電容器。 有對於該機能性聚合物固體電解電容器的較高電榮與 較低ESR之需求。 I：發明内容3 發明概要 5 1378482

• · 本發明是考慮到上述環境而產生，並提供具有低ESR ' 的固體電解電容器元件及固體電解電容器。 根據本發明的一觀點，提供有一種固體電解電容器元 件，其包含一陽極膜、一固體電解層、一因極膜、及一連 5 接部分。該陽極膜係由閥金屬組成、並具有至少一個在其 ^ 厚度方向上穿過該陽極膜的穿孔，該固體電解層是由導電 聚合物製成、並被設在該陽極膜的一表面上，該陰極膜被 設在該固體電解層的一表面上，該連接部分被設於該穿孔 φ 中、並電性連接一第一固體電解層與一第二固體電解層， 10 該第一固體電解層是該固體電解層在該陽極膜的一個面上 的一區域，該第二固體第解層是該固體電解層在該陽極膜 的另一面上的另一區域。 - 利用該結構，該第一固體電解層，經由該穿孔，被電 . 性連接至該第二固體電解層。一自該第一固體電解層之區 15 域至一第一陰極層的陰極擷取距離或一自該第二固體電解 層之區域至一第二陰極層的陰極擷取距離被減少，該第一 • 陰極層是在該陽極膜另一面上之陰極層的一區域，該第二 . 陰極層是在該陽極膜該個面上之陰極層的另一區域。即使 _ 該第一陰極層或該第二陰極層被用來作為一陰極擷取端 20 子，該ESR因而被降低。 根據本發明的另一觀點，提供有一種包含一固體電解 電容器元件的固體電解電容器。該固體電解電容器元件具 有一陽極膜、一固體電解層、一陰極膜、及一連接部分， 該陽極膜係由閥金屬組成、並具有至少一個在其厚度方向 6 上穿過該陽極膜的穿孔，該固體電解層是由導電聚合物製 成、並被設在該陽極膜的一表面上，該陰極膜被設在該固 體電解層的一表面上，該連接部分被設於該穿孔中、並電 性連接一第一固體電解層與一第二固體電解層，該第一固 體電解層是該固體電解層在該陽極膜的一個面上的一區 域，該第二固體電解層是該固體電解層在該陽極膜的另一 面上的一區域。 利用該結構，該第一固體電解層，經由該穿孔，被電 性連接至該第二固體電解層。一自該第一固體電解層之區 域至一第一陰極層的陰極擷取距離或一自該第二固體電解 層之區域至一第二陰極層的陰極擷取距離被減少，該第一 陰極層是在該陽極膜另一面上之陰極層的一區域，該第二 陰極層是在該陽極膜該個面上之陰極層的另一區域。即使 該第一陰極層或該第二陰極層被用來作為一陰極擷取端 子，該ESR因而被降低。 圖式簡單說明 本發明之較佳實施例將參考以下圖式被詳細說明，其 中： 第1A圖到第1E圖繪示根據一第一實施例的一固體電 解電容器元件； 第2A圖到第2C圖繪示根據一第二實施例的一固體電 解電容器元件； 第3A圖到第3C圖繪示根據一第三實施例的一固體電 解電容器元件； 1378482 第4A圖到第4C圖繪示根據一第四實施例的一固體電 解電容器元件； 第5A圖與第5B圖繪示根據一第五實施例的一固體電 解電容器； 5 第6A圖與第6B圖繪示根據該第五實施例的固體電解 電容器； 第7A圖與第7B圖繪示根據一第六實施例的一固體電 解電容器；及 第8A圖與第8B圖繪示根據該第六實施例的固體電解 10 電容器。 t實施方式3 較佳實施例之詳細說明 現將參考該等附圖，給予本發明實施例的說明。 (第一實施例） 15 第1A圖到第1E圖繪示根據一第一實施例的一固體電 解電容器元件100。第1A圖繪示該固體電解電容器元件100 的一頂視圖，第1B圖繪示一沿著第1A圖的線A-A所取的橫 截面圖，第1C圖繪示一沿著第1A圖的線B-B所取的橫截面 圖，第1D圖繪示一沿著第1A圖的線C-C所取的橫截面圖， 20 第1E圖繪示一沿著第1A圖的線A-A所取的橫截面圖。 如第1B圖與第1C圖所示，該固體電解電容器元件100 具有一結構，其中一固體電解層12、一碳膏層13、及一陰 極層14被設在一陽極膜11的全部表面上。在該陽極膜11一 面上之該固體電解層12的一區域被參考為一固體電解層 8 1378482 12a’且在㈣極膜叫—面上之該固體電解層η的另一區 域被參考為-固體電解層⑶。在該陽極膜此該個面上^ 碳膏層u的-輯被參考為-碳膏層13a，且找陽極則 另一面上之該碳膏層13的另一區域被參考為一碳膏層 5 13b。在該陽極膜U之該個面上之陰極層_一區域被參考 為一陰極層14a，且在該陽極膜u另一面上之陰極層14的另 一區域被參考為一陰極層14b。 該陽極膜11是由閥金屬製成，該閥金屬具有一形成在 其表面上的介電氧化物塗佈（未繪出），用於該陽極膜u的閥 10金屬可為一如鋁之金屬，該介電氧化物塗佈是在該閥金屬 表面接受一蝕刻處理與一化學氧化處理時被形成，該等固 體電解12a與12b是由導電聚合物製成。例如，該等固體電 解層 12a與 12b可由 PEDT (3，4-polyethylenedioxythiophene) 或此類者製成。該等陰極層14a與14b是由導電材料如矽膏 15製成。 如第1B圖所示，在於第ία圖所示之線A-A方向之該陽 極膜11的兩端，該固體電解層12a，利用固體電解質，被連 接至該固體電解層12b、該碳膏層13a，利用碳膏，被連接 至該碳膏層13b、及該陰極層14a，利用導電材料如銀膏， 20 被連接至該陰極層14b。 如第1A圖與第1C圖所示，該等固體電解層12a與12b、 該等碳膏層13a與13b、及該等陰極層14a與14b係未設在於 第1B圖所示之線B-B方向的該陽極膜11之兩端。在於第1B 圖所示之線B-B方向的該陽極膜11兩端之區域充當一陽極 9 1378482 擷取部分。在於第1B圖所示之線B-B方向的該陽極膜11兩 端，一絕緣層15a被形成在該固體電解層12a的一露出區 域、且一絕緣層15b被形成在該固體電解層12b的一露出區 域。結果，該固體電解質從該等固體電解層12a與12b的洩 5 漏被受限。該等絕緣層15a與15b是由絕緣合成樹脂如矽樹 脂、環氧樹脂、聚酰胺樹脂或聚醯亞胺製成。 如第1A圖、第1D圖及第1E圖所示，在形成有該等固層 12a與12b之該陽極膜11的一區域，一以該陽極膜η之厚度 方向穿過該陽極膜11的穿孔16被形成。在該穿孔16中，該 10固體電解層12a，利用固體電解質，被連接至該固體電解層 12b、該碳膏層13a ’利用碳膏’被連接至該碳膏層i3b、及 該陰極層14a，利用導電材料如銀膏，被連接至該陰極層 14b。該穿孔16的直徑例如是1 mm至2 mm，該穿孔的面積 是形成該等固體電解層12a與12b之該陽極膜11的面積的1 15 %至3 %。 該實施例中’該固體電解層12a ’經由該穿孔16，被電 性連接至該固體電解層12b。如此導致一經由該穿孔自該固 體電解層12a的每個區域至該陰極層丨牝的陰極擷取距離的 減少，這是因為一自該固體電解層12在該穿孔16附近的一 20區域至該陰極層14b的距離是小於經由該陽極膜u端部自 该固體電解層12在該穿孔16附近之區域至該陰極層丨外的 距離。若該陰極層14b被用來作為一陰極擷取端子，則在該 固體電解層12a與該陰極層14b之間的電阻因而被降低，如 此導致ESD的降低。若該陰極層14a被用來作為一陰極梅取 10 端子’則該ESR被降低。因為該陰極擷取距離被減少，最 好的是該穿孔16被形成在形成有該等固體電解層12a與12b 之該陽極膜11的區域中心，。 該穿孔16的數量可以超過一個。當該固體電解層i2a經 由該穿孔被電性連接至該固體電解層121)時，該ESR被降 低。因此’在該穿孔16中，該碳膏層13a被連接至該碳膏層 13b是不必要的’且該陰極層14a不被連接至該陰極層14b。 然而’當該碳膏層13a被連接至該碳膏層13b時，電阻被降 低，如此導致該ESD更降低。若該陰極層14a被連接至該陰 極層14b，則該電阻被更降低，如此導致該ESD的更降低。 當具有一介電氧化物塗佈閥金屬被切斷成一賦予的形 狀且一穿孔被形成時，該陽極膜u被形成◊利用該切割程 序與該貫穿程序，該閥金屬被暴露在該陽極膜丨丨的一端面 且於該穿孔中《該介電氧化物塗佈的一缺陷被產生。因此， 有必要再形成一氧化物塗佈在該露出的閥金屬上 。例如， 當在该切割程序與該貫穿程序後，一化學轉變處理與一熱 處理被執行數次時，該介電氧化物塗佈可再被形成在該露 出的閥上。此化學轉變處理使用具有〇 2重量％至2重量〇/。之 己二酸㈣度的化學轉變溶液，並最好是利I接近該介 電氧化物塗佈的一形成電壓之電壓來執行。該熱處理是在 200°C至280°C的溫度範圍中執行。 當聚合性單體係與氧化劑聚合時，該等固體電解層12a 與12b被形成，用於聚合作用的溶劑是一包含聚合性單體與 揮發容劑的混合溶劑。該混合溶劑中的單體濃度最好是1重 量％至50重量％，且更好是1〇重量％至35重量％。該氧化劑 是包含40重量％至6〇重量％之氡化劑之醇基溶劑，在該聚合 性單體與该氧化劑被混合後，該固體電解層可被形成在該 陽極膜11上(單液體法）。在該聚合性單H與該氧化劑分開被 提供至忒陽極膜11後，該固體電解層可被形成（雙液體法）。 其中吡咯被電聚合的聚吡咯可被用來作為該等固體電 解層12a與12b。利用該聚d該等固體電解層12a秦12b 之厚度可以是-致的。因此有可能抑制該陽極膜11之介電 氧化物塗佈的損害並且可有能減少LC (電流洩漏）。 該實施例中，該固體電解層12a對應該第一固體電.解 層’该固體電解層12b對應該第=固體電解層，該陰極層Ma 對應該第-陰極層，該陰極層14b對應該第二陰極層，該穿 孔16中電性連接該固體電解層12a與該固體電解層的固 體電解質對應該連接部分，電性連接該陰極層W與該陰極 層Hb的導電材料對應該連接部分的電極。 (第二實施例） 接著，將給予根據一第二實施例的固體電解電容器元 件100a的說明。第2八圖到第2C圖繪示該固體電解電容器元 件100a ’第2A圖緣示該固體電解電容器元件職的一頂視 圖，第2B圖繪示—沿著第2A圖躲E-E所取的橫截面圖， 第2C圖繪示一沿著第2A圖的線E-E所取的橫截面圖。 該固體電解電容器元件l〇〇a具有一從該陽極膜u的單 ’ XT同於第丨八圖所示的固體電解電容器元 件綱。該等固體電解層12a與12b、該等碳膏層…與別及 1378482 該等陰極層14a與14b係未提供在第2A圖所示之線F-F方向 的該陽極膜11之端部分中的一個。另一方面，該固體電解 層12a，利用固體電解質，被連接至該固體電解層ub、該 碳膏層13a，利用碳膏，被連接至該碳膏層nb、且在第2A 5圖所示之線F-F方向的該陽極膜11之另一端部，該陰極層 14a利用導電材料如銀膏，被連接至該陰極層1415。 於該實施例’該固體電解層12a，經由該穿孔16，被電 性連接至該固體電解層12b。如此導致該固體電解電容器元 件100a之ESR的降低。 10 (第三實施例） 接著’將給予根據一第三實施例的固體電解電容器元 件200的說明。第3A圖到第3C圖繪示該固體電解電容器元 件200,第3A圖繪示該固體電解電容器元件2〇〇的一頂視 圖’第3B圖繪示一沿著第3A圖的線G-G所取的橫截面圖， 15第3C圖繪示一沿著第3A圖的線H-H所取的橫截面圖。 如第3B圖與第3C圖所示，該固體電解電容器元件2〇〇 具有一結構，其中多數個固體電解電容器元件1〇〇被堆疊。 在該固體電解電容器元件200中，每個固體電解電容器元件 100利用一導電黏著劑17，被互相黏著，以致於一個固體電 20 解電容器元件1〇〇的陰極層14a面對有另一固體電解電容器 元件100的陰極層14b。該導電黏著劑17是由金屬粒如銀與 熱固樹脂製成。該等穿孔16每一個是填充有該導電黏著劑 17 ° 如第3A圖與第3C圖所示，該等陽極膜11每一個，利用 13 1378482 炼接或此類者’經由一條狀金屬板18，被互相連接。如第 3B圖與第3C圖所示’該等穿孔16每—個是彼此相通的。 該實拖例中，一從該等固體電解12a與12b每一個的區 域至一底陰極層14b或一頂陰極層14a的陰極擷取距離被減 5少。於該固體電解電容器元件2〇〇中，該ESR因而被降低。 有可能藉由改變該固體電解電容器元件100的數量，而隨意 地改變該固體電解電容器元件200的電容。 (第四實施例） • 接著’將給予根據一第四實施例的固體電解電容器元 10件200a的說明。第4A圖到第4C圖繪示該固體電解電容器元 件200a，第4A圖繪示該固體電解電容器元件2〇〇a的一頂視 圖，第4B圖繪示一沿著第4A圖的線I-Ι所取的橫截面圖，第 . 4C圖繪示一沿著第4A圖的線J-J所取的橫截面圖。 如第4B圖與第4C圖所示，該固體電解電容器元件2〇〇a 15具有一結構，其中多數個固體電解電容器元件l〇〇a被堆 疊。在該固體電解電容器元件2〇〇a中，每個固體電解電容 • 器元件100a利用該導電黏著劑17，被互相黏著，以致於一 • 個固體電解電容器元件l〇〇a的陰極層14a面對有另一固體 • 電解電容器元件l〇〇a的陰極層14b。該等陽極膜11的每個陰 20極擷取部分，利用該條狀金屬板18，被互相連接。 該實施例中，一從該等固體電解12a與12b每一個的區 域至一底陰極層14b或一頂陰極層14a的陰極擷取距離被減 少。於該固體電解電容器元件2〇〇中，該ESR因而被降低。 有可能藉由改變該固體電解電容器元件100的數量，而隨意 14 1378482 地改變該固體電解電容器元件200的電容。 (第五實施例） 接著，將給予根據-第五實施例的固體電解電容⑽〇 的說明。第5A圖到第6B圖繪示該固體電解電容器3〇〇，第 5A圖繪示該固體電解電容器的一頂视圖第5b圖繪示 該固體電解電容器300的一底視圖，第6八圖繪示一沿著第 5A圖的線Κ·Κ所取的橫截面圖，第63圖繪示一沿著第5八圖 的線L-L所取的橫截面圖。

10 如第6Α圖與第6Β圖所示’該固體電解電容器具有 一結構，其中超過一個固體電解電容器元件1〇〇被容納於一 殼體20中。該殼體20具有一結構，其中_金屬罩22被設在 一導電基板21上。該金屬罩22可利用一射出熔接，被熔接 至該導電基板21。 該導電基板21是由具有導電性之材料製成 '是可容易 15焊接的、並具有低水氣渗透性。例如，該導電基板21是可 由金屬諸如銅、铭、SPC鋼、姑鋼、不鑛鋼、具有一塗在其 表面上的金屬層的陶瓷製成。一絕緣層（未繪出）被形成該金 屬罩22的一内面上。因此有可能遏制在該固體電解電容器 元件100與該金屬罩22之間的電性短路。該絕緣層可以是絕 2〇 緣樹脂、聚酰胺基樹脂或PET (聚對苯二甲酸乙二醇醋； polyethyleneterephthalate)。 如第6A圖與第6B圖所示，一底固體電解電容器元件 100的陰極層14b經由一導電黏著劑23，被電性連接至該導 電基板21。因此’該導電基板21與該金屬罩33充當一陰極 15 電極β 如第5Β圖與第6Β圖所示，一穿孔被形成在於埃匕丄方 向之該導電基板21的兩端部周圍。一陽極端子被配置於該 等穿孔的每一個中。一絕緣構件25被形成在該陽極端子Μ 與5亥導電基板21之間》因此可能遏制在該陽極端子24與該 導電基板21之間的電性短路。 該陽極端子24是由一可容易焊接的導電材料製成，該 陽極端子24是可由SPC鋼、鈷鋼或此類者製成，該陽極端子 24被連接至該陽極膜u。該導電基板21，在其底面上，在 10兩穿孔間，具有一凸面部26,該凸面部26充當一陰極端子。 根據該實施例，於該固體電解電容器3〇〇，該ESR被降 低。因為該固體電解電容器元件100被該金屬罩22密封且該 導電基板21具有高密封性能並具有高阻檔於外部環境之性 能，所以該固體電解電容器300具有高溼度抗性。因此可能 15遏制該固體電解電容器300的惡化，並且因為整個殼體20充 當一陰極電極，所以有可能降低該固體電電容器3〇〇的esl。 (第六實施例） 接著，將給予根據一第六實施例的固體電解電容器 300a的說明。第7A圖到第8B圖繪示該固體電解電容器 20 300a’第7A圖繪示該固體電解電容器300a的一頂視圖，第 7B圖繪示該固體電解電容器3〇〇a的一底視圖，第8A圖繪示 一沿著第7A圖的線M-M所取的橫載面圖，第8B圖繪示一沿 著第7A圖的線N-N所取的橫截面圖。 如第8A圖與第8B圖所示，該固體電解電容器3〇〇a具有 16 一結構’其中超過—個固體電解電容器it件IGGa被-熱固 $脂30覆蓋。如第7關、第8A圖與細圖所示，一底固體 屯解電今器元件l〇〇a的陰極層14b被電性連接至一導電基 板Μ該導電基板31係自該熱固樹脂30露出。因此，該導 5電基板31充當一陰極電極。一陽極端子32被連接至該陽極 • 膜11 ’該陽極端子32係自該導電基板31露出。 . 根據該實施例，於該固體電解電容器300a，該ESR被 降低。因為該固體電解電容器元件1〇〇a被該熱固樹脂覆 ® 蓋，所以可能以低成本製造該固體電解電容器3〇〇a。 10 該實施例令，該固體電解電容器300a被該熱固樹脂覆 盖。該固體電解電容器300a可被第5A圖到第6B圖所示之導 電基板21與該金屬罩22覆蓋’根據第五實施例的固體電解 • 電容器300被該導電基板21與該金屬罩22覆蓋，該固體電解 . 電容器300可被第7A圖到第8B圖所示的熱固樹脂3〇覆蓋， 15 該陽極膜11具有一個或兩個陽極操取部分。該陽極膜11可 具有超過兩個陽極擷取部分。 馨 範例 . 根據該等上述實施例的固體電解電容器元件與固體電 ^ 解電容器被製造。 20 (第一範例） 第1A圖所示的固體電解電容器元件1〇〇在一第一範例 中被製造。該陽極膜11是由一鋁膜形成，該鋁膜係受到一 蝕刻處理與一化學轉變處理並具有15 mm X 9.5 mm X 110 μιη的大小。該等固體電解層12a與12b是由PEDT (3, 17 1378482 4-polyethylenedioxythiophene)製成，該等碳膏層 13a與 13b 是由碳膏製成，該等陰極層14a與14b是由導電銀膏製成， 該穿孔16的直徑為1 mm，該第一範例的固體電解電容器元 件的電容為250 pF。 5 (第一比較範例） 一不具有穿孔之陽極膜被用於一第一比較範例。該第 一比較範例的一固體電解電容器元件之其它結構是同如該 第一範例的其它結構，該第一比較範例的固體電解電容器 元件之電容為250 pF。 1〇 (第一分析） 表1顯示該第一範例與該第一比較範例之該等固體電 解電容器元件的一電容、tan5、漏電流、ESR及阻抗Z。該 第一範例與第一比較範例的三十個固體電解電容器元件分 別被製造。表1中的每個值顯示其平均值。 15 [表 1] 電容 (μΡ) 245 Tan6 (%) — 0.8 = 漏電流 μΑ/2分鐘 38 ESR (γπΩ) ^L2 Ζ (ηιΩ) 第一比較範例 248 1.0 34 2.8 9.7 如表1所示’該第一範例之固體電解電容器元件的ESR 是小於該第一比較範例之固體電解電容器元件的ESR ^這 是因為該固體電解層i2a，經由該穿孔16，被電性連接至該 20固體電解層12b且該陰極擷取距離被減少。此外，該第一範 例之固體電解電容器元件的阻抗是低於該第一比較範例之 固體電解電容器元件的阻抗。 18 1378482 (第二範例） 第3A圊所示的固體電解電容器3〇〇在一第二範例中被 製造。該陽極膜11是由一鋁臈形成，該鋁膜係受到一蝕刻 處理與一化學轉變處理並具有15 mm X 9.5 mm X 110 μιη的 5大小。該等固體電解層12a與12b是由PEDT (3, 4_P〇lyethylenedioxythiophene)製成，該等碳膏層 Ua與 13b

是由碳膏製成，該等陰極層14a與14b是由導電銀膏製成， 該導電黏著劑17是由黏著銀膏製成，該穿孔16的直徑為1 mm ’於該第二範例的固體電解電容器中，第1A圖所示之固 趙電解電容器元件100之數量為4，該第二範例的固體電解 電容器元件的電容為1〇〇〇 μΡ。 (第二比較範例）

一不具有穿孔之陽極膜被用於一第二比較範例。該第 ^ tb較範例的一固體電解電容器之其它結構是相同如該第 〜範例的其它結構，該第二比較範例的固體電解電容器之 電容為1000 pF。 (第二分析） 表2顯示該第二範例與該第二比較範例之該等固體電 2〇解電容器的一電容 、tan5、漏電流、ESR及阻抗Z。該第二 ^例與第二比較範例的三十個固體電解電容器分別被製 ^ °表2中的每個值顯示其平均值 J表21 電容 Tan5 漏電流 ESR Ζ (%) μΑ/2分鐘 (ιηΩ) (ιηΩ) 二範例 975 0.8 _ 154 0.7 4.3 ^較範例 987 1.0 147 1.1 5.8 19 如表2所不’該第二範例之固體電解電容器的esr是小 於該第一比較範例之固體電解電容器的esr。這是因為該 $固體包解層12a，經由該穿孔16，被電性連接至該固體電解 層12b且該陰極取距離被減少。此外，該第二範例之固體 電解電容器元件的阻抗是低於該第一比較範例之固體電解 電容器元件的阻抗。 (第三範例） 第5A圖所示的固體電解電容器3〇〇在—第三範例中被 1〇製造。該陽極膜11是由一鋁膜形成，該鋁膜係受到一蝕刻 處理與一化學轉變處理並具有15 mm X 9.5 mm X 110 μπι的 大小。該等固體電解層12a與12b是由pedT (3, 4-polyethylenedioxythiophene)製成，該等碳膏層 13a與 13b 是由碳膏製成，該等陰極層14a與14b是由導電銀膏製成， 該導電黏著劑17是由黏著銀膏製成，該金屬罩22，利用射 出熔接，被嫁接至該導電基板21。因此’該固體電解電容 器元件被密封。該穿孔16的直徑為1 mm ’於該第三範例的 固體電解電容器中，第1A圖所示之固體電解電容器元件1〇〇 之數量為4,該第三範例的固體電解電容器元件的電容為 20 1000 pF。 (第三比較範例） 一不具有穿孔之陽極膜被用於一第三比較範例。該第 三比較範例的一固體電解電容器之其它結構是相同如該第 三範例的其它結構，該第三比較範例的固體電解電容器之 20 1378482 電容為1000 pF。 (第三分析） 表3顯示該第三範例與該第三比較範例之該等固體電 解電容器的一電容、tan5、漏電流、esr及阻抗z。該第三 5範例與弟二比較範例的二十個固體電解電容器分別被製 造。表3中的每個值顯示其平均值。 [表3] ~第二 ιίϋ~ 電容 (μΡ) 975 Tan5 (%) 0.8 漏電流 μΑ/2分鐘 164 ESR (γπΩ) Π"" Ζ (ΓηΩ) 2.1 第一比較範例 987 1.0 158 1.9 2.6 如表3所示，該第三範例之固體電解電容器的ESR是小 10 於該第三比較範例之固體電解電容器的ESR。這是因為該 固體電解層12a，經由該穿孔16，被電性連接至該固體電解 層12b且該陰極擷取距離被減少。此外，該第三範例之固體 電解電谷器的阻抗是低於該第一比較範例之固體電解電容 器的阻抗。 5 當上述說明構成本發明的該等較佳實施例時，將領會 到，在不脫離該等伴隨的申請專利範圍之適當範圍與公正 意義下’發明的修飾、變化及變更是容許的。 本申請案係係根據2007年3月19日提申的日本專利申 明案第2007-070290號，其全部揭露被併入在此供參考。 20 【囷式簡單說明】 第1A圖到第1E圖繪示根據一第一實施例的一固體電 解電容器元件； 21 1378482 第2A圖到第2C圖繪示根據一第二實施例的一固體電 解電容器元件； 第3A圖到第3C圖繪示根據一第三實施例的一固體電 解電容器元件； 5 第4 A圖到第4 C圖繪示根據一第四實施例的一固體電 解電容器元件； 第5A圖與第5B圖繪示根據一第五實施例的一固體電 解電容器； 第6A圖與第6B圖繪示根據該第五實施例的固體電解 10 電容器； 第7A圖與第7B圖繪示根據一第六實施例的一固體電 解電容器；及 第8A圖與第8B圖繪示根據該第六實施例的固體電解 電容器。 15 【主要元件符號說明】 11…陽極膜 14a."陰極層 12...固體電解層 14b".陰極層 12a...固體電解層 12b...固體電解層 15b·.·絕緣層 13...碳膏層 16...穿孔 13a...碳膏層 17...導電黏著劑 13b...碳膏層 18...條狀金屬板 14…陰麟 20..·殼體 22 1378482 21...導電基板 32…陽極端子 22·..金屬罩 100...固體電解電容器元件 23...導電黏著劑 100a...固體電解電容器元件 24…陽極端子 200...固體電解電容器元件 25. ••絕緣構件 200a...固體電解電容器元件 26...凸面部 300...固體電解電容器 30…熱固樹脂 31…導電基板 300a...固體電解電容器 23

Claims (1)

1378482 十、申請專利範圍： 1.一種固體電解電容器元件，包含有： 一陽極膜，其係由閥金屬組成、並具有至少一個在其 厚度方向上穿過該陽極膜的穿孔； 5 —固體電解層，其係由導電聚合物製成，並被設在該 - 陽極膜的一表面上； . 一陰極膜，其被設在該固體電解層的一表面；及 一連接部分，其被設於該穿孔中、並電性連接一第一 • 固體電解層與一第二固體電解層， 10 該第一固體電解層是該固體電解層在該陽極膜的一 個面上的一區域， 該第二固體電解層是該固體電解層在該陽極膜的另 一面上的一區域。 - 2.如申請專利範圍第1項所述之固體電解電容器元件，其 15 中該連接部分具有固體電解質，其連接該第一固體電解 層與該第二固體電解層。 ® 3.如申請專利範圍第1項所述之固體電解電容器元件，其 • 中該連接部分具有一電極，其連接一第一陰極層與一第 . 二陰極層， 20 該第一陰極層是該陰極層在該陽極膜的一個面之上 . 的一區域， 該第二陰極層是該陰極層在該陽極膜的另一面之上 的一區域。 4. 一種包含一固體電解電容器元件之固體電解電容器， 24 1378482 該固體電解電容器元件具有一陽極膜、一固體電解 層、一陰極膜、及一連接部分， 該陽極膜係由閥金屬組成、並具有至少一個在其厚度 方向上穿過該陽極膜的穿孔， 5 該固體電解層是由導電聚合物製成、並被設在該陽極 - 膜的一表面上， . 該陰極膜被設在該固體電解層的一表面上， 該連接部分被設於該穿孔中、並電性連接一第一固體 • 電解層與一第二固體電解層， 10 該第一固體電解層是該固體電解層在該陽極膜的一 個面上的一區域， 該第二固體電解層是該固體電解層在該陽極膜的另 一面上的另一區域。 - 5.如申請專利範圍第4項所述之固體電解電容器，其中該 15 固體電解電容器元件被覆蓋有熱固樹脂。 6. 如申請專利範圍第4項所述之固體電解電容器，更包含 • 有： • 一導電基板，其具有一陰極端子、並被電性連接至該 . 陰極層，該固體電解電容器元件被安裝在該導電基板上； 20 一金屬罩，其被連接至該導電基板、並覆蓋該固體電 . 解電容器元件。 7. 如申請專利範圍第6項所述之固體電解電容器，其中： 該導電基板具有至少一個穿孔；以及 該固體電解電容器元件具有一經由該穿孔擷取自該 25 1378482 陽極膜的陽極端子。 8.如申請專利範圍第6項所述之固體電解電容器，更包含 有一在該導電基板與該穿孔中的該陽極端子之間的絕緣 構件。 5 9.如申請專利範圍第4項所述之固體電解電容器，其中： - 該固體電解電容器具有多數個該固體電解電容器元 . 件；及 該等固體電解電容器元件係彼此堆疊。 • 10.如申請專利範圍第9項所述之固體電解電容器，其中互 10 相面對的一對陰極層是利用一導電黏著劑而互相附著。 11.如申請專利範圍第10項所述之固體電解電容器，其中該 黏著劑包含一金屬粒與熱固樹脂。 12.如申請專利範圍第9項所述之固體電解電容器，其中該 - 等固體電解電容器元件的每個穿孔係彼此相通。 15 13.如申請專利範圍第9項所述之固體電解電容器，其中該 穿孔被填充有導電黏著劑。 ® 14.如申請專利範圍第9項所述之固體電解電容器，其中： * 該等固體電解電容器元件的每個陽極膜具有一陽極 - 擷取部分；以及 20 每個陽極擷取部分被互相耦接。 26