CN1266662C - 用于发光元件的像素电路 - Google Patents

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Abstract

一种用于发光元件的像素电路，它(210)包括：电流编程电路(240)、电压编程用晶体管(251、252)。在设定有机EL器件(220)的发光辉度时，分别将第1和第2电压编程用晶体管(251、252)设定成截止状态和导通状态，利用电压信号(Vout)进行电压编程。然后，切换第1和第2电压编程用晶体管(251、252)的状态，利用电流信号(Iout)进行电流编程。

Description

用于发光元件的像素电路
技术领域
本发明涉及一种电流驱动型发光元件的像素电路的技术。
背景技术
近年来，采用有机EL器件(Organic Electroluminescent element)的电光学装置被开发出来。有机EL器件是自发光元件，由于不需要背光，有希望成为可以构成低耗电、宽视角、高对比度的显示装置。在本说明书中，“电光学装置”是指将电信号转换成光信号的装置。电光学装置的最普通的形式是将代表图像的电信号转换成代表图像的光信号，特别适用于显示装置。
作为有机EL器件的像素电路，有根据电压值设定发光辉度的电压编程方式的像素电路，和根据电流值设定发光辉度的电流编程方式的像素电路。在此，“编程”是指进行设定像素电路的发光辉度的处理。电压编程方式，虽然速度较快但有时发光辉度的设定精度不高。而电流编程方式，虽然发光辉度的设定精度较高，但有时用于设定的时间比较长。
于是，希望有和现有技术不同方式的像素电路。这样的要求，并不仅仅限定于采用有机EL器件的显示装置，对于采用有机EL器件之外的电流驱动型发光元件的显示装置和电光学装置，是共同存在的问题。
发明内容
本发明正是为了解决上述现有技术中存在的问题，其目的在于提供一种和现有技术不同方式的设定电流驱动型发光元件的发光辉度的技术。
为了达到上述目的，根据本发明，提出了一种电光学装置，其特征在于包括：扫描线；电流信号线；电压信号线；具有电流驱动型元件、控制提供给所述电流驱动型元件的电流的电流值的驱动晶体管、以及连接在所述驱动晶体管的栅极上的保持电容的象素电路；生成电流信号，并且通过所述电流信号线提供给所述象素电路的电流生成电路；生成电压信号，并且通过所述电压信号线提供给所述象素电路的电压生成电路；所述象素电路包括控制所述电流信号线和所述保持电容的电连接的第1开关晶体管，和控制所述电压信号线和所述保持电容的电连接的第2晶体管。
根据本发明，还提出了一种电光学装置，其特征在于，包括：扫描线；与所述扫描线交叉的数据线；具有电流驱动型元件、控制提供给所述电流驱动型元件的电流的电流值的驱动晶体管、以及连接在所述驱动晶体管的栅极上的保持电容的象素电路；生成电流信号，并且通过所述数据线提供给所述象素电路的电流生成电路；生成电压信号，并且通过所述数据线提供给所述象素电路的电压生成电路；所述象素电路包括控制所述数据线和所述保持电容的电连接的开关晶体管。
根据本发明，还提出了一种电光学装置的驱动方法，具有电流驱动型元件、控制提供给所述电流驱动型元件的电流的电流值的驱动晶体管、以及连接在所述驱动晶体管的栅极上的保持电容的象素电路，其特征在于包括：通过向所述保持电容供给电压信号，向所述保持电容供给电荷的第1步骤；通过向所述保持电容供给电流信号，向所述保持电容供给电荷的第2步骤。
本发明的电光学装置是采用有源矩阵驱动法所驱动的电光学装置，包括将包含发光元件的多个像素电路配置成矩阵状的像素电路矩阵、分别与沿上述像素电路矩阵的行方向配置的像素电路群连接的多条扫描线、分别与沿上述像素电路矩阵的列方向配置的像素电路群连接的多条数据线、与上述多条扫描线连接的选择上述像素电路矩阵的一行的扫描线驱动电路、生成与上述发光元件的发光辉度对应的数据信号并可以在上述多条数据线中的至少一条数据线上输出的数据信号生成电路。上述数据信号生成电路包括为产生作为在上述数据线上输出的第1数据信号的电流信号的电流生成电路、为产生作为在上述数据线上输出的第2数据信号的电压信号的电压生成电路。上述像素电路包括由(i)电流驱动型的发光元件、(ii)设置在流经上述发光元件的电流的路径上的驱动晶体管、(iii)连接在上述驱动晶体管的控制电极上、通过给定的电流信号线保持与从外部电流生成电路供给的电流信号的电流值对应的电荷量、为设定流经上述驱动晶体管的电流值的保持电容、(iv)连接在上述保持电容和上述电流信号线之间、根据上述电流信号控制是否向上述保持电容供给电荷的第1开关晶体管、所构成的、根据上述电流信号的电流值调节上述发光元件的发光辉度的电流编程电路、以及连接上述保持电容上、通过给定的电压信号线根据从外部电压生成电路供给的电压信号控制是否向上述保持电容供给电荷的第2开关晶体管。
在这样的电光学装置中，通过第2开关晶体管向保持电容供给电压信号进行电压编程，然后，通过第1开关晶体管向保持电容供给电流信号进行电流编程。其结果，可以进行比较高速并且高精度地设定发光辉度。
也可以使1列的像素电路群的数据线包括为传送上述电流信号的电流信号线、为传送上述电压信号的电压信号线。
依据这样的构成，电压信号和电流信号通过不同的信号线供给，容易调节这2个信号的供给时序。
此外，上述电光学装置还包括：在上述保持电容和上述第1开关晶体管之间串联连接的第3开关晶体管。
依据这样的构成，电压编程时和电流编程时，通过适当切换第3开关晶体管的导通/截止，可以进行更高速并且更高精度地设定发光辉度。
此外，优选向上述保持电容供给电荷，是在由上述电压信号供给电荷结束后由上述电流信号供给电荷结束后实施。
依据该构成，最终是由电流编程设定流经发光元件的电流，可以更高精度地设定发光辉度。
此外，也可以由上述电流信号向上述保持电容供给电荷是在由上述电压信号供给电荷结束后开始。
本发明的电光学装置的第1驱动方法，是具有包括电流驱动型的发光元件、设置在流经上述发光元件的电流的路径上的驱动晶体管、连接在上述驱动晶体管的控制电极上并设定上述驱动晶体管的驱动状态的保持电容的像素电路的电光学装置的驱动方法、其特征在于，包括(a)通过向上述保持电容供给电压信号、向上述保持电容供给电荷的步骤、(b)至少在由上述电压信号供给电荷结束后的期间、利用具有与上述发光元件的发光辉度对应的电流值的电流信号、在上述保持电容上保持与上述发光辉度对应的电荷的步骤。
依据该方法，由电压信号向保持电容供给电荷后，利用电流信号最终设定发光辉度，可以高速并且正确设定发光辉度。
本发明的电光学装置的第2驱动方法，是包括由电流驱动型的发光元件、设置在流经上述发光元件的电流的路径上的驱动晶体管、连接在上述驱动晶体管的控制电极上并设定上述驱动晶体管的驱动状态的保持电容澳所构成的像素电路、连接在上述像素电路上的数据线的电光学装置的驱动方法、其特征在于，包括(a)通过经由上述数据线向上述保持电容供给电压信号、使向上述保持电容和上述数据线双方充电或者放电的步骤、(b)至少在由上述电压信号供给电荷结束后的期间、利用具有与上述发光元件的发光辉度对应的电流值的电流信号、在上述保持电容上保持与上述发光辉度对应的电荷的步骤。
依据该方法，由电压信号向保持电容和数据线双方进行充电和放电后，利用电流信号最终设定发光辉度，可以进一步高速并且正确设定发光辉度。
此外，本发明，可以采用各种方案实现，例如，可以采用像素电路、采用该像素电路的电光学装置或者显示装置、包括该电光学装置或者显示装置的电子装置或者电器仪器、这些装置或者仪器的驱动方法、为实现该方法的功能的计算机程序、存储该计算机程序的存储介质、包含这些计算机程序的在传送波内具体化的数据信号、等各种方式。
附图说明
图1是本发明实施例1的显示装置的简要构成的方框图。
图2是显示矩阵部200和数据线驱动器400的内部构成的方框图。
图3是实施例1的像素电路210和单一线驱动器410的内部构成的电路图。
图4是晶体管251处于导通状态而另一晶体管252处于截止状态时的像素电路210的等效电路的电路图。
图5是实施例1的像素电路210的通常动作的时序图。
图6是实施例2的像素电路210a和单一线驱动器410的内部构成的电路图。
图7是实施例2的像素电路210a的动作的时序图。
图8是实施例3的像素电路210b和单一线驱动器410b的内部构成的电路图。
图9是实施例3的像素电路210b的动作的时序图。
图10是实施例4的像素电路210c和单一线驱动器410c的内部构成的电路图。
图11是实施例4的像素电路210c的动作的时序图。
图12是实施例5的像素电路210d和单一线驱动器410d的内部构成的电路图。
图13是实施例5的像素电路210d的动作的时序图。
图14是实施例4的变形例的构成图。
具体实施方式
下面，按照以下的顺序依次说明本发明的实施方案。
A.实施例1：
B.实施例2：
C.实施例3：
D.实施例4：
E.实施例5：
F.其他变形例：
A.实施例1：
图1表示本发明实施例1的显示装置的简要构成的方框图。该显示装置包括控制器100、显示矩阵部200(也称为“像素区域”)、栅极驱动器300、数据线驱动器400。控制器100，生成用于在显示矩阵部200上进行显示的栅极线驱动信号和数据线驱动信号，并分别提供到栅极驱动器300和数据线驱动器400。
图2表示显示矩阵部200和数据线驱动器400的内部构成。显示矩阵部200包括配置成矩阵状的多个像素电路210，各像素电路210分别包括有机EL器件220。在像素电路210的矩阵上，分别连接有沿其列方向延伸的多条数据线Xm(m＝1～M)、和沿行方向延伸的多条栅极线Yn(n＝1～N)。在此，数据线也称为“源极线”，而栅极线也称为“扫描线”。另外，在本说明书中，像素电路210也称为“单位电路”或者仅仅称为“像素”。像素电路210内的晶体管通常由TFT(薄膜晶体管)构成。
栅极驱动器300，选择多条栅极线Yn中的一条进行驱动，从而选择1行的像素电路群。数据线驱动器400，包括分别驱动各数据线Xm的多个单一线驱动器410。这些单一线驱动器410，通过各数据线Xm向像素电路210提供数据信号。当根据该数据信号设定像素电路210的内部状态(将在后面说明)时，则流过有机EL器件220中的电流值就受到相应的控制，其结果可以控制有机EL器件220的发光辉度。
图3表示实施例1的像素电路210和单一线驱动器410的内部构成的电路图。该像素电路210是配置在第m条数据线和第n条栅极线Yn的交叉点上的电路。此外，一组数据线Xm包括2条子数据线U1、U2，一组栅极线Yn包括3条子栅极线V1～V3。
单一线驱动器410包括电压生成电路411和电流生成电路412。电压生成电路411通过第1条子数据线U1向像素电路210提供电压信号Vout。电流生成电路412通过第2条子数据线U2向像素电路210提供电流信号Iout。
像素电路210，具有在电流编程电路240中追加了2个开关晶体管251、252的构成。电流编程电路240是根据在第2条子数据线U2中流动的电流值来调节有机EL器件220的辉度的电路。
图4是晶体管251处于导通状态而另一晶体管252处于截止状态时的像素电路210的等效电路(即电流编程电路240的等效电路)。该电流编程电路240，除了有机EL器件220之外，还包括4个晶体管211～214，和保持电容230(也称为“储存电容”)。保持电容230，根据由第2条子数据线U2供给的电流信号Iout的电流值储存电荷，这样，可以调节有机EL器件220的发光辉度。在该例中，第1～第3晶体管211～213为n沟道FET，第4晶体管214为P沟道FET。有机EL器件220，由于是和发光二极管相同的电流注入型(电流驱动型)发光元件，所以在此采用二极管的记号来表示。
第1晶体管211的漏极分别与第2晶体管212的源极、第3晶体管213的漏极、第4晶体管214的漏极连接。第2晶体管212的漏极与第4晶体管214的栅极连接。保持电容230连接在第4晶体管214的源极/栅极之间。另外，第4晶体管214的源极，也连接在电源电位Vdd上。第1晶体管212的源极通过第2条子数据线U2与电流生成电路412连接。有机EL器件220连接在第3晶体管213的源极和接地电位之间。第1和第2晶体管211、212的栅极共同连接在第2子栅极线V2上。另外，第3晶体管213的栅极连接在第3子栅极线V3上。
第1和第2晶体管211、212是通过第2条子数据线U2在保持电容230上积蓄电荷时所使用的开关晶体管。第3晶体管213在有机EL器件220的发光期间处于导通状态的开关晶体管。另外，第4晶体管214是为控制在有机EL器件220中流动的电流值的驱动晶体管。第4晶体管214的电流值，由积蓄在保持电容230的电荷量(积蓄电荷量)控制。
图3所示的像素电路和图4所示的等效电路之间具有以下的差异。
(1)在第2晶体管212的漏极和第4晶体管的栅极之间的连接点CP1(图4)与保持电容230之间，追加了开关晶体管251。
(2)在保持电容230和开关晶体管251的连接点CP2与第1条子数据线U1之间追加了开关晶体管252。
(3)追加了所追加的2个晶体管251、252的栅极共同连接的子栅极线V1。
(4)在保持电容230上通过第1条子数据线U1可以提供来自电压生成电路411的电压信号Vout，并且通过第2条子数据线U2可以提供来自电流生成电路412的电流信号Iout。
此外，在以后，所追加的晶体管251、252也称为“电压编程用晶体管251、252”。在图3的例子中，第1电压编程用晶体管251为p沟道FET，第2电压编程用晶体管252为n沟道FET。
电流编程电路240的第1和第2晶体管211、212，具有控制是否由电流信号Iout向保持电容230供给电荷的功能，相当于在本发明中“第1开关晶体管”。另外，第2电压编程用晶体管252具有控制是否由电压流信号Vout向保持电容230供给电荷的功能，相当于在本发明中“第2开关晶体管”。并且，第1电压编程用晶体管251相当于在本发明中“第3开关晶体管”。此外，也可以省略第1电压编程用晶体管251。
图5表示像素电路210的动作的时序图。图中示出了子栅极线V1～V3的电压值(以下也称为“栅极信号V1～V3”)、和第2条子数据线U2的电流值Iout、以及流入有机EL器件220中的电流值IEL。
驱动周期Tc分为编程期间Tpr和发光期间Tel。在此“驱动周期Tc”是指显示矩阵部200内的所有有机EL器件220的发光辉度更新1次的周期，与所谓的1帧周期意思相同。辉度的更新，是按每一行的像素电路群进行的，在驱动周期Tc的期间依次更新N行的像素电路群的辉度。例如，以30Hz对所有像素电路的辉度进行更新时，驱动周期Tc为33ms。
编程期间Tpr是将有机EL器件220的发光辉度设定在像素电路210内的期间。在本说明书中，将对像素电路210的设定辉度称为“编程”。例如，当驱动周期Tc为33ms，栅极线Yn的总数N(即像素电路矩阵的行数)为480条时，编程期间Tpr约在69μs(＝33ms/480)以下。
在编程期间Tpr，首先将第2和第3栅极信号V2、V3设定成L电平，并使第1和第3晶体管211、213保持截止状态(关状态)。然后，将第1栅极信号V1设定成H电平，将第1电压编程用晶体管251设定成截止状态(关状态)，同时将第2电压编程用晶体管252设定成导通状态(开状态)。这时，电压生成电路411(图3)，产生与发光辉度对应的给定电压值的电压信号Vout。但是，作为电压信号Vout，也可以利用与发光辉度无关的具有恒定电压值的信号。当该电压信号Vout，经第2电压编程用晶体管252提供到保持电容230时，与电压信号Vout的电压值相对应的电荷就被积蓄在保持电容230上。
这样，当利用电压信号Vout编程结束后，通过使第1栅极信号V1下降到L电平，将第1电压编程用晶体管251设定成导通状态，同时将第2电压编程用晶体管252设定成截止状态。这时，像素电路210变成图4所示的等效电路。在该状态下，在第2条子数据线U2中流入与发光辉度对应的电流Im，同时将第2栅极信号V2设定成H电平，使第1和第2晶体管211、212处于导通状态(图5(b)、(e))。这时，电流生成电路412(图3)，起到了使与发光辉度对应的恒定电流Im流动的恒流源的作用。如图5(e)所示，该电流值Im，在给定电流值范围RI内，设定成与有机EL器件220的发光辉度对应的值。
由该电流值Im的编程结果，保持电容230成为将对应流过第4晶体管214(驱动晶体管)的电流值Im的电荷保持的状态。这时，在第4晶体管214的源极/栅极之间，施加有在保持电容230上所储存的电压。此外，在本说明书中，将用于编程的数据信号的电流值Im称为“编程电流值Im”。
当由电流信号Iout编程结束后，栅极驱动器300将第2栅极信号V2设定成L电平，使第1和第2晶体管211、212处于截止状态，并且电流生成电路412停止提供电流信号Iout。
在发光期间Tel，第1栅极信号V1维持在L电平，将像素电路210设定成图4的等效电路的状态。另外，第2栅极信号V2也维持在L电平，使第1和第2晶体管211、212保持截止状态，将第3栅极信号V3设定成H电平，使第3晶体管213处于导通状态。由于在保持电容230上预先储存了与编程电流值Im对应的电压，所以在第4晶体管214中流入和编程电流值Im大致相同的电流。因此，在有机EL器件220中也流入和编程电流值Im大致相同的电流，以与该电流值Im对应的辉度发光。
如上所述，实施例1的像素电路210，由电压信号Vout进行编程后，由电流信号Iout进行编程，这样与只由电压信号Vout进行编程的情况比较，可以正确设定发光辉度。另外，与只由电流信号Iout进行编程的情况比较，可以高速设定发光辉度。也就是说，该像素电路210和现有技术比较可以实现高速、高精度设定发光辉度。
B.实施例2：
图6是实施例2的像素电路210a和单一线驱动器410的内部构成的电路图。该像素电路210a，是在和实施例1的像素电路210的基础上追加了第2保持电容232，其他构成和实施例1相同。该第2保持电容232，插入到第2晶体管212的漏极和第4晶体管的栅极的连接点CP1、和电源电位Vdd之间。
图7是实施例2的像素电路210a的动作的时序图。在实施例2中，在编程期间Tpc，存在第1栅极信号V1和第2栅极信号V2均为H电平的期间。在第1栅极信号V1为H电平的期间，第2电压编程晶体管252处于导通状态，由电压信号Vout进行第1保持电容230的编程。另一方面，在第2栅极信号V2为H电平的期间，电流编程电路240a内的第1和第2开关晶体管211、212处于导通状态，由电流信号Iout进行第2保持电容232的编程。此外，在第1和第2栅极信号V1、V2均为H电平的期间，由于第1电压编程晶体管251保持截止状态，第1保持电容230的电压编程和第2保持电容232的电流编程并行进行。
然后，在第1栅极信号V1比第2栅极信号V2先下降到L电平后，电压编程结束，2个保持电容230、232的编程(电流编程)继续进行。这时，由于第1保持电容230被预选电压编程，可以缩短在2个保持电容230、232上积蓄到适当的电荷量所需要的时间。
从该实施例2容易明白，也可以同时进行由电压信号Vout的编程和由电流信号Iout的编程。但是，这时，如图7所示，如果在使电压编程结束后再使电流编程结束，可以更高精度地设定发光辉度。换言之，优选电流编程至少在电压编程结束后的期间中进行。
C.实施例3：
图8是实施例3的像素电路210b和单一线驱动器410b的内部构成的电路图。该单一线驱动器410b的电压生成电路411b和电流生成电路412b连接在电源电位Vdd上。
实施例3的像素电路210b包括所谓的沙阿诺夫型电流编程电路240b、和2个电压编程用晶体管251b、252b。电流编程电路240b包括有机EL器件220b、4个晶体管211b～214b、以及保持电容230b。在本实施例中的4个晶体管211b～214b，均为p沟道FET。
在第2子数据线U2上，依次串联连接第2晶体管212b、保持电容230b、第1电压编程用晶体管251b、有机EL器件220b。第1晶体管211b的漏极连接在有机EL器件220b上。在第1和第2晶体管211b、212b的栅极共通连接在第2子栅极线V2上。
在电源电位Vdd和接地电位之间，串联连接第3晶体管213b、第4晶体管214b、有机EL器件220b。第3晶体管213b的漏极和第4晶体管214b的源极也连接在第2晶体管212b的漏极上。在第32晶体管213b的栅极上连接第3栅极线V3。另外，第4晶体管214b的栅极连接在第1晶体管211b的源极上。
在第4晶体管214b的源极和栅极之间串联插入连接保持电容230b和第1电压编程用晶体管251b。有机EL器件220b发光时，第1电压编程用晶体管251b的源极和栅极之间的电压由保持电容230b的积蓄电荷量确定。
第1和第2晶体管211b、212b是为了在保持电容230b上积蓄所希望的电荷时所使用的开关晶体管。第3晶体管213b是在有机EL器件220b发光期间保持导通状态的开关晶体管。另外，第4晶体管214b是控制在有机EL器件220b中流动的电流值的驱动晶体管。
电压编程电路240b的第1和第2晶体管211b、212b，具有控制是否由电流信号Iout向保持电容230b供给电荷的功能，相当于在本发明中“第1开关晶体管”。另外，第2电压编程用晶体管252b具有控制是否由电压流信号Vout向保持电容230b供给电荷的功能，相当于在本发明中”“第2开关晶体管。进一步，第1电压编程用晶体管251b相当于在本发明中”“第3开关晶体管。此外，也可以省略第1电压编程用晶体管251b。
图9表示实施例3的像素电路210b的动作的时序图。在该时序图中，第2和第3栅极信号V2、V3的逻辑与图5所示的实施例1的动作反相。另外，在实施例3中，根据图8的电路构成表明，在编程期间Tpr，经过第2和第4晶体管212b、214b向有机EL器件220b流入编程电流Im。因此，在实施例3中，在编程期间Tpr，有机EL器件220b也发光。这样，在编程期间Tpr，即可以使有机EL器件220b发光，也可以向实施例1和实施例2那样不发光。
该实施例3具有和第1、实施例2相同的效果。也就是说，由于并用电压编程和电流编程，与只有电压编程的情况比较，可以正确设定发光辉度，另外，与只有电流编程的情况比较，可以高速设定发光辉度。
D.实施例4：
图10是实施例4的像素电路210c和单一线驱动器410c的内部构成的电路图。该单一线驱动器410c的电压生成电路411c和电流生成电路412c连接在负电源电位-Vee上。
实施例4的像素电路210c包括电流编程电路240c、2个电压编程用晶体管251c、252c。电流编程电路240c包括有机EL器件220c、4个晶体管211c～214c、保持电容230c。在本实施例中第1和第2晶体管211c、212c为n沟道FET、第3和第4晶体管213c、214c为p沟道FET。
在第2子数据线U2上，依次串联连接第1和第2晶体管211c、212c。第2晶体管212c的漏极连接在第3和第4晶体管213c、214c的栅极上。另外，第1晶体管211c和第2晶体管212c的源极共同连接在第3晶体管213c的漏极上。第4晶体管214c的漏极通过有机EL器件220c连接在电源电位-Vee上。第3和第4晶体管213c、214c的源极接地。在第3和第4晶体管213c、214c的栅极/源极之间，串联插入连接第1电压编程用晶体管251c和保持电容230c。第1电压编程用晶体管251c处于导通状态时，保持电容230c设定成有机EL器件220c的驱动晶体管的第4晶体管214c的源极/栅极之间的电压。因此，有机EL器件220c的发光辉度由积蓄在保持电容230c上的电荷量确定。在保持电容230c的一方端子和第1子数据线U1之间连接第2电压编程用晶体管252c。
在2个电压编程用晶体管251c、252c的栅极上共同连接第1子栅极线V1上。另外，在第1和第2晶体管211c、212c的栅极分别连接第2和第3子栅极线V2、V3。
第1和第2晶体管211c、212c是为了在保持电容230c上积蓄所希望的电荷时所使用的开关晶体管。第4晶体管214c是控制在有机EL器件220c中流动的电流值的驱动晶体管。此外，第3和第4晶体管213c、214c构成所为的电流反射镜电路，流入第3晶体管213c中的电流值和流入第4晶体管214c中的电流值具有给定的比例关系。因此，如果通过第2子数据线U2在第3晶体管213c中流入电流Im，则将在第4晶体管214c和有机EL器件220c中流入与其成比例的电流。这2个电流值之比，等于2个晶体管213c、214c的放大系数β。此外，放大系数β，由β＝(μC。W/L)确定。式中，μ表示载流子的迁移速度、C。表示栅极电容、W表示沟道宽度、L表示沟道长度。
该电压编程电路240c的第1和第2晶体管211c、212c，具有控制是否由电流信号Iout向保持电容230c供给电荷的功能，相当于在本发明中“第1开关晶体管”。另外，第2电压编程用晶体管252c具有控制是否由电压流信号Vout向保持电容230c供给电荷的功能，相当于在本发明中“第2开关晶体管”。进一步，第1电压编程用晶体管251c相当于在本发明中“第3开关晶体管”。此外，也可以省略第1电压编程用晶体管251c。
图11表示实施例4的像素电路210c的动作的时序图。在编程期间Tpr，首先只将第1栅极信号V1设定成H电平，分别将第1和第2电压编程用晶体管251c、252c设定成截止和导通状态。这时，电压生成电路411c通过第1子数据线U1向保持电容230c提供电压信号Vout，进行电压编程。然后，使第1栅极信号V1下降到L电平，将第2和第3栅极信号V2、V3设定成H电平，在第2和第3栅极信号V2、V3为H电平的期间，电流编程电路240c内的第1和第2开关晶体管211c、212c处于导通状态，由电流信号Iout进行保持电容230c的编程。这时，在第4晶体管214c和有机EL器件220c中流入与电流信号Iout的电流值Im(图11(e))成比例的电流值Ima(图11(f))。这时，在保持电容230c上积蓄与第3和第4晶体管213c、214c的驱动状态对应的电荷量。因此，即使在第2和第3栅极信号V2、V3下降到L电平之后，在第4晶体管214c和有机EL器件220c中也流入与保持电容230c的电荷量对应的电流值Ima。
该实施例4具有和上述其他实施例相同的效果。也就是说，由于并用电压编程和电流编程，与只有电压编程的情况比较，可以正确设定发光辉度，另外，与只有电流编程的情况比较，可以高速设定发光辉度。
E.实施例5：
图12是实施例5的像素电路210d和单一线驱动器410d的内部构成的电路图。该像素电路210d和图4所示的电路相同。也就是说，在实施例5中，没有设置在实施例1(图3)中所设置的2个开关晶体管251、252。另外，也省略了控制这些晶体管251、252的子栅极线V1。该单一线驱动器410d和其内部电路411d、412d和图3所示的实施例1中的电路相同。但是，在实施例5中，电压生成电路411d和电流生成电路412d共同连接在1条数据信号线Xm上，这一点与实施例1不同。
图13表示实施例5的像素电路210d的动作时序图。在编程期间Tpr的前半部分，从电压生成电路411d向数据线Xm供给电压信号Vout(图13(c))，进行电压编程，这时，进行数据线Xm充电或者放电、和保持电容230的充电或者放电。在后半部分，从电流生成电路412d供给电流信号Iout(图13(d))，保持电容230进行正确的编程。在实施例5中，电压编程和电流编程的中，开关晶体管211均设定成导通状态，这两种情况下栅极信号V2均保持在H电平。
这样，即使采用和现有技术相同的像素电路，如果并用电压编程和电流编程，与只有电压编程的情况比较，可以正确设定发光辉度，另外，与只有电流编程的情况比较，可以高速设定发光辉度。特别是，在实施例5中，采用1条数据线Xm进行电压编程后，采用同一数据线Xm实施电流编程。在电压编程中，对数据线Xm和保持电容230同时进行预充电，然后，实施电流编程。因此，和现有技术相比，可以高速并且正确进行发光辉度的设定。
图14表示实施例5的变形例的电路图。在该变形例中，电压生成电路411d配置在电源电压Vdd侧，这一点与图12的构成不同。即使在这样的电路中，也可以获得和图12的电路相同的效果。
此外，象实施例5那样，采用同一数据线Xm进行电压编程和电流编程时，电压编程的期间和电流编程的期间也可以部分重叠。为了正确设定发光辉度，优选至少在电压编程(供给电压信号)结束后的期间，进行电流编程(供给电流信号)，这样调整电压信号和电流信号的时序。
F.其他变形例：
F1：
在上述各种实施例中，虽然是针对每1行的像素电路群(即逐行依次)进行编程，也可以采用针对每个像素电路(即逐点依次)进行编程。逐点依次进行编程时，没有必要针对每1组的数据线Xm(U1、U2)设置1个单一线驱动器410(数据信号生成电路)，对于像素电路矩阵整体，只要设置1个单一线驱动器410即可。这时，1个单一线驱动器410，只要构成为可以在包含作为编程对象的像素电路的1组数据线上输出数据信号(电压信号Vout和电流信号Iout)即可。其具体实现，例如可以设置切换开关电路，切换单一线驱动器410和多组数据线之间的连接关系即可。
F2：
在上述各种实施例中，虽然所有的晶体管均由FET构成，其中一部分或者全部也可以用双极型晶体管或者其他种类的开关元件置换。FET的栅极、和双极型晶体管的基极，相当于本发明中的”“控制电极。作为这样的晶体管，除了薄膜晶体管(TFT)之外，也可以采用硅晶体管。
F3：
在上述各种实施例所采用的像素电路中，虽然是将编程期间Tpr和发光期间Tel分开了，也可以采用编程期间Tpr和发光期间Tel的一部分重叠的像素电路。例如，在图9和图11的动作中，在编程期间Tpr也在有机EL器件中流入电流IEL，进行发光。因此，在这样的动作中，可以认为编程期间Tpr和发光期间Tel的一部分是重叠的。
F4：
在上述各种实施例中，虽然采用的是有源矩阵驱动法，本发明也可以在采用无源矩阵驱动法驱动有机EL器件的情况中适用。但是，对于需要多级辉度调节的显示装置、或者采用有源矩阵驱动法的显示装置，由于更加强烈要求驱动的高速化，本发明的效果会更加显著。进一步，本发明，并不限定于将像素电路配置成矩阵状的显示装置，也可以适用于采用其他配置的情况。
F5：
在上述实施例和变形例中，虽然是以采用有机EL器件的显示装置为例进行了说明，本发明也可以适用于采用有机EL器件以外的发光元件的显示装置或者电子装置。例如，也可以适用于具有根据驱动电流可以调节发光辉度的其他种类的发光元件(LED和FED(Field EmissionDisplay)等)的装置。
F6：
在上述各种实施例中所说明的动作只不过是一个例子，在像素电路中也可以进行不同的动作。例如，也可以将栅极信号V1～V3的变化模式设定成和上述例子不同的模式。另外，也可以执行是否有必要进行电压编程的判断，只是在有必要时才进行电压编程。例如，作为电压信号供给的数据信号，也可以在发光元件所有辉度所对应的电压值范围内取值。另外，数据信号的电压值的数量，也可以比发光元件的辉度的数量少。对于后者，是使发光元件辉度的某一范围，与数据信号的1个电压值对应。
F7：
上述各实施例的像素电路，可以适用各种电子仪器的显示装置中，例如，也可以适用于微机、手机电话、数码相机、电视机、取景器型或者监视器直视型摄像机、定位装置、寻呼机、电子记事本、计算器、字处理机、工作站、可视电话、POS终端、包含触摸屏的仪器等中。

Claims (12)

1、一种电光学装置，其特征在于包括：
扫描线；
电流信号线；
电压信号线；
具有电流驱动型元件、控制提供给所述电流驱动型元件的电流的电流值的驱动晶体管、以及连接在所述驱动晶体管的栅极上的保持电容的象素电路；
生成电流信号，并且通过所述电流信号线提供给所述象素电路的电流生成电路；
生成电压信号，并且通过所述电压信号线提供给所述象素电路的电压生成电路；
所述象素电路包括控制所述电流信号线和所述保持电容的电连接的第1开关晶体管，和控制所述电压信号线和所述保持电容的电连接的第2晶体管。
2、根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，当所述第1开关晶体管成为导通状态时，所述保持电容上保持对应于所述电流信号的电荷，当所述第2开关晶体管成为导通状态时，所述保持电容上保持对应于所述电压信号的电荷。
3、根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，所述电流信号线及所述电压信号线延设在与所述扫描线交叉的方向上。
4、根据权利要求1或2所述的电光学装置，其特征在于，所述第2开关晶体管在所述第1开关晶体管成为导通状态之前成为导通状态。
5、一种电光学装置，其特征在于，包括：
扫描线；
与所述扫描线交叉的数据线；
具有电流驱动型元件、控制提供给所述电流驱动型元件的电流的电流值的驱动晶体管、以及连接在所述驱动晶体管的栅极上的保持电容的象素电路；
生成电流信号，并且通过所述数据线提供给所述象素电路的电流生成电路；
生成电压信号，并且通过所述数据线提供给所述象素电路的电压生成电路；
所述象素电路包括控制所述数据线和所述保持电容的电连接的开关晶体管。
6、根据权利要求5所述的电光学装置，其特征在于，所述数据线包括传输所述电流信号的电流信号线，和传输所述电压信号的电压信号线。
7、根据权利要求5所述的电光学装置，其特征在于，当所述电压信号通过所述开关晶体管被提供给所述保持电容时，在所述保持电容中存储对应于所述电压信号的电荷，当所述电流信号通过所述开关晶体管被提供给所述保持电容时，在所述保持电容中存储对应于所述电流信号的电荷。
8、根据权利要求5或6所述的电光学装置，其特征在于，向所述保持电容的电荷供给的实施，是使由所述电压信号的电荷供给结束后再使由所述电流信号的电荷供给结束。
9、根据权利要求5或6所述的电光学装置，其特征在于，由所述电流信号向所述保持电容的电荷供给，是在由所述电压信号的电荷供给结束后开始的。
10、一种电光学装置的驱动方法，具有电流驱动型元件、控制提供给所述电流驱动型元件的电流的电流值的驱动晶体管、以及连接在所述驱动晶体管的栅极上的保持电容的象素电路，其特征在于包括：
通过向所述保持电容供给电压信号，向所述保持电容供给电荷的第1步骤；
通过向所述保持电容供给电流信号，向所述保持电容供给电荷的第2步骤。
11、根据权利要求10所述的电光学装置的驱动方法，其特征在于，所述电流信号作为流入所述象素电路的编程电流提供给所述象素电路中。
12、根据权利要求10或11所述的电光学装置的驱动方法，其特征在于，在所述第1步骤中，包括所述保持电容充电或放电的过程。
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Families Citing this family (168)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7569849B2 (en) 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
JP2003195810A (ja) 2001-12-28 2003-07-09 Casio Comput Co Ltd 駆動回路、駆動装置及び光学要素の駆動方法
JP4610843B2 (ja) 2002-06-20 2011-01-12 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示装置の駆動方法
JP2004145300A (ja) * 2002-10-03 2004-05-20 Seiko Epson Corp 電子回路、電子回路の駆動方法、電子装置、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器
TWI470607B (zh) 2002-11-29 2015-01-21 Semiconductor Energy Lab A current driving circuit and a display device using the same
JP5057637B2 (ja) * 2002-11-29 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4131659B2 (ja) * 2002-12-06 2008-08-13 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置及びその駆動方法
US7573442B2 (en) 2002-12-06 2009-08-11 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Display, active matrix substrate, and driving method
JP4048969B2 (ja) 2003-02-12 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動方法及び電子機器
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
JP3952965B2 (ja) * 2003-02-25 2007-08-01 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示装置の駆動方法
EP1598938B1 (en) 2003-02-28 2013-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP2004318093A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 発光ディスプレイ及びその駆動方法及びエレクトロルミネッセンス表示回路及びエレクトロルミネッセンスディスプレイ
KR100502912B1 (ko) * 2003-04-01 2005-07-21 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
US7453427B2 (en) 2003-05-09 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US7369125B2 (en) * 2003-05-28 2008-05-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Current supply circuit and display device having the current supply circuit
JP4304585B2 (ja) * 2003-06-30 2009-07-29 カシオ計算機株式会社 電流生成供給回路及びその制御方法並びに該電流生成供給回路を備えた表示装置
JP5116206B2 (ja) * 2003-07-11 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8378939B2 (en) * 2003-07-11 2013-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8085226B2 (en) 2003-08-15 2011-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4624032B2 (ja) * 2003-08-15 2011-02-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
JP4059177B2 (ja) 2003-09-17 2008-03-12 セイコーエプソン株式会社 電子回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
JP4589614B2 (ja) * 2003-10-28 2010-12-01 株式会社 日立ディスプレイズ 画像表示装置
KR100580554B1 (ko) * 2003-12-30 2006-05-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일렉트로-루미네센스 표시장치 및 그 구동방법
JP4107240B2 (ja) * 2004-01-21 2008-06-25 セイコーエプソン株式会社 駆動回路、電気光学装置及び電気光学装置の駆動方法、並びに電子機器
KR100684712B1 (ko) * 2004-03-09 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치
KR100560479B1 (ko) * 2004-03-10 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
JP4665419B2 (ja) 2004-03-30 2011-04-06 カシオ計算機株式会社 画素回路基板の検査方法及び検査装置
JP5044883B2 (ja) * 2004-03-31 2012-10-10 日本電気株式会社 表示装置、電気回路の駆動方法、及び表示装置の駆動方法
JP4033166B2 (ja) * 2004-04-22 2008-01-16 セイコーエプソン株式会社 電子回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器
JP4036209B2 (ja) 2004-04-22 2008-01-23 セイコーエプソン株式会社 電子回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器
US7928937B2 (en) 2004-04-28 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100581799B1 (ko) 2004-06-02 2006-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시소자 및 역다중화부
CA2472671A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
KR100673759B1 (ko) * 2004-08-30 2007-01-24 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치
EP2383721B1 (en) 2004-11-16 2015-04-08 Ignis Innovation Inc. System and Driving Method for Active Matrix Light Emitting Device Display
JP4438066B2 (ja) * 2004-11-26 2010-03-24 キヤノン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置およびその電流プログラミング方法
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9275579B2 (en) 2004-12-15 2016-03-01 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9280933B2 (en) 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US8576217B2 (en) 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US20140111567A1 (en) 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
US10013907B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US8599191B2 (en) 2011-05-20 2013-12-03 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US10012678B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
KR20070101275A (ko) 2004-12-15 2007-10-16 이그니스 이노베이션 인크. 발광 소자를 프로그래밍하고, 교정하고, 구동시키기 위한방법 및 시스템
US9171500B2 (en) 2011-05-20 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays
KR100805542B1 (ko) * 2004-12-24 2008-02-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR100752289B1 (ko) * 2004-12-28 2007-08-29 세이코 엡슨 가부시키가이샤 단위 회로, 그 제어 방법, 전자 장치 및 전자 기기
KR100637203B1 (ko) * 2005-01-07 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 동작방법
CA2495726A1 (en) 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
CA2496642A1 (en) 2005-02-10 2006-08-10 Ignis Innovation Inc. Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming
KR100707623B1 (ko) 2005-03-19 2007-04-13 한양대학교 산학협력단 화소 및 이를 이용한 발광 표시장치
KR101160830B1 (ko) * 2005-04-21 2012-06-29 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
EP1886298A2 (en) * 2005-05-19 2008-02-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electroluminescent display devices
JP4752331B2 (ja) 2005-05-25 2011-08-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置、その駆動方法及び駆動回路、並びに電子機器
EP1904995A4 (en) 2005-06-08 2011-01-05 Ignis Innovation Inc METHOD AND SYSTEM FOR CONTROLLING A LIGHT EMITTING DEVICE DISPLAY
KR100703500B1 (ko) * 2005-08-01 2007-04-03 삼성에스디아이 주식회사 데이터 구동회로와 이를 이용한 발광 표시장치 및 그의구동방법
KR100754131B1 (ko) * 2005-08-01 2007-08-30 삼성에스디아이 주식회사 데이터 구동회로와 이를 이용한 유기 발광 표시장치 및그의 구동방법
KR100703492B1 (ko) * 2005-08-01 2007-04-03 삼성에스디아이 주식회사 데이터 구동회로와 이를 이용한 유기 발광 표시장치
US20070109284A1 (en) * 2005-08-12 2007-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
GB2429565B (en) * 2005-08-23 2007-12-27 Cambridge Display Tech Ltd Display driving methods and apparatus
CA2518276A1 (en) 2005-09-13 2007-03-13 Ignis Innovation Inc. Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
KR101322195B1 (ko) * 2005-09-15 2013-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이의 구동 방법
JP5041772B2 (ja) * 2005-09-15 2012-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4753373B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び表示装置の駆動方法
US9489891B2 (en) 2006-01-09 2016-11-08 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
US9269322B2 (en) 2006-01-09 2016-02-23 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
EP2458579B1 (en) 2006-01-09 2017-09-20 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
JP2007240698A (ja) * 2006-03-07 2007-09-20 Oki Electric Ind Co Ltd 電流駆動回路
EP2008264B1 (en) 2006-04-19 2016-11-16 Ignis Innovation Inc. Stable driving scheme for active matrix displays
TWI371018B (en) * 2006-05-09 2012-08-21 Chimei Innolux Corp System for displaying image and driving display element method
KR20070111638A (ko) * 2006-05-18 2007-11-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광표시장치의 화소 회로
US8446394B2 (en) * 2006-06-16 2013-05-21 Visam Development L.L.C. Pixel circuits and methods for driving pixels
US20080062090A1 (en) * 2006-06-16 2008-03-13 Roger Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
US7679586B2 (en) 2006-06-16 2010-03-16 Roger Green Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
KR100819946B1 (ko) * 2006-07-06 2008-04-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 전계발광표시장치 및 그 구동방법
JP4281765B2 (ja) * 2006-08-09 2009-06-17 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型発光装置、電子機器およびアクティブマトリクス型発光装置の画素駆動方法
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
TWI344132B (en) * 2006-10-25 2011-06-21 Au Optronics Corp Display panels and display units
KR100821055B1 (ko) * 2006-12-27 2008-04-08 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치와 그의 구동방법
JP5019217B2 (ja) * 2007-09-14 2012-09-05 株式会社ジャパンディスプレイセントラル アクティブマトリクス型表示装置およびその駆動方法
CA2660598A1 (en) 2008-04-18 2009-06-22 Ignis Innovation Inc. System and driving method for light emitting device display
JP4702395B2 (ja) * 2008-05-20 2011-06-15 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
KR101493220B1 (ko) 2008-05-26 2015-02-17 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
CA2637343A1 (en) 2008-07-29 2010-01-29 Ignis Innovation Inc. Improving the display source driver
CN101673503A (zh) * 2008-09-12 2010-03-17 统宝光电股份有限公司 像素单元及具有像素单元的电子系统
US9370075B2 (en) 2008-12-09 2016-06-14 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
JP5239974B2 (ja) * 2009-03-18 2013-07-17 カシオ計算機株式会社 電子機器及び電子機器の駆動方法
CA2669367A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Ignis Innovation Inc Compensation technique for color shift in displays
US10319307B2 (en) 2009-06-16 2019-06-11 Ignis Innovation Inc. Display system with compensation techniques and/or shared level resources
US9384698B2 (en) 2009-11-30 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for aging compensation in AMOLED displays
US9311859B2 (en) 2009-11-30 2016-04-12 Ignis Innovation Inc. Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays
CA2688870A1 (en) 2009-11-30 2011-05-30 Ignis Innovation Inc. Methode and techniques for improving display uniformity
US8497828B2 (en) 2009-11-12 2013-07-30 Ignis Innovation Inc. Sharing switch TFTS in pixel circuits
US10996258B2 (en) 2009-11-30 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays
US8803417B2 (en) 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
CA2687631A1 (en) 2009-12-06 2011-06-06 Ignis Innovation Inc Low power driving scheme for display applications
US10176736B2 (en) 2010-02-04 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2692097A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
US20140313111A1 (en) 2010-02-04 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10163401B2 (en) 2010-02-04 2018-12-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10089921B2 (en) 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US9881532B2 (en) 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2696778A1 (en) 2010-03-17 2011-09-17 Ignis Innovation Inc. Lifetime, uniformity, parameter extraction methods
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
US20140368491A1 (en) 2013-03-08 2014-12-18 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for amoled displays
US9351368B2 (en) 2013-03-08 2016-05-24 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
CN109272933A (zh) 2011-05-17 2019-01-25 伊格尼斯创新公司 操作显示器的方法
US9606607B2 (en) 2011-05-17 2017-03-28 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US9886899B2 (en) 2011-05-17 2018-02-06 Ignis Innovation Inc. Pixel Circuits for AMOLED displays
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US9466240B2 (en) 2011-05-26 2016-10-11 Ignis Innovation Inc. Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed
JP2014517940A (ja) 2011-05-27 2014-07-24 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド Ａｍｏｌｅｄディスプレイにおけるエージング補償ためのシステムおよび方法
EP2945147B1 (en) 2011-05-28 2018-08-01 Ignis Innovation Inc. Method for fast compensation programming of pixels in a display
US8901579B2 (en) 2011-08-03 2014-12-02 Ignis Innovation Inc. Organic light emitting diode and method of manufacturing
US9070775B2 (en) 2011-08-03 2015-06-30 Ignis Innovations Inc. Thin film transistor
US9385169B2 (en) 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
US9324268B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Ignis Innovation Inc. Amoled displays with multiple readout circuits
KR101963126B1 (ko) * 2011-12-06 2019-04-02 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로, 유기 발광 표시 장치 및 화소 회로의 구동 방법
US8937632B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Ignis Innovation Inc. Driving system for active-matrix displays
US9747834B2 (en) 2012-05-11 2017-08-29 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore
US8922544B2 (en) 2012-05-23 2014-12-30 Ignis Innovation Inc. Display systems with compensation for line propagation delay
US9786223B2 (en) 2012-12-11 2017-10-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9336717B2 (en) 2012-12-11 2016-05-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9830857B2 (en) 2013-01-14 2017-11-28 Ignis Innovation Inc. Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays
US9171504B2 (en) 2013-01-14 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations
CA2894717A1 (en) 2015-06-19 2016-12-19 Ignis Innovation Inc. Optoelectronic device characterization in array with shared sense line
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
EP3043338A1 (en) 2013-03-14 2016-07-13 Ignis Innovation Inc. Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for amoled displays
US9952698B2 (en) 2013-03-15 2018-04-24 Ignis Innovation Inc. Dynamic adjustment of touch resolutions on an AMOLED display
CN110634431B (zh) 2013-04-22 2023-04-18 伊格尼斯创新公司 检测和制造显示面板的方法
KR102025120B1 (ko) * 2013-05-24 2019-09-26 삼성디스플레이 주식회사 보상부 및 이를 포함한 유기 전계 발광 표시 장치
US9437137B2 (en) 2013-08-12 2016-09-06 Ignis Innovation Inc. Compensation accuracy
US9741282B2 (en) 2013-12-06 2017-08-22 Ignis Innovation Inc. OLED display system and method
US9761170B2 (en) 2013-12-06 2017-09-12 Ignis Innovation Inc. Correction for localized phenomena in an image array
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
US10997901B2 (en) 2014-02-28 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Display system
US10176752B2 (en) 2014-03-24 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. Integrated gate driver
DE102015206281A1 (de) 2014-04-08 2015-10-08 Ignis Innovation Inc. Anzeigesystem mit gemeinsam genutzten Niveauressourcen für tragbare Vorrichtungen
CN103996377B (zh) * 2014-05-30 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 像素电路和显示装置
CN104021763B (zh) * 2014-06-11 2017-12-08 合肥鑫晟光电科技有限公司 像素电路、显示装置和像素电路的驱动方法
CN103996379B (zh) * 2014-06-16 2016-05-04 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管的像素驱动电路及像素驱动方法
CA2872563A1 (en) 2014-11-28 2016-05-28 Ignis Innovation Inc. High pixel density array architecture
CA2873476A1 (en) 2014-12-08 2016-06-08 Ignis Innovation Inc. Smart-pixel display architecture
CA2879462A1 (en) 2015-01-23 2016-07-23 Ignis Innovation Inc. Compensation for color variation in emissive devices
CA2886862A1 (en) 2015-04-01 2016-10-01 Ignis Innovation Inc. Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging
CN104732929A (zh) 2015-04-16 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、显示装置
CA2889870A1 (en) 2015-05-04 2016-11-04 Ignis Innovation Inc. Optical feedback system
CA2892714A1 (en) 2015-05-27 2016-11-27 Ignis Innovation Inc Memory bandwidth reduction in compensation system
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
CA2908285A1 (en) 2015-10-14 2017-04-14 Ignis Innovation Inc. Driver with multiple color pixel structure
CA2909813A1 (en) 2015-10-26 2017-04-26 Ignis Innovation Inc High ppi pattern orientation
DE102017222059A1 (de) 2016-12-06 2018-06-07 Ignis Innovation Inc. Pixelschaltungen zur Minderung von Hysterese
KR102650339B1 (ko) * 2016-12-27 2024-03-21 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
US10714018B2 (en) 2017-05-17 2020-07-14 Ignis Innovation Inc. System and method for loading image correction data for displays
US11025899B2 (en) 2017-08-11 2021-06-01 Ignis Innovation Inc. Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line
CN110047431A (zh) * 2019-04-29 2019-07-23 云谷（固安）科技有限公司 像素驱动电路及其驱动方法
CN113711296A (zh) 2020-01-28 2021-11-26 Oled沃克斯有限责任公司 具有低压硅背板的堆叠式oled微显示器
CN111383590B (zh) * 2020-05-29 2020-10-02 合肥视涯技术有限公司 数据电流产生电路、驱动方法、驱动芯片和显示面板
CN111653241A (zh) * 2020-07-27 2020-09-11 北京奕斯伟计算技术有限公司 电压提供方法、电压提供装置、显示器件和电子设备

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3903246A (en) * 1969-08-12 1975-09-02 Nickel Le Removal of cobalt from nickel salt solutions
US4366504A (en) * 1977-10-07 1982-12-28 Sharp Kabushiki Kaisha Thin-film EL image display panel
JP2761128B2 (ja) * 1990-10-31 1998-06-04 富士通株式会社 液晶表示装置
US5900856A (en) * 1992-03-05 1999-05-04 Seiko Epson Corporation Matrix display apparatus, matrix display control apparatus, and matrix display drive apparatus
JP3582082B2 (ja) * 1992-07-07 2004-10-27 セイコーエプソン株式会社 マトリクス型表示装置，マトリクス型表示制御装置及びマトリクス型表示駆動装置
DE69411223T2 (de) 1993-04-30 1999-02-18 International Business Machines Corp., Armonk, N.Y. Verfahren und Vorrichtung zum Eliminieren des Übersprechens in einer Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung mit aktiver Matrix
TW277129B (zh) 1993-12-24 1996-06-01 Sharp Kk
EP1280130A3 (en) * 1994-11-17 2003-03-05 Seiko Epson Corporation Display device and electronic instrument
US5748164A (en) * 1994-12-22 1998-05-05 Displaytech, Inc. Active matrix liquid crystal image generator
US5903246A (en) 1997-04-04 1999-05-11 Sarnoff Corporation Circuit and method for driving an organic light emitting diode (O-LED) display
US5952789A (en) * 1997-04-14 1999-09-14 Sarnoff Corporation Active matrix organic light emitting diode (amoled) display pixel structure and data load/illuminate circuit therefor
US6229506B1 (en) * 1997-04-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
JP3713922B2 (ja) * 1997-10-30 2005-11-09 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置の駆動装置、液晶表示装置、電子機器、及び液晶表示装置の駆動方法
EP1055218A1 (en) * 1998-01-23 2000-11-29 Fed Corporation High resolution active matrix display system on a chip with high duty cycle for full brightness
JP3648976B2 (ja) 1998-03-24 2005-05-18 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶装置及び電子機器並びに該アクティブマトリクス基板の検査方法
JP3252897B2 (ja) 1998-03-31 2002-02-04 日本電気株式会社 素子駆動装置および方法、画像表示装置
JP4081852B2 (ja) * 1998-04-30 2008-04-30 ソニー株式会社 有機ｅｌ素子のマトリクス駆動方法及び有機ｅｌ素子のマトリクス駆動装置
GB9812739D0 (en) * 1998-06-12 1998-08-12 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display devices
DE19928082C2 (de) 1999-06-11 2001-11-29 Ddg Ges Fuer Verkehrsdaten Mbh Filterungsverfahren zur Bestimmung von Reisegeschwindigkeiten bzw. -zeiten und Domänen-Restgeschwindigkeiten
JP2000356972A (ja) * 1999-06-15 2000-12-26 Pioneer Electronic Corp 発光パネルの駆動装置及び方法
JP4092857B2 (ja) 1999-06-17 2008-05-28 ソニー株式会社 画像表示装置
US6873313B2 (en) * 1999-10-22 2005-03-29 Sharp Kabushiki Kaisha Image display device and driving method thereof
JP2001147659A (ja) 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
KR100710279B1 (ko) * 2000-07-15 2007-04-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 엘렉트로 루미네센스 패널
WO2002071379A2 (en) * 2000-07-18 2002-09-12 Emagin Corporation A current-type driver for organic light emitting diode displays
JP3937789B2 (ja) * 2000-10-12 2007-06-27 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子を含む駆動回路及び電子機器及び電気光学装置
JP3594126B2 (ja) * 2000-10-13 2004-11-24 日本電気株式会社 電流駆動回路
US7015882B2 (en) * 2000-11-07 2006-03-21 Sony Corporation Active matrix display and active matrix organic electroluminescence display
KR100370286B1 (ko) * 2000-12-29 2003-01-29 삼성에스디아이 주식회사 전압구동 유기발광소자의 픽셀회로
US6323631B1 (en) * 2001-01-18 2001-11-27 Sunplus Technology Co., Ltd. Constant current driver with auto-clamped pre-charge function
US6366116B1 (en) * 2001-01-18 2002-04-02 Sunplus Technology Co., Ltd. Programmable driving circuit
JP2002215095A (ja) * 2001-01-22 2002-07-31 Pioneer Electronic Corp 発光ディスプレイの画素駆動回路
US6594606B2 (en) * 2001-05-09 2003-07-15 Clare Micronix Integrated Systems, Inc. Matrix element voltage sensing for precharge
US6956547B2 (en) * 2001-06-30 2005-10-18 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Driving circuit and method of driving an organic electroluminescence device
JP3666423B2 (ja) * 2001-07-06 2005-06-29 日本電気株式会社 駆動回路
JP3730886B2 (ja) * 2001-07-06 2006-01-05 日本電気株式会社 駆動回路及び液晶表示装置
JP3951687B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 単位回路の制御に使用されるデータ線の駆動
US7012597B2 (en) * 2001-08-02 2006-03-14 Seiko Epson Corporation Supply of a programming current to a pixel
KR100819138B1 (ko) * 2001-08-25 2008-04-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일렉트로 루미네센스 패널의 구동장치 및 그 구동방법
JP5636147B2 (ja) 2001-08-28 2014-12-03 パナソニック株式会社 アクティブマトリックス型表示装置
CN100440286C (zh) 2001-08-29 2008-12-03 日本电气株式会社 用于驱动电流负载器件的半导体器件及提供的电流负载器件
JP4193452B2 (ja) 2001-08-29 2008-12-10 日本電気株式会社 電流負荷デバイス駆動用半導体装置及びそれを備えた電流負荷デバイス
WO2003023752A1 (fr) 2001-09-07 2003-03-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Affichage el, circuit d'entrainement d'affichage el et affichage d'image
US20050057580A1 (en) 2001-09-25 2005-03-17 Atsuhiro Yamano El display panel and el display apparatus comprising it
JP2003122303A (ja) 2001-10-16 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｌ表示パネルおよびそれを用いた表示装置とその駆動方法
JP2004157250A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Hitachi Ltd 表示装置
JP4530622B2 (ja) * 2003-04-10 2010-08-25 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 表示パネルの駆動装置
KR100580554B1 (ko) * 2003-12-30 2006-05-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일렉트로-루미네센스 표시장치 및 그 구동방법

Also Published As

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