KR100455467B1 - 발광 소자용 화소 회로 - Google Patents

발광 소자용 화소 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR100455467B1
KR100455467B1 KR10-2002-0079093A KR20020079093A KR100455467B1 KR 100455467 B1 KR100455467 B1 KR 100455467B1 KR 20020079093 A KR20020079093 A KR 20020079093A KR 100455467 B1 KR100455467 B1 KR 100455467B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
current
charge
signal
sustain capacitor
transistor
Prior art date
Application number
KR10-2002-0079093A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030048358A (ko
Inventor
미야자와다카시
Original Assignee
세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세이코 엡슨 가부시키가이샤 filed Critical 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Publication of KR20030048358A publication Critical patent/KR20030048358A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100455467B1 publication Critical patent/KR100455467B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0251—Precharge or discharge of pixel before applying new pixel voltage
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0223—Compensation for problems related to R-C delay and attenuation in electrodes of matrix panels, e.g. in gate electrodes or on-substrate video signal electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0252—Improving the response speed
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/029—Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

화소 회로(210)는 전류 프로그래밍 회로(240)와, 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251, 252)를 구비한다. 유기 EL 소자(220)의 발광 계조의 설정 시에는, 제 1과 제 2 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251, 252)를 오프 상태와 온 상태로 각각 설정하고, 전압 신호 Vout을 이용해서 전압 프로그래밍을 행한다. 다음에, 제 1과 제 2 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251, 252)의 상태를 전환하고, 전류 신호 Iout 을 이용해서 전류 프로그래밍을 행한다.

Description

발광 소자용 화소 회로{PIXEL CIRCUIT FOR LIGHT EMITTING ELEMENT}
본 발명은 전류 구동형 발광 소자의 화소 회로의 기술에 관한 것이다.
최근, 유기 EL 소자(Organic ElectroLuminescent element)를 이용한 전기 광학 장치가 개발되고 있다. 유기 EL 소자는 자발 광 소자이며, 백라이트가 불필요하므로, 저소비 전력, 고시야각, 고콘트라스트비의 표시 장치를 달성할 수 있는 것으로 기대되고 있다. 또한, 본 명세서에서, 「전기 광학 장치 」란, 전기 신호를 광으로 변환하는 장치를 의미하고 있다. 전기 광학 장치의 가장 보통의 형태는 화상을 나타내는 전기 신호를 화상을 나타내는 광으로 변환하는 장치이며, 특히 표시 장치로서 적합하다.
유기 EL 소자의 화소 회로로서는, 전압값에 따라서 발광 계조를 설정하는 전압 프로그래밍 방식의 화소 회로와, 전류값에 따라서 발광 계조를 설정하는 전류 프로그래밍 방식의 화소 회로가 존재한다. 또한, 「프로그래밍」이란, 화소 회로에 발광 계조를 설정하는 처리를 의미하고 있다. 전압 프로그래밍 방식은 비교적 고속이지만, 발광 계조의 설정 정밀도가 너무 좋지 않은 경우가 있다. 한편, 전류프로그래밍 방식은 발광 계조의 설정 정밀도는 비교적 양호하지만, 설정에 비교적 장시간이 필요한 경우가 있다.
그래서, 종래와는 다른 방식의 화소 회로가 요망되고 있었다. 이러한 요망은 유기 EL 소자를 이용한 표시 장치에 한하지 않고, 유기 EL 소자 이외의 전류 구동형 발광 소자를 이용한 표시 장치나 전기 광학 장치에 공통되는 문제이었다.
본 발명은 상기한 종래의 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 종래와는 다른 방식으로 전류 구동형 발광 소자의 발광 계조를 설정하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예로서의 표시 장치의 개략적인 구성을 나타내는 블럭도.
도 2는 표시 매트릭스부(200)와 데이터선 드라이버(400)의 내부 구성을 나타내는 블럭도.
도 3은 제 1 실시예의 화소 회로(210)와 단일 라인 드라이버(410)의 내부 구성을 나타내는 회로도.
도 4는 트랜지스터(251)가 온 상태이고 다른 트랜지스터(252)가 오프 상태인 경우의 화소 회로(210)의 등가 회로를 나타내는 회로도.
도 5는 제 1 실시예의 화소 회로(210)의 통상의 동작을 나타내는 타이밍 차트.
도 6은 제 2 실시예의 화소 회로(210a)와 단일 라인 드라이버(410)의 내부 구성을 나타내는 회로도.
도 7은 제 2 실시예의 화소 회로(210a)의 동작을 나타내는 타이밍 차트.
도 8은 제 3 실시예의 화소 회로(210b)와 단일 라인 드라이버(410b)의 내부 구성을 나타내는 회로도.
도 9는 제 3 실시예의 화소 회로(210b)의 동작을 나타내는 타이밍 차트.
도 10은 제 4 실시예의 화소 회로(210c)와 단일 라인 드라이버(410c)의 내부 구성을 나타내는 회로도.
도 11은 제 4 실시예의 화소 회로(210c)의 동작을 나타내는 타이밍 차트.
도 12는 제 5 실시예의 화소 회로(210d)와 단일 라인 드라이버(410d)의 내부 구성을 나타내는 회로도.
도 13은 제 5 실시예의 화소 회로(210d)의 동작을 나타내는 타이밍 차트.
도 14는 제 5 실시예의 변형예의 구성을 나타내는 회로도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
200 : 표시 패트릭스부
210 : 화소 회로
211, 212 : 스위칭 트랜지스터(제 1 스위칭 트랜지스터)
213 : 트랜지스터
214 : 구동 트랜지스터
220 : 유기 EL 소자
230, 232 : 유지 커패시터
240 : 전류 프로그래밍 회로
251 : 전압 프로그래밍용 트랜지스터(제 3 스위칭 트랜지스터)
261 : 전압 프로그래밍용 트랜지스터(제 2 스위칭 트랜지스터)
300 : 게이트 드라이버
400 : 데이터선 드라이버
410 : 단일 라인 드라이버
411 : 전압 생성 회로
412 : 전류 생성 회로
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 전기 광학 장치는, 액티브 매트릭스 구동법에 의해 구동되는 전기 광학 장치로서, 발광 소자를 포함하는 복수의 화소 회로가 매트릭스 형상으로 배열된 화소 회로 매트릭스와, 상기 화소 회로 매트릭스의 행방향을 따라 배열된 화소 회로군에 각각 접속된 복수의 주사선과, 상기 화소 회로 매트릭스의 열방향을 따라 배열된 화소 회로군에 각각 접속된 복수의 데이터선과, 상기 복수의 주사선에 접속되어, 상기 화소 회로 매트릭스의 1개의 행을 선택하기 위한 주사선 구동 회로와, 상기 발광 소자의 발광 계조에 따른 데이터 신호를 생성하여, 상기 복수의 데이터선 중의 적어도 1개의 데이터선 상으로 출력하는 것이 가능한 데이터 신호 생성 회로를 구비한다. 상기 데이터 신호 생성 회로는, 상기 데이터선 상으로 출력되는 제 1 데이터 신호로서의 전류 신호를 생성하기 위한 전류 생성 회로와, 상기 데이터선 상으로 출력되는 제 2 데이터 신호로서의전압 신호를 생성하기 위한 전압 생성 회로를 포함하고 있다. 상기 화소 회로는, (i) 전류 구동형의 발광 소자와, (ⅱ) 상기 발광 소자에 흐르는 전류의 경로에 설치된 구동 트랜지스터와, (ⅲ) 상기 구동 트랜지스터의 제어 전극에 접속되어 있고, 상기 전류 생성 회로로부터 공급되는 전류 신호의 전류값에 따른 전하량을 유지함으로써, 상기 구동 트랜지스터에 흐르는 전류값을 설정하기 위한 유지 커패시터와, (ⅳ) 상기 유지 커패시터와 상기 데이터선 사이에 접속되어 있고, 상기 전류 신호를 상기 유지 커패시터에 공급할 것인지의 여부를 제어하기 위한 제 1 스위칭 트랜지스터를 포함하고, 상기 전류 신호의 전류값에 따라서 상기 발광 소자의 발광 계조가 조절되는 전류 프로그래밍 회로와, 상기 유지 커패시터에 접속되어 있고, 상기 전압 생성 회로로부터 공급되는 전압 신호를, 상기 유지 커패시터에 공급할 것인지의 여부를 제어하기 위한 제 2 스위칭 트랜지스터를 구비한다.
이러한 전기 광학 장치에서는, 제 2 스위칭 트랜지스터를 통하여 유지 커패시터에 전압 신호를 공급해서 전압 프로그래밍을 행하고, 그 후 제 1 스위칭 트랜지스터를 통하여 유지 커패시터에 전류 신호를 공급해서 전류 프로그래밍을 행할 수 있다. 이 결과, 비교적 고속이고 정밀도 좋게 발광 계조의 설정을 행하는 것이 가능하다.
1열분의 화소 회로군을 위한 데이터선은 상기 전류 신호를 전송하기 위한 전류 신호선과, 상기 전압 신호를 전송하기 위한 전압 신호선을 포함하고 있어도 좋다.
이 구성에 의하면, 전압 신호와 전류 신호가 다른 신호선을 통하여 공급되므로, 이들 2개의 신호의 공급 타이밍의 조정이 용이하다.
또한, 상기 전기 광학 장치는 상기 유지 커패시터와 상기 제 1 스위칭 트랜지스터 사이에 직렬로 접속된 제 3 스위칭 트랜지스터를 더 구비하도록 하여도 좋다.
이 구성에 의하면, 전압 프로그래밍 시와 전류 프로그래밍 시에 제 3 스위칭 트랜지스터의 온/오프를 적절하게 제어함으로써, 보다 고속이고 정밀도 좋게 발광 계조의 설정을 행하는 것이 가능하다.
또한, 상기 유지 커패시터로의 전하의 공급은 상기 전압 신호에 의한 전하의 공급이 완료된 후에 상기 전류 신호에 의한 전하의 공급이 완료되도록 실행되는 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 최종적으로 전류 프로그래밍에 의해 발광 소자에 흐르는 전류가 설정되므로, 발광 계조를 보다 정밀도 좋게 설정하는 것이 가능하다.
또한, 상기 유지 커패시터로의 상기 전류 신호에 의한 전하의 공급은, 상기 전압 신호에 의한 전하의 공급이 완료된 후에 개시되도록 하여도 좋다.
본 발명에 따른 전기 광학 장치의 제 1 구동 방법은 전류 구동형 발광 소자와, 상기 발광 소자에 흐르는 전류의 경로에 설치된 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터의 제어 전극에 접속되어 상기 구동 트랜지스터의 구동 상태를 설정하는 유지 커패시터를 포함하는 화소 회로를 구비한 전기 광학 장치의 구동 방법으로서, (a) 상기 유지 커패시터에 전압 신호를 공급함으로써, 상기 유지 커패시터에 전하를 공급하는 스텝과, (b) 적어도 상기 전압 신호에 의한 전하의 공급이 완료된 후의 기간에서, 상기 발광 소자의 발광 계조에 따른 전류값을 갖는 전류 신호를 이용하여, 상기 유지 커패시터에 상기 발광 계조에 따른 전하를 유지시키는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 방법에 의하면, 전압 신호에 의한 유지 커패시터로의 전하의 공급이 행해진 후에, 전류 신호를 이용하여 발광 계조가 최종적으로 설정되므로, 고속이고 정확하게 발광 계조를 설정하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 전기 광학 장치의 제 2 구동 방법은, 전류 구동형 발광 소자와, 상기 발광 소자에 흐르는 전류의 경로에 설치된 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터의 제어 전극에 접속되어 상기 구동 트랜지스터의 구동 상태를 설정하는 유지 커패시터를 포함하는 화소 회로와, 상기 화소 회로에 접속된 데이터선을 구비한 전기 광학 장치의 구동 방법으로서, (a) 상기 데이터선을 통하여 상기 유지 커패시터에 전압 신호를 공급함으로써, 상기 유지 커패시터와 상기 데이터선의 쌍방을 충전 또는 방전시키는 스텝과, (b) 적어도 상기 전압 신호의 공급이 완료된 후의 기간에서, 상기 발광 소자의 발광 계조에 따른 전류값을 갖는 전류 신호를 이용하여, 상기 유지 커패시터에 상기 발광 계조에 따른 전하를 유지시키는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 방법에 의하면, 전압 신호에 의한 유지 커패시터 및 데이터선의 쌍방의 충전 또는 방전이 행해진 후에, 전류 신호를 이용하여 발광 계조가 최종적으로 설정되므로, 또한 고속이고 정확하게 발광 계조를 설정하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명은 여러 형태로 실현할 수 있고, 예를 들면 화소 회로, 이 화소 회로를 이용한 전기 광학 장치나 표시 장치, 그 전기 광학 장치나 표시 장치를 구비한 전자 장치나 전자 기기, 그들의 장치나 기기의 구동 방법, 그 방법의 기능을 실현하기 위한 컴퓨터 프로그램, 그 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체, 그 컴퓨터 프로그램을 포함하여 반송파 내에 구현화된 데이터 신호 등의 형태를 실현할 수 있다.
(실시예)
다음에 본 발명의 실시 형태를 실시예에 기초하여 이하의 순서로 설명한다.
A. 제 1 실시예:
B. 제 2 실시예:
C. 제 3 실시예:
D. 제 4 실시예:
E. 제 5 실시예:
F. 다른 변형예:
A. 제 1 실시예:
도 1은 본 발명의 제 1 실시예로서의 표시 장치의 개략적인 구성을 나타내는 블럭도이다. 이 표시 장치는 콘트롤러(100)와, 표시 매트릭스부(200)(「화소 영역 」이라고도 칭함)와, 게이트 드라이버(300)와, 데이터선 드라이버(400)를 갖고 있다. 콘트롤러(100)는 표시 매트릭스부(200)에 표시를 행하게 하기 위한 게이트선 구동 신호와 데이터선 구동 신호를 생성하여, 게이트 드라이버(300)와 데이터선 드라이버(400)에 각각 공급한다.
도 2는 표시 매트릭스부(200)와 데이터선 드라이버(400)의 내부 구성을 나타내고 있다. 표시 매트릭스부(200)는 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 화소 회로(210)를 갖고 있고, 각 화소 회로(210)는 유기 EL 소자(220)를 각각 갖고 있다. 화소 회로(210)의 매트릭스에는, 그 열방향을 따라 신장하는 복수의 데이터선 Xm(m=1∼M)과, 행방향을 따라 신장하는 복수의 게이트선 Yn(n=1∼N)이 각각 접속되어 있다. 또한, 데이터선은 「소스선」이라고도 칭하며, 또한 게이트선은 「주사선」이라고도 칭한다. 또한 본 명세서에서는, 화소 회로(210)를 「단위 회로」 혹은 단순히 「화소 」라고도 칭한다. 화소 회로(210) 내의 트랜지스터는 보통은 TFT(박막 트랜지스터)로 구성된다.
게이트 드라이버(300)는 복수의 게이트선 Yｎ 중의 1개를 선택적으로 구동하여 1행분의 화소 회로군을 선택한다. 데이터선 드라이버(400)는 각 데이터선 Xm을 각각 구동하기 위한 복수의 단일 라인 드라이버(410)를 갖고 있다. 이들 단일 라인 드라이버(410)는 각 데이터선 Xm을 통하여 화소 회로(210)에 데이터 신호를 공급한다. 이 데이터 신호를 따라서 화소 회로(210)의 내부 상태(후술함)가 설정되면, 이들에 따라 유기 EL 소자(220)에 흐르는 전류값이 제어되고, 이 결과 유기 EL 소자(220)의 발광 계조가 제어된다.
도 3은 제 1 실시예의 화소 회로(210)와 단일 라인 드라이버(410)의 내부 구성을 나타내는 회로도이다. 이 화소 회로(210)는 m번째의 데이터선과 n번째의 게이트선 Yｎ의 교점에 배치되어 있는 회로이다. 또한, 1조의 데이터선 Xm은 2개의 서브 데이터선 U1, U2를 포함하고 있고, 1조의 게이트선 Yｎ은 3개의 서브 게이트선 V1∼V3을 포함하고 있다.
단일 라인 드라이버(410)는 전압 생성 회로(411)와 전류 생성 회로(412)를 갖고 있다. 전압 생성 회로(411)는 제 1 서브 데이터선 U1을 통하여 화소 회로(210)에 전압 신호 Vout을 공급한다. 또한, 전류 생성 회로(412)는 제 2 서브 데이터선 U2를 통하여 화소 회로(210)에 전류 신호 Iout을 공급한다.
화소 회로(210)는 전류 프로그래밍 회로(240)에, 2개의 스위칭 트랜지스터(251, 252)가 추가된 구성을 갖고 있다. 전류 프로그래밍 회로(240)는 제 2 서브 데이터선 U2에 흐르는 전류값에 따라서 유기 EL 소자(220)의 계조를 조절하는 회로이다.
도 4는 트랜지스터(251)가 온 상태에서 다른 트랜지스터(252)가 오프 상태일 경우의 화소 회로(210)의 등가 회로 (즉 전류 프로그래밍 회로(240)의 등가 회로)를 나타내고 있다. 이 전류 프로그래밍 회로(240)는 유기 EL 소자(220) 이외에, 4개의 트랜지스터(211∼214)와, 유지 커패시터(230)(「유지 콘덴서」 또는 「기억 커패시터 」라고도 칭함)를 갖고 있다. 유지 커패시터(230)는 제 2 서브 데이터선 U2를 통하여 공급된 전류 신호 Iout의 전류값에 따른 전하를 유지하고, 이에 의해, 유기 EL 소자(220)의 발광 계조를 조절하기 위한 것이다. 이 예에서는, 제 1 내지 제 3 트랜지스터(211∼213)는 n채널형 FET이며, 제 4 트랜지스터(214)는 p채널형 FET이다. 유기 EL 소자(220)는 포토다이오드와 같은 전류 주입형(전류 구동형) 발광 소자이므로, 여기서는 다이오드의 기호로 나타내고 있다.
제 1 트랜지스터(211)의 드레인은 제 2 트랜지스터(212)의 소스와, 제 3 트랜지스터(213)의 드레인과, 제 4 트랜지스터(214)의 드레인에 각각 접속되어 있다. 제 2 트랜지스터(212)의 드레인은 제 4 트랜지스터(214)의 게이트에 접속되어 있다. 유지 커패시터(230)는 제 4 트랜지스터(214)의 소스/게이트 간에 접속되어 있다. 또한, 제 4 트랜지스터(214)의 소스는 전원 전위 Vdd에도 접속되어 있다. 제 1 트랜지스터(211)의 소스는 제 2 서브 데이터선 U2를 통하여 전류 생성 회로(412)에 접속되어 있다. 유기 EL 소자(220)는 제 3 트랜지스터(213)의 소스와 접지 전위 사이에 접속되어 있다. 제 1과 제 2 트랜지스터(211, 212)의 게이트는 제 2 서브 게이트선 V2에 공통적으로 접속되어 있다. 또한, 제 3 트랜지스터(213)의 게이트는 제 3 서브 게이트선 V3에 접속되어 있다.
제 1과 제 2 트랜지스터(211, 212)는 제 2 서브 데이터선 U2를 통하여 유지 커패시터(230)에 전하를 축적할 때에 사용되는 스위칭 트랜지스터이다. 제 3 트랜지스터(213)는 유기 EL 소자(220)의 발광 기간에서 온 상태로 유지되는 스위칭 트랜지스터이다. 또한, 제 4 트랜지스터(214)는 유기 EL 소자(220)에 흐르는 전류값을 제어하기 위한 구동 트랜지스터이다. 제 4 트랜지스터(214)의 전류값는 유지 커패시터(230)에 유지되는 전하량(축적 전하량)에 의해 제어된다.
도 3에 나타내는 화소 회로(210)와 도 4에 나타내는 등가 회로의 차이는 이하의 점이다.
(1) 제 2 트랜지스터(212)의 드레인과 제 4 트랜지스터의 게이트의 접속점 CP1(도 4)과, 유지 커패시터(230)와의 사이에, 스위칭 트랜지스터(251)가 추가되어 있다.
(2) 유지 커패시터(230)와 스위칭 트랜지스터(251)의 접속점 CP2와, 제 1 서브 데이터선 U1과의 사이에, 스위칭 트랜지스터(252)가 추가되어 있다.
(3) 추가된 2개의 트랜지스터(251, 252)의 게이트에 공통적으로 접속된 서브 게이트선 V1이 추가되어 있다.
(4) 유지 커패시터(230)에는 제 1 서브 데이터선 U1을 통하여 전압 생성 회로(411)로부터의 전압 신호 Vout이 공급 가능하고, 또한 제 2 서브 데이터선 U2를 통하여 전류 생성 회로(412)로부터의 전류 신호 Iout이 공급 가능하다.
또한, 이하에서는 추가된 트랜지스터(251, 252)를 「전압 프로그래밍용 트랜지스터(251, 252)」라고 칭한다. 도 3의 예에서는, 제 1 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251)는 p채널형 FET이며, 제 2 전압 프로그래밍용 트랜지스터(252)는 n채널형 FET이다.
전류 프로그래밍 회로(240)의 제 1과 제 2 트랜지스터(211, 212)는 전류 신호 Iout에 의해 유지 커패시터(230)에 전하를 공급할 것인지의 여부를 제어하는 기능을 갖고 있고, 본 발명에서의 「제 1 스위칭 트랜지스터」에 상당한다. 또한, 제 2 전압 프로그래밍용 트랜지스터(252)는 전압 신호 Vout에 의해 유지 커패시터(230)에 전하를 공급할 것인지의 여부를 제어하는 기능을 갖고 있고, 본 발명에서의 「제 2 스위칭 트랜지스터」에 상당한다. 또한, 제 1 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251)는 본 발명에서의 「제 3 스위칭 트랜지스터」에 상당한다. 또한, 제 1 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251)는 생략하는 것도 가능하다.
도 5는 화소 회로(210)의 동작을 나타내는 타이밍 차트이다. 여기서는, 서브 게이트선 V1∼V3의 전압값(이하, 「게이트 신호 V1∼V3」이라고도 칭함)과, 제 2 서브 데이터선 U2의 전류값 Iout과, 유기 EL 소자(220)에 흐르는 전류값 IEL이 나타나 있다.
구동 주기 Tc는 프로그래밍 기간 Tpr과 발광 기간 Tel로 나뉘어져 있다. 여기서, 「구동 주기 Tc」란, 표시 매트릭스부(200) 내의 모든 유기 EL 소자(220)의 발광 계조가 1회씩 갱신되는 주기를 의미하고 있고, 소위 프레임 주기와 같은 것이다. 계조의 갱신은 1행분의 화소 회로군마다 이루어지고, 구동 주기 Tc 사이에 N행분의 화소 회로군의 계조가 순차적으로 갱신된다. 예를 들면, 30Hz로 전체 화소 회로의 계조가 갱신될 경우에는, 구동 주기 Tc는 약 33ｍs이다.
프로그래밍 기간 Tpr은 유기 EL 소자(220)의 발광 계조를 화소 회로(210) 내에 설정하는 기간이다. 본 명세서에서는 화소 회로(210)에 대한 계조의 설정을 「프로그래밍」이라고 칭하고 있다. 예를 들면, 구동 주기 Tc가 약 33ｍs이며, 게이트선 Yｎ의 총수 N(즉 화소 회로 매트릭스의 행수)이 480개일 경우에는, 프로그래밍 주기 Tpr은 약 69㎲(=33ms/480) 이하가 된다.
프로그래밍 기간 Tpr에서는, 우선 제 2와 제 3 게이트 신호 V2, V3을 L 레벨로 설정하여 제 1과 제 3 트랜지스터(211, 213)를 오프 상태(폐쇄 상태)로 유지한다. 그리고, 제 1 게이트 신호 V1을 H레벨로 설정하여, 제 1 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251)를 오프 상태(폐쇄 상태)로 설정하는 동시에, 제 2 전압 프로그래밍용 트랜지스터(252)를 온 상태(개방 상태)로 설정한다. 이 때, 전압 생성 회로(411)(도 3)는 발광 계조에 따른 소정의 전압값의 전압 신호 Vout을 생성한다.단, 전압 신호 Vout으로서는, 발광 계조에 따르지 않고 항상 일정한 전압값을 갖는 신호를 이용하는 것도 가능하다. 이 전압 신호 Vout이 제 2 전압 프로그래밍용 트랜지스터(252)를 통하여 유지 커패시터(230)에 공급되면, 유지 커패시터(230)에는 전압 신호 Vout의 전압값에 따른 전하가 축적된다.
이렇게 해서 전압 신호 Vout에 의한 프로그래밍이 종료하면, 제 1 게이트 신호 V1을 L레벨로 하강시켜, 제 1 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251)를 온 상태로 설정하는 동시에, 제 2 전압 프로그래밍용 트랜지스터(252)를 오프 상태로 설정한다. 이 때, 화소 회로(210)는 도 4에 나타낸 등가 회로가 된다. 이 상태에서, 제 2 서브 데이터선 U2 상에 발광 계조에 따른 전류값 Iｍ을 흘리면서, 제 2 게이트 신호 V2를 H 레벨로 설정하여 제 1과 제 2 트랜지스터(211, 212)를 온 상태로 한다(도 5의 (b), (e)). 이 때, 전류 생성 회로(412)(도 3)는 발광 계조에 따른 일정한 전류값 Iｍ을 흘리는 정전류원으로서 기능한다. 도 5의 (e)에 나타낸 바와 같이 이, 전류값 Iｍ은 소정의 전류값의 범위 RI 내에서, 유기 EL 소자(220)의 발광 계조에 따른 값으로 설정되어 있다.
이 전류값 Iｍ에 의한 프로그래밍의 결과, 유지 커패시터(230)는 제 4 트랜지스터(214)(구동 트랜지스터)를 흐르는 전류값 Iｍ에 대응한 전하를 유지한 상태가 된다. 이 때, 제 4 트랜지스터(214)의 소스/게이트 간에는, 유지 커패시터(230)에 기억된 전압이 인가된다. 또한, 본 명세서에서는 프로그래밍에 이용되는 데이터 신호의 전류값 Iｍ을 「프로그래밍 전류값 Iｍ」이라고 칭한다.
전류 신호 Iout에 의한 프로그래밍이 종료하면, 게이트 드라이버(300)가 제2 게이트 신호 V2를 L 레벨로 설정하여 제 1과 제 2 트랜지스터(211, 212)를 오프 상태로 하고, 또한 전류 생성 회로(412)는 전류 신호 Iout을 정지한다.
발광 기간 Tel에서는, 제 1 게이트 신호 V1을 L 레벨로 유지하여 화소 회로(210)를 도 4의 등가 회로의 상태로 설정한다. 또한, 제 2 게이트 신호 V2도 L 레벨로 유지하고, 제 1과 제 2 트랜지스터(211, 212)를 오프 상태에 유지한 채, 제 3 게이트 신호 V3을 H 레벨로 설정하여 제 3 트랜지스터(213)를 온 상태로 설정한다. 유지 커패시터(230)에는 프로그래밍 전류값 Iｍ에 대응한 전압이 미리 기억되어 있으므로, 제 4 트랜지스터(214)에는 프로그래밍 전류값 Iｍ과 거의 같은 전류가 흐른다. 따라서, 유기 EL 소자(220)에도 프로그래밍 전류값 Iｍ과 거의 같은 전류가 흐르고, 이 전류값 Iｍ에 따른 계조로 발광한다.
이상과 같이, 제 1 실시예의 화소 회로(210)는 전압 신호 Vout에 의한 프로그래밍을 행한 후에, 전류 신호 Iout에 의한 프로그래밍을 행하므로, 전압 신호 Vout에만 의한 프로그래밍에 비해서 정확하게 발광 계조를 설정할 수 있다. 또한, 전류 신호 Iout에만 의한 프로그래밍에 비해서 고속으로 발광 계조를 설정할 수 있다. 즉, 이 화소 회로(210)는 종래와 비교해서 고속이고 고정밀도한 발광 계조의 설정을 실현하는 것이 가능하다.
B. 제 2 실시예:
도 6은 제 2 실시예의 화소 회로(210a)와 단일 라인 드라이버(410)의 내부 구성을 나타내는 회로도이다. 이 화소 회로(210a)는 제 1 실시예의 화소 회로(210)에 제 2 유지 커패시터(232)를 추가한 것이며, 다른 구성은 제 1 실시예와 같다. 이 제 2 유지 커패시터(232)는 제 2 트랜지스터(212)의 드레인과 제 4 트랜지스터의 게이트의 접속점 CP1과, 전원 전위 Vdd와의 사이에 삽입되어 있다.
도 7은 제 2 실시예의 화소 회로(210a)의 동작을 나타내는 타이밍 차트이다. 제 2 실시예에서는, 프로그래밍 기간 Tpc에서, 제 1 게이트 신호 V1과 제 2 게이트 신호 V2가 함께 H 레벨인 기간이 존재한다. 제 1 게이트 신호 V1이 H 레벨에 있는 기간에서는, 제 2 전압 프로그래밍용 트랜지스터(252)가 온 상태가 되고, 전압 신호 Vout에 의해 제 1 유지 커패시터(230)의 프로그래밍이 실행된다. 한편, 제 2 게이트 신호 V2가 H 레벨에 있는 기간에서는, 전류 프로그래밍 회로(240a) 내의 제 1과 제 2 스위칭 트랜지스터(211, 212)가 온 상태가 되고, 전류 신호 Iout에 의해 제 2 유지 커패시터(232)의 프로그래밍이 실행된다. 또한, 제 1과 제 2 게이트 신호 V1, V2가 함께 H 레벨인 기간에서는, 제 1 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251)는 오프 상태로 유지되어 있으므로, 제 1 유지 커패시터(230)의 전압 프로그래밍과 제 2 유지 커패시터(232)의 전류 프로그래밍이 병행하여 행해진다.
그 후, 제 1 게이트 신호 V1이 제 2 게이트 신호 V2에 앞서 L 레벨로 하강하면, 전압 프로그래밍이 완료되고, 2개의 유지 커패시터(230, 232)로의 프로그래밍(전류 프로그래밍)이 속행된다. 이 때, 제 1 유지 커패시터(230)는 미리 전압 프로그래밍되어 있으므로, 2개의 유지 커패시터(230, 232)에 적절한 전하량을 유지시키는데 요하는 시간을 단축하는 것이 가능하다.
이 제 2 실시예로부터 이해할 수 있는 바와 같이, 전압 신호 Vout에 의한 프로그래밍과, 전류 신호 Iout에 의한 프로그래밍을 동시에 실행하도록 하여도 좋다.단, 이 경우에, 도 7과 같이 전압 프로그래밍이 완료된 후에 전류 프로그래밍을 완료하도록 하면, 발광 계조를 보다 정밀도 좋게 설정할 수 있다는 이점이 있다. 바꾸어 말하면, 전류 프로그래밍은 적어도 전압 프로그래밍이 완료된 후의 기간에서 실행되는 것이 바람직하다.
C. 제 3 실시예:
도 8은 제 3 실시예의 화소 회로(210b)와 단일 라인 드라이버(410b)의 내부 구성을 나타내는 회로도이다. 이 단일 라인 드라이버(410b)의 전압 생성 회로(41lb)와 전류 생성 회로(412b)는 전원 전위 Vdd에 접속되어 있다.
제 3 실시예의 화소 회로(210b)는 소위 사노프(sarnoff)형 전류 프로그래밍 회로(240b)와, 2개의 전압 프로그래밍용 트랜지스터(25lb, 252b)를 갖고 있다. 전류 프로그래밍 회로(240b)는 유기 EL 소자(220b)와, 4개의 트랜지스터(21lb∼214b)와, 유지 커패시터(230b)를 갖고 있다. 또한, 이 실시예의 4개의 트랜지스터(21lb∼214b)는 p채널형 FET이다.
제 2 서브 데이터선 U2에는, 제 2 트랜지스터(212b)와, 유지 커패시터(230b)와, 제 1 전압 프로그래밍용 트랜지스터(25lb)와, 제 1 트랜지스터(21lb)와, 유기 EL 소자(220b)가 이 순서로 직렬 접속되어 있다. 제 1 트랜지스터(21lb)의 드레인은 유기 EL 소자(220b)에 접속되어 있다. 제 1과 제 2 트랜지스터(21lb, 212b)의 게이트에는 제 2 서브 게이트선 V2가 공통으로 접속되어 있다.
전원 전위 Vdd와 접지 전위 사이에는, 제 3 트랜지스터(213b)와, 제 4 트랜지스터(214b)와, 유기 EL 소자(220b)의 직렬 접속이 삽입되어 있다. 제 3 트랜지스터(213b)의 드레인과 제 4 트랜지스터(214b)의 소스는 제 2 트랜지스터(212b)의 드레인에도 접속되어 있다. 제 3 트랜지스터(213b)의 게이트에는 제 3 게이트선 V3이 접속되어 있다. 또한, 제 4 트랜지스터(214b)의 게이트는 제 1 트랜지스터(21lb)의 소스에 접속되어 있다.
제 4 트랜지스터(214b)의 소스/게이트 간에는, 유지 커패시터(230b)와 제 1 전압 프로그래밍용 트랜지스터(25lb)의 직렬 접속이 삽입되어 있다. 유기 EL 소자(220b)의 발광 시에는, 제 1 전압 프로그래밍용 트랜지스터(25lb)는 온 상태로 유지되므로, 제 4 트랜지스터(214b)의 소스/게이트 간의 전압은 유지 커패시터(230b)의 축적 전하량에 따라서 결정된다.
제 1과 제 2 트랜지스터(21lb, 212b)는 유지 커패시터(230b)에 원하는 전하를 축적할 때에 사용되는 스위칭 트랜지스터이다. 제 3 트랜지스터(213b)는 유기 EL 소자(220b)의 발광 기간에서 온 상태로 유지되는 스위칭 트랜지스터이다. 또한, 제 4 트랜지스터(214b)는 유기 EL 소자(220b)에 흐르는 전류값을 제어하기 위한 구동 트랜지스터이다.
전류 프로그래밍 회로(240b)의 제 1과 제 2 트랜지스터(21lb, 212b)는 전류 신호 Iout에 의해 유지 커패시터(230b)에 전하를 공급할 것인지의 여부를 제어하는 기능을 갖고 있고, 본 발명에서의 「제 1 스위칭 트랜지스터」에 상당한다. 또한, 제 2 전압 프로그래밍용 트랜지스터(252b)는 전압 신호 Vout에 의해 유지 커패시터(230b)에 전하를 공급할 것인지의 여부를 제어하는 기능을 갖고 있고, 본 발명에서의 「제 2 스위칭 트랜지스터」에 상당한다. 또한, 제 1 전압 프로그래밍용 트랜지스터(25lb)는 본 발명에서의 「제 3 스위칭 트랜지스터」에 상당한다. 또한, 제 1 전압 프로그래밍용 트랜지스터(25lb)는 생략하는 것도 가능하다.
도 9는 제 3 실시예의 화소 회로(210b)의 동작을 나타내는 타이밍 차트이다. 이 동작에서는, 도 5에 나타낸 제 1 실시예의 동작으로부터, 제 2와 제 3 게이트 신호 V2, V3의 논리가 반전하고 있다. 또한, 제 3 실시예에서는 도 8의 회로 구성으로부터 이해 할 수 있는 바와 같이, 프로그래밍 기간 Tpr에서, 제 2와 제 4 트랜지스터(212b, 214b)를 경유해서 유기 EL 소자(220b)에 프로그래밍 전류 Iｍ이 흐른다. 따라서, 제 3 실시예에서는 프로그래밍 기간 Tpr에서도 유기 EL 소자(220)가 발광한다. 이와 같이, 프로그래밍 기간 Tpr에서는 유기 EL 소자(220)가 발광 하여도 좋고, 또는 제 1 실시예나 제 2 실시예와 같이 발광하지 않아도 좋다.
이 제 3 실시예도, 제 1 실시예나 제 2 실시예와 같은 효과를 갖는다. 즉, 전압 프로그래밍과 전류 프로그래밍을 병용하고 있으므로, 전압 프로그래밍만의 경우와 비교해서 정확하게 발광 계조를 설정할 수 있고, 또한 전류 프로그래밍만의 경우와 비교해서 고속으로 발광 계조를 설정할 수 있다.
D. 제 4 실시예:
도 10은 제 4 실시예의 화소 회로(210c)와 단일 라인 드라이버(410c)의 내부 구성을 나타내는 회로도이다. 단일 라인 드라이버(410c)의 전압 생성 회로(411c)와 전류 생성 회로(412c)는 마이너스의 전원 전위 -Vee에 접속되어 있다.
제 4 실시예의 화소 회로(210c)는 전류 프로그래밍 회로(240c)와, 2개의 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251c, 252c)를 구비하고 있다. 전류 프로그래밍회로(240c)는 유기 EL 소자(220c)와, 4개의 트랜지스터(211c∼214c)와, 유지 커패시터(230c)를 갖고 있다. 또, 이 예에서는 제 1과 제 2 트랜지스터(211c, 212c)는 n채널형 FET이며, 제 3과 제 4 트랜지스터(213c, 214c)는 p채널형 FET이다.
제 2 서브 데이터선 U2에는, 제 1과 제 2 트랜지스터(211c, 212c)가 이 순서로 직렬 접속되어 있다. 제 2 트랜지스터(212c)의 드레인은 제 3과 제 4 트랜지스터(213c, 214c)의 게이트에 공통으로 접속되어 있다. 또한, 제 1 트랜지스터(211c)의 드레인과 제 2 트랜지스터(212c)의 소스가 제 3 트랜지스터의 드레인에 공통으로 접속되어 있다. 제 4 트랜지스터(214c)의 드레인은 유기 EL 소자(220b)를 통하여 전원 전위 -Vee에 접속되어 있다. 제 3과 제 4 트랜지스터(213c, 214c)의 소스는 접지되어 있다. 제 3과 제 4 트랜지스터(213c, 214c)의 게이트/소스 간에는, 제 1 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251c)와 유지 커패시터(230c)의 직렬 접속이 삽입되어 있다. 제 1 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251c)가 온 상태일 때에는, 유지 커패시터(230c)는 유기 EL 소자(220c)의 구동 트랜지스터인 제 4 트랜지스터(214b)의 소스/게이트 간의 전압을 설정한다. 따라서, 유기 EL 소자(220c)의 발광 계조는 유지 커패시터(230c)의 축적 전하량에 따라서 결정된다. 유지 커패시터(230c)의 한쪽 단자와, 제 1 서브 데이터선 U1 사이에는, 제 2 전압 프로그래밍용 트랜지스터(252c)가 접속되어 있다.
2개의 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251c, 252c)의 게이트에는, 제 1 서브 게이트선 V1이 공통으로 접속되어 있다. 또한, 제 1과 제 2 트랜지스터(211c, 212c)의 게이트에는, 제 2와 제 3 서브 게이트선 V2, V3이 각각 접속되어 있다.
제 1과 제 2 트랜지스터(211c, 212c)는 유지 커패시터(230c)에 원하는 전하를 축적할 때에 사용되는 스위칭 트랜지스터이다. 제 4 트랜지스터(214c)는 유기 EL 소자(220)에 흐르는 전류값을 제어하기 위한 구동 트랜지스터이다. 또한, 제 3과 제 4 트랜지스터(213c, 214c)는 소위 커런트 미러 회로를 구성하고 있고, 제 3 트랜지스터(213c)를 흐르는 전류값와, 제 4 트랜지스터(214c)를 흐르는 전류값는 소정의 비례 관계에 있다. 따라서, 제 2 서브 데이터선 U2를 통하여 제 3 트랜지스터(213c)의 프로그래밍 전류 Iｍ을 흘리면, 이것에 비례한 전류가 제 4 트랜지스터(214c)와 유기 EL 소자(220c)를 흐른다. 이들 2개의 전류값의 비는 2개의 트랜지스터(213c, 214c)의 이득 계수 β의 비와 같다. 또한, 이득 계수 β는 잘 알려져 있는 바와 같이, β=(μC0W/L)로 정의된다. 여기서, μ는 캐리어의 이동도, C0은 게이트 용량, W는 채널 폭, L은 채널 길이이다.
이 전류 프로그래밍 회로(240c)의 제 1과 제 2 트랜지스터(211c, 212c)는 전류 신호 Iout에 의해 유지 커패시터(230c)에 전하를 공급할 것인지의 여부를 제어하는 기능을 갖고 있고, 본 발명에서의 「제 1 스위칭 트랜지스터」에 상당한다. 또한, 제 2 전압 프로그래밍용 트랜지스터(252c)는 전압 신호 Vout에 의해 유지 커패시터(230)c에 전하를 공급할 것인지의 여부를 제어하는 기능을 갖고 있고, 본 발명에서의 「제 2 스위칭 트랜지스터」에 상당한다. 또한, 제 2 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251c)는 본 발명에서의 「제 3 스위칭 트랜지스터」에 상당한다. 또한, 제 1 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251c)는 생략하는 것도 가능하다.
도 11은 제 4 실시예의 화소 회로(210c)의 동작을 나타내는 타이밍 차트이다. 프로그래밍 기간 Tpr에서는, 우선 제 1 게이트 신호 V1만이 H 레벨이 되고, 제 1과 제 2 전압 프로그래밍용 트랜지스터(251c, 252c)가 오프 상태와 온 상태로 각각 설정된다. 이 때, 전압 생성 회로(411c)가 제 1 서브 데이터선 U1을 통하여 전압 신호 Vout을 유지 커패시터(230c)에 공급하고, 전압 프로그래밍을 행한다. 다음에, 제 1 게이트 신호 V1이 L 레벨로 하강하고, 제 2와 제 3 게이트 신호 V2, V3이 H 레벨이 된다. 제 2와 제 3 게이트 신호 V2, V3이 H 레벨에 있는 기간에서는, 전류 프로그래밍 회로(240ｃ) 내의 제 1과 제 2 스위칭 트랜지스터(211c, 212c)가 온 상태가 되고, 전류 신호 Iout에 의해 유지 커패시터(230c)의 프로그래밍이 실행된다. 이 때, 제 4 트랜지스터(214c) 및 유기 EL 소자(220c)에도, 전류 신호 Iout의 전류값 Iｍ(도 11의 (e))에 비례한 전류값 Iｍa가 흐른다(도 11의 (f)). 이 때, 제 3과 제 4 트랜지스터(213c, 214c)의 구동 상태에 따른 전하가 유지 커패시터(230c)에 축적된다. 따라서, 제 2와 제 3 게이트 신호 V2, V3이 L 레벨로 하강한 후에도, 제 4 트랜지스터(214c)와 유기 EL 소자(220c)에는 유지 커패시터(230c)의 축적 전하량에 따른 전류값 Iｍa가 흐른다.
이 제 4 실시예도, 상기한 다른 실시예로 같은 효과를 갖는다. 즉, 전압 프로그래밍과 전류 프로그래밍을 병용하고 있으므로, 전압 프로그래밍만의 경우와 비교해서 정확하게 발광 계조를 설정할 수 있고, 또한 전류 프로그래밍만의 경우와 비교해서 고속으로 발광 계조를 설정할 수 있다.
E. 제 5 실시예:
도 12는 제 5 실시예의 화소 회로(210d)와 단일 라인 드라이버(410d)의 내부구성을 나타내는 회로도이다. 이 화소 회로(210d)는 도 4에 나타낸 회로와 같은 것이다. 즉, 제 5 실시예에서는, 제 1 실시예(도 3)에 설치되어 있던 2개의 스위칭 트랜지스터(251, 252)를 갖고 있지 않다. 또한, 이들 트랜지스터(251, 252)를 위한 서브 게이트선 V1도 생략되어 있다. 단일 라인 드라이버(410d)나, 그 내부의 회로(411d, 412d)는 도 3에 나타낸 제 1 실시예에서의 이들 회로와 같은 것이다. 단, 제 5 실시예에서는 전압 생성 회로(411d)와 전류 생성 회로(412d)가 1개의 데이터 신호선 Xm에 공통으로 접속되어 있는 점에서 제 1 실시예와 다르다.
도 13은 제 5 실시예의 화소 회로(210d)의 동작을 나타내는 타이밍 차트이다. 프로그래밍 기간 Tpr의 전반에서는 전압 생성 회로(411d)로부터 전압 신호 Vout(도 13의 (c))이 데이터선 Xm에 공급되어 전압 프로그래밍이 실행되고, 이 때 데이터선 Xm의 충전 또는 방전과, 유지 커패시터(230)의 충전 또는 방전이 행하여진다. 후반에서는 전류 생성 회로(412d)로부터 전류 신호 Iout(도 13의 (d))이 공급되어, 유지 커패시터(230)가 정확하게 프로그래밍된다. 제 5 실시예에서는, 전압 프로그래밍과 전류 프로그래밍의 양쪽에서 스위칭 트랜지스터(211)가 온 상태로 설정되므로, 이들 양쪽에서 게이트 신호 V2가 H 레벨로 유지된다.
이와 같이, 종래와 같은 화소 회로를 이용한 경우에도, 전압 프로그래밍과 전류 프로그래밍을 병용하도록 하면, 전압 프로그래밍만의 경우와 비교해서 정확하게 발광 계조를 설정할 수 있고, 또한 전류 프로그래밍만의 경우와 비교해서 고속으로 발광 계조를 설정할 수 있다. 특히, 제 5 실시예에서는 1개의 데이터선 Xm을 이용하여 전압 프로그래밍이 행해진 후에, 같은 데이터선 Xm을 이용하여 전류 프로그래밍이 실행된다. 전압 프로그래밍에서는, 데이터선 Xm과 유지 커패시터(230)의 양쪽에 대하여 일종의 프리차지가 행해지고, 그 후 전류 프로그래밍이 실시된다. 따라서, 종래와 비교해서 고속으로 또한 정확하게 발광 계조를 설정하는 것이 가능하다.
도 14는 제 5 실시예의 변형예를 나타내는 회로도이다. 이 변형예에서는, 전압 생성 회로(411d)가 전원 전압 Vdd측에 배치되어 있는 점이 도 12의 구성과 다르다. 이러한 회로에서도, 도 12의 회로와 같은 효과가 얻어진다.
또한, 제 5 실시예와 같이, 동일한 데이터선 Xm을 이용하여 전압 프로그래밍과 전류 프로그래밍을 행할 경우에, 전압 프로그래밍 기간과 전류 프로그래밍 기간이 부분적으로 겹치고 있어도 좋다. 발광 계조를 정확하게 설정하기 위해서는, 적어도 전압 프로그래밍(전압 신호의 공급)이 완료된 후의 기간에서, 전류 프로그래밍(전류 신호의 공급)이 행해지도록, 전압 신호와 전류 신호의 타이밍이 조정되어 있는 것이 바람직하다.
F. 다른 변형예:
F1:
상술한 각종 실시예에서는, 1행분의 화소 회로군마다(즉, 선 순차로) 프로그래밍을 행하고 있었지만, 이 대신에 1화소 회로마다(즉, 점 순차로) 프로그래밍을 행하도록 하여도 좋다. 점 순차로 프로그래밍을 행할 경우에는, 1조의 데이터선 Xm(U1, U2)마다 1개의 단일 라인 드라이버(410)(데이터 신호 생성 회로)를 설치할 필요는 없고, 화소 회로 매트릭스의 전체에 대하여, 1개의 단일 라인드라이버(410)만을 설치해 두면 좋다. 이 때, 1개의 단일 라인 드라이버(410)는 프로그래밍 대상이 되는 화소 회로를 포함하는 1조의 데이터선 상에, 데이터 신호(전압 신호 Vout과 전류 신호 Iout)를 출력할 수 있도록 구성되어 있으면 좋다. 이것을 실현하기 위해서, 예를 들면 단일 라인 드라이버(410)와 복수조의 데이터선의 접속 관계를 전환하는 스위치 회로를 설치하도록 해도 좋다.
F2:
상기한 각종 실시예에서는, 모든 트랜지스터가 FET로 구성되어 있는 것으로 하고 있었지만, 일부 또는 전부의 트랜지스터를 바이폴라 트랜지스터나 다른 종류의 스위칭 소자로 치환하는 것도 가능하다. FET의 게이트 전극과, 바이폴라 트랜지스터의 베이스 전극은 본 발명에서의 「제어 전극」에 상당한다. 이들의 각종 트랜지스터로서는, 박막 트랜지스터(TFT) 외에, 실리콘 베이스의 트랜지스터도 채용 가능하다.
F3:
상기한 각종 실시예에서 이용한 화소 회로에서는, 프로그래밍 기간 Tpr과 발광 기간 Tel이 분리되어 있었지만, 프로그래밍 기간 Tpr이 발광 기간 Tel의 일부에 겹치는 화소 회로를 이용하는 것도 가능하다. 예를 들면, 도 9나 도 11의 동작에서는, 프로그램 기간 Tpr 중에도 유기 EL 소자에 전류 IEL이 흐르고 있고, 발광하고 있다. 따라서, 이들 동작에서는, 프로그램 기간 Tpr과 발광 기간 Tel이 일부 겹쳐 있다고 생각할 수도 있다.
F4:
상기한 각종 실시예에서는, 액티브 매트릭스 구동법을 이용하는 것으로 하고 있었지만, 본 발명은 패시브 매트릭스 구동법을 이용하여 유기 EL 소자를 구동하는 경우에도 적용 가능하다. 단, 다계조의 조정이 가능한 표시 장치나, 액티브 매트릭스 구동법을 이용하는 표시 장치에 대해서는, 구동의 고속화러의 요구가 보다 강하므로, 본 발명의 효과도 보다 현저하다. 또한, 본 발명은 화소 회로를 매트릭스 형상으로 배열한 표시 장치에 한하지 않고, 다른 배열을 채용한 경우에도 적용할 수 있다.
F5:
상기한 실시예나 변형예에서는, 유기 EL 소자를 이용한 표시 장치의 예를 설명했지만, 본 발명은 유기 EL 소자 이외의 발광 소자를 이용한 표시 장치나 전자 장치에도 적용 가능하다. 예를 들면, 구동 전류에 따라서 발광 계조가 조정 가능한 다른 종류의 발광 소자(LED나 FED(Field Emission Display) 등)를 갖는 장치에도 적용할 수 있다.
F6:
상기한 각 실시예에서 설명한 동작은 단순한 일례이며, 화소 회로에 다른 동작을 행하게 하도록 하여도 좋다. 예를 들면, 게이트 신호 V1∼V3의 변화 패턴을 상기한 예와는 다른 패턴으로 설정하는 것도 가능하다. 또한, 전압 프로그래밍이 필요한지의 여부를 판단하고, 필요한 경우에만 전압 프로그래밍을 실행하도록 하여도 좋다. 예를 들면, 전압 신호로서 공급되는 데이터 신호가 발광 소자의 모든 계조에 대응하는 전압값을 취할 수 있도록 하여도 좋다. 또한, 데이터 신호의 전압값의 수는 발광 소자의 계조의 수보다도 적어도 좋다. 후자의 경우에는, 발광 소자의 계조가 있는 범위마다 데이터 신호의 1개의 전압값이 대응된다.
F7:
상기한 각 실시예의 화소 회로는 여러 전자 기기의 표시 장치에 적용 가능하고, 예를 들면 PC나, 휴대 전화, 디지털 스틸 카메라, 텔레비전, 뷰 파인더형이나 모니터 직시형의 비디오 테이프 리코더, 카 내비게이션 장치, 페이저, 전자수첩, 전자계산기, 워드 프로세서, 워크스테이션, 텔레비전 전화, POS 단말, 터치 패널을 구비한 기기 등에 적용 가능하다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 제 2 스위칭 트랜지스터를 통하여 유지 커패시터에 전압 신호를 공급해서 전압 프로그래밍을 행하고, 그 후 제 1 스위칭 트랜지스터를 통하여 유지 커패시터에 전류 신호를 공급해서 전류 프로그래밍을 행함으로써, 비교적 고속이고 정밀도 좋게 발광 계조의 설정을 행할 수 있다.

Claims (12)

  1. 발광 소자를 위한 화소 회로로서,
    (ⅰ) 전류 구동형의 발광 소자와,
    (ⅱ) 상기 발광 소자에 흐르는 전류의 경로에 설치된 구동 트랜지스터와,
    (ⅲ) 상기 구동 트랜지스터의 제어 전극에 접속되어 있고, 소정의 전류 신호선을 통하여 외부의 전류 생성 회로로부터 공급되는 전류 신호의 전류값에 따른 전하량을 유지함으로써, 상기 구동 트랜지스터에 흐르는 전류값을 설정하기 위한 유지 커패시터와,
    (ⅳ) 상기 유지 커패시터와 상기 전류 신호선과의 사이에 접속되어 있고, 상기 전류 신호에 따라서 상기 유지 커패시터에 전하를 공급할 것인지의 여부를 제어하기 위한 제 1 스위칭 트랜지스터
    를 포함하고, 상기 전류 신호의 전류값에 따라서 상기 발광 소자의 발광의 계조가 조절되는 전류 프로그래밍 회로와,
    상기 유지 커패시터에 접속되어 있고, 소정의 전압 신호선을 통하여 외부의 전압 생성 회로로부터 공급되는 전압 신호에 따라서 상기 유지 커패시터에 전하를 공급할 것인지의 여부를 제어하기 위한 제 2 스위칭 트랜지스터
    를 구비하는 화소 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유지 커패시터와 상기 제 1 스위칭 트랜지스터 사이에 직렬로 접속된 제 3 스위칭 트랜지스터를 더 구비하는 화소 회로.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 유지 커패시터로의 전하의 공급은, 상기 전압 신호에 의한 전하의 공급이 완료된 후에 상기 전류 신호에 의한 전하의 공급이 완료되도록 실행되는 화소 회로.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 유지 커패시터로의 상기 전류 신호에 의한 전하의 공급은 상기 전압 신호에 의한 전하의 공급이 완료된 후에 개시되는 화소 회로.
  5. 액티브 매트릭스 구동법에 의해 구동되는 전기 광학 장치로서,
    발광 소자를 포함하는 복수의 화소 회로가 매트릭스 형상으로 배열된 화소 회로 매트릭스와,
    상기 화소 회로 매트릭스의 행방향을 따라 배열된 화소 회로군에 각각 접속된 복수의 주사선과,
    상기 화소 회로 매트릭스의 열방향을 따라 배열된 화소 회로군에 각각 접속된 복수의 데이터선과,
    상기 복수의 주사선에 접속되어, 상기 화소 회로 매트릭스의 1개의 행을 선택하기 위한 주사선 구동 회로와,
    상기 발광 소자의 발광의 계조에 따른 데이터 신호를 생성하여, 상기 복수의 데이터선 중의 적어도 1개의 데이터선 상으로 출력하는 것이 가능한 데이터 신호 생성 회로
    를 구비하고,
    상기 데이터 신호 생성 회로는, 상기 데이터선 상으로 출력되는 제 1 데이터 신호로서의 전류 신호를 생성하기 위한 전류 생성 회로와, 상기 데이터선 상으로 출력되는 제 2 데이터 신호로서의 전압 신호를 생성하기 위한 전압 생성 회로를 포함하고,
    상기 화소 회로는,
    (ⅰ) 전류 구동형의 발광 소자와,
    (ⅱ) 상기 발광 소자에 흐르는 전류의 경로에 설치된 구동 트랜지스터와,
    (ⅲ) 상기 구동 트랜지스터의 제어 전극에 접속되어 있고, 상기 전류 생성 회로로부터 공급되는 전류 신호의 전류값에 따른 전하량을 유지함으로써, 상기 구동 트랜지스터에 흐르는 전류값을 설정하기 위한 유지 커패시터와,
    (ⅳ) 상기 유지 커패시터와 상기 데이터선 사이에 접속되어 있고, 상기 전류 신호에 따라서 상기 유지 커패시터에 전하를 공급할 것인지의 여부를 제어하기 위한 제 1 스위칭 트랜지스터
    를 포함하고, 상기 전류 신호의 전류값에 따라서 상기 발광 소자의 발광의 계조가 조절되는 전류 프로그래밍 회로와,
    상기 유지 커패시터에 접속되어 있고, 상기 전압 생성 회로로부터 공급되는 전압 신호에 따라서 상기 유지 커패시터에 전하를 공급할 것인지의 여부를 제어하기 위한 제 2 스위칭 트랜지스터를 구비하는 전기 광학 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    1열분의 화소 회로군을 위한 데이터선은, 상기 전류 신호를 전송하기 위한 전류 신호선과, 상기 전압 신호를 전송하기 위한 전압 신호선을 포함하는 전기 광학 장치.
  7. 제 5 항 도는 제 6 항에 있어서,
    상기 유지 커패시터와 상기 제 1 스위칭 트랜지스터 사이에 직렬로 접속된 제 3 스위칭 트랜지스터를 더 구비하는 전기 광학 장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 유지 커패시터로의 전하의 공급은, 상기 전압 신호에 의한 전하의 공급이 완료된 후에 상기 전류 신호에 의한 전하의 공급이 완료되도록 실행되는 전기 광학 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 유지 커패시터로의 상기 전류 신호에 의한 전하의 공급은, 상기 전압신호에 의한 전하의 공급이 완료된 후에 개시되는 전기 광학 장치.
  10. 전류 구동형 발광 소자와, 상기 발광 소자에 흐르는 전류의 경로에 설치된 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터의 제어 전극에 접속되어 상기 구동 트랜지스터의 구동 상태를 설정하는 유지 커패시터를 포함하는 화소 회로를 구비한 전기 광학 장치의 구동 방법으로서,
    (a) 상기 유지 커패시터에 전압 신호를 공급함으로써, 상기 유지 커패시터에 전하를 공급하는 스텝과,
    (b) 적어도 상기 전압 신호에 의한 전하의 공급이 완료된 후의 기간에서, 상기 발광 소자의 발광의 계조에 따른 전류값을 갖는 전류 신호를 이용하여, 상기 유지 커패시터에 상기 발광 계조에 따른 전하를 유지시키는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 구동 방법.
  11. 제 10 항에 있어서.
    상기 유지 커패시터로의 상기 전류 신호에 의한 전하의 공급은, 상기 전압 신호에 의한 전하의 공급이 완료된 후에 개시되는 전기 광학 장치의 구동 방법.
  12. 전류 구동형 발광 소자와, 상기 발광 소자에 흐르는 전류의 경로에 설치된 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터의 제어 전극에 접속되어 상기 구동 트랜지스터의 구동 상태를 설정하는 유지 커패시터를 포함하는 화소 회로와, 상기 화소회로에 접속된 데이터선을 구비한 전기 광학 장치의 구동 방법으로서,
    (a) 상기 데이터선을 통하여 상기 유지 커패시터에 전압 신호를 공급함으로써, 상기 유지 커패시터와 상기 데이터선의 쌍방을 충전 또는 방전시키는 스텝과,
    (b) 적어도 상기 전압 신호의 공급이 완료된 후의 기간에서, 상기 발광 소자의 발광 계조에 따른 전류값을 갖는 전류 신호를 이용하여, 상기 유지 커패시터에 상기 발광 계조에 따른 전하를 유지시키는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 구동 방법.
KR10-2002-0079093A 2001-12-13 2002-12-12 발광 소자용 화소 회로 KR100455467B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00379714 2001-12-13
JP2001379714A JP2003177709A (ja) 2001-12-13 2001-12-13 発光素子用の画素回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030048358A KR20030048358A (ko) 2003-06-19
KR100455467B1 true KR100455467B1 (ko) 2004-11-06

Family

ID=19186951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0079093A KR100455467B1 (ko) 2001-12-13 2002-12-12 발광 소자용 화소 회로

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6930680B2 (ko)
EP (3) EP1921596A3 (ko)
JP (1) JP2003177709A (ko)
KR (1) KR100455467B1 (ko)
CN (3) CN1758313A (ko)
DE (1) DE60228392D1 (ko)
TW (1) TW575858B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101493220B1 (ko) 2008-05-26 2015-02-17 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치

Families Citing this family (167)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7569849B2 (en) 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
JP2003195810A (ja) 2001-12-28 2003-07-09 Casio Comput Co Ltd 駆動回路、駆動装置及び光学要素の駆動方法
JP4610843B2 (ja) 2002-06-20 2011-01-12 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示装置の駆動方法
JP2004145300A (ja) * 2002-10-03 2004-05-20 Seiko Epson Corp 電子回路、電子回路の駆動方法、電子装置、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器
JP5057637B2 (ja) * 2002-11-29 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI470607B (zh) * 2002-11-29 2015-01-21 Semiconductor Energy Lab A current driving circuit and a display device using the same
JP4131659B2 (ja) * 2002-12-06 2008-08-13 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置及びその駆動方法
US7573442B2 (en) 2002-12-06 2009-08-11 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Display, active matrix substrate, and driving method
JP4048969B2 (ja) 2003-02-12 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動方法及び電子機器
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
JP3952965B2 (ja) * 2003-02-25 2007-08-01 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示装置の駆動方法
JP4663327B2 (ja) * 2003-02-28 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2004318093A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 発光ディスプレイ及びその駆動方法及びエレクトロルミネッセンス表示回路及びエレクトロルミネッセンスディスプレイ
KR100502912B1 (ko) * 2003-04-01 2005-07-21 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
US7453427B2 (en) 2003-05-09 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
CN1705969B (zh) * 2003-05-28 2013-12-18 三菱电机株式会社 电流供给电路以及具备电流供给电路的显示装置
JP4304585B2 (ja) * 2003-06-30 2009-07-29 カシオ計算機株式会社 電流生成供給回路及びその制御方法並びに該電流生成供給回路を備えた表示装置
JP5116206B2 (ja) * 2003-07-11 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8378939B2 (en) * 2003-07-11 2013-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8085226B2 (en) * 2003-08-15 2011-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4624032B2 (ja) * 2003-08-15 2011-02-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
JP4059177B2 (ja) 2003-09-17 2008-03-12 セイコーエプソン株式会社 電子回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
JP4589614B2 (ja) * 2003-10-28 2010-12-01 株式会社 日立ディスプレイズ 画像表示装置
KR100580554B1 (ko) * 2003-12-30 2006-05-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일렉트로-루미네센스 표시장치 및 그 구동방법
JP4107240B2 (ja) * 2004-01-21 2008-06-25 セイコーエプソン株式会社 駆動回路、電気光学装置及び電気光学装置の駆動方法、並びに電子機器
KR100684712B1 (ko) * 2004-03-09 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치
KR100560479B1 (ko) * 2004-03-10 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
JP4665419B2 (ja) 2004-03-30 2011-04-06 カシオ計算機株式会社 画素回路基板の検査方法及び検査装置
JP5044883B2 (ja) * 2004-03-31 2012-10-10 日本電気株式会社 表示装置、電気回路の駆動方法、及び表示装置の駆動方法
JP4036209B2 (ja) 2004-04-22 2008-01-23 セイコーエプソン株式会社 電子回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器
JP4033166B2 (ja) 2004-04-22 2008-01-16 セイコーエプソン株式会社 電子回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器
US7928937B2 (en) * 2004-04-28 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100581799B1 (ko) 2004-06-02 2006-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시소자 및 역다중화부
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
KR100673759B1 (ko) * 2004-08-30 2007-01-24 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치
JP2008521033A (ja) * 2004-11-16 2008-06-19 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド アクティブマトリクス型発光デバイス表示器のためのシステム及び駆動方法
JP4438066B2 (ja) * 2004-11-26 2010-03-24 キヤノン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置およびその電流プログラミング方法
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
EP2688058A3 (en) 2004-12-15 2014-12-10 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display
US9171500B2 (en) 2011-05-20 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays
US20140111567A1 (en) 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
US10012678B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US9280933B2 (en) 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US10013907B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9275579B2 (en) 2004-12-15 2016-03-01 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US8599191B2 (en) 2011-05-20 2013-12-03 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US8576217B2 (en) 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
KR100805542B1 (ko) * 2004-12-24 2008-02-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR100752289B1 (ko) * 2004-12-28 2007-08-29 세이코 엡슨 가부시키가이샤 단위 회로, 그 제어 방법, 전자 장치 및 전자 기기
KR100637203B1 (ko) * 2005-01-07 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 동작방법
CA2495726A1 (en) 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
CA2496642A1 (en) 2005-02-10 2006-08-10 Ignis Innovation Inc. Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming
KR100707623B1 (ko) 2005-03-19 2007-04-13 한양대학교 산학협력단 화소 및 이를 이용한 발광 표시장치
KR101160830B1 (ko) * 2005-04-21 2012-06-29 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
EP1886298A2 (en) * 2005-05-19 2008-02-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electroluminescent display devices
JP4752331B2 (ja) 2005-05-25 2011-08-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置、その駆動方法及び駆動回路、並びに電子機器
KR20080032072A (ko) 2005-06-08 2008-04-14 이그니스 이노베이션 인크. 발광 디바이스 디스플레이 구동 방법 및 시스템
KR100754131B1 (ko) * 2005-08-01 2007-08-30 삼성에스디아이 주식회사 데이터 구동회로와 이를 이용한 유기 발광 표시장치 및그의 구동방법
KR100703492B1 (ko) * 2005-08-01 2007-04-03 삼성에스디아이 주식회사 데이터 구동회로와 이를 이용한 유기 발광 표시장치
KR100703500B1 (ko) * 2005-08-01 2007-04-03 삼성에스디아이 주식회사 데이터 구동회로와 이를 이용한 발광 표시장치 및 그의구동방법
US20070109284A1 (en) * 2005-08-12 2007-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
GB2429565B (en) * 2005-08-23 2007-12-27 Cambridge Display Tech Ltd Display driving methods and apparatus
CA2518276A1 (en) 2005-09-13 2007-03-13 Ignis Innovation Inc. Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
KR101322195B1 (ko) * 2005-09-15 2013-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이의 구동 방법
JP5041772B2 (ja) * 2005-09-15 2012-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4753373B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び表示装置の駆動方法
EP1971975B1 (en) 2006-01-09 2015-10-21 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
US9489891B2 (en) 2006-01-09 2016-11-08 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
US9269322B2 (en) 2006-01-09 2016-02-23 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
JP2007240698A (ja) * 2006-03-07 2007-09-20 Oki Electric Ind Co Ltd 電流駆動回路
EP2008264B1 (en) 2006-04-19 2016-11-16 Ignis Innovation Inc. Stable driving scheme for active matrix displays
TWI371018B (en) * 2006-05-09 2012-08-21 Chimei Innolux Corp System for displaying image and driving display element method
KR20070111638A (ko) * 2006-05-18 2007-11-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광표시장치의 화소 회로
US20080062090A1 (en) * 2006-06-16 2008-03-13 Roger Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
US7679586B2 (en) 2006-06-16 2010-03-16 Roger Green Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
US8446394B2 (en) * 2006-06-16 2013-05-21 Visam Development L.L.C. Pixel circuits and methods for driving pixels
KR100819946B1 (ko) * 2006-07-06 2008-04-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 전계발광표시장치 및 그 구동방법
JP4281765B2 (ja) * 2006-08-09 2009-06-17 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型発光装置、電子機器およびアクティブマトリクス型発光装置の画素駆動方法
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
TWI344132B (en) * 2006-10-25 2011-06-21 Au Optronics Corp Display panels and display units
KR100821055B1 (ko) * 2006-12-27 2008-04-08 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치와 그의 구동방법
JP5019217B2 (ja) * 2007-09-14 2012-09-05 株式会社ジャパンディスプレイセントラル アクティブマトリクス型表示装置およびその駆動方法
US8614652B2 (en) 2008-04-18 2013-12-24 Ignis Innovation Inc. System and driving method for light emitting device display
JP4702395B2 (ja) * 2008-05-20 2011-06-15 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
CA2637343A1 (en) 2008-07-29 2010-01-29 Ignis Innovation Inc. Improving the display source driver
CN101673503A (zh) * 2008-09-12 2010-03-17 统宝光电股份有限公司 像素单元及具有像素单元的电子系统
US9370075B2 (en) 2008-12-09 2016-06-14 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
JP5239974B2 (ja) * 2009-03-18 2013-07-17 カシオ計算機株式会社 電子機器及び電子機器の駆動方法
CA2669367A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Ignis Innovation Inc Compensation technique for color shift in displays
US10319307B2 (en) 2009-06-16 2019-06-11 Ignis Innovation Inc. Display system with compensation techniques and/or shared level resources
US9311859B2 (en) 2009-11-30 2016-04-12 Ignis Innovation Inc. Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays
US9384698B2 (en) 2009-11-30 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for aging compensation in AMOLED displays
CA2688870A1 (en) 2009-11-30 2011-05-30 Ignis Innovation Inc. Methode and techniques for improving display uniformity
US8283967B2 (en) 2009-11-12 2012-10-09 Ignis Innovation Inc. Stable current source for system integration to display substrate
US10996258B2 (en) 2009-11-30 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays
US8803417B2 (en) 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
CA2687631A1 (en) 2009-12-06 2011-06-06 Ignis Innovation Inc Low power driving scheme for display applications
US10176736B2 (en) 2010-02-04 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2692097A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
US9881532B2 (en) 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US20140313111A1 (en) 2010-02-04 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10163401B2 (en) 2010-02-04 2018-12-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10089921B2 (en) 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2696778A1 (en) 2010-03-17 2011-09-17 Ignis Innovation Inc. Lifetime, uniformity, parameter extraction methods
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
US9134825B2 (en) 2011-05-17 2015-09-15 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US9351368B2 (en) 2013-03-08 2016-05-24 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US20140368491A1 (en) 2013-03-08 2014-12-18 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for amoled displays
US9886899B2 (en) 2011-05-17 2018-02-06 Ignis Innovation Inc. Pixel Circuits for AMOLED displays
US9606607B2 (en) 2011-05-17 2017-03-28 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US9466240B2 (en) 2011-05-26 2016-10-11 Ignis Innovation Inc. Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed
EP3293726B1 (en) 2011-05-27 2019-08-14 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for aging compensation in amoled displays
WO2012164474A2 (en) 2011-05-28 2012-12-06 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
US8901579B2 (en) 2011-08-03 2014-12-02 Ignis Innovation Inc. Organic light emitting diode and method of manufacturing
US9070775B2 (en) 2011-08-03 2015-06-30 Ignis Innovations Inc. Thin film transistor
US9385169B2 (en) 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US9324268B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Ignis Innovation Inc. Amoled displays with multiple readout circuits
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
KR101963126B1 (ko) * 2011-12-06 2019-04-02 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로, 유기 발광 표시 장치 및 화소 회로의 구동 방법
US8937632B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Ignis Innovation Inc. Driving system for active-matrix displays
US9747834B2 (en) 2012-05-11 2017-08-29 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore
US8922544B2 (en) 2012-05-23 2014-12-30 Ignis Innovation Inc. Display systems with compensation for line propagation delay
US9786223B2 (en) 2012-12-11 2017-10-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9336717B2 (en) 2012-12-11 2016-05-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9830857B2 (en) 2013-01-14 2017-11-28 Ignis Innovation Inc. Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays
DE112014000422T5 (de) 2013-01-14 2015-10-29 Ignis Innovation Inc. Ansteuerschema für Emissionsanzeigen, das eine Kompensation für Ansteuertransistorschwankungen bereitstellt
CA2894717A1 (en) 2015-06-19 2016-12-19 Ignis Innovation Inc. Optoelectronic device characterization in array with shared sense line
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
EP3043338A1 (en) 2013-03-14 2016-07-13 Ignis Innovation Inc. Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for amoled displays
WO2014140992A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Ignis Innovation Inc. Dynamic adjustment of touch resolutions on an amoled display
CN105144361B (zh) 2013-04-22 2019-09-27 伊格尼斯创新公司 用于oled显示面板的检测系统
KR102025120B1 (ko) * 2013-05-24 2019-09-26 삼성디스플레이 주식회사 보상부 및 이를 포함한 유기 전계 발광 표시 장치
WO2015022626A1 (en) 2013-08-12 2015-02-19 Ignis Innovation Inc. Compensation accuracy
US9741282B2 (en) 2013-12-06 2017-08-22 Ignis Innovation Inc. OLED display system and method
US9761170B2 (en) 2013-12-06 2017-09-12 Ignis Innovation Inc. Correction for localized phenomena in an image array
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
US10997901B2 (en) 2014-02-28 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Display system
US10176752B2 (en) 2014-03-24 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. Integrated gate driver
US10192479B2 (en) 2014-04-08 2019-01-29 Ignis Innovation Inc. Display system using system level resources to calculate compensation parameters for a display module in a portable device
CN103996377B (zh) * 2014-05-30 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 像素电路和显示装置
CN104021763B (zh) * 2014-06-11 2017-12-08 合肥鑫晟光电科技有限公司 像素电路、显示装置和像素电路的驱动方法
CN103996379B (zh) * 2014-06-16 2016-05-04 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管的像素驱动电路及像素驱动方法
CA2872563A1 (en) 2014-11-28 2016-05-28 Ignis Innovation Inc. High pixel density array architecture
CA2873476A1 (en) 2014-12-08 2016-06-08 Ignis Innovation Inc. Smart-pixel display architecture
CA2879462A1 (en) 2015-01-23 2016-07-23 Ignis Innovation Inc. Compensation for color variation in emissive devices
CA2886862A1 (en) 2015-04-01 2016-10-01 Ignis Innovation Inc. Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging
CN104732929A (zh) * 2015-04-16 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、显示装置
CA2889870A1 (en) 2015-05-04 2016-11-04 Ignis Innovation Inc. Optical feedback system
CA2892714A1 (en) 2015-05-27 2016-11-27 Ignis Innovation Inc Memory bandwidth reduction in compensation system
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
CA2908285A1 (en) 2015-10-14 2017-04-14 Ignis Innovation Inc. Driver with multiple color pixel structure
CA2909813A1 (en) 2015-10-26 2017-04-26 Ignis Innovation Inc High ppi pattern orientation
US10586491B2 (en) 2016-12-06 2020-03-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for mitigation of hysteresis
KR102650339B1 (ko) 2016-12-27 2024-03-21 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
US10714018B2 (en) 2017-05-17 2020-07-14 Ignis Innovation Inc. System and method for loading image correction data for displays
US11025899B2 (en) 2017-08-11 2021-06-01 Ignis Innovation Inc. Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line
CN110047431A (zh) * 2019-04-29 2019-07-23 云谷（固安）科技有限公司 像素驱动电路及其驱动方法
JP2023511463A (ja) 2020-01-28 2023-03-20 オーレッドワークス エルエルシー 低電圧シリコンバックプレーンを有する積層型ｏｌｅｄマイクロディスプレイ
CN111383590B (zh) * 2020-05-29 2020-10-02 合肥视涯技术有限公司 数据电流产生电路、驱动方法、驱动芯片和显示面板
CN111653241A (zh) * 2020-07-27 2020-09-11 北京奕斯伟计算技术有限公司 电压提供方法、电压提供装置、显示器件和电子设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999038148A1 (en) * 1998-01-23 1999-07-29 Fed Corporation High resolution active matrix display system on a chip with high duty cycle for full brightness
JPH11311970A (ja) * 1998-04-30 1999-11-09 Sony Corp 電流型表示素子のマトリクス駆動方法及び電流型表示素子のマトリクス駆動装置
WO1999065012A2 (en) * 1998-06-12 1999-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display devices
JP2001060076A (ja) * 1999-06-17 2001-03-06 Sony Corp 画像表示装置
JP2002215095A (ja) * 2001-01-22 2002-07-31 Pioneer Electronic Corp 発光ディスプレイの画素駆動回路
WO2002071379A2 (en) * 2000-07-18 2002-09-12 Emagin Corporation A current-type driver for organic light emitting diode displays

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3903246A (en) * 1969-08-12 1975-09-02 Nickel Le Removal of cobalt from nickel salt solutions
US4366504A (en) * 1977-10-07 1982-12-28 Sharp Kabushiki Kaisha Thin-film EL image display panel
JP2761128B2 (ja) * 1990-10-31 1998-06-04 富士通株式会社 液晶表示装置
JP3582082B2 (ja) * 1992-07-07 2004-10-27 セイコーエプソン株式会社 マトリクス型表示装置，マトリクス型表示制御装置及びマトリクス型表示駆動装置
US5900856A (en) * 1992-03-05 1999-05-04 Seiko Epson Corporation Matrix display apparatus, matrix display control apparatus, and matrix display drive apparatus
EP0622772B1 (en) * 1993-04-30 1998-06-24 International Business Machines Corporation Method and apparatus for eliminating crosstalk in active matrix liquid crystal displays
TW277129B (ko) 1993-12-24 1996-06-01 Sharp Kk
JP3538841B2 (ja) * 1994-11-17 2004-06-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
US5748164A (en) * 1994-12-22 1998-05-05 Displaytech, Inc. Active matrix liquid crystal image generator
US5903246A (en) 1997-04-04 1999-05-11 Sarnoff Corporation Circuit and method for driving an organic light emitting diode (O-LED) display
US5952789A (en) * 1997-04-14 1999-09-14 Sarnoff Corporation Active matrix organic light emitting diode (amoled) display pixel structure and data load/illuminate circuit therefor
US6229506B1 (en) * 1997-04-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
JP3713922B2 (ja) * 1997-10-30 2005-11-09 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置の駆動装置、液晶表示装置、電子機器、及び液晶表示装置の駆動方法
JP3648976B2 (ja) 1998-03-24 2005-05-18 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶装置及び電子機器並びに該アクティブマトリクス基板の検査方法
JP3252897B2 (ja) 1998-03-31 2002-02-04 日本電気株式会社 素子駆動装置および方法、画像表示装置
DE19928082C2 (de) 1999-06-11 2001-11-29 Ddg Ges Fuer Verkehrsdaten Mbh Filterungsverfahren zur Bestimmung von Reisegeschwindigkeiten bzw. -zeiten und Domänen-Restgeschwindigkeiten
JP2000356972A (ja) * 1999-06-15 2000-12-26 Pioneer Electronic Corp 発光パネルの駆動装置及び方法
US6873313B2 (en) * 1999-10-22 2005-03-29 Sharp Kabushiki Kaisha Image display device and driving method thereof
JP2001147659A (ja) * 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
KR100710279B1 (ko) * 2000-07-15 2007-04-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 엘렉트로 루미네센스 패널
US6864863B2 (en) * 2000-10-12 2005-03-08 Seiko Epson Corporation Driving circuit including organic electroluminescent element, electronic equipment, and electro-optical device
JP3594126B2 (ja) * 2000-10-13 2004-11-24 日本電気株式会社 電流駆動回路
US7015882B2 (en) * 2000-11-07 2006-03-21 Sony Corporation Active matrix display and active matrix organic electroluminescence display
KR100370286B1 (ko) * 2000-12-29 2003-01-29 삼성에스디아이 주식회사 전압구동 유기발광소자의 픽셀회로
US6366116B1 (en) * 2001-01-18 2002-04-02 Sunplus Technology Co., Ltd. Programmable driving circuit
US6323631B1 (en) * 2001-01-18 2001-11-27 Sunplus Technology Co., Ltd. Constant current driver with auto-clamped pre-charge function
US6594606B2 (en) * 2001-05-09 2003-07-15 Clare Micronix Integrated Systems, Inc. Matrix element voltage sensing for precharge
US6956547B2 (en) * 2001-06-30 2005-10-18 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Driving circuit and method of driving an organic electroluminescence device
JP3666423B2 (ja) * 2001-07-06 2005-06-29 日本電気株式会社 駆動回路
JP3730886B2 (ja) * 2001-07-06 2006-01-05 日本電気株式会社 駆動回路及び液晶表示装置
US7012597B2 (en) * 2001-08-02 2006-03-14 Seiko Epson Corporation Supply of a programming current to a pixel
JP3951687B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 単位回路の制御に使用されるデータ線の駆動
KR100819138B1 (ko) * 2001-08-25 2008-04-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일렉트로 루미네센스 패널의 구동장치 및 그 구동방법
JP5636147B2 (ja) 2001-08-28 2014-12-03 パナソニック株式会社 アクティブマトリックス型表示装置
CN101165759B (zh) * 2001-08-29 2012-07-04 日本电气株式会社 用于驱动电流负载器件的半导体器件及提供的电流负载器件
JP4193452B2 (ja) 2001-08-29 2008-12-10 日本電気株式会社 電流負荷デバイス駆動用半導体装置及びそれを備えた電流負荷デバイス
EP1434193A4 (en) * 2001-09-07 2009-03-25 Panasonic Corp EL DISPLAY, EL DISPLAY CONTROL UNIT AND PICTURE DISPLAY
US20050057580A1 (en) 2001-09-25 2005-03-17 Atsuhiro Yamano El display panel and el display apparatus comprising it
JP2003122303A (ja) 2001-10-16 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｌ表示パネルおよびそれを用いた表示装置とその駆動方法
JP2004157250A (ja) * 2002-11-05 2004-06-03 Hitachi Ltd 表示装置
JP4530622B2 (ja) * 2003-04-10 2010-08-25 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 表示パネルの駆動装置
KR100580554B1 (ko) * 2003-12-30 2006-05-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일렉트로-루미네센스 표시장치 및 그 구동방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999038148A1 (en) * 1998-01-23 1999-07-29 Fed Corporation High resolution active matrix display system on a chip with high duty cycle for full brightness
JPH11311970A (ja) * 1998-04-30 1999-11-09 Sony Corp 電流型表示素子のマトリクス駆動方法及び電流型表示素子のマトリクス駆動装置
WO1999065012A2 (en) * 1998-06-12 1999-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display devices
JP2001060076A (ja) * 1999-06-17 2001-03-06 Sony Corp 画像表示装置
WO2002071379A2 (en) * 2000-07-18 2002-09-12 Emagin Corporation A current-type driver for organic light emitting diode displays
JP2002215095A (ja) * 2001-01-22 2002-07-31 Pioneer Electronic Corp 発光ディスプレイの画素駆動回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101493220B1 (ko) 2008-05-26 2015-02-17 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN1266662C (zh) 2006-07-26
DE60228392D1 (de) 2008-10-02
KR20030048358A (ko) 2003-06-19
EP1321922B1 (en) 2008-08-20
TW200300922A (en) 2003-06-16
EP1921596A2 (en) 2008-05-14
JP2003177709A (ja) 2003-06-27
EP1321922A2 (en) 2003-06-25
CN1426041A (zh) 2003-06-25
US20030122745A1 (en) 2003-07-03
EP1321922A3 (en) 2004-08-11
EP1777692B1 (en) 2014-06-18
US20050243040A1 (en) 2005-11-03
TW575858B (en) 2004-02-11
US6930680B2 (en) 2005-08-16
EP1777692A3 (en) 2008-03-26
CN1758313A (zh) 2006-04-12
CN1901016A (zh) 2007-01-24
EP1777692A2 (en) 2007-04-25
US7969389B2 (en) 2011-06-28
EP1921596A3 (en) 2008-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100455467B1 (ko) 발광 소자용 화소 회로
US9805653B2 (en) Method and system for driving a light emitting device display
US9741292B2 (en) Method and system for programming and driving active matrix light emitting device pixel having a controllable supply voltage
US7576718B2 (en) Display apparatus and method of driving the same
EP1282104B1 (en) Driving of data lines in active matrix display device and display device
US8094144B2 (en) Electronic circuit, optoelectronic device, method for driving optoelectronic device, and electronic apparatus
KR100544092B1 (ko) 표시장치 및 그 구동방법
US7760163B2 (en) Electro-optical device, drive circuit, driving method, and electronic apparatus
KR100667664B1 (ko) 화소 회로의 구동 방법, 화소 회로 및 전자 기기
KR20040039395A (ko) 표시장치 및 그 구동방법
US7173582B2 (en) Current drive circuit and image display device
US7586468B2 (en) Display device using current driving pixels
US7502002B2 (en) Pixel circuit, electro-optical device, and electronic apparatus
JP4316551B2 (ja) 電子装置及び電子機器
JP4316550B2 (ja) 電子装置、電子装置の駆動方法、及び電子機器
JP4396705B2 (ja) 電子装置及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121002

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130925

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140922

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150921

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160926

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170920

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180917

Year of fee payment: 15