CN1250490A - 碳化硅薄膜的基座设计 - Google Patents

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Abstract

一种用来最小化或消除外延生长过程中影响衬底晶片的温度梯度的基座,包含:第一基座部分,它包括用来在其上接纳半导体衬底晶片的表面;以及第二基座部分。此基座的特征是,第二基座部分面对衬底接纳表面并与衬底接纳表面隔开,其间距大得足以使气体能够在其间流动,以便在表面的衬底上进行外延生长,同时又小得足以使第二基座部分能够将衬底的暴露表面加热到与第一基座部分将直接接触衬底接纳表面的衬底的表面所加热到的温度基本上相同的温度。

Description

碳化硅薄膜的基座设计
本发明涉及到半导体制造工艺，确切地说是涉及到用来在碳化硅衬底上进行外延生长的改进了的基座的设计。
本发明涉及到在碳化硅衬底上的半导体材料外延层的制作。碳化硅提供了许多半导体性能和器件的优良的物理和电子特性。这些特性包括宽的带隙、高的热导率、高的饱和电子漂移速度、高的电子迁移率、优越的机械强度、以及辐射硬化。
如硅之类的其他半导体材料的情况那样，制造大量碳化硅基器件的一个基本步骤包括在碳化硅衬底上生长半导体材料的薄的单晶层。此技术称为“外延”，此术语描述一种利用化学反应的晶体生长，用来在另一种晶体的表面上制作具有一定晶格结构的半导体材料薄层。在许多情况下，外延层的晶格结构与衬底的晶格结构完全相同、相似或有关系。因此，无论是在碳化硅衬底上外延生长碳化硅外延层，或者是在碳化硅衬底上外延生长其他半导体材料，都是制造基于碳化硅的器件的基本技术。
然而，由于碳化硅能够结晶成150种以上的多型体，且这些多型体中的某一些彼此的热力学差异非常小，故碳化硅是一种难以制作的材料。而且，由于碳化硅的熔点高(2700℃以上)，故包括外延膜淀积在内的许多制作碳化硅的工序常常需要在比其他半导体材料中的类似反应高得多的温度下进行。
在例如Sze的论文(见Physics of Semiconductor Devices，2dED.(1981)，Section 2.2，pp.64-73)或在Dorf的论文(见The ElectricalEngineering Handbook，CRC Press，(1993)at Chapter 21“Semiconductor Manufacturing”，pp.475-489)中，特别是在Sherman的论文(见Chemical Vapor Deposition for Microelectronics：Principles，Technologies and Applications，(1987)，ISBN 0-8155-1136-1)中，能够找到半导体制造工艺的一些基本观点。此处所讨论的技术和装置可以归类为化学汽相淀积(CVD)或汽相外延(VPE)，其中的反应气体被暴露于一种能源(例如热、等离子体、光)，以激发化学反应，其产物生长在衬底上。
CVD外延生长有一些基本的技术，其中二个最常用的是热加热壁反应器工艺和冷壁反应器工艺。热壁系统有点类似于常规炉子，其中的衬底、外延生长先质材料以及周围的容器，都被升温到反应温度。此技术有一些优点和缺点。
第二种常用技术是采用“冷壁”反应器。在这种系统中，待要用来外延生长的衬底被置于容器(通常由石英或不锈钢组成)中的平台上。在许多系统中，衬底是盘状的并称为“晶片”。衬底平台由会吸收并热响应电磁辐射的材料制成。
如熟悉这种器件和技术的人员所熟知的那样，基座对电磁辐射的响应是一种感应过程，其中加于基座的交变频率电磁辐射在基座中产生感应电流。基座将部分能量从感应电流转换成热。在许多系统中，由于玻璃和石英之类的材料对射频(RF)是透明的且不受其影响，故电磁辐射被选择在射频范围内。于是，电磁辐射通过容器并被基座吸收，基座与晶片一起被加热到进行外延生长所要求的温度。由于容器壁不受电磁能量的影响，故容器壁保持“冷”态(至少比基座和衬底冷)，从而促使在衬底上发生化学反应。
在例如授予Davis等人的美国专利No.4912063和授予Kong等人的美国之类4912064中，提出了对碳化硅衬底上生长碳化硅外延层的详尽讨论，此处将二者的内容整个列为参考。
采用冷壁反应器来进行外延生长，虽然在许多方面是满意的，但也引起其他的一些问题。特别是由于半导体晶片置于基座上，与基座接触的晶片一侧将比衬底的其余部分更热。这就在晶片中沿轴向引起温度梯度。轴向梯度在晶片中引起的热膨胀差异尔后容易引起外围边沿(由于大多数晶片是盘状的，故通常是圆周)从基座翘曲，从而与基座脱离接触。由于边沿与基座脱离接触，其温度就变得比更靠中心的晶片部分的温度低，于是，除了轴向温度梯度外，还在衬底中产生径向温度梯度。
这些温度梯度和引起的物理缺陷，对衬底及其上的外延层的特性有相应的负面影响。例如，若边沿处于极度拉伸状态，则已观察到毁灭性的破裂和失效。即使避免了毁灭性的失效，外延层也易于包含缺陷。在碳化硅CVD生长温度(例如1300-1800℃)下使用大晶片(亦即2英寸或更大)时，晶片弯曲变成一个重要问题。例如，此处图3示出了不同的轴向温度梯度下晶片弯曲(H)量对晶片直径的函数关系。
而且，由于晶片具有有限的厚度，故基座施加的热倾向于沿晶片中心轴产生另一个温度梯度。这一轴向梯度能够产生并恶化上述问题。
在衬底晶片的背面与基座正面之间，通常还存在另一个温度梯度，亦即表面-表面梯度。于是可以理解，在基座与衬底晶片之间通常发生辐射和传导二种热传送。由于许多基座是由涂敷有碳化硅的石墨制成的，故基座与碳化硅晶片之间大的温度梯度引起的热力学驱动力还使碳化硅涂层不希望有地从基座升华到晶片。
此外，由于这种升华倾向于促使在基座涂层中形成针孔，故能够使来自石墨的沾污物逸出并对衬底到外延层形成非有意掺杂。这就最终导致半导体材料中的不均匀掺杂水平，并缩短基座的寿命。在例如授予Kong等人的美国专利No.5119540的背景部分中，描述了不希望有地发射掺杂剂的基座所产生的问题。
虽然如此，仍然需要能够在碳化硅工艺所要求的高温下工作而同时最小化或消除这些径向、轴向和表面温度梯度、以及相关的物理改变和问题的基座。
因此，本发明的目的是提供一种用来最小化或消除衬底晶片上的径向、轴向以及表面-表面温度梯度的基座。
本发明用一种基座满足了这一目的，此基座包含：第一部分，它包括用来在其上接纳半导体衬底晶片的表面、以及第二部分，它面对衬底接纳表面并与衬底接纳表面隔开一个大得足以允许基本组分能够流过其间以便在衬底上进行外延生长的间距。然而，为了使第二基座部分将衬底的暴露表面加热到与第一基座部分将直接接触衬底接纳表面的衬底的表面加热到基本上相同的温度，此间距保持尽可能小。
在另一种情况下，本发明是一种借助于加热面向但避免接触半导体衬底并与衬底隔开足够远以便允许基本组分能够在衬底和基座部分之间流动，以便促使在面对基座部分的衬底上外延生长的基座部分，从而在外延生长过程中最小化或消除衬底中以及衬底周围的温度梯度的方法，其中的基座对辐射发生热响应。
考虑到结合描述最佳示范性实施例的附图的下列详细描述，将更容易了解本发明的上述和其它目的、优点和特点及其制造方法。
图1是平台式化学汽相淀积(CVD)系统的剖面图；
图2是筒式CVD系统的剖面图；
图3是示出了不同温度梯度下晶片弯曲与晶片直径的关系；
图4是筒式基座的示意图；
图5是晶片弯曲与温度梯度的示意图；
图6是根据本发明的基座的一个实施例的剖面图；
图7是本发明的基座的第二实施例的局部剖面图；
图8是扁平式基座的剖面图；
图9是根据本发明的扁平式基座的俯视平面图。
本发明是用来最小化或消除外延生长过程中影响衬底晶片的包括径向、轴向和表面-表面梯度的温度梯度的一种基座。根据本发明的衬底对图1和2所示的化学汽相淀积系统特别有用。图1示出了用20概括表示的平台式即扁平式CVD系统。此系统包含通常由石英管材料制成的对适当频率的电磁辐射基本上透明的反应容器21即钟罩。气体供应系统与反应容器21流体连通，并在图1中被示为气体注入器22。
此系统包括电磁辐射源，在图1中被示为感应线圈25。这种发生器和感应线圈的工作是本技术领域一般熟练人员众所周知的，因而此处不作更详细的讨论。正如本技术领域还了解的那样，变通的加热技术可以包括电阻加热、辐射灯加热和相似的技术。
图1所示的化学汽相淀积系统还包括其上有半导体衬底，通常为盘状晶片27的平台式基座26。图1还示出了用来按需要抽空系统的抽气口30。
图2示出了一种基本工作非常相似的系统，但这是一种筒式而非扁平式的基座。在图2中，CVD系统概括地用32表示，并示出了被水套34环绕的反应容器33，水套34使水向反应容器33的壁循环。此CVD系统32还包括气体入口35和气体出口36、水入口37和水出口40、以及基座的提升和旋转装置41。
基座本身概括地用42表示，成稍微倾斜的普通圆筒形状的截头圆锥形状。此圆筒由多个相邻的确定此圆筒的笔直侧壁区段43构成。多个晶片坑44位于侧壁43上并将半导体衬底支持于其上。基座的少许倾斜有利于将晶片保持在坑44中，并由于促使更有利的气流而改善得到的外延层的均匀性。图2还示出了概括地用46表示的用于感应线圈的电源45。
图3有助于说明本发明所提及的问题。在图3中，对于三种不同的温度梯度ΔT，以千分之几英寸为单位的晶片弯曲按单位为英寸的晶片直径绘出。如图3所示，基座表面温度为1530℃，而晶片厚度为12密尔(0.012英寸)。如图3所示，当衬底晶片的直径约为1英寸或更小时，晶片弯曲问题不大。对于更大的晶片，特别是2英寸、3英寸或甚至4英寸的晶片，即使在比较低的温度梯度下，弯曲也变得更为严重。
图4示出了相似于图2中所用的筒式基座。采用与图2相同的参考号系统，基座概括地用42表示，由多个一起确定普通圆筒形的笔直侧壁43构成。侧壁43包括多个用来支持衬底晶片的晶片坑44。
图5是示于图3的温度梯度的作用的示意图，包括轴向温度梯度(ΔT1)和径向温度梯度(ΔT2)。
图6示出了根据本发明的最适合于用在图2所示的筒式系统中的一种基座。在图6所示的实施例中，基座概括地用50表示，是由多个相邻的笔直的侧壁区段51组成的圆筒。图6示出了剖面中的二个侧壁和侧视图中的一个侧壁。最通常为4个、6个或8个笔直的侧壁51，由对选定频率的电磁辐射有热响应的材料组成。如上所示，最常用的电磁辐射处于射频频率范围内，故基座材料一般选择为对这种RF频率有热响应。在最佳实施例中，基座50由涂敷有碳化硅的石墨制成。
在此最佳实施例中，采用充分利用固态技术固有效率优点的固态电源，施加8-10千赫兹范围的电磁辐射。熟悉感应CVD工艺的人员知道，较厚的基座壁需要较低的频率以达到最有效的渗透。
在图6的实施例中，基座50包括圆筒内圆面上的多个晶片坑52。于是，当基座50被加热时，对面的壁对晶片的正面进行辐射加热，而基座对背面加热。如图6所示，在此实施例中，侧壁51最好确定一个比真正圆锥具有稍浅斜度的倒置截头圆锥。如早先所指出的那样，侧壁51的稍浅斜度使得在化学汽相淀积过程中更容易将晶片保持在坑52中，并有助于提供CVD气体的适当流型。
图7示出了本发明的另一实施例，其中的基座包含概括地用54表示的第一圆筒(即“筒”)。此圆筒由多个相邻的笔直的侧壁区段55确定，并由对选定频率的电磁辐射有热响应的材料组成。圆筒54包括侧壁区段55外表面上的多个晶片坑56。
概括地用57表示的第二圆筒围绕着第一圆筒54，并在第一和第二圆筒之间确定一个环形空间A。第二圆筒57也由对选定频率的电磁辐射有热响应的材料组成，且第一和第二圆筒(54，57)之间的环形空间大得足以允许气体在其间流动以便在晶片坑56中的衬底上进行外延生长，同时又小得足以使第二圆筒57能够将衬底的暴露表面加热到与第一圆筒54将直接接触第一圆筒的衬底表面所加热到的基本上相同的温度。
第一和第二圆筒54和57可以由相同的或不同的材料制成。若用在图2所示的筒式基座中，则第二圆筒57倾向于将第一圆筒54加热到基本上达到相同的温度。如在其它实施例中那样，每个圆筒最好由涂敷有碳化硅的石墨制成。
可以理解，采用涂敷在这种基座上的碳化硅涂层，是多晶碳化硅的陶瓷性质的一种用途，而不与其它情况下的半导体性质有关。于是，由不锈钢、石墨、涂敷有碳化硅的石墨、或碳化硅制成的基座就通常在半导体工业中被用于CVD工艺。
图8、9和10示出了根据本发明的另一种基座。图8和9分别示出了概括地用60表示的扁平状即平板形基座的剖面图和俯视平面图。基座60具有顶表面61，用来在其上接纳半导体衬底晶片。在此实施例中，本发明还包含一个平行于第一基座部分60的晶片接纳表面61并位于其上方的水平排列的第二基座部分63。基座部分60和63都由对选定频率的电磁辐射有热响应的材料组成，且如前述实施例那样，最好由对同一频率的电磁辐射有响应的相同的材料组成。基座部分60和63都由涂敷有碳化硅的石墨组成则更好。如在前述实施例中那样，二个部分60和63之间的B所示的间距大得足以允许气体在其间流动以便在表面61的衬底上进行外延生长，同时又小得足以使第二基座部分63能够将衬底的暴露表面加热到与第一基座部分60将直接接触衬底接纳表面61的衬底的表面所加热到的基本上相同的温度。如图8、9和10所示，第一水平基座部分60的顶表面61最好包括多个晶片坑64。
在这些实施例的每一个中，可以理解，正如不同情况下可能希望或需要的那样，二个基座部分可以彼此连接，或者可以是一个基座的分立部分或者是独立部分。此外，可以借助于计算机模拟或实际应用来确定衬底各部分之间的最佳间距，而不必要求过分的实验。
在另一种情况下，本发明包含最小化或消除外延生长过程中衬底中的温度梯度的方法。在此情况下，本发明包含对面向但避免接触半导体衬底晶片并离晶片远得足以使气体能够在衬底与面对的基座之间流动从而促进在面向基座部分的衬底上的外延生长的基座或基座部分进行辐照。如在结构实施例中那样，基座对辐照有热响应。
如本发明的结构方面进一步指出的那样，本发明最好还包含同时辐照其上置有晶片的分立的基座部分，以便将衬底的暴露表面加热到与直接接触其它基座部分的衬底的表面基本上相同的温度。
此方法还包含引导源气体在被加热的基座部分之间流动的步骤。若外延层由碳化硅组成，则此方法最好包含引导诸如硅烷、乙烯、丙烷之类的含硅和碳的源气体。
当诸如III族的氮化物之类的其它材料在碳化硅上形成外延层时，引导源气体的步骤可以包括引导诸如三甲基铝、三甲基镓、三甲基铟、氨之类的气体。
在最佳实施例中，本方法还包含制备用于生长的衬底表面的步骤。如上面所引用的参考文献中更为详细描述的那样，这一制备可以包含诸如对表面进行氧化的步骤，随之化学腐蚀步骤以清除被氧化的部分，从而留下制备过的表面，或者对碳化硅表面进行干法腐蚀，从而为进一步生长而制备表面。如在大多数外延生长技术中那样，表面制备通常还包含在氧化或腐蚀之前对衬底表面进行研磨和抛光。
在附图和说明书中，已经公开了本发明的典型最佳实施例，虽然使用了具体的术语，但这仅仅是用于一般的和叙述的意义，而不是为了限制，在下列权利要求中提出了本发明的范围。

Claims (20)

1.一种用来最小化或消除外延生长过程中影响衬底晶片的温度梯度的基座，所述基座包含：
第一基座部分，它包括用来在其上接纳半导体衬底晶片的表面；以及
第二基座部分；
其特征是，所述第二基座部分面对所述衬底接纳表面并与所述衬底接纳表面隔开，所述间距大得足以使气体能够在其间流动，以便在所述表面上的衬底上进行外延生长，同时又小得足以使所述第二基座部分能够将衬底的暴露表面加热到与所述第一基座部分将直接接触所述衬底接纳部分的衬底的表面所加热到的温度基本上相同的温度。
2.一种化学汽相淀积系统，它包含：
由对电磁辐射基本上透明的材料制成的反应容器；
与所述反应容器流体连通的气体供应系统；
所述反应容器外部的电磁辐射源；以及
所述反应容器中的根据权利要求1的基座。
3.根据权利要求2的化学汽相淀积系统，其中所述反应容器由石英制成。
4.根据权利要求2的化学汽相淀积系统，其中所述反应容器由不锈钢制成。
5.根据权利要求2的化学汽相淀积系统，其中所述电磁辐射源包含围绕所述反应容器的感应线圈。
6.根据权利要求1或权利要求2的基座，其中所述第一基座部分由对电磁辐射有热响应的材料制成。
7.根据权利要求1或权利要求2的基座，其中所述第二基座部分由对电磁辐射有热响应的材料制成。
8.根据权利要求1或权利要求2的基座，其中所述第一和第二部分由相同的材料制成。
9.根据权利要求1或权利要求2的基座，其中所述第一和第二部分由不同的材料制成。
10.根据权利要求1或权利要求2的基座，其中所述第一和第二基座部分由涂敷有碳化硅的石墨制成。
11.根据权利要求1或权利要求2的基座，其中所述衬底接纳表面还包含多个晶片坑。
12.根据权利要求1或权利要求2的基座，其中所述第一和第二部分一起确定由多个确定圆筒的相邻的笔直的侧壁区段组成的圆筒，所述圆筒的内周面上有多个晶片坑。
13.根据权利要求12的基座，其中所述侧壁确定一个倒置的截头圆锥。
14.根据权利要求1或权利要求2的基座，其中：
所述第一部分包含由多个确定圆筒的相邻的笔直的侧壁区段组成的第一圆筒，所述圆筒由对选定频率的电磁辐射有热响应的材料制成，并在所述侧壁区段的外表面上具有多个晶片坑；以及
所述第二部分包含围绕所述第一圆筒并确定所述第一和第二圆筒之间的环形空间的第二圆筒，所述第二圆筒由对选定频率的电磁辐射有热响应的材料制成，所述第一和第二圆筒之间的环形空间大得足以使气体能够在其间流动，以便在所述晶片坑中的衬底上进行外延生长，同时又小得足以使所述第二圆筒能够将衬底的暴露表面加热到与所述第一圆筒将直接接触所述第一圆筒的衬底的表面所加热到的温度基本上相同的温度。
15.根据权利要求1或权利要求2的基座，其中所述第一基座部分水平定位，并由对选定频率的电磁辐射有热响应的材料制成，且具有在其上接纳半导体衬底晶片的顶表面；以及
所述第二基座部分平行且隔开于所述第一基座部分的所述晶片接纳表面，并由对选定频率的电磁辐射有热响应的材料制成，所述空间大得足以使气体能够在其间流动，以便在所述表面上的衬底上进行外延生长，同时又小得足以使所述第二基座部分能够将衬底的暴露表面加热到与所述第一基座部分将直接接触所述衬底接纳表面的衬底的表面所加热到的温度基本上相同的温度。
16.根据权利要求15的基座，其中所述第一基座部分的所述顶表面包括多个晶片坑。
17.一种用来最小化或消除外延生长过程中影响衬底的温度梯度的方法，此方法包含：
加热面向半导体衬底但避免与半导体衬底接触的、且离衬底远得足以使气体能够在衬底与基座部分之间流动，以便促使在面对基座部分的衬底上进行外延生长的基座部分。
18.根据权利要求17的方法，还包含同时加热其上置有晶片的第二基座部分，以便将衬底的暴露表面加热到与直接接触第二基座部分的衬底的表面的温度基本上相同的温度。
19.根据权利要求17的方法，其中的加热步骤包含用某些频率范围内的电磁辐射，辐照对这些频率的电磁辐射有热响应的基座。
20.根据权利要求17的方法，还包含将源气体引导流到被加热的基座部分之间的步骤。
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WO (1) WO1998042897A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101317256B (zh) * 2006-03-14 2010-04-14 Lg伊诺特有限公司 基座和包括所述基座的半导体制造装置
CN103074611A (zh) * 2012-12-20 2013-05-01 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 衬底承载装置及金属有机化学气相沉积设备
CN103243313A (zh) * 2013-05-22 2013-08-14 光垒光电科技（上海）有限公司 衬底支撑结构、含有上述衬底支撑结构的反应腔室
CN104746037A (zh) * 2013-12-29 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔和mocvd设备
US9287152B2 (en) 2009-12-10 2016-03-15 Orbotech LT Solar, LLC. Auto-sequencing multi-directional inline processing method
US9462921B2 (en) 2011-05-24 2016-10-11 Orbotech LT Solar, LLC. Broken wafer recovery system

Families Citing this family (244)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6217662B1 (en) 1997-03-24 2001-04-17 Cree, Inc. Susceptor designs for silicon carbide thin films
DE69835216T2 (de) 1997-07-25 2007-05-31 Nichia Corp., Anan Halbleitervorrichtung aus einer nitridverbindung
WO2000052796A1 (fr) 1999-03-04 2000-09-08 Nichia Corporation Element de laser semiconducteur au nitrure
DE19940033A1 (de) * 1999-08-24 2001-05-17 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Schichten auf rotierenden Substraten in einem allseits beheizten Strömungskanal
US6436796B1 (en) * 2000-01-31 2002-08-20 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for epitaxial processing of a semiconductor substrate
KR20020088091A (ko) * 2001-05-17 2002-11-27 (주)한백 화합물 반도체 제조용 수평 반응로
US6896738B2 (en) * 2001-10-30 2005-05-24 Cree, Inc. Induction heating devices and methods for controllably heating an article
ITMI20020306A1 (it) * 2002-02-15 2003-08-18 Lpe Spa Suscettore dotato di rientranze e reattore epitassiale che utilizza lo stesso
US20030209326A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-13 Mattson Technology, Inc. Process and system for heating semiconductor substrates in a processing chamber containing a susceptor
US7122844B2 (en) * 2002-05-13 2006-10-17 Cree, Inc. Susceptor for MOCVD reactor
EP1506327A1 (en) 2002-05-23 2005-02-16 Universit de Sherbrooke Ceramic thin film on various substrates, and process for producing same
DE10243022A1 (de) * 2002-09-17 2004-03-25 Degussa Ag Abscheidung eines Feststoffs durch thermische Zersetzung einer gasförmigen Substanz in einem Becherreaktor
US7898047B2 (en) * 2003-03-03 2011-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated nitride and silicon carbide-based devices and methods of fabricating integrated nitride-based devices
US7112860B2 (en) 2003-03-03 2006-09-26 Cree, Inc. Integrated nitride-based acoustic wave devices and methods of fabricating integrated nitride-based acoustic wave devices
US8366830B2 (en) * 2003-03-04 2013-02-05 Cree, Inc. Susceptor apparatus for inverted type MOCVD reactor
DE10320597A1 (de) * 2003-04-30 2004-12-02 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten mit zwei Prozessgasen, von denen das eine vorkonditioniert ist
JP5122817B2 (ja) * 2003-05-09 2013-01-16 クリー インコーポレイテッド イオン・インプラント・アイソレーションによるｌｅｄ製作
US20050194584A1 (en) * 2003-11-12 2005-09-08 Slater David B.Jr. LED fabrication via ion implant isolation
JP4551106B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-22 東洋炭素株式会社 サセプタ
ITMI20040648A1 (it) * 2004-03-31 2004-06-30 Saipem Spa Procedimento per il trattamento di fluidi provenienti da giacimenti petroliferi sottomarini
US7592634B2 (en) * 2004-05-06 2009-09-22 Cree, Inc. LED fabrication via ion implant isolation
US20060267043A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Emerson David T Deep ultraviolet light emitting devices and methods of fabricating deep ultraviolet light emitting devices
KR100732467B1 (ko) * 2005-09-06 2007-06-27 주식회사 티씨케이 반도체 웨이퍼 실장용 서셉터
US20080014466A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Ronghua Wei Glass with scratch-resistant coating
US8823057B2 (en) 2006-11-06 2014-09-02 Cree, Inc. Semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices
JP5138212B2 (ja) * 2006-12-25 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
EP2113936A4 (en) * 2007-02-23 2010-11-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd VACUUM PROCESSING METHOD AND VACUUM PROCESSING APPARATUS
TWI464292B (zh) * 2008-03-26 2014-12-11 Gtat Corp 塗覆金之多晶矽反應器系統和方法
TWI362769B (en) 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor
US9187815B2 (en) * 2010-03-12 2015-11-17 United Technologies Corporation Thermal stabilization of coating material vapor stream
US8328945B2 (en) * 2010-03-12 2012-12-11 United Technologies Corporation Coating apparatus and method with indirect thermal stabilization
US9441295B2 (en) * 2010-05-14 2016-09-13 Solarcity Corporation Multi-channel gas-delivery system
US20110315081A1 (en) * 2010-06-25 2011-12-29 Law Kam S Susceptor for plasma processing chamber
EP2420588A1 (en) 2010-08-16 2012-02-22 Applied Materials, Inc. Thermal management of film deposition processes
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9034199B2 (en) 2012-02-21 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article
US9212099B2 (en) 2012-02-22 2015-12-15 Applied Materials, Inc. Heat treated ceramic substrate having ceramic coating and heat treatment for coated ceramics
US9090046B2 (en) 2012-04-16 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Ceramic coated article and process for applying ceramic coating
US9604249B2 (en) 2012-07-26 2017-03-28 Applied Materials, Inc. Innovative top-coat approach for advanced device on-wafer particle performance
US9343289B2 (en) 2012-07-27 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Chemistry compatible coating material for advanced device on-wafer particle performance
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9865434B2 (en) 2013-06-05 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application
US9850568B2 (en) 2013-06-20 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings
US9711334B2 (en) 2013-07-19 2017-07-18 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based thin film coatings on process rings
US9583369B2 (en) 2013-07-20 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based coatings on lids and nozzles
USD784276S1 (en) * 2013-08-06 2017-04-18 Applied Materials, Inc. Susceptor assembly
US9725799B2 (en) 2013-12-06 2017-08-08 Applied Materials, Inc. Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components
US11015244B2 (en) 2013-12-30 2021-05-25 Advanced Material Solutions, Llc Radiation shielding for a CVD reactor
US9976211B2 (en) 2014-04-25 2018-05-22 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant thin film coating for high temperature application
US9869013B2 (en) 2014-04-25 2018-01-16 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US20160359080A1 (en) 2015-06-07 2016-12-08 Solarcity Corporation System, method and apparatus for chemical vapor deposition
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US9748113B2 (en) 2015-07-30 2017-08-29 Veeco Intruments Inc. Method and apparatus for controlled dopant incorporation and activation in a chemical vapor deposition system
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
JP6532424B2 (ja) * 2016-03-30 2019-06-19 三菱電機株式会社 基板設置部材、ウェハプレート、およびＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法
US9748434B1 (en) 2016-05-24 2017-08-29 Tesla, Inc. Systems, method and apparatus for curing conductive paste
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9954136B2 (en) 2016-08-03 2018-04-24 Tesla, Inc. Cassette optimized for an inline annealing system
CN110023537B (zh) 2016-09-19 2021-11-16 阿卜杜拉国王科技大学 基座
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10115856B2 (en) 2016-10-31 2018-10-30 Tesla, Inc. System and method for curing conductive paste using induction heating
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US11979965B2 (en) 2017-01-10 2024-05-07 King Abdullah University Of Science And Technology Susceptors for induction heating with thermal uniformity
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US11047035B2 (en) 2018-02-23 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Protective yttria coating for semiconductor equipment parts
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD864134S1 (en) * 2018-10-24 2019-10-22 Asm Ip Holding B.V. Susceptor
USD948463S1 (en) * 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR102444121B1 (ko) * 2020-03-31 2022-09-19 주식회사 에프에스 웨이퍼 처리 장치 및 이의 처리방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN113699509B (zh) * 2021-10-27 2022-02-01 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种半导体生长设备及其工作方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3436255A (en) 1965-07-06 1969-04-01 Monsanto Co Electric resistance heaters
US3659552A (en) * 1966-12-15 1972-05-02 Western Electric Co Vapor deposition apparatus
US4496609A (en) 1969-10-15 1985-01-29 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition coating process employing radiant heat and a susceptor
NL7209297A (zh) 1972-07-01 1974-01-03
US4081313A (en) 1975-01-24 1978-03-28 Applied Materials, Inc. Process for preparing semiconductor wafers with substantially no crystallographic slip
US4099041A (en) 1977-04-11 1978-07-04 Rca Corporation Susceptor for heating semiconductor substrates
US4186684A (en) * 1977-06-01 1980-02-05 Ralph Gorman Apparatus for vapor deposition of materials
US4123571A (en) 1977-09-08 1978-10-31 International Business Machines Corporation Method for forming smooth self limiting and pin hole free SiC films on Si
DE2943634C2 (de) * 1979-10-29 1983-09-29 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Epitaxiereaktor
US5242501A (en) 1982-09-10 1993-09-07 Lam Research Corporation Susceptor in chemical vapor deposition reactors
US4499354A (en) 1982-10-06 1985-02-12 General Instrument Corp. Susceptor for radiant absorption heater system
US4579080A (en) * 1983-12-09 1986-04-01 Applied Materials, Inc. Induction heated reactor system for chemical vapor deposition
JPS60145992A (ja) * 1983-12-29 1985-08-01 Sharp Corp 炭化珪素単結晶基板の製造方法
US4858557A (en) * 1984-07-19 1989-08-22 L.P.E. Spa Epitaxial reactors
JPS61191015A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Hitachi Ltd 半導体の気相成長方法及びその装置
US4728389A (en) * 1985-05-20 1988-03-01 Applied Materials, Inc. Particulate-free epitaxial process
JPS62190834A (ja) 1986-02-18 1987-08-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気相成長装置
US4839145A (en) * 1986-08-27 1989-06-13 Massachusetts Institute Of Technology Chemical vapor deposition reactor
US4938815A (en) * 1986-10-15 1990-07-03 Advantage Production Technology, Inc. Semiconductor substrate heater and reactor process and apparatus
JPS63144513A (ja) 1986-12-09 1988-06-16 Nkk Corp バレル型エピタキシヤル成長装置
DE3707672A1 (de) * 1987-03-10 1988-09-22 Sitesa Sa Epitaxieanlage
US4836138A (en) 1987-06-18 1989-06-06 Epsilon Technology, Inc. Heating system for reaction chamber of chemical vapor deposition equipment
US4975561A (en) 1987-06-18 1990-12-04 Epsilon Technology Inc. Heating system for substrates
US4912063A (en) * 1987-10-26 1990-03-27 North Carolina State University Growth of beta-sic thin films and semiconductor devices fabricated thereon
US4912064A (en) * 1987-10-26 1990-03-27 North Carolina State University Homoepitaxial growth of alpha-SiC thin films and semiconductor devices fabricated thereon
EP0330708B1 (en) * 1988-02-29 1994-05-04 Nippon Kokan Kabushiki Kaisha Apparatus for forming thin films
US4986215A (en) 1988-09-01 1991-01-22 Kyushu Electronic Metal Co., Ltd. Susceptor for vapor-phase growth system
US5119540A (en) * 1990-07-24 1992-06-09 Cree Research, Inc. Apparatus for eliminating residual nitrogen contamination in epitaxial layers of silicon carbide and resulting product
US5136978A (en) 1989-10-30 1992-08-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Heat pipe susceptor for epitaxy
US5044943A (en) 1990-08-16 1991-09-03 Applied Materials, Inc. Spoked susceptor support for enhanced thermal uniformity of susceptor in semiconductor wafer processing apparatus
US5118642A (en) * 1991-01-24 1992-06-02 Daidousanso Co., Ltd. Method for producing semiconductors
US5279671A (en) 1992-06-16 1994-01-18 Iwao Hosokawa Thermal vapor deposition apparatus
US5820686A (en) * 1993-01-21 1998-10-13 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
JPH08264464A (ja) * 1995-03-24 1996-10-11 Shin Etsu Handotai Co Ltd 気相成長方法
JP3206375B2 (ja) * 1995-06-20 2001-09-10 信越半導体株式会社 単結晶薄膜の製造方法
SE9503426D0 (sv) * 1995-10-04 1995-10-04 Abb Research Ltd A device for heat treatment of objects and a method for producing a susceptor
SE9600705D0 (sv) * 1996-02-26 1996-02-26 Abb Research Ltd A susceptor for a device for epitaxially growing objects and such a device
US5653808A (en) 1996-08-07 1997-08-05 Macleish; Joseph H. Gas injection system for CVD reactors
US6217662B1 (en) * 1997-03-24 2001-04-17 Cree, Inc. Susceptor designs for silicon carbide thin films

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101317256B (zh) * 2006-03-14 2010-04-14 Lg伊诺特有限公司 基座和包括所述基座的半导体制造装置
US9287152B2 (en) 2009-12-10 2016-03-15 Orbotech LT Solar, LLC. Auto-sequencing multi-directional inline processing method
US9462921B2 (en) 2011-05-24 2016-10-11 Orbotech LT Solar, LLC. Broken wafer recovery system
CN103074611A (zh) * 2012-12-20 2013-05-01 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 衬底承载装置及金属有机化学气相沉积设备
CN103243313A (zh) * 2013-05-22 2013-08-14 光垒光电科技（上海）有限公司 衬底支撑结构、含有上述衬底支撑结构的反应腔室
CN104746037A (zh) * 2013-12-29 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔和mocvd设备

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