CN1176457C - 磁存储媒体及其制造方法和磁盘设备 - Google Patents

Abstract

一种磁盘媒体的表面被平滑，该磁盘媒体表面由一个表面含有沟槽和平地的衬底组成。非磁性垫层(3)和磁记录层(4)制备在包括沟槽(8)和平地(9)的衬底(2)上。平滑非磁性膜(5)被沉积用来填充被非磁性垫层(3)和磁记录层(4)所覆盖的沟槽(8)，使得平滑非磁性膜(5)可以到达与平地(9)上的磁记录层(4)高度相同的水平上。

Description

磁存储媒体及其制造方法和磁盘设备

技术领域

本发明涉及应用于硬盘驱动器的磁存储媒体和这一媒体的制造方法。

背景技术

近年来，对于在信息存储设备中起核心作用的硬盘驱动器，人们要求它具有更小的尺寸，同时存储能力更大。这些要求可以通过提高磁盘媒体的表面记录密度来实现。表面记录密度包括沿磁盘媒体圆周方向的线记录密度和沿其半径方向的磁道密度。因此，更高的表面记录密度可以通过改进上述提到的二者之中的任一个或同时改进二者的途径来得到。本发明具体涉及的是对改进磁道密度有贡献的技术。

在相关技术方面，如图1(a)所示，提供了一种磁盘媒体60，该磁盘媒体由以下部分所形成：一个由铬层组成、形成在非磁性衬底2(如铝衬底)上的垫层薄膜3；一个由钴为主要成分的合金所组成的、形成在垫层薄膜3上的磁膜4；以及一个形成在磁膜4上的保护薄膜6(比如说无定型碳)。

为了提高磁盘媒体的磁道密度，需要减小记录磁道的宽度，这可以通过缩小记录磁头上的核心宽度的方法实现。然而，在应用磁头进行信息记录的系统中，额外记录将会被引导到位于记录磁道之间的区域(保护带)，从记录磁头侧面上产生泄漏场。这个额外记录区域被称为侧擦除(Side erase)，在再现操作过程中该侧擦除将会成为噪音产生的一种原因。此外，即使通过提高磁道密度将记录磁头的核心宽度变窄时，因为如果间隙长度和磁头漂浮量不减小，侧擦除的宽度并不总是改变，所以，由于磁道宽度的减小，在再现被记录数据的场合要获得信噪比是很难的。

因此，如图1(b)所示，磁盘媒体61被提出，在其中沟槽9沿着磁盘衬底2的圆周方向被预先形成，然后它被用作保护带以使磁道物理隔离。磁盘媒体61在实现磁道的更高密度上被认为是非常有效的，因为当沟槽足够深时磁道边缘的噪音可以被控制。

然而，在形成沟槽的媒体表面上最终留下了具有几十到几百nm水平高度差的不平坦表面。考虑到磁盘媒体的将来趋势是：随着磁盘媒体密度的增加，磁头的漂浮量小于30nm，由于如下所述的原因，就产生了一个有关可靠性的问题。

在硬盘驱动器中，磁盘的高速旋转产生空气流动，使得装有磁头的滑动器漂浮起来，因而磁头可以执行数据记录和再现操作而不与磁盘接触。但是，已经知道，如果磁盘表面不平，依赖于空气流动的干扰滑动器的漂浮量也将随之变得不稳定。当漂浮量相当大到例如50-100nm，这个事实已经被忽略，但是在将来需要的滑动器漂浮量小于或等于30nm时，磁盘的表面不平坦就变成了一个大问题了。

发明内容

因此，本发明的一个目的就是提供一种能保证更高记录密度的磁记录媒体。

此外，本发明的另一个目的是降低磁记录媒体的磁道边缘噪音。

另外，本发明的其他目的是实现磁头的稳定漂浮。

根据本发明的一个方面，提供一种磁存储媒体，包括：其上形成沟槽和平地的衬底；层压在所述衬底上的磁膜；以及沉积在所述沟槽上的所述磁膜上、沉积到位置比衬底的平地更高的非磁性膜，其中该磁膜形成在衬底的沟槽中，所述非磁性膜由比所述磁膜的材料熔点低的材料形成。根据本发明的上述磁存储媒体的实施例，其特征在于所述非磁性薄膜至少包括Te。

根据本发明的上述磁存储媒体的实施例，其特征在于，在最上表面处沟槽和平地之间的水平高差等于或小于5nm。

根据本发明的另一方面，提供一种制造磁存储媒体的方法，其特征在于包括以下步骤：在形成沟槽和平地的衬底上层压一层磁膜；在所述磁膜上层压一层非磁性膜；将所述非磁性膜加热到高于所述非磁性膜的熔点的温度，其中所述非磁性膜以表示形式为(沟槽宽度/平地宽度)×沟槽深度的厚度被层压，一种熔点比所述磁膜材料的熔点低的材料被沉积作为非磁性膜。

根据本发明的上述方法的实施例，其特征在于所述非磁性薄膜用激光束加热。

根据本发明的上述方法的实施例，其特征在于，一种至少含有Te的材料被层压到所述磁膜上作为非磁性薄膜。

根据本发明的另一个方面，提供一种磁存储媒体，包括：其上形成沟槽和平地的衬底；层压在所述衬底上的磁膜；以及沉积在所述沟槽上的所述磁膜上、沉积到位置比衬底的平地更高的非磁性膜，其中该磁膜形成在衬底的沟槽中，在最上表面处沟槽和平地之间的水平高差等于或小于5nm。

在本发明的磁记录媒体中，在衬底上形成沟槽和平地(凸区，land)并且在其上层压一个磁性薄膜。因此，磁道被磁性隔离以减小磁道边缘噪音。此外，在沟槽的磁膜上，一种非磁性材料被一直沉积到比衬底上的平地表面高一些的位置。根据这种结构，衬底上沟槽和平地所引起的水平高差在媒体表面上被减小，因而媒体表面变得几乎是平的了。因此，由媒体的旋转所产生的气流一点不受干扰，从而保证了磁记录媒体上用来记录或复现信息的磁头的稳定漂浮。

此外，在本发明中，在磁膜和非磁性膜被先后层压在已形成了沟槽和平地的衬底上之后，非磁性膜通过热处理被熔化。非磁性材料熔到沟槽中，因此在沟槽上沉积了一层非磁性材料。结果，沟槽和平地之间的水平高差在媒体表面上被减小以得到平坦的媒体表面。这里，非磁性材料被加热时，形成磁记录媒体的其它材料也可能被熔化，这个问题可以通过引入熔点比形成磁记录媒体的其它材料低的材料来消除。此外，当层压在平地上的非磁性材料薄膜被熔化并因而被从平地上除去时，沟槽被非磁性材料薄膜完全填充，并在层压一层深度为(沟槽宽度/平地宽度×沟槽深度)的非磁性薄膜的情况下，可以获得媒体的平坦表面而不在平地上留下额外的非磁性薄膜。

附图说明

图1是相关技术中磁盘媒体的截面图。

图2是本发明中的磁盘媒体的截面图。

图3是说明平滑磁盘媒体表面的过程图。

图4是说明平滑磁盘媒体表面的设备图。

图5是用来平滑磁盘媒体表面的设备的功能模块图。

图6是指示激光光斑位置原理的图。

图7是包含本发明中磁盘媒体的一个磁盘设备的平面图。

图8是图7所示磁盘设备的截面图。

图9是示出一台溅射仪器的图。

图10是指示激光功率与磁盘表面的水平高差之间的关系曲线图。

图11是评价磁头的漂浮耐久时间的设备示意图。

图12是说明本发明中媒体的磁头漂浮耐久时间的图表。

图13是说明相关技术中为媒体的磁头漂浮耐久时间的图表。

具体实施方式

图2所示的是本发明中磁记录媒体1的横截面示意图。即，垫层薄膜3、磁膜4和保护薄膜6被顺序层压到其上形成沟槽8和平地9的衬底2上，并且在保护层6的上面形成一层润滑层7。此外，在沟槽8上，一层用作平滑的薄膜5经由垫层薄膜3和磁膜4被一直沉积到位于平地9上的磁膜4的高度，以在保护薄膜6的被层压面上消除水平高差。因此，在保护层薄膜6上面的各层在外形上是平坦的。形成磁记录媒体1的每一个薄膜都将被解释。

衬底2由磁盘形状的非磁性材料组成。形成衬底2的材料包括镀NiP的铝盘(包括铝合金)、玻璃盘(包括钢化玻璃)、具有表面氧化物薄膜的硅盘、SiC盘、碳盘、塑料盘、陶瓷盘或诸如此类的盘片。

为形成沟槽已经提出了多种不同的方法，依据衬底材料的不同将引入最适宜的方法。作为一个例子，在衬底由类似树脂的塑料制成的情形中，将介绍一种方法，在此方法中融化的塑性材料被加到一个具有不平坦的形状的模具里，该塑性材料被硬化后便在塑料衬底上形成一个沟槽。此外，在衬底由金属材料制成的情形中，将介绍一种方法，例如，在此方法中将衬底上除了沟槽形成的区域之外其余的部分掩盖住，在衬底表面上计划采用刻蚀的方法来形成沟槽，比如说离子刻蚀法。在衬底由玻璃材料形成的情形中，将介绍几种方法，例如，在此方法中融化的玻璃材料被加到具有不平形状的模具中，然后该材料被硬化以形成沟槽，或在此方法中一个具有不平外形的模具被压印到涂在玻璃片一面上的紫外线硬化树脂上，为了沟槽的形成，用紫外线照射玻璃片的另外一面以使树脂硬化。

对衬底2来说，织构(texture)工艺并不总是基本的。此外，衬底2的尺寸依赖于预期的媒体种类和作为应用对象的磁盘设备。通常，衬底直径为1到3.5英寸，厚度为0.5到1.0毫米。

垫层薄膜3由以铬为主成分的非磁性金属材料组成。作为更实用的材料，可以列举出一种主要由铬或铬合金(例如CrW，CrV，CrTi，CrMo或诸如此类的材料)组成的金属材料。例如，垫层薄膜3是由溅射方法象磁控溅射或诸如此类的方法形成的。尤其，为了增加矫顽力，优选地使薄膜在直流负偏压的作用下形成。例如，适当的薄膜形成条件如下：薄膜形成温度设定在200到300℃之间，氩气压为1到10毫托，直流偏压电压为100到500伏。此外，其它形成薄膜的方法也是允许的，例如真空蒸发镀膜法，离子束溅射法或其它类似方法都可以替代溅射法。依赖于不同的因素垫层薄膜3的厚度可以在一个宽的范围内被确定，但是为了增强信噪比，优选将薄膜的厚度设定在10到100nm之间。当垫层薄膜的厚度变为等于或小于10nm时，不能得到足够的磁特性的问题随之产生。相反的，当薄膜的厚度超过100nm时，磁头的漂浮倾向于变得不稳定。

这里，垫层3并不总是需要，不是以层压垫层的方式引入将磁膜4层压在衬底2上的结构，也是可能的。此外，垫层3也可以以多层结构被形成。

磁膜4是由以钴为主成分的钴基磁性材料形成的。作为实用材料，可以列举出钴基二元合金例如CoPt合金、CoNi合金、CoCr或诸如此类的合金，钴基三元合金例如CoCrPt或诸如此类的合金，CoCrPt合金加入Ta或Nb后形成的四元或五元合金。例如，当CoCrPtTa被用作磁膜4的材料时，其成分实例说明如下：

钴：70-80at％

铬：10-30at％

铂：5-20at％

钽：1-3at％

优选地，磁膜4用溅射法例如磁控溅射或诸如此类的方法来形成。作为适当的薄膜形成条件，例如，可以列出薄膜形成温度为200-300℃，氩气压为1-10毫托或类似的条件。此外，其它薄膜形成方法也可以用来替代溅射法，例如真空蒸发法，离子束溅射法或诸如此类的方法。

在这个实施例中，磁膜4由单层膜形成，但是各层之间相互隔离的两层或多层结构如果需要也可以使用。当磁膜4引入多层结构时，磁膜4经由非磁性中间层被分隔为好几个磁层。作为适当的非磁性中间层，列出一个CrMo层。

起平滑作用的薄膜5由熔点比形成磁膜4的材料低的非磁性材料形成。参考图3和图4，用平滑薄膜5填充沟槽的过程解释如下。

首先，如图3(a)所示，在垫层薄膜3和磁膜4被层压在衬底2上之后，一种非磁性材料被形成在磁性材料4上，例如，应用磁控溅射法。当磁膜4具有多层结构时，平滑薄膜5被形成在比最上层磁膜还要高的层上。需要的薄膜形成条件是：薄膜形成温度为20-50℃，比例大约为9∶1的Ar∶CH4混合气体气压为1-10毫托。

在平滑薄膜5形成以后，如图4所示，在媒体1旋转的时候，用透镜19聚光的激光照射到平滑薄膜5上的平地上。平地和沟槽被共中心地形成在衬底2上。平滑薄膜5随着媒体的旋转沿着媒体1的圆周方向被加热并熔化。如图3(b)所示，激光光斑直径被调整到使它与平地的宽度相等。需要的激光波长是400到800nm，需要的激光功率为2到100毫瓦。

当在平地上的平滑薄膜5熔化时，在平地上的平滑薄膜5和在沟槽上的平滑薄膜5之间就产生了表面张力的差别，如图3(c)所示。结果，在平地上的平滑薄膜5向位于激光光斑外侧的沟槽流动以填充沟槽。当平滑薄膜5的膜厚等于(沟槽宽/平地宽)×沟槽深度时，沟槽就被平滑薄膜材料完全填充。当平地上的平滑薄膜5完全流到沟槽以后，由此媒体1的表面被平整而没有在平地上留下平滑薄膜5。

随后，激光光斑沿着媒体1的半径方向移动，这样在每一平地上的平滑薄膜4都被加热。因此，在平地上的平滑薄膜5被移走，沟槽被薄膜材料所填充如图3(d)至3(g)所示。

如上所述，在这个实施方案中，因为沟槽依靠加热和熔化平滑薄膜材料的方法被平滑薄膜材料填充，所以就要求形成平滑薄膜5的材料的熔点应比同时形成媒体1的其它材料的熔点低，以至于这些材料当平滑薄膜材料被熔化时不致被熔掉。此外，因为平滑薄膜5由激光束加热，还要求材料具有高的光吸收系数。作为可满足这些要求的材料，可以列举出Te或者以Te为主并包括C，Se和S中的任何一种的化合物。特别地，Te的熔点是450℃，这比形成磁膜4的材料的熔点低得多，并且在半导体激光器的波长内有较高的光吸收系数。此外，同单独的Te相比较，化合物诸如TeC，TeSe，TeCS₂具有很好的抗氧化特性和较高的光敏感度。

图5是图4中所示的加热设备的功能模块示意图。

在图5中，12表示用来使磁盘媒体1旋转的转轴电机。13表示一套提供加热激光14和寻道激光15的激光装置。16表示一个沿磁盘1径向驱动激光装置13的致动器。

此外，如图6所示，加热激光14的光斑和寻道激光15的光斑之间的间隔被调整到等于平地8和沟槽9之间的间隔d，并且寻道激光15被定位在加热激光14之前，沿着图中以箭标A表示的、致动器13的移动方向。即，当寻道激光15的光斑照射到沟槽9时，加热激光14的光斑同平地8之间相互交叠。

17表示一个定时器，当该定时器数完用来照射平地的预设加热激光14的预设时间后就被重置(reset)。18表示一个计数器，磁盘媒体1的平地数量被设定到该计数器中，并且每当定时器17被重置(reset)时这个预设值都被减去。即，当定时器rest的次数的值同磁盘媒体1上平地的数量相匹配时，这个计数器被重置。

当探测到定时器17的rest时，控制器11确定被执行的沟槽填充过程被完成，并且为了将加热激光14的光斑移动到邻近的沟槽，控制器11沿图6的箭头A方向驱动致动器15。当探测到寻道激光15的光斑辐射到沟槽9上时，控制器11决定使加热激光14的光斑定位到平地8上，同时停止操作致动器16，并再一次开始定时器17的操作。此外，当控制器11探测到计数器18的值为0时，它确定在磁盘1上的所有沟槽都被填充，指示加热激光15停止对平地的照射。在上述例子中，因为致动器以恒定的时间间隔移动，从激光接受的热量随着圆周方向的长度不同在平地之间波动，因此，这就允许记录转轴电机12的旋转次数和在每一个恒定旋转次数中移动致动器。

保护薄膜6由不连续的碳或者含碳的化合物所组成。例如，可以列举出WC，SiC，B4C，含氢的碳和类金刚石碳(DLC)(该物质以具有较高的硬度而著名)。保护薄膜6优选地由溅射方法形成，比如说磁控溅射或诸如此类的方法。适宜的薄膜生长条件是，例如，薄膜生长温度为20-100℃，氩气压为1-10毫托。此外，其它薄膜生长方法，比如真空蒸发法，离子束溅射或诸如此类的方法都可以用来替代上述提到的溅射法。依赖于各种因素保护薄膜6的厚度可以在一个宽的范围内被确定，但优选范围是5到20nm。

润滑薄膜7由以间苯三酚碳(phlorocarbon)树脂为基的材料组成，厚度为0.5到2nm。润滑薄膜7以如下方式形成：当媒体1被浸入到含有上述材料的溶液中时，润滑剂薄膜被形成在媒体上。润滑薄膜7的厚度依赖于溶液中材料的浓度和媒体从溶液中向上提拉的速度。

此外，本发明涉及一个包含如上所述的磁存储媒体的磁盘设备，一个实例在图7和图8中说明。图7是本发明中磁盘设备在盖子被移去状态下的平面图。图8是沿图7中A-A线方向的横断面示意图。

在这些图中，50表示的是一个由转轴电机52驱动的磁盘，该转轴电机被安装在基板51上。在这个实施例中，提供三个磁盘。

53表示的是一个安装于基板51上可自由旋转的致动器。在致动器53的一端，许多向与磁盘50记录表面平行方向伸展的头臂54被形成。一个弹簧臂被安装在头臂的一端。滑动器40经由一层绝缘薄膜被安装到弹簧臂55的弯曲部分，该绝缘薄膜未被表示出来。在致动器53的另一端安装有线圈57。

在基板51上，给出了一个由永久磁体和轭形成的磁路58。线圈57安装在磁路58的磁间隙内部，一个声音线圈电机(VCM)由磁路58和线圈57形成。此外，基板51的上部被盖子59保护起来。

下面解释磁盘设备的操作。当磁盘50不工作时，滑动器40停止同磁盘50的保存区相接触。接下来，当磁盘设备50被转轴电机52带动旋转时，滑动器40从磁盘表面漂浮起来，由于磁盘50的旋转所产生的空气流而保持一个小的间隙。当滑动器被浮起时，如果向线圈57中输入一个电流，就会在线圈57的内部产生一个推动力，从而带动致动器53旋转。相应的，滑动器40移到磁盘50预先设定的轨道上执行数据的读写操作。

因为这个磁盘设备中，沟槽形成在磁盘50上，这就能有效地控制磁道 边缘噪音。此外，沟槽被平滑薄膜所填充，从而磁盘50的表面变得平坦，因此，在磁盘表面上由于磁盘的旋转所产生的空气流动就被平滑，从而保证了滑动器40的稳定漂浮。

在这个实施例中，一个具有如图2所示横截面的磁存储媒体已经在如下所述的条件下被生产出来。在此实例中，如图9所示的直流磁控装置10被用来形成垫层薄膜3、磁膜4、平滑薄膜5和保护薄膜。如图所示，溅射设备30装备有用来将气体引入到溅射室中的进气口21、排气口22、用以支持磁盘衬底的基座23、garget25和磁铁25。

衬底2由一个2.5英寸的玻璃盘构成，沟槽8形成在这个盘片上。沟槽8在玻璃盘片表面上形成保护层的过程中被形成，因而该保护层被用一个暴光设备来构图，没有被该保护层覆盖的沟槽形成表面用RIE工艺变平。在这个实施例中，沟槽8深度为60nm，宽度是0.3μm，而平地宽度为2.7μm。这里，平地宽度加沟槽宽度总共为3.0μm，变成了本实施例中磁存储媒体的磁道间距。在本实施例中，未执行衬底的织构处理。

垫层3是一个不连续的铬层。当溅射室被抽至1×10^-8托后，在衬底温度250℃、溅射室中气压5毫托、直流功率300瓦的条件下，这层薄膜被形成在衬底2上，厚度为20nm。

磁膜4是一个不连续的CoCrPtTa层，它形成在垫层薄膜3之上，厚度为20nm，制备条件是：溅射室中氩气压：5毫托，直流功率200瓦。在本实施例中磁膜4的成分是：Co：80at％，Cr：16at％，Pt：12at％，Ta：2at％。

因为被引入到溅射室中的气体与制备垫层薄膜和磁膜时所使用的气体不同，所以平滑薄膜5的制备是将衬底2转移到其它溅射设备上来进行的。在溅射室被抽至1×10^-8托后，平滑薄膜5被制备在磁膜4上，厚度为6nm。制备条件是：衬底温度为20℃，溅射室内比例为9∶1的Ar∶CH₄混合气体，气压为5毫托。在平滑薄膜5形成后，执行平滑过程。平滑过程通过以1000rpm的转速旋转衬底2被实施，且每一平地的平滑薄膜5都被波长790nm最大激光功率2.5mW的半导体激光器10照射。平滑处理的结果是，平地上的平滑薄膜4流到沟槽上，媒体表面上的水平高差被一直减至2nm。

作平滑处理之后，媒体被拿回到制备垫层2和磁膜3的溅射室里，在其上形成保护薄膜6。保护薄膜6由无定型碳(aC)构成，厚度为10nm，当溅射室内的真空被抽至1×10^-8托以后，在衬底温度为20℃、溅射室内氩气压为5毫托、直流功率为400W的条件下形成。应用上述的平滑处理，保护薄膜6的被层压表面的水平高差几乎全部被消除，因而保护薄膜6几乎是平的。

润滑薄膜7由间苯三酚碳(phlorocarbon)组成，在保护薄膜6上的厚度为2nm。

本发明中使用上述材料和方法制造的磁存储媒体已经被生产出来。结果，媒体表面上平地和沟槽之间的水平高差被控制到2到3nm。

图10所示为平滑过程中激光功率与平滑薄膜(TeC)的平地和沟槽间水平高差之间的关系。当激光功率为0-1mW时，TeC薄膜不熔化，因此水平高差几乎不改变。当激光功率升高到1.5mW，TeC薄膜开始熔化并向沟槽流动，从而减小水平高差。当激光功率增加到2.5mW或更高时，平地上的TeC薄膜几乎全部移到了沟槽上，使水平高差可被一直缩减到2nm。

图11所示为一个用来探测磁盘媒体和磁头碰撞的设备，该设备包括用于使待测媒体旋转的空气转轴30、用于支持磁头的基座32、用于检测媒体和磁头的碰撞的AE传感器32、用于放大AE传感器信号的放大器和滤波器33。使用图11中的设备对磁盘媒体进行评价，在磁头圆周速率为10m/s、漂浮量为20nm的条件下，得到了图12和图14所列出的结果。

图12所示是磁盘媒体表面上沟槽与平地之间的水平高差和磁头漂浮耐久时间之间关系的调查结果。从表1可明显看出，当媒体的水平高差小于或等于5nm时，没有发生磁盘媒体同磁头的显著碰撞，磁头可以漂浮1000小时或更长时间。同时，当媒体具有6nm或大于6nm的水平高差时，从磁头漂浮开始算起几小时之内碰撞就发生了。换句话说，磁头只能漂浮很短的时间。从表12的结果看出，可以理解，为了得到磁头的稳定漂浮，将媒体表面上平地和沟槽之间的水平高差设定为等于或小于5nm。

图21表示的是图1所述相关技术中的磁盘媒体的磁头漂浮耐久时间。因为沟槽没有形成在图1(a)中所示媒体的衬底上，表面是平坦的，磁头可以实现1000小时或更长时间的漂浮。同时，在图1(b)所示的媒体的情形中，由于在衬底上形成了沟槽，在几小时内就发生了碰撞。

从表12和表14的结果可以理解，因为本实施例中的磁存储媒体在平地和沟槽之间的水平高差只有2nm，所以能够获得与表面从未形成沟槽的平坦的媒体相等的漂浮耐久时间。

本发明的工业应用

因为一个磁膜被层压在表面形成沟槽且磁道被磁隔离的衬底上，所以本发明的磁存储媒体能够降低磁道边缘噪音。结果，磁道密度可以被增加。此外，因为本发明的磁存储媒体的表面平坦，在媒体表面的空气流动不受干扰，因而可以实现磁头的稳定漂浮。最终，磁头波动可以被降低，从而线密度得到了增加。

因此，本发明使磁道密度和线密度都得到了增加，从而可以实现磁存储媒体的小尺寸和大容量。

Claims (7)

1.一种磁存储媒体，包括：

其上形成沟槽和平地的衬底；

层压在所述衬底上的磁膜；以及

沉积在所述沟槽上的所述磁膜上、沉积到位置比衬底的平地更高的非磁性膜，其中该磁膜形成在衬底的沟槽中，

所述非磁性膜由比所述磁膜的材料熔点低的材料形成。

2.根据权利要求1中的磁存储媒体，其特征在于所述非磁性膜至少包括Te。

3.根据权利要求1中的磁存储媒体，其特征在于，在最上表面处沟槽和平地之间的水平高差等于或小于5nm。

4.一种制造磁存储媒体的方法，其特征在于包括以下步骤：

在形成沟槽和平地的衬底上层压一层磁膜；

在所述磁膜上层压一层非磁性膜；

将所述非磁性膜加热到高于所述非磁性膜的熔点的温度，

其中所述非磁性膜以表示形式为(沟槽宽度/平地宽度)×沟槽深度的厚度被层压，

一种熔点比所述磁膜材料的熔点低的材料被沉积作为非磁性膜。

5.根据权利要求4中的制造磁存储媒体的方法，其特征在于所述非磁性膜用激光束加热。

6.根据权利要求5中的制造磁存储媒体的方法，其特征在于，一种至少含有Te的材料被层压到所述磁膜上作为非磁性膜。

7.一种磁存储媒体，包括：

其上形成沟槽和平地的衬底；

层压在所述衬底上的磁膜；以及

沉积在所述沟槽上的所述磁膜上、沉积到位置比衬底的平地更高的非磁性膜，其中该磁膜形成在衬底的沟槽中，

在最上表面处沟槽和平地之间的水平高差等于或小于5nm。

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