JP2706173B2 - 磁気メモリ素子の製造方法 - Google Patents
磁気メモリ素子の製造方法Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
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- G11B5/82—Disk carriers
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気を用いて情報の記録、再生を行う磁気
メモリ素子の製造方法に関するものである。
メモリ素子の製造方法に関するものである。
近年、取り扱う情報量の増大と共に、それを記録する
メモリ装置もより一層高密度、大容量なものが要求され
てきている。そこで、そのような要求に応じるメモリ装
置として、例えば磁気ディスクメモリや光磁気ディスク
メモリ等が、高密度、大容量であるうえ、ランダムアク
セスも可能なことから、計算機用外部メモリ等に幅広く
利用されている。
メモリ装置もより一層高密度、大容量なものが要求され
てきている。そこで、そのような要求に応じるメモリ装
置として、例えば磁気ディスクメモリや光磁気ディスク
メモリ等が、高密度、大容量であるうえ、ランダムアク
セスも可能なことから、計算機用外部メモリ等に幅広く
利用されている。
ここで、第10図を参照しながら、上記従来の磁気ディ
スクについて以下に説明する。
スクについて以下に説明する。
上記従来の磁気ディスクは、第10図に示すように、ア
ルミニウム基板21の上にCoNiCr等から成る磁性膜層22が
形成され、その上からカーボン膜等の潤滑層23が設けら
れている。そして、この磁気ディスクに対して、サスペ
ンション25に支持された磁気ヘッド27付きの浮上型スラ
イダ26により記録、再生が行われるようになっている。
なお、磁気ヘッド27と磁気ディスク表面との間のスペー
ス28は、通常0.2μｍ程度である。
ルミニウム基板21の上にCoNiCr等から成る磁性膜層22が
形成され、その上からカーボン膜等の潤滑層23が設けら
れている。そして、この磁気ディスクに対して、サスペ
ンション25に支持された磁気ヘッド27付きの浮上型スラ
イダ26により記録、再生が行われるようになっている。
なお、磁気ヘッド27と磁気ディスク表面との間のスペー
ス28は、通常0.2μｍ程度である。
上記のような構成によれば、浮上型スライダ26に設け
られている磁気ヘッド27を所定のスペース28に保ちなが
ら、アルミニウム基板21と一体的に回転する磁性膜層22
をトレースして記録、再生が行われる。なお、アルミニ
ウム基板21が回転しているときは、アルミニウム基板21
との間の空気による浮圧とサスペンション25による押圧
とによって所定のスペース28が保たれる。
られている磁気ヘッド27を所定のスペース28に保ちなが
ら、アルミニウム基板21と一体的に回転する磁性膜層22
をトレースして記録、再生が行われる。なお、アルミニ
ウム基板21が回転しているときは、アルミニウム基板21
との間の空気による浮圧とサスペンション25による押圧
とによって所定のスペース28が保たれる。
磁気ディスクでは、上記スペース28が小さいほど磁性
膜層22に記録された情報を磁気ヘッド27で読み出すとき
の出力が大きくなり好ましいが、逆にスペース28が小さ
すぎて磁気ヘッド27が潤滑層23に接触すると、潤滑層23
の厚みが薄いためその下に設けられている磁性膜層22に
傷がついたり、雑音が生じたりする。磁気ヘッド27とデ
ィスクとが接触するのはディスク基板の表面の突出した
所であるので、傷をつけずに磁気ヘッド27を近づけるに
は、ディスク表面の面粗さはできるだけ微細であること
が望ましい。
膜層22に記録された情報を磁気ヘッド27で読み出すとき
の出力が大きくなり好ましいが、逆にスペース28が小さ
すぎて磁気ヘッド27が潤滑層23に接触すると、潤滑層23
の厚みが薄いためその下に設けられている磁性膜層22に
傷がついたり、雑音が生じたりする。磁気ヘッド27とデ
ィスクとが接触するのはディスク基板の表面の突出した
所であるので、傷をつけずに磁気ヘッド27を近づけるに
は、ディスク表面の面粗さはできるだけ微細であること
が望ましい。
一方、磁気ディスクでは、磁気ディスクを起動すると
きや停止するときに、通常、浮上型スライダ26と磁気デ
ィスクとが接触する、所謂コンタクト・スタートストッ
プ（CSS）方式を取るのが普通である。しかし、そのと
き、磁気ディスクの面粗さが余り細かいと、浮上型スラ
イダ26が磁気ディスク表面に吸着してしまい、磁気ディ
スクの回転始動ができなくなることがある。そこで、磁
気ディスク表面には、例えば第11図に一部拡大図として
示すように、凹凸を設ける加工、いわゆるテクスチャ加
工を施したものが使用される。
きや停止するときに、通常、浮上型スライダ26と磁気デ
ィスクとが接触する、所謂コンタクト・スタートストッ
プ（CSS）方式を取るのが普通である。しかし、そのと
き、磁気ディスクの面粗さが余り細かいと、浮上型スラ
イダ26が磁気ディスク表面に吸着してしまい、磁気ディ
スクの回転始動ができなくなることがある。そこで、磁
気ディスク表面には、例えば第11図に一部拡大図として
示すように、凹凸を設ける加工、いわゆるテクスチャ加
工を施したものが使用される。
即ち、アルミニウム基板21をアルマイト処理をした
後、表面研磨して200Å程度の凹凸を設け、その上か
ら、磁性膜層22、カーボン膜から成る潤滑層23等を積層
した構造である。そのため、結局凹凸の一番高い山に当
たらないように磁気ヘッド27の浮上高さを調整する必要
があり、実効的なスペース28として0.2μｍ程度しか得
られないことになる。
後、表面研磨して200Å程度の凹凸を設け、その上か
ら、磁性膜層22、カーボン膜から成る潤滑層23等を積層
した構造である。そのため、結局凹凸の一番高い山に当
たらないように磁気ヘッド27の浮上高さを調整する必要
があり、実効的なスペース28として0.2μｍ程度しか得
られないことになる。
つまり、上記従来の磁気ディスクメモリは、高密度化
しようとすると、磁気ヘッドと磁気ディスクとのスペー
スを小さくする必要があり、そのためには磁気ディスク
の表面の面粗さを微細にしなければならない。しかし、
面粗さを微細にすると、磁気ディスクの回転始動ができ
なくなるという問題点を有している。
しようとすると、磁気ヘッドと磁気ディスクとのスペー
スを小さくする必要があり、そのためには磁気ディスク
の表面の面粗さを微細にしなければならない。しかし、
面粗さを微細にすると、磁気ディスクの回転始動ができ
なくなるという問題点を有している。
請求項第１項の発明に係る磁気メモリ素子の製造方法
は、上記課題を解決するために、平滑な基板に形成され
たグルーブおよびランド上に、情報を記録するための磁
性膜および潤滑層を順に製膜し、上記ランド部分の表面
を上記グルーブ部分の表面よりも高く形成することを特
徴としている。
は、上記課題を解決するために、平滑な基板に形成され
たグルーブおよびランド上に、情報を記録するための磁
性膜および潤滑層を順に製膜し、上記ランド部分の表面
を上記グルーブ部分の表面よりも高く形成することを特
徴としている。
請求項第２項の発明に係る磁気メモリ素子の製造方法
は、上記課題を解決するために、請求項１の構成に加え
て、上記ランドの幅と上記グルーブの幅との比が、1:5
ないし1:10であることを特徴としている。
は、上記課題を解決するために、請求項１の構成に加え
て、上記ランドの幅と上記グルーブの幅との比が、1:5
ないし1:10であることを特徴としている。
請求項第１項記載の構成においては、潤滑層における
ランド部分の表面がグルーブ部分の表面よりも高くなっ
ているので、コンタクト・スタートストップ時の浮上型
スライダと接触する部分がランド部分のみとなり、接触
面積を小さくすることができる。これは、ランドの面積
を小さくすればするほど顕著になり、浮上型スライダが
磁気メモリ素子に吸着することを回避できる。
ランド部分の表面がグルーブ部分の表面よりも高くなっ
ているので、コンタクト・スタートストップ時の浮上型
スライダと接触する部分がランド部分のみとなり、接触
面積を小さくすることができる。これは、ランドの面積
を小さくすればするほど顕著になり、浮上型スライダが
磁気メモリ素子に吸着することを回避できる。
また、情報が記録されるグルーブ部分の磁性膜は、浮
上型スライダとは直接接触することがなくなるので、該
部分の磁性膜に傷が生じなくなると共に、浮上型スライ
ダに搭載された磁気ヘッドと磁性膜との間のスペースを
実質的に小さくでき、再生信号の出力が大きくなり、信
頼性が向上する。
上型スライダとは直接接触することがなくなるので、該
部分の磁性膜に傷が生じなくなると共に、浮上型スライ
ダに搭載された磁気ヘッドと磁性膜との間のスペースを
実質的に小さくでき、再生信号の出力が大きくなり、信
頼性が向上する。
さらにまた、磁性膜および潤滑層の製膜を連続して行
うので、真空雰囲気のまま処理を行うことができ、工程
を簡略化することができる。また、グルーブは浅くても
よく、該グルーブを容易に形成することができる。
うので、真空雰囲気のまま処理を行うことができ、工程
を簡略化することができる。また、グルーブは浅くても
よく、該グルーブを容易に形成することができる。
また、請求項第２項記載の構成においては、ランドの
幅がグルーブの幅より非常に狭くなっているので、浮上
型スライダの接触する面積を非常に小さくすることがで
きる。従って、浮上型スライダが磁気メモリ素子に吸着
することを確実に回避できる。
幅がグルーブの幅より非常に狭くなっているので、浮上
型スライダの接触する面積を非常に小さくすることがで
きる。従って、浮上型スライダが磁気メモリ素子に吸着
することを確実に回避できる。
本発明の基礎となる構成について、第１図ないし第８
図に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図に基づいて説明すれば、以下の通りである。
磁気メモリ素子としてのディスクには、第１図に示す
ように、例えばソーダアルミノケイ酸等から成るガラス
基板１が用いられている。このガラス基板１は、例えば
直径50mm、厚み0.8mmのディスク型の形状を有してお
り、その表面は10Å程度の粗さまで研磨されている。
ように、例えばソーダアルミノケイ酸等から成るガラス
基板１が用いられている。このガラス基板１は、例えば
直径50mm、厚み0.8mmのディスク型の形状を有してお
り、その表面は10Å程度の粗さまで研磨されている。
また、このガラス基板１上には、図におけるＡで示す
トラックピッチ、例えば１μｍ〜２μｍの間隔でスパイ
ラルあるいは同心円状にグルーブ16が設けられ、そのグ
ルーブ16の底面に、例えば磁性体としてPtやPd等とCoと
の多層膜から成る磁性膜２が形成されている。このと
き、ランド部分とグルーブ部分の幅の比は1:5程度であ
る。
トラックピッチ、例えば１μｍ〜２μｍの間隔でスパイ
ラルあるいは同心円状にグルーブ16が設けられ、そのグ
ルーブ16の底面に、例えば磁性体としてPtやPd等とCoと
の多層膜から成る磁性膜２が形成されている。このと
き、ランド部分とグルーブ部分の幅の比は1:5程度であ
る。
そして、磁性膜２の表面は、各隣接するグルーブ16の
間にあるガラス基板１の平面であるランド４の面より低
くなるように設けられている。さらに、磁性膜２および
ランド４の表面には潤滑性を付与する、例えばカーボン
等の潤滑材がスパッタリングや蒸着等により形成された
潤滑層３が設けられている。
間にあるガラス基板１の平面であるランド４の面より低
くなるように設けられている。さらに、磁性膜２および
ランド４の表面には潤滑性を付与する、例えばカーボン
等の潤滑材がスパッタリングや蒸着等により形成された
潤滑層３が設けられている。
なお、上述のようにガラス基板１の表面が10Å程度の
粗さまで研磨されているので、ランド４の面は非常に滑
らかになっている。従って、磁気ヘッド６（第２図参
照）を磁性膜２に接近させても、両者が直接接触するこ
とがなく、磁気ヘッド６と磁性膜２との実質的なスペー
スを小さくすることができる。
粗さまで研磨されているので、ランド４の面は非常に滑
らかになっている。従って、磁気ヘッド６（第２図参
照）を磁性膜２に接近させても、両者が直接接触するこ
とがなく、磁気ヘッド６と磁性膜２との実質的なスペー
スを小さくすることができる。
以上のような構成を有するディスクを回転させ、磁性
膜２と浮上型スライダに搭載した磁気ヘッドとの間の距
離を所定のスペースに保ってトレースすることにより、
情報の記録、再生が行われるようになっている。一方、
停止時には、上記浮上型スライダはディスクにおけるラ
ンド４上の潤滑層３と接触して保持される。
膜２と浮上型スライダに搭載した磁気ヘッドとの間の距
離を所定のスペースに保ってトレースすることにより、
情報の記録、再生が行われるようになっている。一方、
停止時には、上記浮上型スライダはディスクにおけるラ
ンド４上の潤滑層３と接触して保持される。
次に、上記ディスクを作製する工程を順をおって説明
する。
する。
まず、第３図に示すように、（１）例えば直径50mmで
表面が10Å程度の粗さに研磨されたディスク形状の、例
えばソーダアルミノケイ酸等から成るガラス基板１を洗
浄し、その研磨面にポジ型のフォトレジスト９を約1500
Å塗布する。この後、第４図に示すように、（２）フォ
トレジスト９の上から、ランド４の部分にTa等の遮蔽金
属11を埋め込んだフォトマスク10を密着させ、200nm〜4
00nmの波長の紫外線12を照射する。その後、第５図に示
すように、（３）フォトレジスト９を現像する。
表面が10Å程度の粗さに研磨されたディスク形状の、例
えばソーダアルミノケイ酸等から成るガラス基板１を洗
浄し、その研磨面にポジ型のフォトレジスト９を約1500
Å塗布する。この後、第４図に示すように、（２）フォ
トレジスト９の上から、ランド４の部分にTa等の遮蔽金
属11を埋め込んだフォトマスク10を密着させ、200nm〜4
00nmの波長の紫外線12を照射する。その後、第５図に示
すように、（３）フォトレジスト９を現像する。
次に、第６図に示すように、（４）CF4等のガスを用
いて反応性イオンエッチングを行い、スパイラルあるい
は同心円状のグルーブ16を形成する。このグルーブ16の
深さは約800Åに設定されている。このとき、各グルー
ブ16間のガラス基板１上にはランド４が形成されてい
る。
いて反応性イオンエッチングを行い、スパイラルあるい
は同心円状のグルーブ16を形成する。このグルーブ16の
深さは約800Åに設定されている。このとき、各グルー
ブ16間のガラス基板１上にはランド４が形成されてい
る。
そして、第７図に示すように、（５）上記ガラス基板
１上に、磁性体としてPt/Co等から成る多層膜の磁性膜
２を600〜700Åの厚さでほぼ均一に製膜する。したがっ
て、磁性膜２の表面はランド４より低くなる。
１上に、磁性体としてPt/Co等から成る多層膜の磁性膜
２を600〜700Åの厚さでほぼ均一に製膜する。したがっ
て、磁性膜２の表面はランド４より低くなる。
この後、第８図に示すように、（６）ランド４上に残
っているフォトレジスト９を除き、同時にフォトレジス
ト９上の磁性膜２も除去する。そして、潤滑層３として
カーボン等を20Å〜100Åの厚さとなるようにスパッタ
リングや蒸着等により製膜して、第１図に示すディスク
が完成する。上記の工程で製造されたディスクは、ラン
ド４へのカーボン層が直接ガラス基板１に形成されるた
め、強固な潤滑層３とすることができる。
っているフォトレジスト９を除き、同時にフォトレジス
ト９上の磁性膜２も除去する。そして、潤滑層３として
カーボン等を20Å〜100Åの厚さとなるようにスパッタ
リングや蒸着等により製膜して、第１図に示すディスク
が完成する。上記の工程で製造されたディスクは、ラン
ド４へのカーボン層が直接ガラス基板１に形成されるた
め、強固な潤滑層３とすることができる。
以上のような構成によれば、グルーブ16の底面に形成
された磁性膜２の膜厚がランド４より低く設定されてい
るため、浮上型スライダと接触しているディスク面では
ランド４部分だけが接触し、磁性膜２とは直接に接触し
なくなる。このことにより、装置の起動時や停止時に、
浮上型スライダと磁気メモリ素子との接触面積を小さく
できる。したがって、起動時に、浮上型スライダが磁気
メモリ素子に吸着しなくなるので、磁気ディスクの回転
始動が確実に行なえる。
された磁性膜２の膜厚がランド４より低く設定されてい
るため、浮上型スライダと接触しているディスク面では
ランド４部分だけが接触し、磁性膜２とは直接に接触し
なくなる。このことにより、装置の起動時や停止時に、
浮上型スライダと磁気メモリ素子との接触面積を小さく
できる。したがって、起動時に、浮上型スライダが磁気
メモリ素子に吸着しなくなるので、磁気ディスクの回転
始動が確実に行なえる。
また、ランド４の表面が10Å程度の粗さまで研磨され
ているので、磁気ヘッドをランド４面に接近させても、
磁気ヘッドと磁性膜２との実質的なスペースを小さくで
き、再生時における磁気ヘッドからの信号出力を増大さ
せることができる。例えば、浮上型スライダに、ディス
クにおける記録面に対する対向面として２×3mm2のCaTi
O3等から成るセラミックを用いて、ディスクを3600rpm
で回転させた場合、サスペンションにかける押圧を調整
することで、0.1μｍ以下のスペースを容易に得ること
ができた。
ているので、磁気ヘッドをランド４面に接近させても、
磁気ヘッドと磁性膜２との実質的なスペースを小さくで
き、再生時における磁気ヘッドからの信号出力を増大さ
せることができる。例えば、浮上型スライダに、ディス
クにおける記録面に対する対向面として２×3mm2のCaTi
O3等から成るセラミックを用いて、ディスクを3600rpm
で回転させた場合、サスペンションにかける押圧を調整
することで、0.1μｍ以下のスペースを容易に得ること
ができた。
さらに、グルーブ16内の磁性膜２がランド４によって
保護されているので、浮上型スライダの接触による磁性
膜２の損傷が回避され、磁気ディスクメモリの信頼性が
向上する。例えば、上記のディスクを使用したメモリー
装置において、振動等により浮上型スライダがディスク
に接触しても、直接には磁性膜２が浮上型スライダと接
触しないため、磁性膜２が損傷することはなく、非常に
完全な構造となっている。
保護されているので、浮上型スライダの接触による磁性
膜２の損傷が回避され、磁気ディスクメモリの信頼性が
向上する。例えば、上記のディスクを使用したメモリー
装置において、振動等により浮上型スライダがディスク
に接触しても、直接には磁性膜２が浮上型スライダと接
触しないため、磁性膜２が損傷することはなく、非常に
完全な構造となっている。
ここで、第２図を参照しながら、上記構成を有する磁
気ディスクを使用して記録、再生する他の方法について
以下に説明する。なお、上記構成と同一の機能を有する
部材については同一の参照符号を付記し、その詳細な説
明は省略する。
気ディスクを使用して記録、再生する他の方法について
以下に説明する。なお、上記構成と同一の機能を有する
部材については同一の参照符号を付記し、その詳細な説
明は省略する。
第２図は、第１図で示したガラス基板１上に設けられ
たグルーブ16内に形成された磁性膜２を有する記録層７
に、サスペンションによって支持された浮上型スライダ
５が接触している状態を示している。第１図に示した構
成を有する磁気ディスクを使用しているために、磁気ヘ
ッド６が浮上しなくても磁性膜２には傷が生じない。従
って、第２図に示すような状態で磁気記録及びその再生
が可能となる。特に、磁気ディスクの半径が10mm〜30mm
のような小さなディスクでは、磁気ディスクを3600rpm
以上の高速回転をしても、半径が小さいため、その周速
度はそれほど大きくならず（例えば、半径30mmのディス
クを3600rpmで使用した場合、線速度は11m/s程度であ
る）、従って浮上型スライダ５を接触させても、浮上型
スライダ５あるいは潤滑層３の摩擦による磨耗は発生し
ない。こうすることで、磁気ヘッドと記録層７内の磁性
膜２との距離を浮上型スライダ５が浮上している場合に
比して更に近づけることができるため、再生時の再生出
力を大きくでき、その結果高密度記録が可能となる。特
に、第２図のガラス基板１を挟んで浮上型スライダ５と
反対側からレーザ光をレンズで集光して記録層７内の磁
性膜２に照射し、レーザ光の微小スポット部分の温度上
昇によって、磁性膜２の当該部分の保磁力を下げて記録
し易い状態にして磁気記録を行うと（例えば特願平２−
158072号や特願平２−158077号で提案した光アシスト磁
気記録を行うと）、記録トラック密度を上げることがで
きるため、超高密度の記録、再生が行なえる新しいディ
スクメモリ装置を創出できる。
たグルーブ16内に形成された磁性膜２を有する記録層７
に、サスペンションによって支持された浮上型スライダ
５が接触している状態を示している。第１図に示した構
成を有する磁気ディスクを使用しているために、磁気ヘ
ッド６が浮上しなくても磁性膜２には傷が生じない。従
って、第２図に示すような状態で磁気記録及びその再生
が可能となる。特に、磁気ディスクの半径が10mm〜30mm
のような小さなディスクでは、磁気ディスクを3600rpm
以上の高速回転をしても、半径が小さいため、その周速
度はそれほど大きくならず（例えば、半径30mmのディス
クを3600rpmで使用した場合、線速度は11m/s程度であ
る）、従って浮上型スライダ５を接触させても、浮上型
スライダ５あるいは潤滑層３の摩擦による磨耗は発生し
ない。こうすることで、磁気ヘッドと記録層７内の磁性
膜２との距離を浮上型スライダ５が浮上している場合に
比して更に近づけることができるため、再生時の再生出
力を大きくでき、その結果高密度記録が可能となる。特
に、第２図のガラス基板１を挟んで浮上型スライダ５と
反対側からレーザ光をレンズで集光して記録層７内の磁
性膜２に照射し、レーザ光の微小スポット部分の温度上
昇によって、磁性膜２の当該部分の保磁力を下げて記録
し易い状態にして磁気記録を行うと（例えば特願平２−
158072号や特願平２−158077号で提案した光アシスト磁
気記録を行うと）、記録トラック密度を上げることがで
きるため、超高密度の記録、再生が行なえる新しいディ
スクメモリ装置を創出できる。
次に、本発明の一実施例を第９図に基づいて以下に説
明する。
明する。
なお、前記の構成と同様の機能を有するものに対して
は同じ参照符号を付記して詳細な説明を省略し、また、
ディスクの製造方法においては前記製造方法と異なる点
について述べ、同様の方法を用いた工程についてはその
詳細な説明をここでは省略した。
は同じ参照符号を付記して詳細な説明を省略し、また、
ディスクの製造方法においては前記製造方法と異なる点
について述べ、同様の方法を用いた工程についてはその
詳細な説明をここでは省略した。
第９図に示すように、ディスクには、ランド４にも磁
性膜２が形成されている点が前記の構成と異なってお
り、このような構成は、磁性膜２とガラス基板１および
潤滑層３との相互の密着性がよければ可能である。この
ディスクは、前述の製造方法において、（４）の後にラ
ンド４に残るフォトレジスタ９を、例えば酸素プラズマ
によるアッシングにより除去し、その後に磁性膜２と潤
滑層３とを形成するという製造方法により得ることがで
きる。
性膜２が形成されている点が前記の構成と異なってお
り、このような構成は、磁性膜２とガラス基板１および
潤滑層３との相互の密着性がよければ可能である。この
ディスクは、前述の製造方法において、（４）の後にラ
ンド４に残るフォトレジスタ９を、例えば酸素プラズマ
によるアッシングにより除去し、その後に磁性膜２と潤
滑層３とを形成するという製造方法により得ることがで
きる。
この製造方法を前記実施例の方法と比較すると、
（６）の工程が省略されている。すなわち、前記の方法
では、真空中で行われる（５）の工程の後に、その真空
を破り（６）の工程を行い、再び真空中で（７）の工程
を行う必要があったが、（６）の工程が省略された本方
法では、（４）以降の工程を全て真空中で行うことがで
きるため、前記の方法より工程の大幅な簡略化を図るこ
とができる。
（６）の工程が省略されている。すなわち、前記の方法
では、真空中で行われる（５）の工程の後に、その真空
を破り（６）の工程を行い、再び真空中で（７）の工程
を行う必要があったが、（６）の工程が省略された本方
法では、（４）以降の工程を全て真空中で行うことがで
きるため、前記の方法より工程の大幅な簡略化を図るこ
とができる。
なお、上記各構成では、磁性膜２としてPt/Co等から
成る多層膜を用いたが、それに限定されず、他の磁性
体、例えばCoPやCo、Fe、CoCr、TbFeCo、DyFeCo、TbC
o、NdFe等の一層あるいは多層重ねたものでも構成でき
る。特に、前記の光アシスト磁気記録の場合は、Tb20Co
72等の希土類遷移金属膜を用いると、150℃〜200℃付近
での保磁力を500〔エルステッド〕以下にでき、記録が
容易になり好都合である。また、トラックのピッチＡは
５μｍ〜10μｍでもよく、ランド４とグルーブ16の幅の
比は、1:5でも1:10でも、或いはその間の値でもよいこ
とは言うまでもない。
成る多層膜を用いたが、それに限定されず、他の磁性
体、例えばCoPやCo、Fe、CoCr、TbFeCo、DyFeCo、TbC
o、NdFe等の一層あるいは多層重ねたものでも構成でき
る。特に、前記の光アシスト磁気記録の場合は、Tb20Co
72等の希土類遷移金属膜を用いると、150℃〜200℃付近
での保磁力を500〔エルステッド〕以下にでき、記録が
容易になり好都合である。また、トラックのピッチＡは
５μｍ〜10μｍでもよく、ランド４とグルーブ16の幅の
比は、1:5でも1:10でも、或いはその間の値でもよいこ
とは言うまでもない。
また、本実施例を示す第９図では、グルーブ部分の磁
性膜２の表面が基板のランド部分の表面よりも低くなっ
ているが、これは必ずしも必要としない。即ち、磁性膜
と基板の密着性がよい場合は、グルーブ部分の磁性膜２
の表面がランド部分の表面よりも高くなっていても、ラ
ンド部分にも磁性膜が存在するため、実効的なグルーブ
の深さは、基板のグルーブの深さに磁性膜の厚みが加わ
ったものになっている。そのような場合も、本発明の主
旨の範囲にあることは明らかである。
性膜２の表面が基板のランド部分の表面よりも低くなっ
ているが、これは必ずしも必要としない。即ち、磁性膜
と基板の密着性がよい場合は、グルーブ部分の磁性膜２
の表面がランド部分の表面よりも高くなっていても、ラ
ンド部分にも磁性膜が存在するため、実効的なグルーブ
の深さは、基板のグルーブの深さに磁性膜の厚みが加わ
ったものになっている。そのような場合も、本発明の主
旨の範囲にあることは明らかである。
また、以上の実施例の基板はガラス基板を用いたが、
基板の割れが気になる場合には、基板としてアルミニウ
ムを用いてもよい。さらに、アルミニウム基板の上に、
ニッケル合金等の膜が設けられていてもよい。そのとき
でも、基板にグルーブ部分とランド部分とがあり、グル
ーブ部分に磁性膜を設けて磁気記録、磁気再生を行う
際、磁気ヘッドを磁気メモリ素子に近づけることが可能
であり、磁気ヘッドが直接記録部分の磁性膜に接触しな
い構造になっておればよい。
基板の割れが気になる場合には、基板としてアルミニウ
ムを用いてもよい。さらに、アルミニウム基板の上に、
ニッケル合金等の膜が設けられていてもよい。そのとき
でも、基板にグルーブ部分とランド部分とがあり、グル
ーブ部分に磁性膜を設けて磁気記録、磁気再生を行う
際、磁気ヘッドを磁気メモリ素子に近づけることが可能
であり、磁気ヘッドが直接記録部分の磁性膜に接触しな
い構造になっておればよい。
上記実施例は、主として、磁気ディスクメモリについ
て記しているが、これに限定されず、例えばメモリ素子
の形態としてはカードでもよい。その場合は、カードへ
の入出力がディスクに比して比較的ゆっくり行われるた
め、換言すれば、磁気ヘッドに対するカードの移動速度
が遅いため、カードと磁気ヘッドとが接触するタイプが
望ましい。また、このときは、基板として、プラスティ
ックでも充分実用になると考えられる。そのときは、潤
滑層に代えて、ウレタンアクリレート系の紫外線硬化型
のハードコートを用いるとよい。
て記しているが、これに限定されず、例えばメモリ素子
の形態としてはカードでもよい。その場合は、カードへ
の入出力がディスクに比して比較的ゆっくり行われるた
め、換言すれば、磁気ヘッドに対するカードの移動速度
が遅いため、カードと磁気ヘッドとが接触するタイプが
望ましい。また、このときは、基板として、プラスティ
ックでも充分実用になると考えられる。そのときは、潤
滑層に代えて、ウレタンアクリレート系の紫外線硬化型
のハードコートを用いるとよい。
請求項第１項の発明に係る磁気メモリ素子の製造方法
は、以上のように、平滑な基板に形成されたグルーブお
よびランド上に、情報を記録するための磁性膜および潤
滑層を順に製膜し、ランド部分の表面をグルーブ部分の
表面よりも高く形成するものである。
は、以上のように、平滑な基板に形成されたグルーブお
よびランド上に、情報を記録するための磁性膜および潤
滑層を順に製膜し、ランド部分の表面をグルーブ部分の
表面よりも高く形成するものである。
それゆえ、潤滑層におけるランド部分の表面がグルー
ブ部分の表面よりも高くなっているので、コンタクト・
スタートストップ時の浮上型スライダと接触する面積を
小さくすることができる。これは、ランドの面積を小さ
くすればするほど顕著になり、浮上型スライダが磁気メ
モリ素子に吸着することを回避できる。
ブ部分の表面よりも高くなっているので、コンタクト・
スタートストップ時の浮上型スライダと接触する面積を
小さくすることができる。これは、ランドの面積を小さ
くすればするほど顕著になり、浮上型スライダが磁気メ
モリ素子に吸着することを回避できる。
また、情報が記録されるべきグルーブ部分の磁性膜
は、浮上型スライダとは直接接触することがなくなるの
で、該部分の磁性膜に傷が生じなくなると共に、浮上型
スライダに搭載された磁気ヘッドと磁性膜との間の距離
を実質的に小さくでき、再生信号の出力が大きくなり、
信頼性が向上し、記録密度を高くできる。さらに、グル
ーブ部分に設けられる磁性膜と、その隣の磁性膜とが実
質的に分断されるため、記録ビットが隣の記録磁性膜部
分に広がることがなく、トラック密度を上げたときに発
生するクロストークを低減できるという大きな効果を併
せて奏する。
は、浮上型スライダとは直接接触することがなくなるの
で、該部分の磁性膜に傷が生じなくなると共に、浮上型
スライダに搭載された磁気ヘッドと磁性膜との間の距離
を実質的に小さくでき、再生信号の出力が大きくなり、
信頼性が向上し、記録密度を高くできる。さらに、グル
ーブ部分に設けられる磁性膜と、その隣の磁性膜とが実
質的に分断されるため、記録ビットが隣の記録磁性膜部
分に広がることがなく、トラック密度を上げたときに発
生するクロストークを低減できるという大きな効果を併
せて奏する。
さらにまた、磁性膜および潤滑層の製膜を連続して行
うので、真空雰囲気のまま処理を行うことができ、工程
を簡略化することができる。また、グルーブは浅くても
よく、該グルーブを容易に形成することができる。
うので、真空雰囲気のまま処理を行うことができ、工程
を簡略化することができる。また、グルーブは浅くても
よく、該グルーブを容易に形成することができる。
また、請求項第２項の発明に係る磁気メモリ素子の製
造方法は、以上のように、上記ランドの幅と上記グルー
ブの幅との比を、1:5ないし1:10とするものである。
造方法は、以上のように、上記ランドの幅と上記グルー
ブの幅との比を、1:5ないし1:10とするものである。
それゆえ、磁気メモリ素子における浮上型スライダの
接触する面積を非常に小さくすることができる。従っ
て、請求項１の効果に加えて、浮上型スライダが磁気メ
モリ素子に吸着することを確実に回避できる。
接触する面積を非常に小さくすることができる。従っ
て、請求項１の効果に加えて、浮上型スライダが磁気メ
モリ素子に吸着することを確実に回避できる。
第１図ないし第８図は本発明の基礎となる構成を示すも
のである。 第１図は磁気メモリ素子の要部拡大断面図である。 第２図は磁気メモリ素子をスライダを用いてトレースす
る一例を示す説明図である。 第３図ないし第８図は磁気メモリ素子を製造する方法を
順に説明する各段階における基板の要部拡大断面図であ
る。 第９図は本発明の一実施例を示すものであり、磁気メモ
リ素子の要部拡大断面図である。 第10図および第11図は従来例を示すものである。 第10図は磁気メモリ素子をスライダを用いてトレースす
る一例を示す説明図である。 第11図は磁気メモリ素子の要部拡大断面図である。 １はガラス基板、２は磁性膜、３は潤滑層、４はラン
ド、５は浮上型スライダ、６は磁気ヘッド、16はグルー
ブである。
のである。 第１図は磁気メモリ素子の要部拡大断面図である。 第２図は磁気メモリ素子をスライダを用いてトレースす
る一例を示す説明図である。 第３図ないし第８図は磁気メモリ素子を製造する方法を
順に説明する各段階における基板の要部拡大断面図であ
る。 第９図は本発明の一実施例を示すものであり、磁気メモ
リ素子の要部拡大断面図である。 第10図および第11図は従来例を示すものである。 第10図は磁気メモリ素子をスライダを用いてトレースす
る一例を示す説明図である。 第11図は磁気メモリ素子の要部拡大断面図である。 １はガラス基板、２は磁性膜、３は潤滑層、４はラン
ド、５は浮上型スライダ、６は磁気ヘッド、16はグルー
ブである。
Claims (2)
- 【請求項１】平滑な基板に形成されたグルーブおよびラ
ンド上に、情報を記録するための磁性膜および潤滑層を
順に製膜し、上記ランド部分の表面を上記グルーブ部分
の表面よりも高く形成することを特徴とする磁気メモリ
素子の製造方法。 - 【請求項２】上記ランドの幅と上記グルーブの幅との比
は、1:5ないし1:10であることを特徴とする請求項１記
載の磁気メモリ素子の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2253740A JP2706173B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 磁気メモリ素子の製造方法 |
| US07/761,251 US5313357A (en) | 1990-09-21 | 1991-09-17 | Magnetic storage device and manufacturing method thereof |
| CA002051730A CA2051730C (en) | 1990-09-21 | 1991-09-18 | Magnetic storage device and manufacturing method thereof |
| KR1019910016385A KR950012366B1 (ko) | 1990-09-21 | 1991-09-19 | 자기메모리소자 및 그 제조방법 |
| DE69117408T DE69117408T2 (de) | 1990-09-21 | 1991-09-20 | Magnetische Speichersystem und Herstellungsverfahren für ein magnestische speichermedium |
| EP91308613A EP0477031B1 (en) | 1990-09-21 | 1991-09-20 | Magnetic storage system and manufacturing method for a magnetic storage medium thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2253740A JP2706173B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 磁気メモリ素子の製造方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9187075A Division JP2860095B2 (ja) | 1997-07-14 | 1997-07-14 | 磁気メモリ素子の製造方法 |
| JP10231998A Division JP2883611B2 (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | 磁気メモリ素子の記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04134626A JPH04134626A (ja) | 1992-05-08 |
| JP2706173B2 true JP2706173B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=17255480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2253740A Expired - Lifetime JP2706173B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 磁気メモリ素子の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5313357A (ja) |
| EP (1) | EP0477031B1 (ja) |
| JP (1) | JP2706173B2 (ja) |
| KR (1) | KR950012366B1 (ja) |
| CA (1) | CA2051730C (ja) |
| DE (1) | DE69117408T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5350618A (en) * | 1991-03-01 | 1994-09-27 | Teijin Seiki Co., Ltd. | Magnetic medium comprising a substrate having pits and grooves of specific shapes and depths |
| US5430594A (en) * | 1993-05-10 | 1995-07-04 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium |
| DE4421034A1 (de) * | 1994-06-16 | 1995-12-21 | Ibm | Rotierbare Platte zur Speicherung von Information |
| JP3858348B2 (ja) * | 1997-06-04 | 2006-12-13 | スズキ株式会社 | 船外機の排気装置 |
| JP3630004B2 (ja) | 1999-03-11 | 2005-03-16 | スズキ株式会社 | 船外機の排気通路構造 |
| CN1176457C (zh) * | 1999-05-28 | 2004-11-17 | 富士通株式会社 | 磁存储媒体及其制造方法和磁盘设备 |
| FR2827070B1 (fr) * | 2001-07-04 | 2004-07-09 | Commissariat Energie Atomique | Support de stockage d'informations a reseau de plots aimantes lateralement et procede de fabrication de ce support |
| JP2004086968A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Sharp Corp | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3655441A (en) * | 1966-08-22 | 1972-04-11 | Honeywell Inc | Electroless plating of filamentary magnetic records |
| DE2424202A1 (de) * | 1974-05-17 | 1975-11-27 | Erich Rabe | Aufzeichnungstraeger fuer die aufzeichnung und wiedergabe elektrischer schwingungsvorgaenge mit rillen unterschiedlichen profils |
| SU883964A1 (ru) * | 1980-03-06 | 1981-11-23 | Московский Ордена Трудового Красного Знамени Электротехнический Институт Связи | Магнитный диск |
| JPS63249933A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-17 | Hitachi Ltd | 磁気デイスク媒体 |
| US4961123A (en) * | 1988-06-03 | 1990-10-02 | Insite Peripherals | Magnetic information media storage with optical servo tracks |
| US4935835A (en) * | 1988-11-10 | 1990-06-19 | Insite Peripherals, Inc. | Magnetic media containing reference feature and methods for referencing magnetic head position to the reference feature |
| JP2886872B2 (ja) * | 1989-01-13 | 1999-04-26 | 株式会社日立製作所 | 磁気ディスク用基板および磁気ディスク |
| JPH02201731A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-09 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH02201730A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-09 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH02208826A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜型磁気ディスク |
| US5167096A (en) * | 1990-02-26 | 1992-12-01 | Hmt Technology Corporation | Method for texturing a magnetic disc substrate |
| JP2864670B2 (ja) * | 1990-06-08 | 1999-03-03 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜磁気記録ディスクおよび薄膜磁気記録ディスク駆動装置 |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP2253740A patent/JP2706173B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-09-17 US US07/761,251 patent/US5313357A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-18 CA CA002051730A patent/CA2051730C/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-19 KR KR1019910016385A patent/KR950012366B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-09-20 DE DE69117408T patent/DE69117408T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-20 EP EP91308613A patent/EP0477031B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04134626A (ja) | 1992-05-08 |
| DE69117408T2 (de) | 1996-08-08 |
| KR920007209A (ko) | 1992-04-28 |
| DE69117408D1 (de) | 1996-04-04 |
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| CA2051730C (en) | 1996-11-19 |
| EP0477031A1 (en) | 1992-03-25 |
| KR950012366B1 (ko) | 1995-10-17 |
| CA2051730A1 (en) | 1992-03-22 |
| US5313357A (en) | 1994-05-17 |
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