KR920007209A - 자기메모리소자 및 그 제조방법 - Google Patents

자기메모리소자 및 그 제조방법 Download PDF

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주니찌로 나까야마
데쓰로우 무라마쓰
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쓰지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
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    • G11B5/82—Disk carriers

Abstract

내용 없음

Description

자기메모리소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명의 제1실시예를 표시하는 것,
제1도는 자기디스크의 개략적인 구성을 표시하는 종단면도,
제2도는 자기 헤드를 설치한 부상형 슬라이더가 자기디스크에 접촉하고 있는 상태를 표시하는 설명도,
제3도는 자기디스크의 제조방법을 표시하는 것이며 (a)-(f)는 각 제조단계에 있어서 자기디스크의 종단면도.

Claims (11)

  1. 자기헤드에 의해서 정보의 기록·재생을 하는 자기 메모리소자는 그룹이 형성된 기판과 전기 그룹내에 형성된 자성막과를 포함하고 있으며, 전기 자성막의 막두께는 전기 그룹의 깊이보다 적어지도록 설치되어 있으며, 전기 자성막에 정보가 기록된다.
  2. 청구항 1의 자기메모리소자이며, 전기판은 글라스 되어있다.
  3. 청구항 2의 자기메모리소자이며, 전기 그룹간의 랜드의 표면의 거침성을 10~20℃정도로 되어 있다.
  4. 청구항 3의 자기메모리소자이며, 전기 자성막과 전기그룹간의 랜드상에는 윤활막이 형성되어 있다.
  5. 청구항 4의 자기메모리소자이며, 전기 윤활막은 카본막이다.
  6. 청구항 5의 자기메모리소자이며, 전기기판은 원판상이다.
  7. 청구항 1의 자기메모리소자이며, 전기기판은 금속으로 되어있다.
  8. 청구항 1의 자기메모리소자이며, 전기기판은 플라스틱으로 되어있다.
  9. 자기헤드에 의해 정보의 기록 재생을 하는 자기메모리 소자는 그룹이 형성된 기판과 전기그룹상과 전기그룹간의 랜드상에 형성된 자성막과를 포함하고 있으며, 전기그룹상의 자성막에 정보가 기록된다.
  10. 그룹이 형성된 기판과, 전기 그룹내에 형성된 자성막상과, 전기 자성막상과,전기 그룹간의 랜드상에 형성된 윤활막을 포함하고 있으며, 전기자성막의 막두께는 전기그룹의 깊이보다 적어지도록 설정되어 있으며, 자기헤드에 의해 전기자성막에 정보의 기록, 재생을 하는 자기메모리 소자의 제조방법이며, 전기기판에 후트레지스트를 도포하는 공정과 소정형상의 후트마스크를 전기 후트레지스타상에 밀착하여 전기후트마스크측에서 후트레지스트에로 광하는 공정과, 전기후트레지스트를 현상하므로서, 전기 그룹을 형성하고저하는 위치의 후트레지스트를 제거하는 공정과, 잔류한 후트레지스트를 보호막으로 사용해서, 기판을 에칭하여 전기 그룹을 형상하는 공정과, 전기 막두께의 자성막을 형성하는 공정과, 전기 잔류한 후트레지스트를 제거하는 공정과 전기 윤활막을 형성하는 공정을 순차 이룬다.
  11. 그룹이 형성된 기판과, 전기 그룹위에 전기 그룹간의 랜드상에 형성된 자성막과를 포함하고 있으며, 자기헤드에 의해 전기 그룹상의 자성막에 정보의 기록·재생을 하는 자기 메모리소자의 제조방법이며, 전기 기판에 후트레지스트를 도포하는 공정과, 소정형상의 후트마스크를 전기 후트레지스트상에 밀착하여 전기 후트마스크를 전기 후트레지스트상에 밀착하여 전기 후트마스크측에서 후트레지스트에 로광하는 공정과, 전기 후트레지스트를 현상하므로 전기 그룹을 형성하고저 하는 위치의 후트레지스트를 제거하는 공정과, 잔류한 후트레지스트를 보호막으로서 사용하여 기판을 에칭하여 전기그룹을 형성하는 공정과, 전기 잔류한 후트레지스트를 제거하는 공정과, 전기 자성막을 형성하는 공정과, 전기 윤활막을 형성하는 공정과를 순차 이룬다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910016385A 1990-09-21 1991-09-19 자기메모리소자 및 그 제조방법 KR950012366B1 (ko)

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